Продукція > PANJIT SEMICONDUCTOR > Всі товари виробника PANJIT SEMICONDUCTOR (1533) > Сторінка 21 з 26

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 4 6 8 10 12 14 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
без ПДВ
PJSD24TS_R1_00001 PanJit Semiconductor PJSD03TS_SERIES.pdf PJSD24TS-R1 Unidirectional SMD transil diodes
товар відсутній
PJSD36W-AU_R1_000A1 PanJit Semiconductor PJSD03W-AU_SERIES.pdf Category: Unidirectional SMD transil diodes
Description: Diode: TVS; 350W; 39.9÷45V; 1A; unidirectional; SOD323; reel,tape
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.35kW
Max. off-state voltage: 36V
Breakdown voltage: 39.9...45V
Max. forward impulse current: 1A
Semiconductor structure: unidirectional
Case: SOD323
Mounting: SMD
Leakage current: 1µA
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: ESD protection
Application: automotive industry
Capacitance: 30pF
товар відсутній
PJSD36W-AU_R1_000A1 PanJit Semiconductor PJSD03W-AU_SERIES.pdf Category: Unidirectional SMD transil diodes
Description: Diode: TVS; 350W; 39.9÷45V; 1A; unidirectional; SOD323; reel,tape
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.35kW
Max. off-state voltage: 36V
Breakdown voltage: 39.9...45V
Max. forward impulse current: 1A
Semiconductor structure: unidirectional
Case: SOD323
Mounting: SMD
Leakage current: 1µA
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: ESD protection
Application: automotive industry
Capacitance: 30pF
кількість в упаковці: 5 шт
товар відсутній
PJSD36W_R1_00001 PanJit Semiconductor Category: Unidirectional SMD transil diodes
Description: Diode: TVS; 350W; 39.9÷45V; 1A; unidirectional; SOD323; reel,tape
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.35kW
Max. off-state voltage: 36V
Breakdown voltage: 39.9...45V
Max. forward impulse current: 1A
Semiconductor structure: unidirectional
Case: SOD323
Mounting: SMD
Leakage current: 1µA
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: ESD protection
Capacitance: 30pF
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
11+28.08 грн
15+ 19.98 грн
25+ 13.49 грн
100+ 9.82 грн
187+ 5.57 грн
514+ 5.26 грн
10000+ 5.06 грн
Мінімальне замовлення: 11
PJSD36W_R1_00001 PanJit Semiconductor Category: Unidirectional SMD transil diodes
Description: Diode: TVS; 350W; 39.9÷45V; 1A; unidirectional; SOD323; reel,tape
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.35kW
Max. off-state voltage: 36V
Breakdown voltage: 39.9...45V
Max. forward impulse current: 1A
Semiconductor structure: unidirectional
Case: SOD323
Mounting: SMD
Leakage current: 1µA
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: ESD protection
Capacitance: 30pF
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
18+23.4 грн
24+ 16.04 грн
34+ 11.24 грн
100+ 8.18 грн
187+ 4.64 грн
514+ 4.38 грн
10000+ 4.22 грн
Мінімальне замовлення: 18
PJT138K-AU_R1_000A1 PJT138K-AU_R1_000A1 PanJit Semiconductor Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 50V; 360mA; Idm: 1.2A; 236mW
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 0.36A
Pulsed drain current: 1.2A
Power dissipation: 236mW
Case: SOT363
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 1nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Application: automotive industry
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
25+16.14 грн
29+ 12.96 грн
100+ 7.83 грн
204+ 4.3 грн
500+ 4.2 грн
559+ 4.07 грн
1000+ 3.92 грн
Мінімальне замовлення: 25
PJT138K-AU_R1_000A1 PJT138K-AU_R1_000A1 PanJit Semiconductor Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 50V; 360mA; Idm: 1.2A; 236mW
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 0.36A
Pulsed drain current: 1.2A
Power dissipation: 236mW
Case: SOT363
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 1nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
15+19.37 грн
18+ 16.15 грн
100+ 9.4 грн
204+ 5.16 грн
500+ 5.04 грн
559+ 4.88 грн
1000+ 4.7 грн
Мінімальне замовлення: 15
PJT7600_R1_00001 PJT7600_R1_00001 PanJit Semiconductor PJT7600.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 20/-20V; 1A/-700mA; 350mW
Drain-source voltage: 20/-20V
Drain current: 1A/-700mA
On-state resistance: 400/600mΩ
Type of transistor: N/P-MOSFET
Power dissipation: 0.35W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 1.6/2.2nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±8V
Mounting: SMD
Case: SOT363
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2695 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
9+34.86 грн
11+ 25.68 грн
100+ 14.12 грн
169+ 6.2 грн
463+ 5.93 грн
Мінімальне замовлення: 9
PJT7600_S1_00001 PanJit Semiconductor Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; SOT363
Case: SOT363
Mounting: SMD
Kind of package: tape
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhanced
Type of transistor: N/P-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
PJT7600_R1_00001 PJT7600_R1_00001 PanJit Semiconductor PJT7600.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 20/-20V; 1A/-700mA; 350mW
Drain-source voltage: 20/-20V
Drain current: 1A/-700mA
On-state resistance: 400/600mΩ
Type of transistor: N/P-MOSFET
Power dissipation: 0.35W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 1.6/2.2nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±8V
Mounting: SMD
Case: SOT363
на замовлення 2695 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
14+29.05 грн
19+ 20.61 грн
100+ 11.76 грн
