PJE138K_R1_00001 Panjit International Inc.
Виробник: Panjit International Inc.Description: SOT-523, MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-89, SOT-490
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 223mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-523 Flat Leads
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
на замовлення 32000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4000+ | 4.33 грн |
| 8000+ | 3.87 грн |
| 12000+ | 3.21 грн |
| 28000+ | 2.96 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PJE138K_R1_00001 Panjit International Inc.
Description: SOT-523, MOSFET, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SC-89, SOT-490, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350mA (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V, Power Dissipation (Max): 223mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-523 Flat Leads, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V.
Інші пропозиції PJE138K_R1_00001 за ціною від 2.59 грн до 25.68 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
PJE138K_R1_00001 | Виробник : PanJit Semiconductor |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 350mA; Idm: 1.2A; 223mW; SOT523 Case: SOT523 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Gate charge: 1nC Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 1.2A Kind of channel: enhanced Drain-source voltage: 50V Drain current: 0.35A On-state resistance: 4.5Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 223mW Polarisation: unipolar |
на замовлення 3850 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
PJE138K_R1_00001 | Виробник : PanJit Semiconductor |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 350mA; Idm: 1.2A; 223mW; SOT523 Case: SOT523 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Gate charge: 1nC Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 1.2A Kind of channel: enhanced Drain-source voltage: 50V Drain current: 0.35A On-state resistance: 4.5Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 223mW Polarisation: unipolar кількість в упаковці: 5 шт |
на замовлення 3850 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
PJE138K_R1_00001 | Виробник : Panjit |
MOSFETs 50V N-Channel Enhancement Mode MOSFETESD Protected |
на замовлення 86699 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
PJE138K_R1_00001 | Виробник : Panjit International Inc. |
Description: SOT-523, MOSFET Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-89, SOT-490 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 223mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-523 Flat Leads Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V |
на замовлення 35522 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|