Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
MMBD1405 | ONSEMI |
![]() Description: Diode: switching; SMD; 200V; 200mA; 50ns; SOT23; Ufmax: 1.1V; Ifsm: 2A Mounting: SMD Type of diode: switching Power dissipation: 0.35W Kind of package: reel; tape Case: SOT23 Capacitance: 2pF Max. off-state voltage: 200V Max. forward voltage: 1.1V Load current: 0.2A Semiconductor structure: common anode; double Reverse recovery time: 50ns Max. forward impulse current: 2A Leakage current: 0.1µA кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1440 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
MMBD1405A | ONSEMI |
![]() Description: Diode: switching; SMD; 175V; 600mA; 50ns; SOT23; Ufmax: 1.25V; 350mW Mounting: SMD Type of diode: switching Power dissipation: 0.35W Kind of package: reel; tape Case: SOT23 Capacitance: 2pF Max. off-state voltage: 175V Max. forward voltage: 1.25V Load current: 0.6A Semiconductor structure: common anode; double Reverse recovery time: 50ns Max. forward impulse current: 2A Leakage current: 0.1µA кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||
![]() |
MMBD1501A | ONSEMI |
![]() Description: Diode: switching; SMD; 200V; 200mA; SOT23; Ufmax: 1.15V; Ifsm: 2A Case: SOT23 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Capacitance: 4pF Max. off-state voltage: 200V Max. forward voltage: 1.15V Load current: 0.2A Semiconductor structure: single diode Max. forward impulse current: 2A Leakage current: 5µA Power dissipation: 0.35W Type of diode: switching кількість в упаковці: 5 шт |
на замовлення 2755 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
MMBD1503A | ONSEMI |
![]() Description: Diode: switching; SMD; 200V; 0.2A; SOT23; Ufmax: 1.15V; Ifsm: 2A Mounting: SMD Capacitance: 4pF Max. off-state voltage: 200V Max. forward voltage: 1.15V Load current: 0.2A Semiconductor structure: double series Max. forward impulse current: 2A Power dissipation: 0.35W Kind of package: reel; tape Type of diode: switching Case: SOT23 кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 4365 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
MMBD1503A-D87Z | ONSEMI |
![]() Description: Diode: switching; SMD; 200V; 200mA; SOT23; Ufmax: 1.15V; Ifsm: 2A Type of diode: switching Mounting: SMD Max. off-state voltage: 200V Load current: 0.2A Semiconductor structure: double series Capacitance: 4pF Case: SOT23 Max. forward voltage: 1.15V Max. forward impulse current: 2A Leakage current: 5µA Power dissipation: 0.35W Kind of package: reel; tape кількість в упаковці: 5 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||
![]() |
MMBD1504A | ONSEMI |
![]() Description: Diode: switching; SMD; 200V; 0.2A; SOT23; Ufmax: 1.15V; Ifsm: 2A Type of diode: switching Mounting: SMD Max. off-state voltage: 200V Load current: 0.2A Semiconductor structure: common cathode; double Capacitance: 4pF Case: SOT23 Max. forward voltage: 1.15V Max. forward impulse current: 2A Power dissipation: 0.35W Kind of package: reel; tape кількість в упаковці: 5 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||
![]() |
MMBD1505A | ONSEMI |
![]() Description: Diode: switching; SMD; 200V; 0.2A; SOT23; Ufmax: 1.15V; Ifsm: 2A Type of diode: switching Mounting: SMD Max. off-state voltage: 200V Load current: 0.2A Semiconductor structure: common anode; double Capacitance: 4pF Case: SOT23 Max. forward voltage: 1.15V Max. forward impulse current: 2A Power dissipation: 0.35W Kind of package: reel; tape кількість в упаковці: 5 шт |
на замовлення 235 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
MMBD2837LT1G | ONSEMI |
![]() Description: Diode: switching; SMD; 75V; 0.15A; 4ns; SOT23; Ufmax: 1.2V; 225mW Mounting: SMD Max. forward voltage: 1.2V Load current: 0.15A Semiconductor structure: common anode; double Reverse recovery time: 4ns Power dissipation: 0.225W Max. load current: 0.45A Kind of package: reel; tape Max. off-state voltage: 75V Type of diode: switching Capacitance: 4pF Case: SOT23 кількість в упаковці: 5 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||
![]() |
MMBD301LT1G | ONSEMI |
![]() Description: Diode: Schottky switching; SMD; 30V; 200mA; SOT23; reel,tape; 200mW Type of diode: Schottky switching Mounting: SMD Max. off-state voltage: 30V Load current: 0.2A Semiconductor structure: single diode Capacitance: 1.5pF Max. forward voltage: 0.6V Case: SOT23 Kind of package: reel; tape Power dissipation: 0.2W кількість в упаковці: 20 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||
![]() |
MMBD4148CA | ONSEMI |
![]() Description: Diode: switching; SMD; 100V; 200mA; 4ns; SOT23; Ufmax: 1V; Ifsm: 2A Type of diode: switching Mounting: SMD Max. off-state voltage: 100V Load current: 0.2A Reverse recovery time: 4ns Semiconductor structure: common anode; double Capacitance: 4pF Case: SOT23 Max. forward voltage: 1V Max. forward impulse current: 2A Leakage current: 5µA Power dissipation: 0.35W Kind of package: reel; tape кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 700 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
MMBD4148CC | ONSEMI |
![]() Description: Diode: switching; SMD; 100V; 0.2A; 4ns; SOT23; Ifsm: 2A; 350mW Kind of package: reel; tape Max. off-state voltage: 100V Load current: 0.2A Semiconductor structure: common cathode; double Reverse recovery time: 4ns Max. forward impulse current: 2A Power dissipation: 0.35W Type of diode: switching Mounting: SMD Case: SOT23 Capacitance: 4pF кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 730 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
MMBD4148se | ONSEMI |
![]() Description: Diode: switching; SMD; 100V; 0.2A; 4ns; SOT23; Ifsm: 2A; 350mW Type of diode: switching Mounting: SMD Max. off-state voltage: 100V Load current: 0.2A Reverse recovery time: 4ns Semiconductor structure: double series Capacitance: 4pF Case: SOT23 Max. forward impulse current: 2A Power dissipation: 0.35W Kind of package: reel; tape кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 946 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
MMBD6050LT1G | ONSEMI |
![]() Description: Diode: switching; SMD; 250V; 200mA; 50ns; SOT23; Ufmax: 1.25V; 400mW Type of diode: switching Mounting: SMD Max. off-state voltage: 250V Load current: 0.2A Reverse recovery time: 50ns Semiconductor structure: single diode Capacitance: 5pF Case: SOT23 Max. forward voltage: 1.25V Leakage current: 0.1mA Power dissipation: 0.4W кількість в упаковці: 25 шт |
на замовлення 2925 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
MMBD6100LT1G | ONSEMI |
![]() Description: Diode: switching; SMD; 70V; 0.2A; 4ns; SOT23; Ifsm: 0.5A; 225mW Type of diode: switching Mounting: SMD Max. off-state voltage: 70V Load current: 0.2A Reverse recovery time: 4ns Semiconductor structure: common cathode; double Capacitance: 2.5pF Case: SOT23 Max. forward impulse current: 0.5A Power dissipation: 0.225W Kind of package: reel; tape кількість в упаковці: 5 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||
![]() |
MMBD7000LT1G | ONSEMI |
![]() Description: Diode: switching; SMD; 100V; 0.2A; SOT23; reel,tape Kind of package: reel; tape Max. off-state voltage: 100V Load current: 0.2A Semiconductor structure: double series Type of diode: switching Mounting: SMD Case: SOT23 кількість в упаковці: 25 шт |
на замовлення 8850 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
MMBD701LT1G | ONSEMI |
![]() Description: Diode: Schottky rectifying; SMD; 70V; 10mA; SOT23; reel,tape Type of diode: Schottky rectifying Semiconductor structure: single diode Max. off-state voltage: 70V Load current: 10mA Case: SOT23 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2615 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
MMBD914LT1G | ONSEMI |
![]() Description: Diode: switching; SMD; 100V; 0.2A; 75ns; SOT23; reel,tape Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Type of diode: switching Case: SOT23 Max. off-state voltage: 100V Load current: 0.2A Semiconductor structure: single diode Reverse recovery time: 75ns кількість в упаковці: 5 шт |
на замовлення 12480 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
MMBF0201NLT1G | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 0.24A; 0.225W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 0.24A Power dissipation: 0.225W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.4Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 5 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||
![]() |
