Продукція > PANJIT SEMICONDUCTOR > Всі товари виробника PANJIT SEMICONDUCTOR (1533) > Сторінка 15 з 26

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 4 6 8 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 22 24 26  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
без ПДВ
PDZ5.1B-AU_R1_000A1 PDZ5.1B-AU_R1_000A1 PanJit Semiconductor PDZ4.7B-AU_SERIES.pdf Category: SMD Zener diodes
Description: Diode: Zener; 400mW; 5.1V; SMD; reel,tape; SOD323; single diode
Type of diode: Zener
Power dissipation: 0.4W
Zener voltage: 5.1V
Kind of package: reel; tape
Case: SOD323
Mounting: SMD
Tolerance: ±2%
Semiconductor structure: single diode
Leakage current: 0.75µA
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
42+6.95 грн
56+ 5.04 грн
100+ 3.68 грн
250+ 3.31 грн
390+ 2.69 грн
1072+ 2.54 грн
Мінімальне замовлення: 42
PE1403M1Q_R1_00001 PanJit Semiconductor PE1403M1Q.pdf Category: Transil diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; 4V; 16A; unidirectional; DFN1006-2; reel,tape
Mounting: SMD
Case: DFN1006-2
Capacitance: 0.4pF
Kind of package: reel; tape
Type of diode: TVS array
Features of semiconductor devices: ESD protection
Max. forward impulse current: 16A
Breakdown voltage: 4V
Leakage current: 50nA
Semiconductor structure: unidirectional
Max. off-state voltage: 3.3V
кількість в упаковці: 5 шт
товар відсутній
PE1403M1Q_R1_00001 PanJit Semiconductor PE1403M1Q.pdf Category: Transil diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; 4V; 16A; unidirectional; DFN1006-2; reel,tape
Mounting: SMD
Case: DFN1006-2
Capacitance: 0.4pF
Kind of package: reel; tape
Type of diode: TVS array
Features of semiconductor devices: ESD protection
Max. forward impulse current: 16A
Breakdown voltage: 4V
Leakage current: 50nA
Semiconductor structure: unidirectional
Max. off-state voltage: 3.3V
товар відсутній
PE1805C4A6_R1_00001 PE1805C4A6_R1_00001 PanJit Semiconductor PE1805C4A6.pdf Category: Transil diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; 6÷9V; 5A; unidirectional; SOT23-6; reel,tape
Mounting: SMD
Case: SOT23-6
Breakdown voltage: 6...9V
Leakage current: 1µA
Kind of package: reel; tape
Type of diode: TVS array
Capacitance: 0.8pF
Features of semiconductor devices: ESD protection
Max. off-state voltage: 5V
Semiconductor structure: unidirectional
Max. forward impulse current: 5A
кількість в упаковці: 5 шт
товар відсутній
PE1805C4A6_R1_00001 PE1805C4A6_R1_00001 PanJit Semiconductor PE1805C4A6.pdf Category: Transil diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; 6÷9V; 5A; unidirectional; SOT23-6; reel,tape
Mounting: SMD
Case: SOT23-6
Breakdown voltage: 6...9V
Leakage current: 1µA
Kind of package: reel; tape
Type of diode: TVS array
Capacitance: 0.8pF
Features of semiconductor devices: ESD protection
Max. off-state voltage: 5V
Semiconductor structure: unidirectional
Max. forward impulse current: 5A
товар відсутній
PE1805C4C6_R1_00001 PE1805C4C6_R1_00001 PanJit Semiconductor PE1805C4C6.pdf Category: Transil diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; 6÷9V; 5A; unidirectional; SOT363; reel,tape
Mounting: SMD
Case: SOT363
Breakdown voltage: 6...9V
Leakage current: 1µA
Kind of package: reel; tape
Type of diode: TVS array
Capacitance: 0.8pF
Features of semiconductor devices: ESD protection
Max. off-state voltage: 5V
Semiconductor structure: unidirectional
Max. forward impulse current: 5A
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 2975 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
45+6.78 грн
50+ 5.66 грн
235+ 4.55 грн
640+ 4.3 грн
3000+ 4.14 грн
Мінімальне замовлення: 45
PE1805C4C6_R1_00001 PE1805C4C6_R1_00001 PanJit Semiconductor PE1805C4C6.pdf Category: Transil diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; 6÷9V; 5A; unidirectional; SOT363; reel,tape
Mounting: SMD
Case: SOT363
Breakdown voltage: 6...9V
Leakage current: 1µA
Kind of package: reel; tape
Type of diode: TVS array
Capacitance: 0.8pF
Features of semiconductor devices: ESD protection
Max. off-state voltage: 5V
Semiconductor structure: unidirectional
Max. forward impulse current: 5A
на замовлення 2975 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
75+5.65 грн
85+ 4.54 грн
235+ 3.79 грн
640+ 3.58 грн
Мінімальне замовлення: 75
PE4105C1ES_R1_00001 PE4105C1ES_R1_00001 PanJit Semiconductor Category: Transil diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; 6÷7.5V; 13A; unidirectional; SOD523; reel,tape
Type of diode: TVS array
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Case: SOD523
Semiconductor structure: unidirectional
Leakage current: 1µA
Features of semiconductor devices: ESD protection
Max. off-state voltage: 5V
Max. forward impulse current: 13A
Breakdown voltage: 6...7.5V
Capacitance: 120pF
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 4450 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
72+4.04 грн
108+ 2.61 грн
127+ 2.13 грн
250+ 1.92 грн
500+ 1.78 грн
674+ 1.56 грн
1852+ 1.47 грн
Мінімальне замовлення: 72
PE4105C1ES_R1_00001 PE4105C1ES_R1_00001 PanJit Semiconductor Category: Transil diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; 6÷7.5V; 13A; unidirectional; SOD523; reel,tape
Type of diode: TVS array
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Case: SOD523
Semiconductor structure: unidirectional
Leakage current: 1µA
Features of semiconductor devices: ESD protection
Max. off-state voltage: 5V
Max. forward impulse current: 13A
Breakdown voltage: 6...7.5V
Capacitance: 120pF
на замовлення 4450 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
120+3.36 грн
179+ 2.1 грн
211+ 1.78 грн
250+ 1.6 грн
500+ 1.48 грн
674+ 1.3 грн
1852+ 1.23 грн
Мінімальне замовлення: 120
PEC11SD03M1Q_R1_00501 PanJit Semiconductor Category: Bidirectional SMD transil diodes
Description: Diode: TVS; 5.5V; 3.5A; bidirectional; DFN1006-2; reel,tape; ESD
Type of diode: TVS
Max. off-state voltage: 3V
Breakdown voltage: 5.5V
Max. forward impulse current: 3.5A
Semiconductor structure: bidirectional
Case: DFN1006-2
Mounting: SMD
Leakage current: 1µA
Kind of package: reel; tape
Capacitance: 0.19pF
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
PEC11SD03M1Q_R1_00501 PanJit Semiconductor Category: Bidirectional SMD transil diodes
Description: Diode: TVS; 5.5V; 3.5A; bidirectional; DFN1006-2; reel,tape; ESD
Type of diode: TVS
Max. off-state voltage: 3V
Breakdown voltage: 5.5V
Max. forward impulse current: 3.5A
Semiconductor structure: bidirectional
Case: DFN1006-2
Mounting: SMD
Leakage current: 1µA
Kind of package: reel; tape
Capacitance: 0.19pF
Version: ESD
товар відсутній
PEC1605M1Q_R1_00001 PEC1605M1Q_R1_00001 PanJit Semiconductor PEC1605M1Q.pdf Category: Bidirectional SMD transil diodes
Description: Diode: TVS; 6.8÷11.2V; bidirectional; DFN1006-2; reel,tape
Capacitance: 0.6pF
Mounting: SMD
Case: DFN1006-2
Kind of package: reel; tape
Type of diode: TVS
Features of semiconductor devices: ESD protection
Max. off-state voltage: 5.5V
Semiconductor structure: bidirectional
Breakdown voltage: 6.8...11.2V
Leakage current: 75nA
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
PEC1605M1Q_R1_00001 PEC1605M1Q_R1_00001 PanJit Semiconductor PEC1605M1Q.pdf Category: Bidirectional SMD transil diodes
Description: Diode: TVS; 6.8÷11.2V; bidirectional; DFN1006-2; reel,tape
Capacitance: 0.6pF
Mounting: SMD
Case: DFN1006-2
Kind of package: reel; tape
Type of diode: TVS
Features of semiconductor devices: ESD protection
Max. off-state voltage: 5.5V
Semiconductor structure: bidirectional
Breakdown voltage: 6.8...11.2V
Leakage current: 75nA
товар відсутній
PEC3202M1Q_R1_00201 PanJit Semiconductor Category: Bidirectional SMD transil diodes
Description: Diode: TVS; 2.6÷4V; bidirectional; DFN1006-2; reel,tape
Capacitance: 20pF
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Breakdown voltage: 2.6...4V
Leakage current: 0.5µA
Type of diode: TVS
Features of semiconductor devices: ESD protection
Case: DFN1006-2
Max. off-state voltage: 2.5V
Semiconductor structure: bidirectional
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
PEC3202M1Q_R1_00201 PanJit Semiconductor Category: Bidirectional SMD transil diodes
Description: Diode: TVS; 2.6÷4V; bidirectional; DFN1006-2; reel,tape