169+ 5.17 грн
463+ 4.95 грн
Мінімальне замовлення: 14
PJT7600_S1_00001 PanJit Semiconductor Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; SOT363
Case: SOT363
Mounting: SMD
Kind of package: tape
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhanced
Type of transistor: N/P-MOSFET
товар відсутній
PJT7603_R1_00001 PJT7603_R1_00001 PanJit Semiconductor PJT7603.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 50/-60V; -250/400mA; 350mW
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50/-60V
Drain current: -250/400mA
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT363
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.5/6Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.95/1.1nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
13+23.24 грн
16+ 18.58 грн
100+ 12.98 грн
204+ 5.19 грн
559+ 4.91 грн
Мінімальне замовлення: 13
PJT7603_R1_00001 PJT7603_R1_00001 PanJit Semiconductor PJT7603.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 50/-60V; -250/400mA; 350mW
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50/-60V
Drain current: -250/400mA
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT363
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.5/6Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.95/1.1nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
21+19.37 грн
26+ 14.91 грн
100+ 10.82 грн
204+ 4.32 грн
559+ 4.09 грн
Мінімальне замовлення: 21
PJT7605-AU_R1_000A1 PanJit Semiconductor Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; SOT363
Kind of package: tape
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhanced
Mounting: SMD
Case: SOT363
товар відсутній
PJT7605-AU_R1_000A1 PanJit Semiconductor Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; SOT363
Kind of package: tape
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhanced
Mounting: SMD
Case: SOT363
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
PJT7800_R1_00001 PJT7800_R1_00001 PanJit Semiconductor PJT7800.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 1A; Idm: 4A; 350mW; SOT363
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 1A
Pulsed drain current: 4A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT363
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 1.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 5985 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
9+34.86 грн
11+ 25.68 грн
100+ 14.12 грн
169+ 6.29 грн
463+ 5.93 грн
Мінімальне замовлення: 9
PJT7800_R1_00001 PJT7800_R1_00001 PanJit Semiconductor PJT7800.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 1A; Idm: 4A; 350mW; SOT363
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 1A
Pulsed drain current: 4A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT363
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 1.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
на замовлення 5985 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
14+29.05 грн
19+ 20.61 грн
100+ 11.76 грн
169+ 5.25 грн
463+ 4.95 грн
Мінімальне замовлення: 14
PJT7801_R1_00001 PJT7801_R1_00001 PanJit Semiconductor PJT7801.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -20V; -700mA; Idm: -2.8A; 350mW
Type of transistor: P-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -700mA
Pulsed drain current: -2.8A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT363
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 2.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2945 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
14+22.27 грн
17+ 17.46 грн
100+ 14.12 грн
169+ 6.2 грн
463+ 5.93 грн
Мінімальне замовлення: 14
PJT7801_R1_00001 PJT7801_R1_00001 PanJit Semiconductor PJT7801.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -20V; -700mA; Idm: -2.8A; 350mW
Type of transistor: P-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -700mA
Pulsed drain current: -2.8A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT363
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 2.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
на замовлення 2945 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
22+18.56 грн
27+ 14.01 грн
100+ 11.76 грн
169+ 5.17 грн
463+ 4.95 грн
Мінімальне замовлення: 22
PJT7828_R1_00001 PanJit Semiconductor PJT7828-R1 Multi channel transistors
товар відсутній
PJT7838_R1_00001 PJT7838_R1_00001 PanJit Semiconductor PJT7838.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 50V; 400mA; Idm: 1.2A; 350mW
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 0.4A
Pulsed drain current: 1.2A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT363
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.95nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 7675 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
17+17.43 грн
21+ 13.63 грн
100+ 11.78 грн
145+ 7.28 грн
399+ 6.83 грн
Мінімальне замовлення: 17
PJT7838_R1_00001 PJT7838_R1_00001 PanJit Semiconductor PJT7838.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 50V; 400mA; Idm: 1.2A; 350mW
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 0.4A
Pulsed drain current: 1.2A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT363
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.95nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
на замовлення 7675 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
28+14.52 грн
35+ 10.94 грн
100+ 9.82 грн
145+ 6.07 грн
399+ 5.69 грн
