![MMBT2484LT1G MMBT2484LT1G](https://download.siliconexpert.com/pdfs/2018/3/19/3/53/25/314/ons_/manual/sot-23.jpg)
MMBT2484LT1G ON Semiconductor
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3000+ | 1.53 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MMBT2484LT1G ON Semiconductor
Description: ONSEMI - MMBT2484LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 100 mA, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 250hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Dauer-Kollektorstrom: 100mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 300mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: MMBTxxxx, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: -MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C.
Інші пропозиції MMBT2484LT1G за ціною від 1.32 грн до 17.47 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
MMBT2484LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 90000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
MMBT2484LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 90000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
MMBT2484LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 8065 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
MMBT2484LT1G | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 100µA, 1mA Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 1mA, 5V Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 225 mW |
на замовлення 291000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
MMBT2484LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 27000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
MMBT2484LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 25681 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
MMBT2484LT1G | Виробник : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 250hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 300mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: MMBTxxxx Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: -MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 4305 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
MMBT2484LT1G | Виробник : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: NPN; bipolar; 60V; 0.1A; 0.225/0.3W; SOT23 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 60V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.225/0.3W Case: SOT23 Current gain: 250...800 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape |
на замовлення 3020 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
MMBT2484LT1G | Виробник : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: NPN; bipolar; 60V; 0.1A; 0.225/0.3W; SOT23 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 60V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.225/0.3W Case: SOT23 Current gain: 250...800 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 3020 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
MMBT2484LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 25681 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
MMBT2484LT1G | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 100µA, 1mA Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 1mA, 5V Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 225 mW |
на замовлення 293814 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
MMBT2484LT1G | Виробник : onsemi |
![]() |
на замовлення 128615 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
MMBT2484LT1G | Виробник : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 250hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 300mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: MMBTxxxx Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: -MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 4305 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
MMBT2484LT1G | Виробник : ON-Semicoductor |
![]() кількість в упаковці: 500 шт |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
MMBT2484LT1G | Виробник : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 96000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|