MMBF170 | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.5A; 0.3W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.5A Power dissipation: 0.3W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.2Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 6643 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
MMBF170LT1G | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.5A; 0.225W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.5A Power dissipation: 0.225W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 5Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 14904 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
MMBF2201NT1G | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 240mA; Idm: 750A; 150mW Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 0.24A Pulsed drain current: 750A Power dissipation: 0.15W Case: SC70; SOT323 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1Ω Mounting: SMD Gate charge: 1.4nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
MMBF4117 | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-JFET; unipolar; 225mW; SOT23; 50mA Gate current: 50mA Type of transistor: N-JFET Power dissipation: 0.225W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Case: SOT23 Gate-source voltage: -40V Mounting: SMD кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1464 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
MMBF4391LT1G | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-JFET; unipolar; 30V; 0.225W; SOT23; 50mA Type of transistor: N-JFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Power dissipation: 0.225W Case: SOT23 Gate-source voltage: -30V On-state resistance: 30Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Gate current: 50mA кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1549 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
MMBF4392LT1G | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-JFET; unipolar; 30V; 25mA; 0.225W; SOT23; Igt: 50mA Type of transistor: N-JFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 25mA Power dissipation: 0.225W Case: SOT23 Gate-source voltage: 30V On-state resistance: 60Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Gate current: 50mA кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2550 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
MMBF5103 | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-JFET; unipolar; 0.35W; SOT23; 50mA Type of transistor: N-JFET Polarisation: unipolar Power dissipation: 0.35W Case: SOT23 Gate-source voltage: -40V Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Gate current: 50mA кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||
![]() |
MMBFJ108 | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-JFET; unipolar; 0.35W; SuperSOT-3; 10mA Type of transistor: N-JFET Polarisation: unipolar Power dissipation: 0.35W Case: SuperSOT-3 Gate-source voltage: -25V On-state resistance: 8Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Gate current: 10mA кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1811 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
MMBFJ110 | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-JFET; unipolar; 0.46W; SOT23; 10mA Type of transistor: N-JFET Polarisation: unipolar Power dissipation: 0.46W Case: SOT23 Gate-source voltage: -25V On-state resistance: 18Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Gate current: 10mA кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||
![]() |
MMBFJ111 | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-JFET; unipolar; 0.35W; SOT23; 50mA Mounting: SMD Case: SOT23 Kind of package: reel; tape Gate current: 50mA On-state resistance: 30Ω Type of transistor: N-JFET Power dissipation: 0.35W Polarisation: unipolar Gate-source voltage: -35V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2635 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
MMBFJ112 | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-JFET; unipolar; 0.35W; SOT23; 50mA Type of transistor: N-JFET Polarisation: unipolar Power dissipation: 0.35W Case: SOT23 Gate-source voltage: -35V On-state resistance: 50Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Gate current: 50mA кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1535 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
MMBFJ113 | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-JFET; unipolar; 0.35W; SOT23; 50mA Polarisation: unipolar Case: SOT23 Mounting: SMD Gate current: 50mA On-state resistance: 100Ω Type of transistor: N-JFET Power dissipation: 0.35W Kind of package: reel; tape Gate-source voltage: -35V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 433 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
MMBFJ175LT1G | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: P-JFET; unipolar; 0.225W; SOT23 Gate-source voltage: 25V Mounting: SMD Case: SOT23 On-state resistance: 125Ω Type of transistor: P-JFET Power dissipation: 0.225W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 4586 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
MMBFJ176 | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: P-JFET; unipolar; 0.225W; SOT23; 50mA Type of transistor: P-JFET Polarisation: unipolar Power dissipation: 0.225W Case: SOT23 Gate-source voltage: 30V Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Gate current: 50mA кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 643 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
MMBFJ177LT1G | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: P-JFET; unipolar; 20mA; 0.225W; SOT23 Gate-source voltage: 25V Mounting: SMD Case: SOT23 Drain current: 20mA On-state resistance: 300Ω Type of transistor: P-JFET Power dissipation: 0.225W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||
![]() |
MMBFJ201 | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-JFET; unipolar; 0.35W; SOT23; 50mA Power dissipation: 0.35W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate-source voltage: -40V Mounting: SMD Case: SOT23 Gate current: 50mA Type of transistor: N-JFET кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||
![]() |
MMBFJ202 | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-JFET; unipolar; 325mW; SOT23; 50mA Type of transistor: N-JFET Polarisation: unipolar Power dissipation: 325mW Case: SOT23 Gate-source voltage: -40V Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Gate current: 50mA кількість в упаковці: 5 шт |
на замовлення 3720 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
MMBFJ270 | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: P-JFET; unipolar; 0.225W; SOT23; 50mA Type of transistor: P-JFET Polarisation: unipolar Power dissipation: 0.225W Case: SOT23 Gate-source voltage: 30V Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Gate current: 50mA кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 109 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
MMBFJ309LT1G | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-JFET; unipolar; 25V; 30mA; 0.225W; SOT23; Igt: 10mA Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Power dissipation: 0.225W Polarisation: unipolar Gate-source voltage: 25V Case: SOT23 Gate current: 10mA Drain-source voltage: 25V Drain current: 30mA Type of transistor: N-JFET кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2843 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() +1 |
MMBFJ310LT1G | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-JFET; unipolar; 25V; 0.225W; SOT23; 10mA Type of transistor: N-JFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 25V Power dissipation: 0.225W Case: SOT23 Gate-source voltage: 25V Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Gate current: 10mA кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 156 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
MMBFU310LT1G | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-JFET; unipolar; 25V; 0.225W; SOT23; 10mA Mounting: SMD Case: SOT23 Kind of package: reel; tape Gate-source voltage: -25V Gate current: 10mA Drain-source voltage: 25V Type of transistor: N-JFET Power dissipation: 0.225W Polarisation: unipolar кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||
![]() |
MMBT2222ALT1G | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.6A; 0.225/0.3W; SOT23 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 40V Collector current: 0.6A Power dissipation: 0.225/0.3W Case: SOT23 Current gain: 30...300 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 300MHz кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2212 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