Capacitance: 20pF
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Breakdown voltage: 2.6...4V
Leakage current: 0.5µA
Type of diode: TVS
Features of semiconductor devices: ESD protection
Case: DFN1006-2
Max. off-state voltage: 2.5V
Semiconductor structure: bidirectional
товар відсутній
PEC3205M1Q_R1_00201 PanJit Semiconductor Category: Bidirectional SMD transil diodes
Description: Diode: TVS; 5.5÷8V; bidirectional; DFN1006-2; reel,tape
Capacitance: 20pF
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Breakdown voltage: 5.5...8V
Leakage current: 0.5µA
Type of diode: TVS
Features of semiconductor devices: ESD protection
Case: DFN1006-2
Max. off-state voltage: 5V
Semiconductor structure: bidirectional
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
PEC3205M1Q_R1_00201 PanJit Semiconductor Category: Bidirectional SMD transil diodes
Description: Diode: TVS; 5.5÷8V; bidirectional; DFN1006-2; reel,tape
Capacitance: 20pF
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Breakdown voltage: 5.5...8V
Leakage current: 0.5µA
Type of diode: TVS
Features of semiconductor devices: ESD protection
Case: DFN1006-2
Max. off-state voltage: 5V
Semiconductor structure: bidirectional
товар відсутній
PEC3324C2A-AU_R1_000A1 PEC3324C2A-AU_R1_000A1 PanJit Semiconductor PEC3324C2A-AU Category: Transil diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; 26.2÷30.3V; 7A; bidirectional,double; SOT23
Kind of package: reel; tape
Capacitance: 30pF
Max. off-state voltage: 24V
Semiconductor structure: bidirectional; double
Max. forward impulse current: 7A
Breakdown voltage: 26.2...30.3V
Leakage current: 50nA
Application: automotive industry
Type of diode: TVS array
Features of semiconductor devices: ESD protection
Mounting: SMD
Case: SOT23
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
19+21.79 грн
26+ 14.91 грн
100+ 7.19 грн
133+ 6.59 грн
364+ 6.29 грн
1000+ 6.07 грн
3000+ 5.99 грн
Мінімальне замовлення: 19
PEC3324C2A-AU_R1_000A1 PEC3324C2A-AU_R1_000A1 PanJit Semiconductor PEC3324C2A-AU Category: Transil diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; 26.2÷30.3V; 7A; bidirectional,double; SOT23
Kind of package: reel; tape
Capacitance: 30pF
Max. off-state voltage: 24V
Semiconductor structure: bidirectional; double
Max. forward impulse current: 7A
Breakdown voltage: 26.2...30.3V
Leakage current: 50nA
Application: automotive industry
Type of diode: TVS array
Features of semiconductor devices: ESD protection
Mounting: SMD
Case: SOT23
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
12+26.14 грн
16+ 18.58 грн
100+ 8.63 грн
133+ 7.91 грн
364+ 7.55 грн
1000+ 7.28 грн
3000+ 7.19 грн
Мінімальне замовлення: 12
PEC33712C2A_R1_00001 PEC33712C2A_R1_00001 PanJit Semiconductor PEC33712C2A.pdf Category: Transil diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; 7.5÷13.3V; 8A; bidirectional,double; SOT23
Type of diode: TVS array
Breakdown voltage: 7.5...13.3V
Max. forward impulse current: 8A
Semiconductor structure: bidirectional; double
Mounting: SMD
Case: SOT23
Max. off-state voltage: 7...12V
Features of semiconductor devices: ESD protection
Leakage current: 1µA
Kind of package: reel; tape
Capacitance: 35pF
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 2025 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
25+13.56 грн
35+ 8.59 грн
100+ 7.46 грн
170+ 6.2 грн
470+ 5.84 грн
9000+ 5.57 грн
Мінімальне замовлення: 25
PEC33712C2A_R1_00001 PEC33712C2A_R1_00001 PanJit Semiconductor PEC33712C2A.pdf Category: Transil diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; 7.5÷13.3V; 8A; bidirectional,double; SOT23
Type of diode: TVS array
Breakdown voltage: 7.5...13.3V
Max. forward impulse current: 8A
Semiconductor structure: bidirectional; double
Mounting: SMD
Case: SOT23
Max. off-state voltage: 7...12V
Features of semiconductor devices: ESD protection
Leakage current: 1µA
Kind of package: reel; tape
Capacitance: 35pF
на замовлення 2025 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
40+11.3 грн
55+ 6.89 грн
100+ 6.22 грн
170+ 5.17 грн
470+ 4.87 грн
Мінімальне замовлення: 40
PG4007-AU_R2_100A1 PG4007-AU_R2_100A1 PanJit Semiconductor Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 1kV; 1A; Ifsm: 30A; DO41; Ufmax: 1.1V; Ir: 50uA
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1kV
Load current: 1A
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: glass passivated
Case: DO41
Max. forward voltage: 1.1V
Max. forward impulse current: 30A
Leakage current: 50µA
Application: automotive industry
товар відсутній
PG4007-AU_R2_100A1 PG4007-AU_R2_100A1 PanJit Semiconductor Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 1kV; 1A; Ifsm: 30A; DO41; Ufmax: 1.1V; Ir: 50uA
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1kV
Load current: 1A
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: glass passivated
Case: DO41
Max. forward voltage: 1.1V
Max. forward impulse current: 30A
Leakage current: 50µA
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
PJA138K-AU_R1_000A1 PJA138K-AU_R1_000A1 PanJit Semiconductor PJA138K-AU.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 500mA; Idm: 1.2A; 500mW; SOT23
Application: automotive industry
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Case: SOT23
Gate charge: 1nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5Ω
Pulsed drain current: 1.2A
Type of transistor: N-MOSFET
Drain current: 0.5A
Drain-source voltage: 50V
Power dissipation: 0.5W
на замовлення 2840 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
145+2.82 грн
175+ 2.16 грн
490+ 1.78 грн
1345+ 1.69 грн
Мінімальне замовлення: 145
PJA138K-AU_R1_000A1 PJA138K-AU_R1_000A1 PanJit Semiconductor PJA138K-AU.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 500mA; Idm: 1.2A; 500mW; SOT23
Application: automotive industry
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Case: SOT23
Gate charge: 1nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5Ω
Pulsed drain current: 1.2A
Type of transistor: N-MOSFET
Drain current: 0.5A
Drain-source voltage: 50V
Power dissipation: 0.5W
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 2840 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
90+3.39 грн
105+ 2.69 грн
490+ 2.14 грн
1345+ 2.02 грн
9000+ 1.95 грн
Мінімальне замовлення: 90
PJA138K-AU_R2_000A1 PanJit Semiconductor PJA138K-AU-R2 SMD N channel transistors
товар відсутній
PJA138K_R1_00001 PJA138K_R1_00001 PanJit Semiconductor PJA138K.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 500mA; Idm: 1.2A; 500mW; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 0.5A
Pulsed drain current: 1.2A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 1nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
PJA138K_R1_00001 PJA138K_R1_00001 PanJit Semiconductor PJA138K.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 500mA; Idm: 1.2A; 500mW; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 0.5A
Pulsed drain current: 1.2A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 1nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
PJA3400_R1_00001 PJA3400_R1_00001 PanJit Semiconductor PJA3400.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 4.9A; Idm: 19.6A; 1.25W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.25W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 5.7nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±12V
Pulsed drain current: 19.6A
Mounting: SMD
Case: SOT23
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 4.9A
On-state resistance: 60mΩ
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2840 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
11+28.08 грн
13+ 22.13 грн
100+ 6.91 грн
190+ 5.56 грн
520+ 5.26 грн
3000+ 5.13 грн
9000+ 5.06 грн
Мінімальне замовлення: 11
PJA3400_R1_00001 PJA3400_R1_00001 PanJit Semiconductor PJA3400.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 4.9A; Idm: 19.6A; 1.25W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.25W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 5.7nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±12V
Pulsed drain current: 19.6A
Mounting: SMD
Case: SOT23
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 4.9A