Мінімальне замовлення: 28
PJW3P10A_R2_00001 PanJit Semiconductor PJW3P10A.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET
Type of transistor: P-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
PJW3P10A_R2_00001 PanJit Semiconductor PJW3P10A.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET
Type of transistor: P-MOSFET
товар відсутній
PJW4N06A-AU_R2_000A1 PJW4N06A-AU_R2_000A1 PanJit Semiconductor PJW4N06A-AU.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 3.2A; Idm: 8A; 2.6W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 3.2A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 2.6W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 5.1nC
Kind of package: tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
PJW4N06A-AU_R2_000A1 PJW4N06A-AU_R2_000A1 PanJit Semiconductor PJW4N06A-AU.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 3.2A; Idm: 8A; 2.6W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 3.2A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 2.6W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 5.1nC
Kind of package: tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
PJW4N06A_R2_00001 PJW4N06A_R2_00001 PanJit Semiconductor PJW4N06A.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 4A; Idm: 8A; 3.1W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 4A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 3.1W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 5.1nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
PJW4N06A_R2_00001 PJW4N06A_R2_00001 PanJit Semiconductor PJW4N06A.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 4A; Idm: 8A; 3.1W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 4A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 3.1W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 5.1nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
PJW4P06A-AU_R2_000A1 PanJit Semiconductor PJW4P06A-AU.pdf PJW4P06A-AU-R2 SMD P channel transistors
на замовлення 1575 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
5+69.91 грн
72+ 14.75 грн
196+ 13.94 грн
5000+ 13.91 грн
Мінімальне замовлення: 5
PJW4P06A_R2_00001 PanJit Semiconductor PJW4P06A.pdf PJW4P06A-R2 SMD P channel transistors
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
8+36.8 грн
94+ 11.15 грн
257+ 10.61 грн
Мінімальне замовлення: 8
PJW5P06A-AU_R2_000A1 PanJit Semiconductor PJW5P06A-AU-R2 SMD P channel transistors
товар відсутній
PJX138K_R1_00001 PJX138K_R1_00001 PanJit Semiconductor Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 50V; 350mA; Idm: 1.2A; 223mW
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 0.35A
Pulsed drain current: 1.2A
Power dissipation: 223mW
Case: SOT563
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 1nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3985 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
22+13.56 грн
38+ 7.56 грн
100+ 6.55 грн
193+ 5.47 грн
500+ 5.21 грн
531+ 5.17 грн
1000+ 4.97 грн
Мінімальне замовлення: 22
PJX138K_R1_00001 PJX138K_R1_00001 PanJit Semiconductor Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 50V; 350mA; Idm: 1.2A; 223mW
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 0.35A
Pulsed drain current: 1.2A
Power dissipation: 223mW
Case: SOT563
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 1nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
на замовлення 3985 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
36+11.3 грн
62+ 6.07 грн
100+ 5.46 грн
193+ 4.56 грн
500+ 4.34 грн
531+ 4.31 грн
1000+ 4.14 грн
Мінімальне замовлення: 36
PJX138L_R1_00002 PanJit Semiconductor Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; SOT563
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Case: SOT563
Mounting: SMD
Kind of package: tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
PJX138L_R1_00002 PanJit Semiconductor Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; SOT563
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Case: SOT563
Mounting: SMD
Kind of package: tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
PJX8603_R1_00001 PJX8603_R1_00001 PanJit Semiconductor PJX8603.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 50/-60V; 360/-200mA; 300mW
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50/-60V
Drain current: 360/-200mA
Power dissipation: 0.3W
Case: SOT563
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.5/7Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.95/1.1nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3950 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
22+13.56 грн
33+ 8.59 грн
100+ 7.46 грн
170+ 6.2 грн
466+ 5.84 грн
1000+ 5.57 грн
Мінімальне замовлення: 22
PJX8603_R1_00001 PJX8603_R1_00001 PanJit Semiconductor PJX8603.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 50/-60V; 360/-200mA; 300mW
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50/-60V
Drain current: 360/-200mA
Power dissipation: 0.3W
Case: SOT563
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.5/7Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.95/1.1nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
на замовлення 3950 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
36+11.3 грн
55+ 6.89 грн
100+ 6.22 грн
170+ 5.17 грн
466+ 4.87 грн
1000+ 4.65 грн
Мінімальне замовлення: 36
PMS410_R2_00601 PanJit Semiconductor PMS410.pdf PMS410-R2 SMD/THT sing. phase diode bridge rectif.
товар відсутній
PSDH60120S1B_T0_00601 PanJit Semiconductor PSDH60120S1B-T0 THT universal diodes
товар відсутній
PSMB050N10NS2_R2_00601 PanJit Semiconductor PSMB050N10NS2.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 120A; Idm: 480A; 138W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 120A
Pulsed drain current: 480A
Power dissipation: 138W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 53nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
PSMB050N10NS2_T0_00601 PanJit Semiconductor Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 120A; Idm: 480A; 138W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 120A
Pulsed drain current: 480A
Power dissipation: 138W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 53nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
PSMB050N10NS2_R2_00601 PanJit Semiconductor PSMB050N10NS2.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 120A; Idm: 480A; 138W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 120A
Pulsed drain current: 480A
Power dissipation: 138W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 53nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
PSMB050N10NS2_T0_00601 PanJit Semiconductor Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 120A; Idm: 480A; 138W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 120A
Pulsed drain current: 480A
Power dissipation: 138W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 53nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
PSMB055N08NS1_R2_00601 PanJit Semiconductor PSMB055N08NS1.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 108A; Idm: 360A; 113.6W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 108A
Pulsed drain current: 360A
Power dissipation: 113.6W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 65.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
PSMB055N08NS1_T0_00601 PanJit Semiconductor Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 108A; Idm: 360A; 113.6W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 108A
Pulsed drain current: 360A
Power dissipation: 113.6W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 65.8nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
PSMB055N08NS1_R2_00601 PanJit Semiconductor PSMB055N08NS1.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 108A; Idm: 360A; 113.6W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 108A
Pulsed drain current: 360A
Power dissipation: 113.6W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 65.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
PSMB055N08NS1_T0_00601 PanJit Semiconductor Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 108A; Idm: 360A; 113.6W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 108A
Pulsed drain current: 360A
Power dissipation: 113.6W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 65.8nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
PSMN015N10NS2_R2_00201 PanJit Semiconductor 20230516171020ta7o3bGUZ1.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; TOLL
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Case: TOLL
Mounting: SMD
Kind of package: tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
PSMN015N10NS2_R2_00201 PanJit Semiconductor 20230516171020ta7o3bGUZ1.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; TOLL
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Case: TOLL
Mounting: SMD
Kind of package: tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
PSMN028N10NS2_R2_00201 PanJit Semiconductor 20230516171020ta7o3bGUZ1.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; TOLL
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Case: TOLL
Mounting: SMD
Kind of package: tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
PSMN028N10NS2_R2_00201 PanJit Semiconductor 20230516171020ta7o3bGUZ1.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; TOLL
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Case: TOLL
Mounting: SMD
Kind of package: tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
PSMP050N10NS2_T0_00601 PSMP050N10NS2_T0_00601 PanJit Semiconductor PSMP050N10NS2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 120A; Idm: 480A; 138W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 120A
Pulsed drain current: 480A
Power dissipation: 138W
Case: TO220ABL
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 53nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
PSMP050N10NS2_T0_00601 PSMP050N10NS2_T0_00601 PanJit Semiconductor PSMP050N10NS2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 120A; Idm: 480A; 138W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 120A
Pulsed drain current: 480A
Power dissipation: 138W
Case: TO220ABL
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 53nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
PSMP055N08NS1_T0_00601 PSMP055N08NS1_T0_00601 PanJit Semiconductor PSMP055N08NS1.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 111A; Idm: 360A; 136W; TO220ABL
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 111A
Pulsed drain current: 360A
Power dissipation: 136W
Case: TO220ABL
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 65.8nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
PSMP055N08NS1_T0_00601 PSMP055N08NS1_T0_00601 PanJit Semiconductor PSMP055N08NS1.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 111A; Idm: 360A; 136W; TO220ABL
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 111A
Pulsed drain current: 360A
Power dissipation: 136W
Case: TO220ABL
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 65.8nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
