Продукція > ON SEMICONDUCTOR > MMBT2907ALT3G
MMBT2907ALT3G

MMBT2907ALT3G ON Semiconductor

mmbt2907alt1-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 80000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10000+1.03 грн
Мінімальне замовлення: 10000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MMBT2907ALT3G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - MMBT2907ALT3G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 600 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Dauer-Kollektorstrom: 600mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 225mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 200MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції MMBT2907ALT3G за ціною від 0.96 грн до 13.96 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
MMBT2907ALT3G MMBT2907ALT3G Виробник : ON Semiconductor mmbt2907alt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 80000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10000+1.23 грн
20000+ 1.16 грн
40000+ 1.09 грн
60000+ 0.96 грн
Мінімальне замовлення: 10000
MMBT2907ALT3G MMBT2907ALT3G Виробник : ON Semiconductor mmbt2907alt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10000+1.3 грн
20000+ 1.27 грн
40000+ 1.19 грн
Мінімальне замовлення: 10000
MMBT2907ALT3G MMBT2907ALT3G Виробник : ON Semiconductor mmbt2907alt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10000+1.4 грн
20000+ 1.37 грн
40000+ 1.28 грн
Мінімальне замовлення: 10000
MMBT2907ALT3G MMBT2907ALT3G Виробник : ON Semiconductor mmbt2907alt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10000+1.53 грн
20000+ 1.41 грн
Мінімальне замовлення: 10000
MMBT2907ALT3G MMBT2907ALT3G Виробник : onsemi mmbt2907alt1-d.pdf Description: TRANS PNP 60V 0.6A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 300 mW
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10000+1.62 грн
20000+ 1.4 грн
Мінімальне замовлення: 10000
MMBT2907ALT3G MMBT2907ALT3G Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0002809747-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - MMBT2907ALT3G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 600 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 600mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 200MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 87423 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
500+1.69 грн
10000+ 1.1 грн
30000+ 1.04 грн
80000+ 1.02 грн
Мінімальне замовлення: 500
MMBT2907ALT3G MMBT2907ALT3G Виробник : ON Semiconductor mmbt2907alt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3417+3.53 грн
6727+ 1.79 грн
6819+ 1.77 грн
7318+ 1.59 грн
15000+ 1.36 грн
30000+ 1.21 грн
Мінімальне замовлення: 3417
MMBT2907ALT3G MMBT2907ALT3G Виробник : onsemi mmbt2907alt1-d.pdf Description: TRANS PNP 60V 0.6A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 300 mW
на замовлення 21595 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
29+10.53 грн
49+ 6.01 грн
100+ 3.69 грн
500+ 2.5 грн
1000+ 2.19 грн
2000+ 1.93 грн
5000+ 1.62 грн
Мінімальне замовлення: 29
MMBT2907ALT3G MMBT2907ALT3G Виробник : ON Semiconductor mmbt2907alt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
55+10.95 грн
106+ 5.63 грн
107+ 5.58 грн
167+ 3.45 грн
250+ 3.16 грн
500+ 2.81 грн
1000+ 1.43 грн
3000+ 1.41 грн
6000+ 1.31 грн
Мінімальне замовлення: 55
MMBT2907ALT3G MMBT2907ALT3G Виробник : onsemi MMBT2907ALT1_D-2316088.pdf Bipolar Transistors - BJT 600mA 60V PNP
на замовлення 35480 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
27+12.09 грн
44+ 7.28 грн
100+ 3.13 грн
1000+ 1.74 грн
2500+ 1.53 грн
10000+ 1.18 грн
20000+ 1.11 грн
Мінімальне замовлення: 27
MMBT2907ALT3G MMBT2907ALT3G Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0002809747-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - MMBT2907ALT3G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 600 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 600mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 200MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 87423 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
56+13.96 грн
93+ 8.42 грн
194+ 4.04 грн
500+ 1.69 грн
10000+ 1.1 грн
30000+ 1.04 грн
80000+ 1.02 грн
Мінімальне замовлення: 56
MMBT2907ALT3G MMBT2907ALT3G Виробник : ONSEMI mmbt2907alt1-d.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 0.6A; 0.225/0.3W; SOT23
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.225/0.3W
Case: SOT23
Current gain: 50...300
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 200MHz
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
MMBT2907ALT3G MMBT2907ALT3G Виробник : ONSEMI mmbt2907alt1-d.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 0.6A; 0.225/0.3W; SOT23
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.225/0.3W
Case: SOT23
Current gain: 50...300
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 200MHz
товар відсутній