On-state resistance: 60mΩ
на замовлення 2840 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
18+23.4 грн
22+ 17.76 грн
100+ 5.76 грн
190+ 4.63 грн
520+ 4.38 грн
Мінімальне замовлення: 18
PJA3401A_R1_00001 PJA3401A_R1_00001 PanJit Semiconductor PJA3401A.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -3.6A; Idm: -14.4A; 1.25W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -3.6A
Pulsed drain current: -14.4A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 86mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 19nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2248 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
22+13.56 грн
39+ 7.19 грн
100+ 6.21 грн
204+ 5.15 грн
500+ 5.03 грн
561+ 4.87 грн
1000+ 4.69 грн
Мінімальне замовлення: 22
PJA3401A_R1_00001 PJA3401A_R1_00001 PanJit Semiconductor PJA3401A.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -3.6A; Idm: -14.4A; 1.25W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -3.6A
Pulsed drain current: -14.4A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 86mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 19nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
на замовлення 2248 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
36+11.3 грн
65+ 5.77 грн
100+ 5.18 грн
204+ 4.29 грн
500+ 4.19 грн
561+ 4.06 грн
1000+ 3.91 грн
Мінімальне замовлення: 36
PJA3402_R1_00001 PJA3402_R1_00001 PanJit Semiconductor PJA3402.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 4.4A; Idm: 17.6A; 1.25W; SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Case: SOT23
Gate charge: 11.3nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 92mΩ
Pulsed drain current: 17.6A
Type of transistor: N-MOSFET
Drain current: 4.4A
Drain-source voltage: 30V
Power dissipation: 1.25W
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 4419 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
45+6.88 грн
55+ 5.55 грн
250+ 4.81 грн
270+ 3.93 грн
735+ 3.71 грн
9000+ 3.56 грн
Мінімальне замовлення: 45
PJA3402_R1_00001 PJA3402_R1_00001 PanJit Semiconductor PJA3402.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 4.4A; Idm: 17.6A; 1.25W; SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Case: SOT23
Gate charge: 11.3nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 92mΩ
Pulsed drain current: 17.6A
Type of transistor: N-MOSFET
Drain current: 4.4A
Drain-source voltage: 30V
Power dissipation: 1.25W
на замовлення 4419 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
75+5.73 грн
85+ 4.45 грн
250+ 4.01 грн
270+ 3.27 грн
735+ 3.09 грн
Мінімальне замовлення: 75
PJA3403_R1_00001 PJA3403_R1_00001 PanJit Semiconductor PJA3403.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -3.1A; Idm: -12.4A; 1.25W
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Case: SOT23
Gate charge: 11nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 0.165Ω
Pulsed drain current: -12.4A
Type of transistor: P-MOSFET
Drain current: -3.1A
Drain-source voltage: -30V
Power dissipation: 1.25W
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
45+6.78 грн
55+ 5.14 грн
250+ 4.39 грн
255+ 4.11 грн
705+ 3.88 грн
3000+ 3.74 грн
Мінімальне замовлення: 45
PJA3403_R1_00001 PJA3403_R1_00001 PanJit Semiconductor PJA3403.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -3.1A; Idm: -12.4A; 1.25W
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Case: SOT23
Gate charge: 11nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 0.165Ω
Pulsed drain current: -12.4A
Type of transistor: P-MOSFET
Drain current: -3.1A
Drain-source voltage: -30V
Power dissipation: 1.25W
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
75+5.65 грн
95+ 4.12 грн
250+ 3.66 грн
255+ 3.42 грн
705+ 3.24 грн
Мінімальне замовлення: 75
PJA3404_R1_00501 PJA3404_R1_00501 PanJit Semiconductor Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 5.6A; Idm: 22A; 1.25W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 5.6A
Pulsed drain current: 22A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 45mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 7.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 5084 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
8+37.76 грн
12+ 24.37 грн
100+ 10.59 грн
225+ 4.68 грн
618+ 4.42 грн
Мінімальне замовлення: 8
PJA3404_R1_00501 PJA3404_R1_00501 PanJit Semiconductor Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 5.6A; Idm: 22A; 1.25W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 5.6A
Pulsed drain current: 22A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 45mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 7.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
на замовлення 5084 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
13+31.47 грн
20+ 19.56 грн
100+ 8.83 грн
225+ 3.9 грн
618+ 3.69 грн
Мінімальне замовлення: 13
PJA3405-AU_R1_000A1 PJA3405-AU_R1_000A1 PanJit Semiconductor PJA3405-AU.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -3.6A; Idm: -14.4A; 1.25W
Kind of package: reel; tape
Application: automotive industry
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -3.6A
On-state resistance: 97mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 1.25W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 10nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -14.4A
Mounting: SMD
Case: SOT23
на замовлення 2864 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
25+16.14 грн
30+ 12.81 грн
100+ 6.05 грн
195+ 4.5 грн
536+ 4.26 грн
Мінімальне замовлення: 25
PJA3405-AU_R1_000A1 PJA3405-AU_R1_000A1 PanJit Semiconductor PJA3405-AU.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -3.6A; Idm: -14.4A; 1.25W
Kind of package: reel; tape
Application: automotive industry
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -3.6A
On-state resistance: 97mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 1.25W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 10nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -14.4A
Mounting: SMD
Case: SOT23
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2864 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
15+19.37 грн
18+ 15.97 грн
100+ 7.26 грн
195+ 5.4 грн
536+ 5.11 грн
3000+ 4.91 грн
Мінімальне замовлення: 15
PJA3406_R1_00001 PJA3406_R1_00001 PanJit Semiconductor PJA3406.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 4.4A; Idm: 17.6A; 1.25W; SOT23
Case: SOT23
Mounting: SMD
On-state resistance: 70mΩ
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 4.4A
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.25W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 5.8nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 17.6A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
11+28.08 грн
16+ 18.3 грн
100+ 6.92 грн
220+ 4.74 грн
605+ 4.48 грн
3000+ 4.31 грн
Мінімальне замовлення: 11
PJA3406_R1_00001 PJA3406_R1_00001 PanJit Semiconductor PJA3406.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 4.4A; Idm: 17.6A; 1.25W; SOT23
Case: SOT23
Mounting: SMD
On-state resistance: 70mΩ
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 4.4A
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.25W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 5.8nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 17.6A
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
18+23.4 грн
26+ 14.69 грн
100+ 5.77 грн
220+ 3.95 грн
605+ 3.73 грн
Мінімальне замовлення: 18
PJA3407_R1_00001 PJA3407_R1_00001 PanJit Semiconductor PJA3407.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -3.8A; Idm: -15.2A; 1.25W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -3.8A
Pulsed drain current: -15.2A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 80mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 12nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2975 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
10+29.05 грн
16+ 18.58 грн
100+ 8.99 грн
188+ 5.57 грн
518+ 5.31 грн
Мінімальне замовлення: 10
PJA3407_R1_00001 PJA3407_R1_00001 PanJit Semiconductor PJA3407.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -3.8A; Idm: -15.2A; 1.25W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -3.8A
Pulsed drain current: -15.2A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 80mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 12nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
на замовлення 2975 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
17+24.21 грн
26+ 14.91 грн
100+ 7.49 грн
188+ 4.65 грн
518+ 4.42 грн
Мінімальне замовлення: 17
PJA3409_R1_00001 PJA3409_R1_00001 PanJit Semiconductor PJA3409.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -2.9A; Idm: -11.6A; 1.25W
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Case: SOT23
Gate charge: 9.8nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.15Ω
Pulsed drain current: -11.6A
Type of transistor: P-MOSFET
Drain current: -2.9A
Drain-source voltage: -30V
Power dissipation: 1.25W
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 2490 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
25+13.17 грн
45+ 6.87 грн
100+ 5.96 грн
205+ 5.21 грн
555+ 4.92 грн
3000+ 4.74 грн
Мінімальне замовлення: 25
PJA3409_R1_00001 PJA3409_R1_00001 PanJit Semiconductor PJA3409.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -2.9A; Idm: -11.6A; 1.25W
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Case: SOT23
Gate charge: 9.8nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.15Ω
Pulsed drain current: -11.6A
Type of transistor: P-MOSFET
Drain current: -2.9A
Drain-source voltage: -30V
Power dissipation: 1.25W
на замовлення 2490 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
40+10.97 грн
70+ 5.51 грн
100+ 4.97 грн
205+ 4.34 грн
555+ 4.1 грн
Мінімальне замовлення: 40
PJA3411-AU_R1_000A1 PJA3411-AU_R1_000A1 PanJit Semiconductor PJA3411-AU.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -3.1A; Idm: -12.4A; 1.25W
Kind of package: reel; tape
Application: automotive industry
Power dissipation: 1.25W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 5.4nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±12V
Pulsed drain current: -12.4A
Mounting: SMD
Case: SOT23
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -3.1A
On-state resistance: 0.19Ω
Type of transistor: P-MOSFET
на замовлення 2735 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
30+13.72 грн
44+ 8.54 грн
100+ 6.07 грн
235+ 3.75 грн
644+ 3.54 грн
Мінімальне замовлення: 30
PJA3411-AU_R1_000A1 PJA3411-AU_R1_000A1 PanJit Semiconductor PJA3411-AU.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -3.1A; Idm: -12.4A; 1.25W
Kind of package: reel; tape
Application: automotive industry
Power dissipation: 1.25W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 5.4nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±12V
Pulsed drain current: -12.4A
Mounting: SMD
Case: SOT23
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -3.1A
On-state resistance: 0.19Ω
Type of transistor: P-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2735 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
18+16.46 грн
27+ 10.64 грн
100+ 7.28 грн
235+ 4.5 грн
644+ 4.25 грн
9000+ 4.08 грн
Мінімальне замовлення: 18
PJA3411_R1_00001 PJA3411_R1_00001 PanJit Semiconductor PJA3411.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -3.1A; Idm: -12.4A; 1.25W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -3.1A
Pulsed drain current: -12.4A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 5.4nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
PJA3411_R1_00001 PJA3411_R1_00001 PanJit Semiconductor PJA3411.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -3.1A; Idm: -12.4A; 1.25W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -3.1A
Pulsed drain current: -12.4A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 5.4nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
PJA3412-AU_R1_000A1 PJA3412-AU_R1_000A1 PanJit Semiconductor PJA3412-AU.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 4.1A; Idm: 16.4A; 1.25W; SOT23
Application: automotive industry
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Case: SOT23
Gate charge: 4.6nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 95mΩ
Pulsed drain current: 16.4A
Type of transistor: N-MOSFET
Drain current: 4.1A
Drain-source voltage: 20V
Power dissipation: 1.25W
на замовлення 2555 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
40+11.14 грн
70+ 5.69 грн
100+ 5.12 грн
210+ 4.25 грн
570+ 4.02 грн
Мінімальне замовлення: 40
PJA3412-AU_R1_000A1 PJA3412-AU_R1_000A1 PanJit Semiconductor PJA3412-AU.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 4.1A; Idm: 16.4A; 1.25W; SOT23
Application: automotive industry
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Case: SOT23
Gate charge: 4.6nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 95mΩ
Pulsed drain current: 16.4A
Type of transistor: N-MOSFET
Drain current: 4.1A
Drain-source voltage: 20V
Power dissipation: 1.25W
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 2555 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
25+13.36 грн
40+ 7.1 грн
100+ 6.14 грн
210+ 5.1 грн
570+ 4.82 грн
9000+ 4.63 грн
Мінімальне замовлення: 25
PJA3412_R1_00001 PanJit Semiconductor PJA3412.pdf PJA3412-R1 SMD N channel transistors
товар відсутній
PJA3413_R1_00001 PJA3413_R1_00001 PanJit Semiconductor PJA3413.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -3.4A; Idm: -13.6A; 1.25W
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Case: SOT23
Gate charge: 7nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 146mΩ
Pulsed drain current: -13.6A
Type of transistor: P-MOSFET
Drain current: -3.4A
Drain-source voltage: -20V
Power dissipation: 1.25W
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 2940 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
45+6.68 грн
65+ 4.56 грн
250+ 3.96 грн
320+ 3.27 грн
880+ 3.1 грн
9000+ 2.99 грн
Мінімальне замовлення: 45
PJA3413_R1_00001 PJA3413_R1_00001 PanJit Semiconductor PJA3413.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -3.4A; Idm: -13.6A; 1.25W
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Case: SOT23
Gate charge: 7nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 146mΩ
Pulsed drain current: -13.6A
Type of transistor: P-MOSFET
Drain current: -3.4A
Drain-source voltage: -20V
Power dissipation: 1.25W
на замовлення 2940 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
75+5.57 грн
105+ 3.66 грн
250+ 3.3 грн
320+ 2.73 грн
880+ 2.59 грн
Мінімальне замовлення: 75
PJA3415A-AU_R1_000A1 PJA3415A-AU_R1_000A1 PanJit Semiconductor PJA3415A-AU.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -4.5A; Idm: -18A; 1.25W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -4.5A
Pulsed drain current: -18A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 88mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 10nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Application: automotive industry
на замовлення 2840 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
19+21.79 грн
26+ 14.91 грн
100+ 7.87 грн
151+ 5.84 грн
413+ 5.54 грн
Мінімальне замовлення: 19
PJA3415A-AU_R1_000A1 PJA3415A-AU_R1_000A1 PanJit Semiconductor PJA3415A-AU.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -4.5A; Idm: -18A; 1.25W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -4.5A
Pulsed drain current: -18A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 88mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 10nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2840 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
12+26.14 грн
16+ 18.58 грн
100+ 9.44 грн
151+ 7.01 грн
413+ 6.65 грн
9000+ 6.47 грн
Мінімальне замовлення: 12
PJA3415AE_R1_00501 PanJit Semiconductor Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
PJA3415AE_R1_00501 PanJit Semiconductor Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
PJA3416AE_R1_00001 PJA3416AE_R1_00001 PanJit Semiconductor PJA3416AE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 6.5A; Idm: 32A; 1.25W; SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Case: SOT23
Gate charge: 8.6nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 34mΩ
Pulsed drain current: 32A
Type of transistor: N-MOSFET
Drain current: 6.5A
Drain-source voltage: 20V
Power dissipation: 1.25W
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 2925 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
25+13.36 грн
40+ 7.75 грн
100+ 6.65 грн
190+ 5.57 грн
520+ 5.22 грн
9000+ 5.04 грн
Мінімальне замовлення: 25
PDZ5.1B-AU_R1_000A1 PDZ4.7B-AU_SERIES.pdf
PDZ5.1B-AU_R1_000A1
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD Zener diodes
Description: Diode: Zener; 400mW; 5.1V; SMD; reel,tape; SOD323; single diode
Type of diode: Zener
Power dissipation: 0.4W
Zener voltage: 5.1V
Kind of package: reel; tape
Case: SOD323
Mounting: SMD
Tolerance: ±2%
Semiconductor structure: single diode
Leakage current: 0.75µA
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
42+6.95 грн
56+ 5.04 грн
100+ 3.68 грн
250+ 3.31 грн
390+ 2.69 грн
1072+ 2.54 грн
Мінімальне замовлення: 42
PE1403M1Q_R1_00001 PE1403M1Q.pdf
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: Transil diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; 4V; 16A; unidirectional; DFN1006-2; reel,tape
Mounting: SMD
Case: DFN1006-2
Capacitance: 0.4pF
Kind of package: reel; tape
Type of diode: TVS array
Features of semiconductor devices: ESD protection
Max. forward impulse current: 16A
Breakdown voltage: 4V
Leakage current: 50nA
Semiconductor structure: unidirectional
Max. off-state voltage: 3.3V
кількість в упаковці: 5 шт
товар відсутній
PE1403M1Q_R1_00001 PE1403M1Q.pdf
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: Transil diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; 4V; 16A; unidirectional; DFN1006-2; reel,tape
Mounting: SMD
Case: DFN1006-2
Capacitance: 0.4pF
Kind of package: reel; tape
Type of diode: TVS array
Features of semiconductor devices: ESD protection
Max. forward impulse current: 16A
Breakdown voltage: 4V
Leakage current: 50nA
Semiconductor structure: unidirectional
Max. off-state voltage: 3.3V
товар відсутній
PE1805C4A6_R1_00001 PE1805C4A6.pdf
PE1805C4A6_R1_00001
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: Transil diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; 6÷9V; 5A; unidirectional; SOT23-6; reel,tape
Mounting: SMD
Case: SOT23-6
Breakdown voltage: 6...9V
Leakage current: 1µA
Kind of package: reel; tape
Type of diode: TVS array
Capacitance: 0.8pF
Features of semiconductor devices: ESD protection
Max. off-state voltage: 5V
Semiconductor structure: unidirectional
Max. forward impulse current: 5A
кількість в упаковці: 5 шт
товар відсутній
PE1805C4A6_R1_00001 PE1805C4A6.pdf
PE1805C4A6_R1_00001
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: Transil diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; 6÷9V; 5A; unidirectional; SOT23-6; reel,tape
Mounting: SMD
Case: SOT23-6
Breakdown voltage: 6...9V
Leakage current: 1µA
Kind of package: reel; tape
Type of diode: TVS array
Capacitance: 0.8pF
Features of semiconductor devices: ESD protection
Max. off-state voltage: 5V
Semiconductor structure: unidirectional
Max. forward impulse current: 5A
товар відсутній
PE1805C4C6_R1_00001 PE1805C4C6.pdf
PE1805C4C6_R1_00001
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: Transil diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; 6÷9V; 5A; unidirectional; SOT363; reel,tape
Mounting: SMD
Case: SOT363
Breakdown voltage: 6...9V
Leakage current: 1µA
Kind of package: reel; tape
Type of diode: TVS array
Capacitance: 0.8pF
Features of semiconductor devices: ESD protection
Max. off-state voltage: 5V
Semiconductor structure: unidirectional
Max. forward impulse current: 5A
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 2975 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
45+6.78 грн
50+ 5.66 грн
235+ 4.55 грн
640+ 4.3 грн
3000+ 4.14 грн
Мінімальне замовлення: 45
PE1805C4C6_R1_00001 PE1805C4C6.pdf
PE1805C4C6_R1_00001
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: Transil diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; 6÷9V; 5A; unidirectional; SOT363; reel,tape
Mounting: SMD
Case: SOT363
Breakdown voltage: 6...9V
Leakage current: 1µA
Kind of package: reel; tape
Type of diode: TVS array
Capacitance: 0.8pF
Features of semiconductor devices: ESD protection
Max. off-state voltage: 5V
Semiconductor structure: unidirectional
Max. forward impulse current: 5A
на замовлення 2975 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
75+5.65 грн
85+ 4.54 грн
235+ 3.79 грн
640+ 3.58 грн
Мінімальне замовлення: 75
PE4105C1ES_R1_00001
PE4105C1ES_R1_00001
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: Transil diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; 6÷7.5V; 13A; unidirectional; SOD523; reel,tape
Type of diode: TVS array
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Case: SOD523
Semiconductor structure: unidirectional
Leakage current: 1µA
Features of semiconductor devices: ESD protection
Max. off-state voltage: 5V
Max. forward impulse current: 13A
Breakdown voltage: 6...7.5V
Capacitance: 120pF
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 4450 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
72+4.04 грн
108+ 2.61 грн
127+ 2.13 грн
250+ 1.92 грн
500+ 1.78 грн
674+ 1.56 грн
1852+ 1.47 грн
Мінімальне замовлення: 72
PE4105C1ES_R1_00001
PE4105C1ES_R1_00001
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: Transil diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; 6÷7.5V; 13A; unidirectional; SOD523; reel,tape
Type of diode: TVS array
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Case: SOD523
Semiconductor structure: unidirectional
Leakage current: 1µA
Features of semiconductor devices: ESD protection
Max. off-state voltage: 5V
Max. forward impulse current: 13A
Breakdown voltage: 6...7.5V
Capacitance: 120pF
на замовлення 4450 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
120+3.36 грн
179+ 2.1 грн
211+ 1.78 грн
250+ 1.6 грн
500+ 1.48 грн
674+ 1.3 грн
1852+ 1.23 грн
Мінімальне замовлення: 120
PEC11SD03M1Q_R1_00501
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: Bidirectional SMD transil diodes
Description: Diode: TVS; 5.5V; 3.5A; bidirectional; DFN1006-2; reel,tape; ESD
Type of diode: TVS
Max. off-state voltage: 3V
Breakdown voltage: 5.5V
Max. forward impulse current: 3.5A
Semiconductor structure: bidirectional
Case: DFN1006-2
Mounting: SMD
Leakage current: 1µA
Kind of package: reel; tape
Capacitance: 0.19pF
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
PEC11SD03M1Q_R1_00501
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: Bidirectional SMD transil diodes
Description: Diode: TVS; 5.5V; 3.5A; bidirectional; DFN1006-2; reel,tape; ESD
Type of diode: TVS
Max. off-state voltage: 3V
Breakdown voltage: 5.5V
Max. forward impulse current: 3.5A
Semiconductor structure: bidirectional
Case: DFN1006-2
Mounting: SMD
Leakage current: 1µA
Kind of package: reel; tape
Capacitance: 0.19pF
Version: ESD
товар відсутній
PEC1605M1Q_R1_00001 PEC1605M1Q.pdf
PEC1605M1Q_R1_00001
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: Bidirectional SMD transil diodes
Description: Diode: TVS; 6.8÷11.2V; bidirectional; DFN1006-2; reel,tape
Capacitance: 0.6pF
Mounting: SMD
Case: DFN1006-2
Kind of package: reel; tape
Type of diode: TVS
Features of semiconductor devices: ESD protection
Max. off-state voltage: 5.5V
Semiconductor structure: bidirectional
Breakdown voltage: 6.8...11.2V
Leakage current: 75nA
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
PEC1605M1Q_R1_00001 PEC1605M1Q.pdf
PEC1605M1Q_R1_00001
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: Bidirectional SMD transil diodes
Description: Diode: TVS; 6.8÷11.2V; bidirectional; DFN1006-2; reel,tape
Capacitance: 0.6pF
Mounting: SMD
Case: DFN1006-2
Kind of package: reel; tape
Type of diode: TVS
Features of semiconductor devices: ESD protection
Max. off-state voltage: 5.5V
Semiconductor structure: bidirectional
Breakdown voltage: 6.8...11.2V
Leakage current: 75nA
товар відсутній
PEC3202M1Q_R1_00201
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: Bidirectional SMD transil diodes
Description: Diode: TVS; 2.6÷4V; bidirectional; DFN1006-2; reel,tape
Capacitance: 20pF
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Breakdown voltage: 2.6...4V
Leakage current: 0.5µA
Type of diode: TVS
Features of semiconductor devices: ESD protection
Case: DFN1006-2
Max. off-state voltage: 2.5V
Semiconductor structure: bidirectional
