MMBFJ177LT1G ONSEMI
Виробник: ONSEMIDescription: ONSEMI - MMBFJ177LT1G - JFET-Transistor, JFET, 30 V, -20 mA, 2.5 V, SOT-23, 3 Pins, 150 °C
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: -20mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3 Pins
Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: 30V
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Gate-Source-Sperrspannung, max.: 2.5V
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 16288 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 100+ | 11.02 грн |
| 500+ | 10.02 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MMBFJ177LT1G ONSEMI
Description: ONSEMI - MMBFJ177LT1G - JFET-Transistor, JFET, 30 V, -20 mA, 2.5 V, SOT-23, 3 Pins, 150 °C, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: -20mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3 Pins, Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: 30V, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Gate-Source-Sperrspannung, max.: 2.5V, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції MMBFJ177LT1G за ціною від 5.78 грн до 26.5 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
MMBFJ177LT1G | Виробник : onsemi |
JFETs 25V 10mA |
на замовлення 242160 шт: термін постачання 189-198 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
MMBFJ177LT1G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - MMBFJ177LT1G - JFET-Transistor, JFET, 30 V, -20 mA, 2.5 V, SOT-23, 3 Pins, 150 °C tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: -20mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3 Pins Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: 30V Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Gate-Source-Sperrspannung, max.: 2.5V SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 2953 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| MMBFJ177LT1G | Виробник : ON-Semicoductor |
FETs-P 1.5mA 45V Equivalent: SST177-T1, MMBFJ177LT1G, MMBFJ177, PMBFJ177 MMBFJ177 TMMBFJ177 кількість в упаковці: 100 шт |
на замовлення 3447 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
 |
MMBFJ177LT1G Код товару: 32363 |
Транзистори > Польові P-канальні |
товар відсутній
|
||||||||||||||||||
 |
MMBFJ177LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans JFET P-CH 3-Pin SOT-23 T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
MMBFJ177LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans JFET P-CH 3-Pin SOT-23 T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
MMBFJ177LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans JFET P-CH 3-Pin SOT-23 T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
 |
MMBFJ177LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans JFET P-CH 3-Pin SOT-23 T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
MMBFJ177LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans JFET P-CH 3-Pin SOT-23 T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
MMBFJ177LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans JFET P-CH 3-Pin SOT-23 T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
MMBFJ177LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans JFET P-CH 3-Pin SOT-23 T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
 |
MMBFJ177LT1G | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-JFET; unipolar; 20mA; 0.225W; SOT23 Gate-source voltage: 25V Mounting: SMD Case: SOT23 Drain current: 20mA On-state resistance: 300Ω Type of transistor: P-JFET Power dissipation: 0.225W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
 |
MMBFJ177LT1G | Виробник : onsemi |
Description: JFET P-CH 30V SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) FET Type: P-Channel Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11pF @ 10V (VGS) Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 30 V Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Power - Max: 225 mW Resistance - RDS(On): 300 Ohms Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 800 mV @ 10 nA Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 1.5 mA @ 15 V |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
MMBFJ177LT1G | Виробник : onsemi |
Description: JFET P-CH 30V SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) FET Type: P-Channel Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11pF @ 10V (VGS) Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 30 V Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Power - Max: 225 mW Resistance - RDS(On): 300 Ohms Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 800 mV @ 10 nA Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 1.5 mA @ 15 V |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
MMBFJ177LT1G | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-JFET; unipolar; 20mA; 0.225W; SOT23 Gate-source voltage: 25V Mounting: SMD Case: SOT23 Drain current: 20mA On-state resistance: 300Ω Type of transistor: P-JFET Power dissipation: 0.225W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape |
товар відсутній |