PSMP075N15NS1_T0_00601 PSMP075N15NS1_T0_00601 PanJit Semiconductor PSMP075N15NS1.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 125A; Idm: 350A; 258.6W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 125A
Pulsed drain current: 350A
Power dissipation: 258.6W
Case: TO220ABL
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 97nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
PSMP075N15NS1_T0_00601 PSMP075N15NS1_T0_00601 PanJit Semiconductor PSMP075N15NS1.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 125A; Idm: 350A; 258.6W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 125A
Pulsed drain current: 350A
Power dissipation: 258.6W
Case: TO220ABL
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 97nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
PSMQC040N10NS2_R2_00601 PSMQC040N10NS2_R2_00601 PanJit Semiconductor Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 122A; Idm: 488A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 122A
Pulsed drain current: 488A
Power dissipation: 125W
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 53nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
PSMQC040N10NS2_R2_00601 PSMQC040N10NS2_R2_00601 PanJit Semiconductor Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 122A; Idm: 488A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 122A
Pulsed drain current: 488A
Power dissipation: 125W
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 53nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
PTGH4065S1_T0_00201 PanJit Semiconductor PTGH4065S1-T0 THT IGBT transistors
товар відсутній
PJSD24TS_R1_00001 PJSD03TS_SERIES.pdf
Виробник: PanJit Semiconductor
PJSD24TS-R1 Unidirectional SMD transil diodes
товар відсутній
PJSD36W-AU_R1_000A1 PJSD03W-AU_SERIES.pdf
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: Unidirectional SMD transil diodes
Description: Diode: TVS; 350W; 39.9÷45V; 1A; unidirectional; SOD323; reel,tape
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.35kW
Max. off-state voltage: 36V
Breakdown voltage: 39.9...45V
Max. forward impulse current: 1A
Semiconductor structure: unidirectional
Case: SOD323
Mounting: SMD
Leakage current: 1µA
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: ESD protection
Application: automotive industry
Capacitance: 30pF
товар відсутній
PJSD36W-AU_R1_000A1 PJSD03W-AU_SERIES.pdf
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: Unidirectional SMD transil diodes
Description: Diode: TVS; 350W; 39.9÷45V; 1A; unidirectional; SOD323; reel,tape
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.35kW
Max. off-state voltage: 36V
Breakdown voltage: 39.9...45V
Max. forward impulse current: 1A
Semiconductor structure: unidirectional
Case: SOD323
Mounting: SMD
Leakage current: 1µA
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: ESD protection
Application: automotive industry
Capacitance: 30pF
кількість в упаковці: 5 шт
товар відсутній
PJSD36W_R1_00001
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: Unidirectional SMD transil diodes
Description: Diode: TVS; 350W; 39.9÷45V; 1A; unidirectional; SOD323; reel,tape
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.35kW
Max. off-state voltage: 36V
Breakdown voltage: 39.9...45V
Max. forward impulse current: 1A
Semiconductor structure: unidirectional
Case: SOD323
Mounting: SMD
Leakage current: 1µA
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: ESD protection
Capacitance: 30pF
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
11+28.08 грн
15+ 19.98 грн
25+ 13.49 грн
100+ 9.82 грн
187+ 5.57 грн
514+ 5.26 грн
10000+ 5.06 грн
Мінімальне замовлення: 11
PJSD36W_R1_00001
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: Unidirectional SMD transil diodes
Description: Diode: TVS; 350W; 39.9÷45V; 1A; unidirectional; SOD323; reel,tape
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.35kW
Max. off-state voltage: 36V
Breakdown voltage: 39.9...45V
Max. forward impulse current: 1A
Semiconductor structure: unidirectional
Case: SOD323
Mounting: SMD
Leakage current: 1µA
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: ESD protection
Capacitance: 30pF
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
18+23.4 грн
24+ 16.04 грн
34+ 11.24 грн
100+ 8.18 грн
187+ 4.64 грн
514+ 4.38 грн
10000+ 4.22 грн
Мінімальне замовлення: 18
PJT138K-AU_R1_000A1
PJT138K-AU_R1_000A1
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 50V; 360mA; Idm: 1.2A; 236mW
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 0.36A
Pulsed drain current: 1.2A
Power dissipation: 236mW
Case: SOT363
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 1nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Application: automotive industry
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
25+16.14 грн
29+ 12.96 грн
100+ 7.83 грн
204+ 4.3 грн
500+ 4.2 грн
559+ 4.07 грн
1000+ 3.92 грн
Мінімальне замовлення: 25
PJT138K-AU_R1_000A1
PJT138K-AU_R1_000A1
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 50V; 360mA; Idm: 1.2A; 236mW
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 0.36A
Pulsed drain current: 1.2A
Power dissipation: 236mW
Case: SOT363
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 1nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
15+19.37 грн
18+ 16.15 грн
100+ 9.4 грн
204+ 5.16 грн
500+ 5.04 грн
559+ 4.88 грн
1000+ 4.7 грн
Мінімальне замовлення: 15
PJT7600_R1_00001 PJT7600.pdf
PJT7600_R1_00001
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 20/-20V; 1A/-700mA; 350mW
Drain-source voltage: 20/-20V
Drain current: 1A/-700mA
On-state resistance: 400/600mΩ
Type of transistor: N/P-MOSFET
Power dissipation: 0.35W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 1.6/2.2nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±8V
Mounting: SMD
Case: SOT363
