![MMBF0201NLT1G MMBF0201NLT1G](https://download.siliconexpert.com/pdfs/2018/3/19/3/53/25/314/ons_/manual/sot-23.jpg)
MMBF0201NLT1G ON Semiconductor
на замовлення 42000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3000+ | 5.76 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MMBF0201NLT1G ON Semiconductor
Description: ONSEMI - MMBF0201NLT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 300 mA, 0.75 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 300mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 225mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.75ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції MMBF0201NLT1G за ціною від 4.34 грн до 29.24 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
MMBF0201NLT1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 45000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
MMBF0201NLT1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 6570 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
MMBF0201NLT1G | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 300mA, 10V Power Dissipation (Max): 225mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 45 pF @ 5 V |
на замовлення 33000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
MMBF0201NLT1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 45000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
MMBF0201NLT1G | Виробник : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 300mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 225mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.75ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 290 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
MMBF0201NLT1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 6570 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
MMBF0201NLT1G | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 300mA, 10V Power Dissipation (Max): 225mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 45 pF @ 5 V |
на замовлення 33114 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
MMBF0201NLT1G | Виробник : onsemi |
![]() |
на замовлення 35455 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
MMBF0201NLT1G | Виробник : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 300mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 225mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.75ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 290 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
MMBF0201NLT1G | Виробник : ON-Semicoductor |
![]() кількість в упаковці: 100 шт |
на замовлення 2900 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
![]() |
MMBF0201NLT1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||||||||
![]() |
MMBF0201NLT1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||||||||
![]() |
MMBF0201NLT1G | Виробник : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 0.24A; 0.225W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 0.24A Power dissipation: 0.225W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.4Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 5 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||||||||
![]() |
MMBF0201NLT1G | Виробник : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 0.24A; 0.225W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 0.24A Power dissipation: 0.225W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.4Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |