MMBF4392LT1G ONSEMI
Виробник: ONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET; unipolar; 30V; 25mA; 0.225W; SOT23; Igt: 50mA
Type of transistor: N-JFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 25mA
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23
Gate-source voltage: 30V
On-state resistance: 60Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate current: 50mA
на замовлення 2550 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 20+ | 19.54 грн |
| 34+ | 10.74 грн |
| 100+ | 8.64 грн |
| 112+ | 7.49 грн |
| 308+ | 7.08 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MMBF4392LT1G ONSEMI
Description: ONSEMI - MMBF4392LT1G - JFET-Transistor, JFET, 30 V, 75 mA, -5 V, SOT-23, 3 Pins, 150 °C, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: 75mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Drainstrom bei Gate-Nullspannung Idss, min.: 25mA, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3 Pins, Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: 30V, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Transistortyp: JFET, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Gate-Source-Sperrspannung, max.: -5V, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції MMBF4392LT1G за ціною від 5.74 грн до 25.63 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
MMBF4392LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans JFET N-CH 30V 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 108 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
MMBF4392LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans JFET N-CH 30V 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 1370 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
MMBF4392LT1G | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-JFET; unipolar; 30V; 25mA; 0.225W; SOT23; Igt: 50mA Type of transistor: N-JFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 25mA Power dissipation: 0.225W Case: SOT23 Gate-source voltage: 30V On-state resistance: 60Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Gate current: 50mA кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2550 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
MMBF4392LT1G | Виробник : onsemi |
JFET 30V 10mA |
на замовлення 120724 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
MMBF4392LT1G | Виробник : onsemi |
Description: JFET N-CH 30V SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) FET Type: N-Channel Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14pF @ 15V Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 30 V Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Power - Max: 225 mW Resistance - RDS(On): 60 Ohms Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 2 V @ 10 nA Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 25 mA @ 15 V |
на замовлення 1888 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
MMBF4392LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans JFET N-CH 30V 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 108 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
| MMBF4392LT1G | Виробник : ON-Semicoductor |
Trans JFET N-CH 30V 3-Pin SOT-23 MMBF4392LT1G TMMBF4392 кількість в упаковці: 100 шт |
на замовлення 2980 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
 |
MMBF4392LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans JFET N-CH 30V 3-Pin SOT-23 T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
MMBF4392LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans JFET N-CH 30V 3-Pin SOT-23 T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
 |
MMBF4392LT1G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - MMBF4392LT1G - JFET-Transistor, JFET, 30 V, 75 mA, -5 V, SOT-23, 3 Pins, 150 °C tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: 75mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Drainstrom bei Gate-Nullspannung Idss, min.: 25mA euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3 Pins Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: 30V Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Transistortyp: JFET Betriebstemperatur, max.: 150°C Gate-Source-Sperrspannung, max.: -5V SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
MMBF4392LT1G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - MMBF4392LT1G - JFET-Transistor, JFET, 30 V, 75 mA, -5 V, SOT-23, 3 Pins, 150 °C tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: 75mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3 Pins Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: 30V Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Gate-Source-Sperrspannung, max.: -5V SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
MMBF4392LT1G | Виробник : onsemi |
Description: JFET N-CH 30V SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) FET Type: N-Channel Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14pF @ 15V Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 30 V Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Power - Max: 225 mW Resistance - RDS(On): 60 Ohms Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 2 V @ 10 nA Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 25 mA @ 15 V |
товар відсутній |