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2695 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
9+34.86 грн
11+ 25.68 грн
100+ 14.12 грн
169+ 6.2 грн
463+ 5.93 грн
Мінімальне замовлення: 9
PJT7600_S1_00001
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; SOT363
Case: SOT363
Mounting: SMD
Kind of package: tape
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhanced
Type of transistor: N/P-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
PJT7600_R1_00001 PJT7600.pdf
PJT7600_R1_00001
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 20/-20V; 1A/-700mA; 350mW
Drain-source voltage: 20/-20V
Drain current: 1A/-700mA
On-state resistance: 400/600mΩ
Type of transistor: N/P-MOSFET
Power dissipation: 0.35W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 1.6/2.2nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±8V
Mounting: SMD
Case: SOT363
на замовлення 2695 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
14+29.05 грн
19+ 20.61 грн
100+ 11.76 грн
169+ 5.17 грн
463+ 4.95 грн
Мінімальне замовлення: 14
PJT7600_S1_00001
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; SOT363
Case: SOT363
Mounting: SMD
Kind of package: tape
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhanced
Type of transistor: N/P-MOSFET
товар відсутній
PJT7603_R1_00001 PJT7603.pdf
PJT7603_R1_00001
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 50/-60V; -250/400mA; 350mW
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50/-60V
Drain current: -250/400mA
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT363
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.5/6Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.95/1.1nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
13+23.24 грн
16+ 18.58 грн
100+ 12.98 грн
204+ 5.19 грн
559+ 4.91 грн
Мінімальне замовлення: 13
PJT7603_R1_00001 PJT7603.pdf
PJT7603_R1_00001
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 50/-60V; -250/400mA; 350mW
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50/-60V
Drain current: -250/400mA
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT363
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.5/6Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.95/1.1nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
21+19.37 грн
26+ 14.91 грн
100+ 10.82 грн
204+ 4.32 грн
559+ 4.09 грн
Мінімальне замовлення: 21
PJT7605-AU_R1_000A1
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; SOT363
Kind of package: tape
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhanced
Mounting: SMD
Case: SOT363
товар відсутній
PJT7605-AU_R1_000A1
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; SOT363
Kind of package: tape
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhanced
Mounting: SMD
Case: SOT363
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
PJT7800_R1_00001 PJT7800.pdf
PJT7800_R1_00001
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 1A; Idm: 4A; 350mW; SOT363
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 1A
Pulsed drain current: 4A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT363
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 1.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 5985 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
9+34.86 грн
11+ 25.68 грн
100+ 14.12 грн
169+ 6.29 грн
463+ 5.93 грн
Мінімальне замовлення: 9
PJT7800_R1_00001 PJT7800.pdf
PJT7800_R1_00001
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 1A; Idm: 4A; 350mW; SOT363
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 1A
Pulsed drain current: 4A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT363
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 1.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
на замовлення 5985 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
14+29.05 грн
19+ 20.61 грн
100+ 11.76 грн
169+ 5.25 грн
463+ 4.95 грн
Мінімальне замовлення: 14
PJT7801_R1_00001 PJT7801.pdf
PJT7801_R1_00001
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -20V; -700mA; Idm: -2.8A; 350mW
Type of transistor: P-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -700mA
Pulsed drain current: -2.8A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT363
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 2.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2945 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
14+22.27 грн
17+ 17.46 грн
100+ 14.12 грн
169+ 6.2 грн
463+ 5.93 грн
Мінімальне замовлення: 14
PJT7801_R1_00001 PJT7801.pdf
PJT7801_R1_00001
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -20V; -700mA; Idm: -2.8A; 350mW
Type of transistor: P-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -700mA
Pulsed drain current: -2.8A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT363
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 2.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
на замовлення 2945 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
22+18.56 грн
27+ 14.01 грн
100+ 11.76 грн
169+ 5.17 грн
463+ 4.95 грн
Мінімальне замовлення: 22
PJT7828_R1_00001
Виробник: PanJit Semiconductor
PJT7828-R1 Multi channel transistors
товар відсутній
PJT7838_R1_00001 PJT7838.pdf
PJT7838_R1_00001
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 50V; 400mA; Idm: 1.2A; 350mW
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 0.4A
Pulsed drain current: 1.2A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT363
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.95nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 7675 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
17+17.43 грн
21+ 13.63 грн
100+ 11.78 грн
145+ 7.28 грн
399+ 6.83 грн
Мінімальне замовлення: 17
PJT7838_R1_00001 PJT7838.pdf
PJT7838_R1_00001
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 50V; 400mA; Idm: 1.2A; 350mW
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 0.4A
Pulsed drain current: 1.2A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT363
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.95nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
на замовлення 7675 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
28+14.52 грн
35+ 10.94 грн
100+ 9.82 грн
145+ 6.07 грн
399+ 5.69 грн
Мінімальне замовлення: 28
PJW3P10A_R2_00001 PJW3P10A.pdf
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET
Type of transistor: P-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
PJW3P10A_R2_00001 PJW3P10A.pdf
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET
Type of transistor: P-MOSFET
товар відсутній
PJW4N06A-AU_R2_000A1 PJW4N06A-AU.pdf
PJW4N06A-AU_R2_000A1
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 3.2A; Idm: 8A; 2.6W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 3.2A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 2.6W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 5.1nC
Kind of package: tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
PJW4N06A-AU_R2_000A1 PJW4N06A-AU.pdf
PJW4N06A-AU_R2_000A1
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 3.2A; Idm: 8A; 2.6W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 3.2A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 2.6W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 5.1nC
Kind of package: tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
PJW4N06A_R2_00001 PJW4N06A.pdf
PJW4N06A_R2_00001
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 4A; Idm: 8A; 3.1W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 4A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 3.1W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 5.1nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
PJW4N06A_R2_00001 PJW4N06A.pdf
PJW4N06A_R2_00001
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 4A; Idm: 8A; 3.1W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 4A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 3.1W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 5.1nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
PJW4P06A-AU_R2_000A1 PJW4P06A-AU.pdf
Виробник: PanJit Semiconductor
PJW4P06A-AU-R2 SMD P channel transistors
на замовлення 1575 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+69.91 грн
72+ 14.75 грн
196+ 13.94 грн
5000+ 13.91 грн
Мінімальне замовлення: 5
PJW4P06A_R2_00001 PJW4P06A.pdf
Виробник: PanJit Semiconductor
PJW4P06A-R2 SMD P channel transistors
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+36.8 грн
94+ 11.15 грн
257+ 10.61 грн
Мінімальне замовлення: 8
PJW5P06A-AU_R2_000A1
Виробник: PanJit Semiconductor
PJW5P06A-AU-R2 SMD P channel transistors
товар відсутній
PJX138K_R1_00001
PJX138K_R1_00001
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 50V; 350mA; Idm: 1.2A; 223mW
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 0.35A
Pulsed drain current: 1.2A
Power dissipation: 223mW
Case: SOT563
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 1nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3985 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
22+13.56 грн
38+ 7.56 грн
100+ 6.55 грн
193+ 5.47 грн
500+ 5.21 грн
531+ 5.17 грн
1000+ 4.97 грн
Мінімальне замовлення: 22
PJX138K_R1_00001
PJX138K_R1_00001
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 50V; 350mA; Idm: 1.2A; 223mW
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 0.35A
Pulsed drain current: 1.2A
Power dissipation: 223mW
Case: SOT563
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 1nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
на замовлення 3985 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
36+11.3 грн
62+ 6.07 грн
100+ 5.46 грн
193+ 4.56 грн
500+ 4.34 грн
531+ 4.31 грн
1000+ 4.14 грн
Мінімальне замовлення: 36
PJX138L_R1_00002
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; SOT563
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Case: SOT563
Mounting: SMD
Kind of package: tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
PJX138L_R1_00002
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; SOT563
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Case: SOT563
Mounting: SMD
Kind of package: tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
PJX8603_R1_00001 PJX8603.pdf
PJX8603_R1_00001
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 50/-60V; 360/-200mA; 300mW
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50/-60V
Drain current: 360/-200mA
Power dissipation: 0.3W
Case: SOT563
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.5/7Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.95/1.1nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3950 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
22+13.56 грн
33+ 8.59 грн
100+ 7.46 грн
170+ 6.2 грн
466+ 5.84 грн
1000+ 5.57 грн
Мінімальне замовлення: 22
PJX8603_R1_00001 PJX8603.pdf
PJX8603_R1_00001
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 50/-60V; 360/-200mA; 300mW
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50/-60V
Drain current: 360/-200mA
Power dissipation: 0.3W
Case: SOT563
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.5/7Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.95/1.1nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
на замовлення 3950 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
36+11.3 грн
55+ 6.89 грн
100+ 6.22 грн
170+ 5.17 грн
466+ 4.87 грн
1000+ 4.65 грн
Мінімальне замовлення: 36
PMS410_R2_00601 PMS410.pdf
Виробник: PanJit Semiconductor
PMS410-R2 SMD/THT sing. phase diode bridge rectif.
