SIHG065N60E-GE3 Vishay Siliconix
Виробник: Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 600V 40A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 100 V
на замовлення 626 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 345.94 грн |
| 25+ | 265.66 грн |
| 100+ | 246.18 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SIHG065N60E-GE3 Vishay Siliconix
Description: VISHAY - SIHG065N60E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 40 A, 0.057 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 40A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 250W, Bauform - Transistor: TO-247AC, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: E, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.057ohm, SVHC: To Be Advised.
Інші пропозиції SIHG065N60E-GE3 за ціною від 246 грн до 403.98 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SIHG065N60E-GE3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFETs 650V Vds; 30V Vgs TO-247AC |
на замовлення 2574 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
SIHG065N60E-GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SIHG065N60E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 40 A, 0.057 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 40A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 250W Bauform - Transistor: TO-247AC Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: E productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.057ohm SVHC: To Be Advised |
на замовлення 816 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
SIHG065N60E-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 600V 40A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC |
товар відсутній |
|||||||||||||||
| SIHG065N60E-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 25A; Idm: 116A; 250W; TO247AC Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 25A Pulsed drain current: 116A Power dissipation: 250W Case: TO247AC Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 65mΩ Mounting: THT Gate charge: 74nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||
| SIHG065N60E-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 25A; Idm: 116A; 250W; TO247AC Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 25A Pulsed drain current: 116A Power dissipation: 250W Case: TO247AC Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 65mΩ Mounting: THT Gate charge: 74nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |