Продукція > ON SEMICONDUCTOR > MMBT2907AWT1G
MMBT2907AWT1G

MMBT2907AWT1G ON Semiconductor

mmbt2907awt1-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 150mW 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+1.11 грн
Мінімальне замовлення: 3000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MMBT2907AWT1G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - MMBT2907AWT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 60 V, 600 mA, 150 mW, SOT-323, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Dauer-Kollektorstrom: 600mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 150mW, Bauform - Transistor: SOT-323, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: MMBTxxxx, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 200MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції MMBT2907AWT1G за ціною від 1.03 грн до 14.23 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
MMBT2907AWT1G MMBT2907AWT1G Виробник : ON Semiconductor mmbt2907awt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 150mW 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+1.66 грн
9000+ 1.28 грн
Мінімальне замовлення: 3000
MMBT2907AWT1G MMBT2907AWT1G Виробник : ON Semiconductor mmbt2907awt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 150mW 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 147000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+1.74 грн
9000+ 1.33 грн
24000+ 1.27 грн
48000+ 1.13 грн
Мінімальне замовлення: 3000
MMBT2907AWT1G MMBT2907AWT1G Виробник : ON Semiconductor mmbt2907awt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 150mW 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6757+1.79 грн
9000+ 1.38 грн
Мінімальне замовлення: 6757
MMBT2907AWT1G MMBT2907AWT1G Виробник : ON Semiconductor mmbt2907awt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 150mW 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 147000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6466+1.87 грн
9000+ 1.43 грн
24000+ 1.37 грн
48000+ 1.21 грн
Мінімальне замовлення: 6466
MMBT2907AWT1G MMBT2907AWT1G Виробник : ONSEMI 2161012.pdf Description: ONSEMI - MMBT2907AWT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 60 V, 600 mA, 150 mW, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 600mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 200MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+1.9 грн
Мінімальне замовлення: 3000
MMBT2907AWT1G MMBT2907AWT1G Виробник : onsemi mmbt2907awt1-d.pdf Description: TRANS PNP 60V 0.6A SC70-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 150 mW
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+2.05 грн
6000+ 1.86 грн
9000+ 1.59 грн
30000+ 1.38 грн
Мінімальне замовлення: 3000
MMBT2907AWT1G MMBT2907AWT1G Виробник : ON Semiconductor mmbt2907awt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 150mW 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 216000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5726+2.11 грн
54000+ 1.93 грн
108000+ 1.79 грн
162000+ 1.63 грн
Мінімальне замовлення: 5726
MMBT2907AWT1G MMBT2907AWT1G Виробник : ONSEMI mmbt2907awt1-d.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 0.6A; 0.15W; SC70,SOT323
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.15W
Case: SC70; SOT323
Current gain: 50...340
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 200MHz
на замовлення 2125 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
146+2.69 грн
186+ 1.96 грн
500+ 1.76 грн
584+ 1.46 грн
1605+ 1.38 грн
Мінімальне замовлення: 146
MMBT2907AWT1G MMBT2907AWT1G Виробник : ONSEMI mmbt2907awt1-d.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 0.6A; 0.15W; SC70,SOT323
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.15W
Case: SC70; SOT323
Current gain: 50...340
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 200MHz
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2125 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
88+3.23 грн
112+ 2.44 грн
500+ 2.11 грн
584+ 1.75 грн
1605+ 1.66 грн
12000+ 1.59 грн
Мінімальне замовлення: 88
MMBT2907AWT1G MMBT2907AWT1G Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0013775449-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - MMBT2907AWT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 60 V, 600 mA, 150 mW, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 600mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MMBTxxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 200MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 36454 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
500+3.71 грн
Мінімальне замовлення: 500
MMBT2907AWT1G MMBT2907AWT1G Виробник : ON Semiconductor mmbt2907awt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 150mW 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
74+8.1 грн
89+ 6.76 грн
186+ 3.23 грн
1000+ 2.02 грн
3000+ 1.38 грн
Мінімальне замовлення: 74
MMBT2907AWT1G MMBT2907AWT1G Виробник : onsemi mmbt2907awt1-d.pdf Description: TRANS PNP 60V 0.6A SC70-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 150 mW
на замовлення 32276 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
25+12.06 грн
37+ 8.06 грн
100+ 4.36 грн
500+ 3.22 грн
1000+ 2.23 грн
Мінімальне замовлення: 25
MMBT2907AWT1G MMBT2907AWT1G Виробник : onsemi MMBT2907AWT1_D-2315942.pdf Bipolar Transistors - BJT 600mA 60V PNP
на замовлення 25133 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
26+12.85 грн
40+ 8.01 грн
100+ 3.21 грн
1000+ 2.23 грн
3000+ 1.67 грн
9000+ 1.25 грн
24000+ 1.18 грн
Мінімальне замовлення: 26
MMBT2907AWT1G MMBT2907AWT1G Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0013775449-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - MMBT2907AWT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 60 V, 600 mA, 150 mW, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 600mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MMBTxxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 200MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 36454 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
55+14.23 грн
88+ 8.91 грн
192+ 4.07 грн
500+ 3.71 грн
Мінімальне замовлення: 55
MMBT2907AWT1G Виробник : ON-Semicoductor mmbt2907awt1-d.pdf PNP 60V 0.6A 150mW 200MHz MMBT2907AWT1G ON Semiconductor TMMBT2907aw
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 1380 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
600+1.03 грн
Мінімальне замовлення: 600
MMBT2907AWT1G Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0002315142-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: ONSEMI - MMBT2907AWT1G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1068034 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
15000+1.72 грн
Мінімальне замовлення: 15000
MMBT2907AWT1G MMBT2907AWT1G Виробник : ON Semiconductor mmbt2907awt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 150mW 3-Pin SC-70 T/R
товар відсутній