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
PEC3202M1Q_R1_00201
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: Bidirectional SMD transil diodes
Description: Diode: TVS; 2.6÷4V; bidirectional; DFN1006-2; reel,tape
Capacitance: 20pF
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Breakdown voltage: 2.6...4V
Leakage current: 0.5µA
Type of diode: TVS
Features of semiconductor devices: ESD protection
Case: DFN1006-2
Max. off-state voltage: 2.5V
Semiconductor structure: bidirectional
товар відсутній
PEC3205M1Q_R1_00201
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: Bidirectional SMD transil diodes
Description: Diode: TVS; 5.5÷8V; bidirectional; DFN1006-2; reel,tape
Capacitance: 20pF
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Breakdown voltage: 5.5...8V
Leakage current: 0.5µA
Type of diode: TVS
Features of semiconductor devices: ESD protection
Case: DFN1006-2
Max. off-state voltage: 5V
Semiconductor structure: bidirectional
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
PEC3205M1Q_R1_00201
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: Bidirectional SMD transil diodes
Description: Diode: TVS; 5.5÷8V; bidirectional; DFN1006-2; reel,tape
Capacitance: 20pF
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Breakdown voltage: 5.5...8V
Leakage current: 0.5µA
Type of diode: TVS
Features of semiconductor devices: ESD protection
Case: DFN1006-2
Max. off-state voltage: 5V
Semiconductor structure: bidirectional
товар відсутній
PEC3324C2A-AU_R1_000A1 PEC3324C2A-AU
PEC3324C2A-AU_R1_000A1
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: Transil diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; 26.2÷30.3V; 7A; bidirectional,double; SOT23
Kind of package: reel; tape
Capacitance: 30pF
Max. off-state voltage: 24V
Semiconductor structure: bidirectional; double
Max. forward impulse current: 7A
Breakdown voltage: 26.2...30.3V
Leakage current: 50nA
Application: automotive industry
Type of diode: TVS array
Features of semiconductor devices: ESD protection
Mounting: SMD
Case: SOT23
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
19+21.79 грн
26+ 14.91 грн
100+ 7.19 грн
133+ 6.59 грн
364+ 6.29 грн
1000+ 6.07 грн
3000+ 5.99 грн
Мінімальне замовлення: 19
PEC3324C2A-AU_R1_000A1 PEC3324C2A-AU
PEC3324C2A-AU_R1_000A1
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: Transil diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; 26.2÷30.3V; 7A; bidirectional,double; SOT23
Kind of package: reel; tape
Capacitance: 30pF
Max. off-state voltage: 24V
Semiconductor structure: bidirectional; double
Max. forward impulse current: 7A
Breakdown voltage: 26.2...30.3V
Leakage current: 50nA
Application: automotive industry
Type of diode: TVS array
Features of semiconductor devices: ESD protection
Mounting: SMD
Case: SOT23
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
12+26.14 грн
16+ 18.58 грн
100+ 8.63 грн
133+ 7.91 грн
364+ 7.55 грн
1000+ 7.28 грн
3000+ 7.19 грн
Мінімальне замовлення: 12
PEC33712C2A_R1_00001 PEC33712C2A.pdf
PEC33712C2A_R1_00001
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: Transil diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; 7.5÷13.3V; 8A; bidirectional,double; SOT23
Type of diode: TVS array
Breakdown voltage: 7.5...13.3V
Max. forward impulse current: 8A
Semiconductor structure: bidirectional; double
Mounting: SMD
Case: SOT23
Max. off-state voltage: 7...12V
Features of semiconductor devices: ESD protection
Leakage current: 1µA
Kind of package: reel; tape
Capacitance: 35pF
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 2025 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
25+13.56 грн
35+ 8.59 грн
100+ 7.46 грн
170+ 6.2 грн
470+ 5.84 грн
9000+ 5.57 грн
Мінімальне замовлення: 25
PEC33712C2A_R1_00001 PEC33712C2A.pdf
PEC33712C2A_R1_00001
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: Transil diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; 7.5÷13.3V; 8A; bidirectional,double; SOT23
Type of diode: TVS array
Breakdown voltage: 7.5...13.3V
Max. forward impulse current: 8A
Semiconductor structure: bidirectional; double
Mounting: SMD
Case: SOT23
Max. off-state voltage: 7...12V
Features of semiconductor devices: ESD protection
Leakage current: 1µA
Kind of package: reel; tape
Capacitance: 35pF
на замовлення 2025 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
40+11.3 грн
55+ 6.89 грн
100+ 6.22 грн
170+ 5.17 грн
470+ 4.87 грн
Мінімальне замовлення: 40
PG4007-AU_R2_100A1
PG4007-AU_R2_100A1
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 1kV; 1A; Ifsm: 30A; DO41; Ufmax: 1.1V; Ir: 50uA
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1kV
Load current: 1A
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: glass passivated
Case: DO41
Max. forward voltage: 1.1V
Max. forward impulse current: 30A
Leakage current: 50µA
Application: automotive industry
товар відсутній
PG4007-AU_R2_100A1
PG4007-AU_R2_100A1
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 1kV; 1A; Ifsm: 30A; DO41; Ufmax: 1.1V; Ir: 50uA
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1kV
Load current: 1A
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: glass passivated
Case: DO41
Max. forward voltage: 1.1V
Max. forward impulse current: 30A
Leakage current: 50µA
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
PJA138K-AU_R1_000A1 PJA138K-AU.pdf
PJA138K-AU_R1_000A1
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 500mA; Idm: 1.2A; 500mW; SOT23
Application: automotive industry
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Case: SOT23
Gate charge: 1nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5Ω
Pulsed drain current: 1.2A
Type of transistor: N-MOSFET
Drain current: 0.5A
Drain-source voltage: 50V
Power dissipation: 0.5W
на замовлення 2840 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
145+2.82 грн
175+ 2.16 грн
490+ 1.78 грн
1345+ 1.69 грн
Мінімальне замовлення: 145
PJA138K-AU_R1_000A1 PJA138K-AU.pdf
PJA138K-AU_R1_000A1
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 500mA; Idm: 1.2A; 500mW; SOT23
Application: automotive industry
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Case: SOT23
Gate charge: 1nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5Ω
Pulsed drain current: 1.2A
Type of transistor: N-MOSFET
Drain current: 0.5A
Drain-source voltage: 50V
Power dissipation: 0.5W
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 2840 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
90+3.39 грн
105+ 2.69 грн
490+ 2.14 грн
1345+ 2.02 грн
9000+ 1.95 грн
Мінімальне замовлення: 90
PJA138K-AU_R2_000A1
Виробник: PanJit Semiconductor
PJA138K-AU-R2 SMD N channel transistors
товар відсутній
PJA138K_R1_00001 PJA138K.pdf
PJA138K_R1_00001
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 500mA; Idm: 1.2A; 500mW; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 0.5A
Pulsed drain current: 1.2A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 1nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
PJA138K_R1_00001 PJA138K.pdf
PJA138K_R1_00001
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 500mA; Idm: 1.2A; 500mW; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 0.5A
Pulsed drain current: 1.2A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 1nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
PJA3400_R1_00001 PJA3400.pdf
PJA3400_R1_00001
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 4.9A; Idm: 19.6A; 1.25W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.25W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 5.7nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±12V
Pulsed drain current: 19.6A
Mounting: SMD
Case: SOT23
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 4.9A
On-state resistance: 60mΩ
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2840 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
11+28.08 грн
13+ 22.13 грн
100+ 6.91 грн
190+ 5.56 грн
520+ 5.26 грн
3000+ 5.13 грн
9000+ 5.06 грн
Мінімальне замовлення: 11
PJA3400_R1_00001 PJA3400.pdf
PJA3400_R1_00001
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 4.9A; Idm: 19.6A; 1.25W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.25W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 5.7nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±12V
Pulsed drain current: 19.6A
Mounting: SMD
Case: SOT23
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 4.9A
On-state resistance: 60mΩ
на замовлення 2840 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
18+23.4 грн
22+ 17.76 грн
100+ 5.76 грн
190+ 4.63 грн
520+ 4.38 грн
Мінімальне замовлення: 18
PJA3401A_R1_00001 PJA3401A.pdf
PJA3401A_R1_00001
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -3.6A; Idm: -14.4A; 1.25W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -3.6A
Pulsed drain current: -14.4A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 86mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 19nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2248 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
22+13.56 грн
39+ 7.19 грн
100+ 6.21 грн
204+ 5.15 грн
500+ 5.03 грн
561+ 4.87 грн
1000+ 4.69 грн
Мінімальне замовлення: 22
PJA3401A_R1_00001 PJA3401A.pdf
PJA3401A_R1_00001
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -3.6A; Idm: -14.4A; 1.25W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -3.6A
Pulsed drain current: -14.4A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 86mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 19nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
на замовлення 2248 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
36+11.3 грн
65+ 5.77 грн
100+ 5.18 грн
204+ 4.29 грн
500+ 4.19 грн
561+ 4.06 грн
1000+ 3.91 грн
Мінімальне замовлення: 36
PJA3402_R1_00001 PJA3402.pdf
PJA3402_R1_00001
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 4.4A; Idm: 17.6A; 1.25W; SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Case: SOT23
Gate charge: 11.3nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 92mΩ
Pulsed drain current: 17.6A
Type of transistor: N-MOSFET
Drain current: 4.4A
Drain-source voltage: 30V
Power dissipation: 1.25W
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 4419 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
45+6.88 грн
55+ 5.55 грн
250+ 4.81 грн
270+ 3.93 грн
735+ 3.71 грн
9000+ 3.56 грн
Мінімальне замовлення: 45
PJA3402_R1_00001 PJA3402.pdf
PJA3402_R1_00001
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 4.4A; Idm: 17.6A; 1.25W; SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Case: SOT23
Gate charge: 11.3nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 92mΩ
Pulsed drain current: 17.6A
Type of transistor: N-MOSFET
Drain current: 4.4A
Drain-source voltage: 30V
Power dissipation: 1.25W
на замовлення 4419 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
75+5.73 грн
85+ 4.45 грн
250+ 4.01 грн
270+ 3.27 грн
735+ 3.09 грн
Мінімальне замовлення: 75
PJA3403_R1_00001 PJA3403.pdf
PJA3403_R1_00001
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -3.1A; Idm: -12.4A; 1.25W
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Case: SOT23
Gate charge: 11nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 0.165Ω
Pulsed drain current: -12.4A
Type of transistor: P-MOSFET
Drain current: -3.1A
Drain-source voltage: -30V
Power dissipation: 1.25W
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
45+6.78 грн
55+ 5.14 грн
250+ 4.39 грн
255+ 4.11 грн
705+ 3.88 грн
3000+ 3.74 грн
Мінімальне замовлення: 45
PJA3403_R1_00001 PJA3403.pdf
PJA3403_R1_00001
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -3.1A; Idm: -12.4A; 1.25W
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Case: SOT23
Gate charge: 11nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 0.165Ω
Pulsed drain current: -12.4A
Type of transistor: P-MOSFET
Drain current: -3.1A
Drain-source voltage: -30V
Power dissipation: 1.25W
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
75+5.65 грн
95+ 4.12 грн
250+ 3.66 грн
255+ 3.42 грн
705+ 3.24 грн
Мінімальне замовлення: 75
PJA3404_R1_00501
PJA3404_R1_00501
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 5.6A; Idm: 22A; 1.25W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 5.6A
Pulsed drain current: 22A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 45mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 7.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 5084 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+37.76 грн
12+ 24.37 грн
100+ 10.59 грн
225+ 4.68 грн
618+ 4.42 грн
Мінімальне замовлення: 8
PJA3404_R1_00501
PJA3404_R1_00501
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 5.6A; Idm: 22A; 1.25W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 5.6A
Pulsed drain current: 22A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 45mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 7.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
на замовлення 5084 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
13+31.47 грн
20+ 19.56 грн
100+ 8.83 грн
225+ 3.9 грн
618+ 3.69 грн
Мінімальне замовлення: 13
PJA3405-AU_R1_000A1 PJA3405-AU.pdf
PJA3405-AU_R1_000A1
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -3.6A; Idm: -14.4A; 1.25W
Kind of package: reel; tape
Application: automotive industry
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -3.6A
On-state resistance: 97mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 1.25W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 10nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -14.4A
Mounting: SMD
Case: SOT23
на замовлення 2864 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
25+16.14 грн
30+ 12.81 грн
100+ 6.05 грн
195+ 4.5 грн
536+ 4.26 грн
Мінімальне замовлення: 25
PJA3405-AU_R1_000A1 PJA3405-AU.pdf
PJA3405-AU_R1_000A1
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -3.6A; Idm: -14.4A; 1.25W
Kind of package: reel; tape
Application: automotive industry
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -3.6A
On-state resistance: 97mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 1.25W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 10nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -14.4A
Mounting: SMD
Case: SOT23
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2864 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
15+19.37 грн
18+ 15.97 грн
100+ 7.26 грн
195+ 5.4 грн
536+ 5.11 грн
3000+ 4.91 грн
Мінімальне замовлення: 15
PJA3406_R1_00001 PJA3406.pdf
PJA3406_R1_00001
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 4.4A; Idm: 17.6A; 1.25W; SOT23
Case: SOT23
Mounting: SMD
On-state resistance: 70mΩ
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 4.4A
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.25W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 5.8nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 17.6A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
11+28.08 грн
16+ 18.3 грн
100+ 6.92 грн
220+ 4.74 грн
605+ 4.48 грн
3000+ 4.31 грн
Мінімальне замовлення: 11
PJA3406_R1_00001 PJA3406.pdf
PJA3406_R1_00001
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 4.4A; Idm: 17.6A; 1.25W; SOT23
Case: SOT23
Mounting: SMD
On-state resistance: 70mΩ
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 4.4A
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.25W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 5.8nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 17.6A
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
18+23.4 грн
26+ 14.69 грн
100+ 5.77 грн
220+ 3.95 грн
605+ 3.73 грн
Мінімальне замовлення: 18
PJA3407_R1_00001 PJA3407.pdf
PJA3407_R1_00001
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -3.8A; Idm: -15.2A; 1.25W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -3.8A
Pulsed drain current: -15.2A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 80mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 12nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2975 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+29.05 грн
16+ 18.58 грн
100+ 8.99 грн
188+ 5.57 грн
518+ 5.31 грн
Мінімальне замовлення: 10
PJA3407_R1_00001 PJA3407.pdf
PJA3407_R1_00001
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -3.8A; Idm: -15.2A; 1.25W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -3.8A
