SIHG125N60EF-GE3 Vishay Siliconix
Виробник: Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 600V 25A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 179W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1533 pF @ 100 V
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 50+ | 263.54 грн |
| 100+ | 217.52 грн |
| 250+ | 205.44 грн |
| 500+ | 181.45 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SIHG125N60EF-GE3 Vishay Siliconix
Description: VISHAY - SIHG125N60EF-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 25 A, 0.109 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 25A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 179W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 179W, Bauform - Transistor: TO-247AC, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: EF, productTraceability: No, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.109ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.109ohm, SVHC: Lead (19-Jan-2021).
Інші пропозиції SIHG125N60EF-GE3 за ціною від 166.64 грн до 371.93 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SIHG125N60EF-GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SIHG125N60EF-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 25 A, 0.109 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 25A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 179W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 179W Bauform - Transistor: TO-247AC Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: EF productTraceability: No Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.109ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.109ohm SVHC: Lead (19-Jan-2021) |
на замовлення 19 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SIHG125N60EF-GE3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFETs TO247 600V 25A N-CH MOSFET |
на замовлення 248 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SIHG125N60EF-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 600V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
 |
SIHG125N60EF-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 600V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
SIHG125N60EF-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 600V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
SIHG125N60EF-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 600V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
| SIHG125N60EF-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 16A; Idm: 66A; 179W; TO247AC Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 179W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Gate charge: 47nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±30V Pulsed drain current: 66A Mounting: THT Case: TO247AC Drain-source voltage: 600V Drain current: 16A On-state resistance: 0.125Ω кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
| SIHG125N60EF-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 16A; Idm: 66A; 179W; TO247AC Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 179W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Gate charge: 47nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±30V Pulsed drain current: 66A Mounting: THT Case: TO247AC Drain-source voltage: 600V Drain current: 16A On-state resistance: 0.125Ω |
товар відсутній |