MMBT2222ALT3G | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.6A; 0.225/0.3W; SOT23 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 40V Collector current: 0.6A Power dissipation: 0.225/0.3W Case: SOT23 Current gain: 30...300 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 300MHz кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||
![]() |
MMBT2222ATT1G | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.6A; 0.225/0.3W; SOT416 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 40V Collector current: 0.6A Power dissipation: 0.225/0.3W Case: SOT416 Current gain: 30...300 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 300MHz кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||
![]() |
MMBT2222AWT1G | ONSEMI |
![]() ![]() Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.6A; 0.225/0.3W; SC70,SOT323 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 40V Collector current: 0.6A Power dissipation: 0.225/0.3W Case: SC70; SOT323 Current gain: 35...300 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 300MHz кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||
![]() |
MMBT2222AWT3G | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.6A; 0.225/0.3W; SC70,SOT323 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 40V Collector current: 0.6A Power dissipation: 0.225/0.3W Case: SC70; SOT323 Current gain: 35...300 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 300MHz кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||
![]() |
MMBT2222LT1G | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: NPN; bipolar; 30V; 0.6A; 0.225/0.3W; SOT23 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 30V Collector current: 0.6A Power dissipation: 0.225/0.3W Case: SOT23 Current gain: 30...300 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 250MHz кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||
![]() |
MMBT2369ALT1G | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: NPN; bipolar; 15V; 0.2A; 0.225/0.3W; SOT23 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 15V Collector current: 0.2A Power dissipation: 0.225/0.3W Case: SOT23 Current gain: 20...120 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape кількість в упаковці: 25 шт |
на замовлення 700 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
MMBT2369LT1G | ONSEMI |
![]() ![]() Description: Transistor: NPN; bipolar; 15V; 0.2A; 0.225/0.3W; SOT23 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 15V Collector current: 0.2A Power dissipation: 0.225/0.3W Case: SOT23 Current gain: 20...120 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||
![]() |
MMBT2484LT1G | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: NPN; bipolar; 60V; 0.1A; 0.225/0.3W; SOT23 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 60V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.225/0.3W Case: SOT23 Current gain: 250...800 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape кількість в упаковці: 20 шт |
на замовлення 20 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
MMBT2907ALT1G | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 0.6A; 0.225W; SOT23 Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 60V Collector current: 0.6A Power dissipation: 0.225W Case: SOT23 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 5378 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
MMBT2907ALT3G | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 0.6A; 0.225/0.3W; SOT23 Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 60V Collector current: 0.6A Power dissipation: 0.225/0.3W Case: SOT23 Current gain: 50...300 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 200MHz кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||
![]() |
MMBT2907AWT1G | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 0.6A; 0.15W; SC70,SOT323 Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 60V Collector current: 0.6A Power dissipation: 0.15W Case: SC70; SOT323 Current gain: 50...340 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 200MHz кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2125 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
MMBT3904LT1G | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.2A; 0.3W; SOT23 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 40V Collector current: 0.2A Power dissipation: 0.3W Case: SOT23 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 300MHz кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1979 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
MMBT3904LT3G | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.2A; 0.225/0.3W; SOT23 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 40V Collector current: 0.2A Power dissipation: 0.225/0.3W Case: SOT23 Current gain: 30...300 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 300MHz кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||
![]() |
MMBT3904WT1G | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.2A; 0.15W; SC70,SOT323 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 40V Collector current: 0.2A Power dissipation: 0.15W Case: SC70; SOT323 Current gain: 30...300 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 300MHz кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||
![]() |
MMBT3906LT1G | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: PNP; bipolar; 40V; 0.2A; 0.3W; SOT23 Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 40V Collector current: 0.2A Power dissipation: 0.3W Case: SOT23 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 250MHz кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1600 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
MMBT3906LT3G | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: PNP; bipolar; 40V; 0.2A; 0.225/0.3W; SOT23 Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 40V Collector current: 0.2A Power dissipation: 0.225/0.3W Case: SOT23 Current gain: 30...300 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 250MHz кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||
![]() |
MMBT3906WT1G | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: PNP; bipolar; 40V; 0.2A; 0.15W; SC70,SOT323 Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 40V Collector current: 0.2A Power dissipation: 0.15W Case: SC70; SOT323 Current gain: 30...300 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 250MHz кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 3495 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
MMBT4124LT1G | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: NPN; bipolar; 25V; 0.2A; 0.3W; SOT23 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 25V Collector current: 0.2A Power dissipation: 0.3W Case: SOT23 Current gain: 60...360 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 300MHz кількість в упаковці: 5 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||
![]() |
MMBT4401LT1G | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.6A; 0.225/0.3W; SOT23 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 40V Collector current: 0.6A Power dissipation: 0.225/0.3W Case: SOT23 Current gain: 20...300 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 250MHz кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||
![]() |
MMBT4403LT1G | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: PNP; bipolar; 40V; 0.6A; 0.225W; SOT23 Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 40V Collector current: 0.6A Power dissipation: 0.225W Case: SOT23 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 800 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
MMBD1405 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 200V; 200mA; 50ns; SOT23; Ufmax: 1.1V; Ifsm: 2A
Mounting: SMD
Type of diode: switching
Power dissipation: 0.35W
Kind of package: reel; tape
Case: SOT23
Capacitance: 2pF
Max. off-state voltage: 200V
Max. forward voltage: 1.1V
Load current: 0.2A
Semiconductor structure: common anode; double
Reverse recovery time: 50ns
Max. forward impulse current: 2A
Leakage current: 0.1µA
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 200V; 200mA; 50ns; SOT23; Ufmax: 1.1V; Ifsm: 2A
Mounting: SMD
Type of diode: switching
Power dissipation: 0.35W
Kind of package: reel; tape
Case: SOT23
Capacitance: 2pF
Max. off-state voltage: 200V
Max. forward voltage: 1.1V
Load current: 0.2A
Semiconductor structure: common anode; double
Reverse recovery time: 50ns
Max. forward impulse current: 2A
Leakage current: 0.1µA
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1440 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
14+ | 21.58 грн |
18+ | 15.2 грн |
50+ | 9.36 грн |
100+ | 7.69 грн |
192+ | 5.34 грн |
250+ | 5.33 грн |
500+ | 5.3 грн |
MMBD1405A |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 175V; 600mA; 50ns; SOT23; Ufmax: 1.25V; 350mW
Mounting: SMD
Type of diode: switching
Power dissipation: 0.35W
Kind of package: reel; tape
Case: SOT23
Capacitance: 2pF
Max. off-state voltage: 175V
Max. forward voltage: 1.25V
Load current: 0.6A
Semiconductor structure: common anode; double
Reverse recovery time: 50ns
Max. forward impulse current: 2A
Leakage current: 0.1µA
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 175V; 600mA; 50ns; SOT23; Ufmax: 1.25V; 350mW
Mounting: SMD
Type of diode: switching
Power dissipation: 0.35W
Kind of package: reel; tape
Case: SOT23
Capacitance: 2pF
Max. off-state voltage: 175V
Max. forward voltage: 1.25V
Load current: 0.6A
Semiconductor structure: common anode; double
Reverse recovery time: 50ns
Max. forward impulse current: 2A
Leakage current: 0.1µA
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
MMBD1501A |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 200V; 200mA; SOT23; Ufmax: 1.15V; Ifsm: 2A
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Capacitance: 4pF
Max. off-state voltage: 200V
Max. forward voltage: 1.15V
Load current: 0.2A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward impulse current: 2A
Leakage current: 5µA
Power dissipation: 0.35W
Type of diode: switching
кількість в упаковці: 5 шт
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 200V; 200mA; SOT23; Ufmax: 1.15V; Ifsm: 2A
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Capacitance: 4pF
Max. off-state voltage: 200V
Max. forward voltage: 1.15V
Load current: 0.2A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward impulse current: 2A
Leakage current: 5µA
Power dissipation: 0.35W
Type of diode: switching
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 2755 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
45+ | 6.94 грн |
55+ | 5.05 грн |
250+ | 4.38 грн |
300+ | 3.35 грн |
825+ | 3.17 грн |
3000+ | 3.13 грн |
MMBD1503A |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 200V; 0.2A; SOT23; Ufmax: 1.15V; Ifsm: 2A
Mounting: SMD
Capacitance: 4pF
Max. off-state voltage: 200V
Max. forward voltage: 1.15V
Load current: 0.2A
Semiconductor structure: double series
Max. forward impulse current: 2A
Power dissipation: 0.35W
Kind of package: reel; tape
Type of diode: switching
Case: SOT23
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 200V; 0.2A; SOT23; Ufmax: 1.15V; Ifsm: 2A
Mounting: SMD
Capacitance: 4pF
Max. off-state voltage: 200V
Max. forward voltage: 1.15V
Load current: 0.2A
Semiconductor structure: double series
Max. forward impulse current: 2A
Power dissipation: 0.35W
Kind of package: reel; tape
Type of diode: switching
Case: SOT23
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 4365 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
20+ | 14.64 грн |
50+ | 6.68 грн |
206+ | 4.93 грн |
565+ | 4.66 грн |
MMBD1503A-D87Z |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 200V; 200mA; SOT23; Ufmax: 1.15V; Ifsm: 2A
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 200V
Load current: 0.2A
Semiconductor structure: double series
Capacitance: 4pF
Case: SOT23
Max. forward voltage: 1.15V
Max. forward impulse current: 2A
Leakage current: 5µA
Power dissipation: 0.35W
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 5 шт
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 200V; 200mA; SOT23; Ufmax: 1.15V; Ifsm: 2A
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 200V
Load current: 0.2A
Semiconductor structure: double series
Capacitance: 4pF
Case: SOT23
Max. forward voltage: 1.15V
Max. forward impulse current: 2A
Leakage current: 5µA
Power dissipation: 0.35W
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 5 шт
товар відсутній
MMBD1504A |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 200V; 0.2A; SOT23; Ufmax: 1.15V; Ifsm: 2A
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 200V
Load current: 0.2A
Semiconductor structure: common cathode; double
Capacitance: 4pF
Case: SOT23
Max. forward voltage: 1.15V
Max. forward impulse current: 2A
Power dissipation: 0.35W
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 5 шт
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 200V; 0.2A; SOT23; Ufmax: 1.15V; Ifsm: 2A
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 200V
Load current: 0.2A
Semiconductor structure: common cathode; double
Capacitance: 4pF
Case: SOT23
Max. forward voltage: 1.15V
Max. forward impulse current: 2A
Power dissipation: 0.35W
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 5 шт
товар відсутній
MMBD1505A |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 200V; 0.2A; SOT23; Ufmax: 1.15V; Ifsm: 2A
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 200V
Load current: 0.2A
Semiconductor structure: common anode; double
Capacitance: 4pF
Case: SOT23
Max. forward voltage: 1.15V
Max. forward impulse current: 2A
Power dissipation: 0.35W
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 5 шт
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 200V; 0.2A; SOT23; Ufmax: 1.15V; Ifsm: 2A
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 200V
Load current: 0.2A
Semiconductor structure: common anode; double
Capacitance: 4pF
Case: SOT23
Max. forward voltage: 1.15V
Max. forward impulse current: 2A
Power dissipation: 0.35W
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 235 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
35+ | 8.72 грн |
50+ | 6.35 грн |
210+ | 4.83 грн |
575+ | 4.57 грн |
3000+ | 4.52 грн |
MMBD2837LT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 75V; 0.15A; 4ns; SOT23; Ufmax: 1.2V; 225mW
Mounting: SMD
Max. forward voltage: 1.2V
Load current: 0.15A
Semiconductor structure: common anode; double
Reverse recovery time: 4ns
Power dissipation: 0.225W
Max. load current: 0.45A
Kind of package: reel; tape
Max. off-state voltage: 75V
Type of diode: switching
Capacitance: 4pF
Case: SOT23
кількість в упаковці: 5 шт
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 75V; 0.15A; 4ns; SOT23; Ufmax: 1.2V; 225mW
Mounting: SMD
Max. forward voltage: 1.2V
Load current: 0.15A
Semiconductor structure: common anode; double
Reverse recovery time: 4ns
Power dissipation: 0.225W
Max. load current: 0.45A
Kind of package: reel; tape
Max. off-state voltage: 75V
Type of diode: switching
Capacitance: 4pF
Case: SOT23
кількість в упаковці: 5 шт
товар відсутній
MMBD301LT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SMD; 30V; 200mA; SOT23; reel,tape; 200mW
Type of diode: Schottky switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 30V
Load current: 0.2A
Semiconductor structure: single diode
Capacitance: 1.5pF
Max. forward voltage: 0.6V
Case: SOT23
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 0.2W
кількість в упаковці: 20 шт
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SMD; 30V; 200mA; SOT23; reel,tape; 200mW
Type of diode: Schottky switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 30V
Load current: 0.2A
Semiconductor structure: single diode
Capacitance: 1.5pF
Max. forward voltage: 0.6V
Case: SOT23
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 0.2W
кількість в упаковці: 20 шт
товар відсутній
MMBD4148CA |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 100V; 200mA; 4ns; SOT23; Ufmax: 1V; Ifsm: 2A
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 100V
Load current: 0.2A
Reverse recovery time: 4ns
Semiconductor structure: common anode; double
Capacitance: 4pF
Case: SOT23
Max. forward voltage: 1V
Max. forward impulse current: 2A
Leakage current: 5µA
Power dissipation: 0.35W
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 10 шт
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 100V; 200mA; 4ns; SOT23; Ufmax: 1V; Ifsm: 2A
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 100V
Load current: 0.2A
Reverse recovery time: 4ns
Semiconductor structure: common anode; double
Capacitance: 4pF
Case: SOT23
Max. forward voltage: 1V
Max. forward impulse current: 2A
Leakage current: 5µA
Power dissipation: 0.35W
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 700 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
50+ | 6.38 грн |
60+ | 5.36 грн |
250+ | 4.16 грн |
670+ | 3.94 грн |
3000+ | 3.79 грн |
MMBD4148CC |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 100V; 0.2A; 4ns; SOT23; Ifsm: 2A; 350mW
Kind of package: reel; tape
Max. off-state voltage: 100V
Load current: 0.2A
Semiconductor structure: common cathode; double
Reverse recovery time: 4ns
Max. forward impulse current: 2A
Power dissipation: 0.35W
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Case: SOT23
Capacitance: 4pF
кількість в упаковці: 10 шт
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 100V; 0.2A; 4ns; SOT23; Ifsm: 2A; 350mW
Kind of package: reel; tape
Max. off-state voltage: 100V
Load current: 0.2A
Semiconductor structure: common cathode; double
Reverse recovery time: 4ns
Max. forward impulse current: 2A
Power dissipation: 0.35W
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Case: SOT23
Capacitance: 4pF
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 730 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
40+ | 7.22 грн |
60+ | 4.87 грн |
250+ | 4.01 грн |
300+ | 3.48 грн |
800+ | 3.29 грн |
MMBD4148se |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 100V; 0.2A; 4ns; SOT23; Ifsm: 2A; 350mW
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 100V
Load current: 0.2A
Reverse recovery time: 4ns
Semiconductor structure: double series
Capacitance: 4pF
Case: SOT23
Max. forward impulse current: 2A
Power dissipation: 0.35W
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 100V; 0.2A; 4ns; SOT23; Ifsm: 2A; 350mW
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 100V
Load current: 0.2A
Reverse recovery time: 4ns
Semiconductor structure: double series
Capacitance: 4pF
Case: SOT23
Max. forward impulse current: 2A
Power dissipation: 0.35W
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 946 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
13+ | 22.52 грн |
18+ | 15.47 грн |
25+ | 12.02 грн |
100+ | 6.62 грн |
226+ | 4.5 грн |
621+ | 4.25 грн |
3000+ | 4.09 грн |
MMBD6050LT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 250V; 200mA; 50ns; SOT23; Ufmax: 1.25V; 400mW
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 250V
Load current: 0.2A
Reverse recovery time: 50ns
Semiconductor structure: single diode
Capacitance: 5pF
Case: SOT23
Max. forward voltage: 1.25V
Leakage current: 0.1mA
Power dissipation: 0.4W
кількість в упаковці: 25 шт
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 250V; 200mA; 50ns; SOT23; Ufmax: 1.25V; 400mW
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 250V
Load current: 0.2A
Reverse recovery time: 50ns
Semiconductor structure: single diode
Capacitance: 5pF
Case: SOT23
Max. forward voltage: 1.25V
Leakage current: 0.1mA
Power dissipation: 0.4W
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 2925 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
125+ | 2.78 грн |
150+ | 2.03 грн |
500+ | 1.73 грн |
675+ | 1.55 грн |
1800+ | 1.46 грн |
12000+ | 1.45 грн |
MMBD6100LT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 70V; 0.2A; 4ns; SOT23; Ifsm: 0.5A; 225mW
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 70V
Load current: 0.2A
Reverse recovery time: 4ns
Semiconductor structure: common cathode; double
Capacitance: 2.5pF
Case: SOT23
Max. forward impulse current: 0.5A
Power dissipation: 0.225W
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 5 шт
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 70V; 0.2A; 4ns; SOT23; Ifsm: 0.5A; 225mW
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 70V
Load current: 0.2A
Reverse recovery time: 4ns
Semiconductor structure: common cathode; double
Capacitance: 2.5pF
Case: SOT23
Max. forward impulse current: 0.5A
Power dissipation: 0.225W
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 5 шт
товар відсутній
MMBD7000LT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 100V; 0.2A; SOT23; reel,tape
Kind of package: reel; tape
Max. off-state voltage: 100V
Load current: 0.2A
Semiconductor structure: double series
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Case: SOT23
кількість в упаковці: 25 шт
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 100V; 0.2A; SOT23; reel,tape
Kind of package: reel; tape
Max. off-state voltage: 100V
Load current: 0.2A
Semiconductor structure: double series
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Case: SOT23
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 8850 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
125+ | 2.74 грн |
150+ | 1.99 грн |
500+ | 1.7 грн |
675+ | 1.55 грн |
1825+ | 1.46 грн |
12000+ | 1.42 грн |
MMBD701LT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SMD; 70V; 10mA; SOT23; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Semiconductor structure: single diode
Max. off-state voltage: 70V
Load current: 10mA
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SMD; 70V; 10mA; SOT23; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Semiconductor structure: single diode
Max. off-state voltage: 70V
Load current: 10mA
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2615 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
46+ | 6.19 грн |
69+ | 3.98 грн |
250+ | 3.39 грн |
344+ | 2.94 грн |
945+ | 2.78 грн |
MMBD914LT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 100V; 0.2A; 75ns; SOT23; reel,tape
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Type of diode: switching
Case: SOT23
Max. off-state voltage: 100V
Load current: 0.2A
Semiconductor structure: single diode
Reverse recovery time: 75ns
кількість в упаковці: 5 шт
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 100V; 0.2A; 75ns; SOT23; reel,tape
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Type of diode: switching
Case: SOT23
Max. off-state voltage: 100V
Load current: 0.2A
Semiconductor structure: single diode
Reverse recovery time: 75ns
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 12480 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
60+ | 4.84 грн |
130+ | 2.14 грн |
500+ | 1.67 грн |
690+ | 1.49 грн |
1890+ | 1.41 грн |
MMBF0201NLT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 0.24A; 0.225W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 0.24A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 5 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 0.24A; 0.225W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 0.24A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 5 шт
товар відсутній
MMBF170 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.5A; 0.3W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.5A
Power dissipation: 0.3W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.5A; 0.3W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.5A
Power dissipation: 0.3W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 6643 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
25+ | 11.54 грн |
50+ | 7.07 грн |
213+ | 4.75 грн |
250+ | 4.74 грн |
586+ | 4.49 грн |
MMBF170LT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.5A; 0.225W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.5A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.5A; 0.225W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.5A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 14904 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
38+ | 7.41 грн |
51+ | 5.36 грн |
246+ | 4.11 грн |
676+ | 3.89 грн |
3000+ | 3.82 грн |
MMBF2201NT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 240mA; Idm: 750A; 150mW
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 0.24A
Pulsed drain current: 750A
Power dissipation: 0.15W
Case: SC70; SOT323
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 1.4nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 240mA; Idm: 750A; 150mW
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 0.24A
Pulsed drain current: 750A
Power dissipation: 0.15W
Case: SC70; SOT323
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 1.4nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
16+ | 17.82 грн |
22+ | 12.67 грн |
25+ | 10.89 грн |
100+ | 10.19 грн |
129+ | 7.84 грн |
355+ | 7.4 грн |
MMBF4117 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET; unipolar; 225mW; SOT23; 50mA
Gate current: 50mA
Type of transistor: N-JFET
Power dissipation: 0.225W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Case: SOT23
Gate-source voltage: -40V
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET; unipolar; 225mW; SOT23; 50mA
Gate current: 50mA
Type of transistor: N-JFET
Power dissipation: 0.225W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Case: SOT23
Gate-source voltage: -40V
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1464 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
11+ | 25.61 грн |
25+ | 19.18 грн |
79+ | 12.88 грн |
217+ | 12.18 грн |
MMBF4391LT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET; unipolar; 30V; 0.225W; SOT23; 50mA