товар відсутній
PSDH60120S1B_T0_00601
Виробник: PanJit Semiconductor
PSDH60120S1B-T0 THT universal diodes
товар відсутній
PSMB050N10NS2_R2_00601 PSMB050N10NS2.pdf
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 120A; Idm: 480A; 138W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 120A
Pulsed drain current: 480A
Power dissipation: 138W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 53nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
PSMB050N10NS2_T0_00601
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 120A; Idm: 480A; 138W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 120A
Pulsed drain current: 480A
Power dissipation: 138W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 53nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
PSMB050N10NS2_R2_00601 PSMB050N10NS2.pdf
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 120A; Idm: 480A; 138W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 120A
Pulsed drain current: 480A
Power dissipation: 138W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 53nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
PSMB050N10NS2_T0_00601
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 120A; Idm: 480A; 138W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 120A
Pulsed drain current: 480A
Power dissipation: 138W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 53nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
PSMB055N08NS1_R2_00601 PSMB055N08NS1.pdf
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 108A; Idm: 360A; 113.6W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 108A
Pulsed drain current: 360A
Power dissipation: 113.6W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 65.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
PSMB055N08NS1_T0_00601
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 108A; Idm: 360A; 113.6W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 108A
Pulsed drain current: 360A
Power dissipation: 113.6W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 65.8nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
PSMB055N08NS1_R2_00601 PSMB055N08NS1.pdf
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 108A; Idm: 360A; 113.6W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 108A
Pulsed drain current: 360A
Power dissipation: 113.6W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 65.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
PSMB055N08NS1_T0_00601
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 108A; Idm: 360A; 113.6W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 108A
Pulsed drain current: 360A
Power dissipation: 113.6W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 65.8nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
PSMN015N10NS2_R2_00201 20230516171020ta7o3bGUZ1.pdf
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; TOLL
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Case: TOLL
Mounting: SMD
Kind of package: tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
PSMN015N10NS2_R2_00201 20230516171020ta7o3bGUZ1.pdf
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; TOLL
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Case: TOLL
Mounting: SMD
Kind of package: tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
PSMN028N10NS2_R2_00201 20230516171020ta7o3bGUZ1.pdf
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; TOLL
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Case: TOLL
Mounting: SMD
Kind of package: tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
PSMN028N10NS2_R2_00201 20230516171020ta7o3bGUZ1.pdf
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; TOLL
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Case: TOLL
Mounting: SMD
Kind of package: tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
PSMP050N10NS2_T0_00601 PSMP050N10NS2.pdf
PSMP050N10NS2_T0_00601
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 120A; Idm: 480A; 138W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 120A
Pulsed drain current: 480A
Power dissipation: 138W
Case: TO220ABL
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 53nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
PSMP050N10NS2_T0_00601 PSMP050N10NS2.pdf
PSMP050N10NS2_T0_00601
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 120A; Idm: 480A; 138W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 120A
Pulsed drain current: 480A
Power dissipation: 138W
Case: TO220ABL
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 53nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
PSMP055N08NS1_T0_00601 PSMP055N08NS1.pdf
PSMP055N08NS1_T0_00601
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 111A; Idm: 360A; 136W; TO220ABL
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 111A
Pulsed drain current: 360A
Power dissipation: 136W
Case: TO220ABL
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 65.8nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
PSMP055N08NS1_T0_00601 PSMP055N08NS1.pdf
PSMP055N08NS1_T0_00601
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 111A; Idm: 360A; 136W; TO220ABL
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 111A
Pulsed drain current: 360A
Power dissipation: 136W
Case: TO220ABL
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 65.8nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
PSMP075N15NS1_T0_00601 PSMP075N15NS1.pdf
PSMP075N15NS1_T0_00601
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 125A; Idm: 350A; 258.6W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 125A
Pulsed drain current: 350A
Power dissipation: 258.6W
Case: TO220ABL
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 97nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
PSMP075N15NS1_T0_00601 PSMP075N15NS1.pdf
PSMP075N15NS1_T0_00601
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 125A; Idm: 350A; 258.6W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 125A
Pulsed drain current: 350A
Power dissipation: 258.6W
Case: TO220ABL
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 97nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
PSMQC040N10NS2_R2_00601
PSMQC040N10NS2_R2_00601
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 122A; Idm: 488A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 122A
Pulsed drain current: 488A
Power dissipation: 125W
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 53nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
PSMQC040N10NS2_R2_00601
PSMQC040N10NS2_R2_00601
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 122A; Idm: 488A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 122A
Pulsed drain current: 488A
Power dissipation: 125W
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 53nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
PTGH4065S1_T0_00201
Виробник: PanJit Semiconductor
PTGH4065S1-T0 THT IGBT transistors
товар відсутній
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 4 6 8 10 12 14 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26  [ Наступна Сторінка >> ]