MMBFJ310LT1G ONSEMI
Виробник: ONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET; unipolar; 25V; 0.225W; SOT23; 10mA
Type of transistor: N-JFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23
Gate-source voltage: 25V
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate current: 10mA
на замовлення 156 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 19+ | 21.34 грн |
| 31+ | 11.83 грн |
| 93+ | 9.07 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MMBFJ310LT1G ONSEMI
Description: ONSEMI - MMBFJ310LT1G - JFET-Transistor, JFET, -25 V, 60 mA, -6.5 V, SOT-23, 3 Pins, 150 °C, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: 60mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3 Pins, Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: -25V, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Gate-Source-Sperrspannung, max.: -6.5V, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції MMBFJ310LT1G за ціною від 5.61 грн до 31.27 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
+1 |
MMBFJ310LT1G | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-JFET; unipolar; 25V; 0.225W; SOT23; 10mA Type of transistor: N-JFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 25V Power dissipation: 0.225W Case: SOT23 Gate-source voltage: 25V Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Gate current: 10mA кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 156 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
MMBFJ310LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans RF FET N-CH 25V 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
MMBFJ310LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans RF MOSFET N-CH 25V 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
MMBFJ310LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans RF MOSFET N-CH 25V 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
MMBFJ310LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans RF MOSFET N-CH 25V 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 168000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
MMBFJ310LT1G | Виробник : onsemi |
Description: RF MOSFET JFET 10V SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Current Rating (Amps): 60mA Mounting Type: Surface Mount Configuration: N-Channel Gain: 12dB Technology: JFET Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Voltage - Rated: 25 V Voltage - Test: 10 V Current - Test: 10 mA |
на замовлення 153 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
MMBFJ310LT1G | Виробник : onsemi |
JFET 25V 10mA |
на замовлення 15331 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
MMBFJ310LT1G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - MMBFJ310LT1G - JFET-Transistor, JFET, -25 V, 60 mA, -6.5 V, SOT-23, 3 Pins, 150 °C tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: 60mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3 Pins Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: -25V Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Gate-Source-Sperrspannung, max.: -6.5V SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 32040 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| MMBFJ310LT1G | Виробник : ON-Semicoductor |
N-JFET 10mA 25V 225mW MMBFJ310 TMMBFJ310 кількість в упаковці: 100 шт |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
| MMBFJ310LT1G | Виробник : ON-Semicoductor |
N-JFET 10mA 25V 225mW MMBFJ310 TMMBFJ310 кількість в упаковці: 100 шт |
на замовлення 1840 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
 |
MMBFJ310LT1G Код товару: 116952 |
Транзистори > Польові N-канальні |
товар відсутній
|
||||||||||||||||||
|
|
MMBFJ310LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans RF MOSFET N-CH 25V 3-Pin SOT-23 T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
MMBFJ310LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans RF MOSFET N-CH 25V 3-Pin SOT-23 T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
MMBFJ310LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans RF FET N-CH 25V 3-Pin SOT-23 T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
MMBFJ310LT1G | Виробник : onsemi |
Description: RF MOSFET JFET 10V SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Current Rating (Amps): 60mA Mounting Type: Surface Mount Configuration: N-Channel Gain: 12dB Technology: JFET Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Voltage - Rated: 25 V Voltage - Test: 10 V Current - Test: 10 mA |
товар відсутній |