Type of transistor: N-JFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23
Gate-source voltage: -30V
On-state resistance: 30Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate current: 50mA
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET; unipolar; 30V; 0.225W; SOT23; 50mA
Type of transistor: N-JFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23
Gate-source voltage: -30V
On-state resistance: 30Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate current: 50mA
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1549 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
11+ | 26.27 грн |
16+ | 18 грн |
25+ | 11.93 грн |
100+ | 10.98 грн |
111+ | 9.06 грн |
304+ | 8.62 грн |
3000+ | 8.28 грн |
MMBF4392LT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET; unipolar; 30V; 25mA; 0.225W; SOT23; Igt: 50mA
Type of transistor: N-JFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 25mA
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23
Gate-source voltage: 30V
On-state resistance: 60Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate current: 50mA
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET; unipolar; 30V; 25mA; 0.225W; SOT23; Igt: 50mA
Type of transistor: N-JFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 25mA
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23
Gate-source voltage: 30V
On-state resistance: 60Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate current: 50mA
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2550 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
12+ | 23.45 грн |
25+ | 13.39 грн |
100+ | 10.37 грн |
112+ | 8.98 грн |
308+ | 8.49 грн |
MMBF5103 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET; unipolar; 0.35W; SOT23; 50mA
Type of transistor: N-JFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT23
Gate-source voltage: -40V
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate current: 50mA
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET; unipolar; 0.35W; SOT23; 50mA
Type of transistor: N-JFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT23
Gate-source voltage: -40V
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate current: 50mA
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
MMBFJ108 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET; unipolar; 0.35W; SuperSOT-3; 10mA
Type of transistor: N-JFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 0.35W
Case: SuperSOT-3
Gate-source voltage: -25V
On-state resistance: 8Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate current: 10mA
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET; unipolar; 0.35W; SuperSOT-3; 10mA
Type of transistor: N-JFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 0.35W
Case: SuperSOT-3
Gate-source voltage: -25V
On-state resistance: 8Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate current: 10mA
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1811 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
7+ | 40.34 грн |
10+ | 31.75 грн |
25+ | 25.79 грн |
57+ | 17.68 грн |
157+ | 16.73 грн |
1000+ | 16.55 грн |
3000+ | 16.12 грн |
MMBFJ110 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET; unipolar; 0.46W; SOT23; 10mA
Type of transistor: N-JFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 0.46W
Case: SOT23
Gate-source voltage: -25V
On-state resistance: 18Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate current: 10mA
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET; unipolar; 0.46W; SOT23; 10mA
Type of transistor: N-JFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 0.46W
Case: SOT23
Gate-source voltage: -25V
On-state resistance: 18Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate current: 10mA
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
MMBFJ111 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET; unipolar; 0.35W; SOT23; 50mA
Mounting: SMD
Case: SOT23
Kind of package: reel; tape
Gate current: 50mA
On-state resistance: 30Ω
Type of transistor: N-JFET
Power dissipation: 0.35W
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -35V
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET; unipolar; 0.35W; SOT23; 50mA
Mounting: SMD
Case: SOT23
Kind of package: reel; tape
Gate current: 50mA
On-state resistance: 30Ω
Type of transistor: N-JFET
Power dissipation: 0.35W
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -35V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2635 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
10+ | 30.02 грн |
12+ | 23.34 грн |
50+ | 16.12 грн |
98+ | 10.45 грн |
270+ | 9.89 грн |
1000+ | 9.5 грн |
MMBFJ112 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET; unipolar; 0.35W; SOT23; 50mA
Type of transistor: N-JFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT23
Gate-source voltage: -35V
On-state resistance: 50Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate current: 50mA
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET; unipolar; 0.35W; SOT23; 50mA
Type of transistor: N-JFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT23
Gate-source voltage: -35V
On-state resistance: 50Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate current: 50mA
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1535 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
24+ | 12.2 грн |
50+ | 10.67 грн |
130+ | 7.81 грн |
358+ | 7.38 грн |
MMBFJ113 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET; unipolar; 0.35W; SOT23; 50mA
Polarisation: unipolar
Case: SOT23
Mounting: SMD
Gate current: 50mA
On-state resistance: 100Ω
Type of transistor: N-JFET
Power dissipation: 0.35W
Kind of package: reel; tape
Gate-source voltage: -35V
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET; unipolar; 0.35W; SOT23; 50mA
Polarisation: unipolar
Case: SOT23
Mounting: SMD
Gate current: 50mA
On-state resistance: 100Ω
Type of transistor: N-JFET
Power dissipation: 0.35W
Kind of package: reel; tape
Gate-source voltage: -35V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 433 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
10+ | 30.96 грн |
12+ | 24.06 грн |
25+ | 17.95 грн |
100+ | 10.8 грн |
136+ | 7.4 грн |
374+ | 6.97 грн |
9000+ | 6.79 грн |
MMBFJ175LT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-JFET; unipolar; 0.225W; SOT23
Gate-source voltage: 25V
Mounting: SMD
Case: SOT23
On-state resistance: 125Ω
Type of transistor: P-JFET
Power dissipation: 0.225W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-JFET; unipolar; 0.225W; SOT23
Gate-source voltage: 25V
Mounting: SMD
Case: SOT23
On-state resistance: 125Ω
Type of transistor: P-JFET
Power dissipation: 0.225W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 4586 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
13+ | 22.52 грн |
18+ | 15.29 грн |
25+ | 12.37 грн |
100+ | 11.06 грн |
121+ | 8.54 грн |
250+ | 8.45 грн |
331+ | 8.01 грн |
MMBFJ176 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-JFET; unipolar; 0.225W; SOT23; 50mA
Type of transistor: P-JFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23
Gate-source voltage: 30V
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate current: 50mA
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-JFET; unipolar; 0.225W; SOT23; 50mA
Type of transistor: P-JFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23
Gate-source voltage: 30V
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate current: 50mA
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 643 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
8+ | 35.65 грн |
50+ | 24.7 грн |
66+ | 15.27 грн |
182+ | 14.44 грн |
MMBFJ177LT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-JFET; unipolar; 20mA; 0.225W; SOT23
Gate-source voltage: 25V
Mounting: SMD
Case: SOT23
Drain current: 20mA
On-state resistance: 300Ω
Type of transistor: P-JFET
Power dissipation: 0.225W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-JFET; unipolar; 20mA; 0.225W; SOT23
Gate-source voltage: 25V
Mounting: SMD
Case: SOT23
Drain current: 20mA
On-state resistance: 300Ω
Type of transistor: P-JFET
Power dissipation: 0.225W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
MMBFJ201 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET; unipolar; 0.35W; SOT23; 50mA
Power dissipation: 0.35W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate-source voltage: -40V
Mounting: SMD
Case: SOT23
Gate current: 50mA
Type of transistor: N-JFET
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET; unipolar; 0.35W; SOT23; 50mA