Pulsed drain current: -15.2A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 80mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 12nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
на замовлення 2975 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
17+24.21 грн
26+ 14.91 грн
100+ 7.49 грн
188+ 4.65 грн
518+ 4.42 грн
Мінімальне замовлення: 17
PJA3409_R1_00001 PJA3409.pdf
PJA3409_R1_00001
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -2.9A; Idm: -11.6A; 1.25W
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Case: SOT23
Gate charge: 9.8nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.15Ω
Pulsed drain current: -11.6A
Type of transistor: P-MOSFET
Drain current: -2.9A
Drain-source voltage: -30V
Power dissipation: 1.25W
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 2490 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
25+13.17 грн
45+ 6.87 грн
100+ 5.96 грн
205+ 5.21 грн
555+ 4.92 грн
3000+ 4.74 грн
Мінімальне замовлення: 25
PJA3409_R1_00001 PJA3409.pdf
PJA3409_R1_00001
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -2.9A; Idm: -11.6A; 1.25W
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Case: SOT23
Gate charge: 9.8nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.15Ω
Pulsed drain current: -11.6A
Type of transistor: P-MOSFET
Drain current: -2.9A
Drain-source voltage: -30V
Power dissipation: 1.25W
на замовлення 2490 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
40+10.97 грн
70+ 5.51 грн
100+ 4.97 грн
205+ 4.34 грн
555+ 4.1 грн
Мінімальне замовлення: 40
PJA3411-AU_R1_000A1 PJA3411-AU.pdf
PJA3411-AU_R1_000A1
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -3.1A; Idm: -12.4A; 1.25W
Kind of package: reel; tape
Application: automotive industry
Power dissipation: 1.25W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 5.4nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±12V
Pulsed drain current: -12.4A
Mounting: SMD
Case: SOT23
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -3.1A
On-state resistance: 0.19Ω
Type of transistor: P-MOSFET
на замовлення 2735 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
30+13.72 грн
44+ 8.54 грн
100+ 6.07 грн
235+ 3.75 грн
644+ 3.54 грн
Мінімальне замовлення: 30
PJA3411-AU_R1_000A1 PJA3411-AU.pdf
PJA3411-AU_R1_000A1
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -3.1A; Idm: -12.4A; 1.25W
Kind of package: reel; tape
Application: automotive industry
Power dissipation: 1.25W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 5.4nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±12V
Pulsed drain current: -12.4A
Mounting: SMD
Case: SOT23
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -3.1A
On-state resistance: 0.19Ω
Type of transistor: P-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2735 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
18+16.46 грн
27+ 10.64 грн
100+ 7.28 грн
235+ 4.5 грн
644+ 4.25 грн
9000+ 4.08 грн
Мінімальне замовлення: 18
PJA3411_R1_00001 PJA3411.pdf
PJA3411_R1_00001
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -3.1A; Idm: -12.4A; 1.25W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -3.1A
Pulsed drain current: -12.4A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 5.4nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
PJA3411_R1_00001 PJA3411.pdf
PJA3411_R1_00001
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -3.1A; Idm: -12.4A; 1.25W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -3.1A
Pulsed drain current: -12.4A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 5.4nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
PJA3412-AU_R1_000A1 PJA3412-AU.pdf
PJA3412-AU_R1_000A1
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 4.1A; Idm: 16.4A; 1.25W; SOT23
Application: automotive industry
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Case: SOT23
Gate charge: 4.6nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 95mΩ
Pulsed drain current: 16.4A
Type of transistor: N-MOSFET
Drain current: 4.1A
Drain-source voltage: 20V
Power dissipation: 1.25W
на замовлення 2555 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
40+11.14 грн
70+ 5.69 грн
100+ 5.12 грн
210+ 4.25 грн
570+ 4.02 грн
Мінімальне замовлення: 40
PJA3412-AU_R1_000A1 PJA3412-AU.pdf
PJA3412-AU_R1_000A1
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 4.1A; Idm: 16.4A; 1.25W; SOT23
Application: automotive industry
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Case: SOT23
Gate charge: 4.6nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 95mΩ
Pulsed drain current: 16.4A
Type of transistor: N-MOSFET
Drain current: 4.1A
Drain-source voltage: 20V
Power dissipation: 1.25W
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 2555 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
25+13.36 грн
40+ 7.1 грн
100+ 6.14 грн
210+ 5.1 грн
570+ 4.82 грн
9000+ 4.63 грн
Мінімальне замовлення: 25
PJA3412_R1_00001 PJA3412.pdf
Виробник: PanJit Semiconductor
PJA3412-R1 SMD N channel transistors
товар відсутній
PJA3413_R1_00001 PJA3413.pdf
PJA3413_R1_00001
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -3.4A; Idm: -13.6A; 1.25W
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Case: SOT23
Gate charge: 7nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 146mΩ
Pulsed drain current: -13.6A
Type of transistor: P-MOSFET
Drain current: -3.4A
Drain-source voltage: -20V
Power dissipation: 1.25W
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 2940 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
45+6.68 грн
65+ 4.56 грн
250+ 3.96 грн
320+ 3.27 грн
880+ 3.1 грн
9000+ 2.99 грн
Мінімальне замовлення: 45
PJA3413_R1_00001 PJA3413.pdf
PJA3413_R1_00001
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -3.4A; Idm: -13.6A; 1.25W
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Case: SOT23
Gate charge: 7nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 146mΩ
Pulsed drain current: -13.6A
Type of transistor: P-MOSFET
Drain current: -3.4A
Drain-source voltage: -20V
Power dissipation: 1.25W
на замовлення 2940 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
75+5.57 грн
105+ 3.66 грн
250+ 3.3 грн
320+ 2.73 грн
880+ 2.59 грн
Мінімальне замовлення: 75
PJA3415A-AU_R1_000A1 PJA3415A-AU.pdf
PJA3415A-AU_R1_000A1
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -4.5A; Idm: -18A; 1.25W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -4.5A
Pulsed drain current: -18A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 88mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 10nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Application: automotive industry
на замовлення 2840 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
19+21.79 грн
26+ 14.91 грн
100+ 7.87 грн
151+ 5.84 грн
413+ 5.54 грн
Мінімальне замовлення: 19
PJA3415A-AU_R1_000A1 PJA3415A-AU.pdf
PJA3415A-AU_R1_000A1
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -4.5A; Idm: -18A; 1.25W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -4.5A
Pulsed drain current: -18A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 88mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 10nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2840 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
12+26.14 грн
16+ 18.58 грн
100+ 9.44 грн
151+ 7.01 грн
413+ 6.65 грн
9000+ 6.47 грн
Мінімальне замовлення: 12
PJA3415AE_R1_00501
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
PJA3415AE_R1_00501
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
PJA3416AE_R1_00001 PJA3416AE.pdf
PJA3416AE_R1_00001
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 6.5A; Idm: 32A; 1.25W; SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Case: SOT23
Gate charge: 8.6nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 34mΩ
Pulsed drain current: 32A
Type of transistor: N-MOSFET
Drain current: 6.5A
Drain-source voltage: 20V
Power dissipation: 1.25W
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 2925 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
25+13.36 грн
40+ 7.75 грн
100+ 6.65 грн
190+ 5.57 грн
520+ 5.22 грн
9000+ 5.04 грн
Мінімальне замовлення: 25
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 4 6 8 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 22 24 26  [ Наступна Сторінка >> ]