![MMBFJ201 MMBFJ201](https://export.farnell.com/productimages/standard/en_GB/GE3SOT23-40.jpg)
MMBFJ201 ONSEMI
![3920020.pdf](/images/adobe-acrobat.png)
Description: ONSEMI - MMBFJ201 - JFET-Transistor, JFET, -40 V, 1 mA, -1.5 V, SOT-23, 3 Pins, 150 °C
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: 1mA
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3 Pins
Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: -40V
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Gate-Source-Sperrspannung, max.: -1.5V
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2288 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
100+ | 13.45 грн |
500+ | 12.27 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MMBFJ201 ONSEMI
Description: ONSEMI - MMBFJ201 - JFET-Transistor, JFET, -40 V, 1 mA, -1.5 V, SOT-23, 3 Pins, 150 °C, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: 1mA, MSL: -, usEccn: EAR99, Drainstrom bei Gate-Nullspannung Idss, min.: 200µA, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3 Pins, Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: -40V, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Transistortyp: JFET, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Gate-Source-Sperrspannung, max.: -1.5V, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції MMBFJ201 за ціною від 6.34 грн до 35.81 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
MMBFJ201 | Виробник : onsemi / Fairchild |
![]() |
на замовлення 175306 шт: термін постачання 140-149 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
MMBFJ201 | Виробник : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: 1mA MSL: - usEccn: EAR99 Drainstrom bei Gate-Nullspannung Idss, min.: 200µA euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3 Pins Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: -40V Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Transistortyp: JFET Betriebstemperatur, max.: 150°C Gate-Source-Sperrspannung, max.: -1.5V SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 2288 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
MMBFJ201 | Виробник : ON-Semicoductor |
![]() кількість в упаковці: 50 шт |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
![]() |
MMBFJ201 Код товару: 52969 |
![]() |
товар відсутній
|
||||||||||||||||||
![]() |
MMBFJ201 | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
![]() |
MMBFJ201 | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
![]() |
MMBFJ201 | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
![]() |
MMBFJ201 | Виробник : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-JFET; unipolar; 0.35W; SOT23; 50mA Power dissipation: 0.35W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate-source voltage: -40V Mounting: SMD Case: SOT23 Gate current: 50mA Type of transistor: N-JFET кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
![]() |
MMBFJ201 | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) FET Type: N-Channel Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 40 V Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Power - Max: 350 mW Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 300 mV @ 10 nA Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 200 µA @ 20 V |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
![]() |
MMBFJ201 | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) FET Type: N-Channel Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 40 V Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Power - Max: 350 mW Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 300 mV @ 10 nA Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 200 µA @ 20 V |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
![]() |
MMBFJ201 | Виробник : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-JFET; unipolar; 0.35W; SOT23; 50mA Power dissipation: 0.35W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate-source voltage: -40V Mounting: SMD Case: SOT23 Gate current: 50mA Type of transistor: N-JFET |
товар відсутній |