Power dissipation: 0.35W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate-source voltage: -40V
Mounting: SMD
Case: SOT23
Gate current: 50mA
Type of transistor: N-JFET
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
MMBFJ202 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET; unipolar; 325mW; SOT23; 50mA
Type of transistor: N-JFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 325mW
Case: SOT23
Gate-source voltage: -40V
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate current: 50mA
кількість в упаковці: 5 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET; unipolar; 325mW; SOT23; 50mA
Type of transistor: N-JFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 325mW
Case: SOT23
Gate-source voltage: -40V
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate current: 50mA
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 3720 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
25+ | 11.76 грн |
100+ | 10.02 грн |
120+ | 8.62 грн |
325+ | 8.19 грн |
MMBFJ270 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-JFET; unipolar; 0.225W; SOT23; 50mA
Type of transistor: P-JFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23
Gate-source voltage: 30V
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate current: 50mA
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-JFET; unipolar; 0.225W; SOT23; 50mA
Type of transistor: P-JFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23
Gate-source voltage: 30V
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate current: 50mA
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 109 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
12+ | 24.95 грн |
25+ | 20.63 грн |
67+ | 15.09 грн |
184+ | 14.27 грн |
500+ | 14.26 грн |
3000+ | 13.76 грн |
MMBFJ309LT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET; unipolar; 25V; 30mA; 0.225W; SOT23; Igt: 10mA
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 0.225W
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: 25V
Case: SOT23
Gate current: 10mA
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 30mA
Type of transistor: N-JFET
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET; unipolar; 25V; 30mA; 0.225W; SOT23; Igt: 10mA
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 0.225W
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: 25V
Case: SOT23
Gate current: 10mA
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 30mA
Type of transistor: N-JFET
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2843 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
14+ | 21.58 грн |
19+ | 14.56 грн |
25+ | 12.37 грн |
100+ | 10.8 грн |
110+ | 9.32 грн |
302+ | 8.8 грн |
1000+ | 8.62 грн |
MMBFJ310LT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET; unipolar; 25V; 0.225W; SOT23; 10mA
Type of transistor: N-JFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23
Gate-source voltage: 25V
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate current: 10mA
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET; unipolar; 25V; 0.225W; SOT23; 10mA
Type of transistor: N-JFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23
Gate-source voltage: 25V
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate current: 10mA
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 156 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
11+ | 25.61 грн |
25+ | 14.75 грн |
93+ | 10.89 грн |
254+ | 10.28 грн |
MMBFU310LT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET; unipolar; 25V; 0.225W; SOT23; 10mA
Mounting: SMD
Case: SOT23
Kind of package: reel; tape
Gate-source voltage: -25V
Gate current: 10mA
Drain-source voltage: 25V
Type of transistor: N-JFET
Power dissipation: 0.225W
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET; unipolar; 25V; 0.225W; SOT23; 10mA
Mounting: SMD
Case: SOT23
Kind of package: reel; tape
Gate-source voltage: -25V
Gate current: 10mA
Drain-source voltage: 25V
Type of transistor: N-JFET
Power dissipation: 0.225W
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
MMBT2222ALT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.6A; 0.225/0.3W; SOT23
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.225/0.3W
Case: SOT23
Current gain: 30...300
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 300MHz
кількість в упаковці: 1 шт
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.6A; 0.225/0.3W; SOT23
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.225/0.3W
Case: SOT23
Current gain: 30...300
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 300MHz
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2212 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
25+ | 11.26 грн |
37+ | 7.42 грн |
56+ | 4.69 грн |
100+ | 3.9 грн |
500+ | 2.59 грн |
1000+ | 2.2 грн |
1009+ | 1.02 грн |
MMBT2222ALT3G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.6A; 0.225/0.3W; SOT23
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.225/0.3W
Case: SOT23
Current gain: 30...300
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 300MHz
кількість в упаковці: 1 шт
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.6A; 0.225/0.3W; SOT23
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.225/0.3W
Case: SOT23
Current gain: 30...300
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 300MHz
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
MMBT2222ATT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.6A; 0.225/0.3W; SOT416
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.225/0.3W
Case: SOT416
Current gain: 30...300
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 300MHz
кількість в упаковці: 1 шт
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.6A; 0.225/0.3W; SOT416
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.225/0.3W
Case: SOT416
Current gain: 30...300
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 300MHz
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
MMBT2222AWT1G | ![]() |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.6A; 0.225/0.3W; SC70,SOT323
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.225/0.3W
Case: SC70; SOT323
Current gain: 35...300
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 300MHz
кількість в упаковці: 1 шт
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.6A; 0.225/0.3W; SC70,SOT323
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.225/0.3W
Case: SC70; SOT323
Current gain: 35...300
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 300MHz
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
MMBT2222AWT3G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.6A; 0.225/0.3W; SC70,SOT323
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.225/0.3W
Case: SC70; SOT323
Current gain: 35...300
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 300MHz
кількість в упаковці: 1 шт
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.6A; 0.225/0.3W; SC70,SOT323
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.225/0.3W
Case: SC70; SOT323
Current gain: 35...300
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 300MHz
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
MMBT2222LT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 30V; 0.6A; 0.225/0.3W; SOT23
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 30V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.225/0.3W
Case: SOT23
Current gain: 30...300
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 250MHz
кількість в упаковці: 1 шт
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 30V; 0.6A; 0.225/0.3W; SOT23
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 30V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.225/0.3W
Case: SOT23
Current gain: 30...300
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 250MHz
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
MMBT2369ALT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 15V; 0.2A; 0.225/0.3W; SOT23
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 15V
Collector current: 0.2A
Power dissipation: 0.225/0.3W
Case: SOT23
Current gain: 20...120
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 25 шт
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 15V; 0.2A; 0.225/0.3W; SOT23
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 15V
Collector current: 0.2A
Power dissipation: 0.225/0.3W
Case: SOT23
Current gain: 20...120
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 700 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
100+ | 2.92 грн |
475+ | 2.16 грн |
1300+ | 2.04 грн |
