![MMBT2369LT1G MMBT2369LT1G](https://mm.digikey.com/Volume0/opasdata/d220001/medias/images/5883/488%7E318-08%7EET%2CL%2CLT%2CSF%2CSN%7E3.jpg)
MMBT2369LT1G onsemi
![mmbt2369lt1-d.pdf](/images/adobe-acrobat.png)
Description: TRANS NPN 15V 0.2A SOT23-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 400nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 10mA, 350mV
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 15 V
Power - Max: 225 mW
на замовлення 223986 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
9746+ | 2.12 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MMBT2369LT1G onsemi
Description: TRANS NPN 15V 0.2A SOT23-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA, Current - Collector Cutoff (Max): 400nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 10mA, 350mV, Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236), Part Status: Obsolete, Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 15 V, Power - Max: 225 mW.
Інші пропозиції MMBT2369LT1G за ціною від 2.14 грн до 13.73 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
MMBT2369LT1 | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Bulk Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 10mA, 350mV Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 15 V Power - Max: 225 mW |
на замовлення 41736 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
![]() |
MMBT2369LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 543 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
![]() |
MMBT2369LT1G | Виробник : onsemi |
![]() |
на замовлення 44786 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|||||||||
MMBT2369LT1 | Виробник : ONS |
![]() |
на замовлення 1932 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||||
MMBT2369LT1G | Виробник : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 220986 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||
MMBT2369LT1 | Виробник : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 41736 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||
MMBT2369LT1 | Виробник : ON |
![]() |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||
MMBT2369LT1 | Виробник : ON |
![]() |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||
MMBT2369LT1 | Виробник : ON |
![]() |
на замовлення 1010 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||
MMBT2369LT1G Код товару: 25173 |
![]() |
товар відсутній
|
|||||||||||
![]() |
MMBT2369LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||
![]() |
MMBT2369LT1G | Виробник : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: NPN; bipolar; 15V; 0.2A; 0.225/0.3W; SOT23 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 15V Collector current: 0.2A Power dissipation: 0.225/0.3W Case: SOT23 Current gain: 20...120 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||||
![]() |
MMBT2369LT1G | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 400nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 10mA, 350mV Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 15 V Power - Max: 225 mW |
товар відсутній |
|||||||||
![]() |
MMBT2369LT1G | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 400nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 10mA, 350mV Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 15 V Power - Max: 225 mW |
товар відсутній |
|||||||||
![]() |
MMBT2369LT1G | Виробник : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: NPN; bipolar; 15V; 0.2A; 0.225/0.3W; SOT23 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 15V Collector current: 0.2A Power dissipation: 0.225/0.3W Case: SOT23 Current gain: 20...120 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape |
товар відсутній |