на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 5.94 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MMBFJ309LT1G ON Semiconductor
Description: ONSEMI - MMBFJ309LT1G - JFET-Transistor, JFET, -25 V, 30 mA, -4 V, SOT-23, 3 Pins, 150 °C, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: 30mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Drainstrom bei Gate-Nullspannung Idss, min.: 12mA, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3 Pins, Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: -25V, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Transistortyp: JFET, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Gate-Source-Sperrspannung, max.: -4V, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції MMBFJ309LT1G за ціною від 5.25 грн до 34.71 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
MMBFJ309LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
 Trans RF FET N-CH 25V 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
MMBFJ309LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans RF FET N-CH 25V 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
MMBFJ309LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans RF FET N-CH 25V 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
MMBFJ309LT1G | Виробник : onsemi |
Description: RF MOSFET JFET SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Current Rating (Amps): 30mA Mounting Type: Surface Mount Configuration: N-Channel Technology: JFET Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Voltage - Rated: 25 V |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
MMBFJ309LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans RF FET N-CH 25V 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
MMBFJ309LT1G | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-JFET; unipolar; 25V; 30mA; 0.225W; SOT23; Igt: 10mA Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Power dissipation: 0.225W Polarisation: unipolar Gate-source voltage: 25V Case: SOT23 Gate current: 10mA Drain-source voltage: 25V Drain current: 30mA Type of transistor: N-JFET |
на замовлення 2843 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
MMBFJ309LT1G | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-JFET; unipolar; 25V; 30mA; 0.225W; SOT23; Igt: 10mA Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Power dissipation: 0.225W Polarisation: unipolar Gate-source voltage: 25V Case: SOT23 Gate current: 10mA Drain-source voltage: 25V Drain current: 30mA Type of transistor: N-JFET кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2843 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
MMBFJ309LT1G | Виробник : onsemi |
Description: RF MOSFET JFET SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Current Rating (Amps): 30mA Mounting Type: Surface Mount Configuration: N-Channel Technology: JFET Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Voltage - Rated: 25 V |
на замовлення 31687 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
MMBFJ309LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans RF FET N-CH 25V 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 374 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
MMBFJ309LT1G | Виробник : onsemi |
JFETs 25V 10mA |
на замовлення 379372 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
MMBFJ309LT1G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - MMBFJ309LT1G - JFET-Transistor, JFET, -25 V, 30 mA, -4 V, SOT-23, 3 Pins, 150 °C tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: 30mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Drainstrom bei Gate-Nullspannung Idss, min.: 12mA euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3 Pins Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: -25V Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Transistortyp: JFET Betriebstemperatur, max.: 150°C Gate-Source-Sperrspannung, max.: -4V SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 8878 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
MMBFJ309LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans RF FET N-CH 25V 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 374 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
|
MMBFJ309LT1G Транзистор Код товару: 192071 |
Транзистори > Польові N-канальні |
товар відсутній
|