MMBT2369LT1G | ![]() |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 15V; 0.2A; 0.225/0.3W; SOT23
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 15V
Collector current: 0.2A
Power dissipation: 0.225/0.3W
Case: SOT23
Current gain: 20...120
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 15V; 0.2A; 0.225/0.3W; SOT23
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 15V
Collector current: 0.2A
Power dissipation: 0.225/0.3W
Case: SOT23
Current gain: 20...120
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
MMBT2484LT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 60V; 0.1A; 0.225/0.3W; SOT23
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.225/0.3W
Case: SOT23
Current gain: 250...800
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 20 шт
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 60V; 0.1A; 0.225/0.3W; SOT23
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.225/0.3W
Case: SOT23
Current gain: 250...800
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 20 шт
на замовлення 20 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
20+ | 14.07 грн |
100+ | 3.11 грн |
420+ | 2.43 грн |
1140+ | 2.3 грн |
12000+ | 2.22 грн |
MMBT2907ALT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 0.6A; 0.225W; SOT23
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 0.6A; 0.225W; SOT23
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 5378 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
30+ | 9.38 грн |
46+ | 5.97 грн |
100+ | 3.36 грн |
500+ | 2.4 грн |
619+ | 1.66 грн |
1700+ | 1.57 грн |
9000+ | 1.56 грн |
MMBT2907ALT3G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 0.6A; 0.225/0.3W; SOT23
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.225/0.3W
Case: SOT23
Current gain: 50...300
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 200MHz
кількість в упаковці: 1 шт
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 0.6A; 0.225/0.3W; SOT23
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.225/0.3W
Case: SOT23
Current gain: 50...300
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 200MHz
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
MMBT2907AWT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 0.6A; 0.15W; SC70,SOT323
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.15W
Case: SC70; SOT323
Current gain: 50...340
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 200MHz
кількість в упаковці: 1 шт
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 0.6A; 0.15W; SC70,SOT323
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.15W
Case: SC70; SOT323
Current gain: 50...340
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 200MHz
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2125 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
25+ | 11.26 грн |
38+ | 7.33 грн |
47+ | 5.58 грн |
100+ | 3.81 грн |
500+ | 2.56 грн |
584+ | 1.75 грн |
1605+ | 1.66 грн |
MMBT3904LT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.2A; 0.3W; SOT23
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 0.2A
Power dissipation: 0.3W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 300MHz
кількість в упаковці: 1 шт
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.2A; 0.3W; SOT23
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 0.2A
Power dissipation: 0.3W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 300MHz
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1979 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
39+ | 7.28 грн |
56+ | 4.89 грн |
82+ | 3.22 грн |
100+ | 2.71 грн |
500+ | 1.91 грн |
839+ | 1.22 грн |
2305+ | 1.15 грн |
MMBT3904LT3G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.2A; 0.225/0.3W; SOT23
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 0.2A
Power dissipation: 0.225/0.3W
Case: SOT23
Current gain: 30...300
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 300MHz
кількість в упаковці: 1 шт
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.2A; 0.225/0.3W; SOT23
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 0.2A
Power dissipation: 0.225/0.3W
Case: SOT23
Current gain: 30...300
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 300MHz
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
MMBT3904WT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.2A; 0.15W; SC70,SOT323
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 0.2A
Power dissipation: 0.15W
Case: SC70; SOT323
Current gain: 30...300
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 300MHz
кількість в упаковці: 1 шт
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.2A; 0.15W; SC70,SOT323
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 0.2A
Power dissipation: 0.15W
Case: SC70; SOT323
Current gain: 30...300
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 300MHz
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
MMBT3906LT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 40V; 0.2A; 0.3W; SOT23
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 0.2A
Power dissipation: 0.3W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 250MHz
кількість в упаковці: 1 шт
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 40V; 0.2A; 0.3W; SOT23
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 0.2A
Power dissipation: 0.3W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 250MHz
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
35+ | 8.27 грн |
50+ | 5.43 грн |
75+ | 3.5 грн |
100+ | 2.92 грн |
500+ | 1.91 грн |
629+ | 1.62 грн |
1729+ | 1.53 грн |
MMBT3906LT3G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 40V; 0.2A; 0.225/0.3W; SOT23
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 0.2A
Power dissipation: 0.225/0.3W
Case: SOT23
Current gain: 30...300
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 250MHz
кількість в упаковці: 1 шт
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 40V; 0.2A; 0.225/0.3W; SOT23
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 0.2A
Power dissipation: 0.225/0.3W
Case: SOT23
Current gain: 30...300
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 250MHz
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
MMBT3906WT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 40V; 0.2A; 0.15W; SC70,SOT323
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 0.2A
Power dissipation: 0.15W
Case: SC70; SOT323
Current gain: 30...300
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 250MHz
кількість в упаковці: 1 шт
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 40V; 0.2A; 0.15W; SC70,SOT323
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 0.2A
Power dissipation: 0.15W
Case: SC70; SOT323
Current gain: 30...300
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 250MHz
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3495 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
30+ | 9.38 грн |
41+ | 6.69 грн |
100+ | 3.41 грн |
200+ | 2.79 грн |
670+ | 1.52 грн |
1842+ | 1.44 грн |
6000+ | 1.39 грн |
MMBT4124LT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 25V; 0.2A; 0.3W; SOT23
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 25V
Collector current: 0.2A
Power dissipation: 0.3W
Case: SOT23
Current gain: 60...360
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 300MHz
кількість в упаковці: 5 шт
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 25V; 0.2A; 0.3W; SOT23
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 25V
Collector current: 0.2A
Power dissipation: 0.3W
Case: SOT23
Current gain: 60...360
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 300MHz
кількість в упаковці: 5 шт
товар відсутній
MMBT4401LT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.6A; 0.225/0.3W; SOT23
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.225/0.3W
Case: SOT23
Current gain: 20...300
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 250MHz
кількість в упаковці: 1 шт
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.6A; 0.225/0.3W; SOT23
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.225/0.3W
Case: SOT23
Current gain: 20...300
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 250MHz
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
MMBT4403LT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 40V; 0.6A; 0.225W; SOT23
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 40V; 0.6A; 0.225W; SOT23
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 800 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
44+ | 6.52 грн |
59+ | 4.61 грн |
82+ | 3.22 грн |
100+ | 2.77 грн |
500+ | 1.97 грн |
750+ | 1.43 грн |
2000+ | 1.35 грн |