Продукція > VISHAY SILICONIX > SIHG20N50C-E3
SIHG20N50C-E3

SIHG20N50C-E3 Vishay Siliconix

sihg20n5.pdf Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 500V 20A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 76 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2942 pF @ 25 V
на замовлення 7402 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+207.55 грн
25+ 158.42 грн
100+ 135.77 грн
500+ 113.26 грн
1000+ 96.98 грн
2000+ 91.32 грн
5000+ 86.18 грн
Мінімальне замовлення: 2
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SIHG20N50C-E3 Vishay Siliconix

Description: VISHAY - SIHG20N50C-E3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 20 A, 0.225 ohm, TO-247, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 500V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 20A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 292W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.225ohm, SVHC: Lead (19-Jan-2021).

Інші пропозиції SIHG20N50C-E3 за ціною від 99.03 грн до 266.83 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
SIHG20N50C-E3 SIHG20N50C-E3 Виробник : VISHAY SIHG20N50C-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 11A; 250W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 11A
Power dissipation: 250W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.27Ω
Mounting: THT
Gate charge: 76nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 263 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+222.36 грн
3+ 185.9 грн
7+ 142.55 грн
17+ 134.47 грн
Мінімальне замовлення: 2
SIHG20N50C-E3 SIHG20N50C-E3 Виробник : Vishay / Siliconix sihg20n5.pdf MOSFETs 500V Vds 30V Vgs TO-247AC
на замовлення 7157 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+223.02 грн
10+ 184.14 грн
25+ 151.66 грн
100+ 129.79 грн
250+ 122.74 грн
500+ 115.68 грн
1000+ 102.28 грн
Мінімальне замовлення: 2
SIHG20N50C-E3 SIHG20N50C-E3 Виробник : VISHAY VISH-S-A0012821956-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SIHG20N50C-E3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 20 A, 0.225 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 292W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.225ohm
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
на замовлення 1638 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+242.93 грн
10+ 163.01 грн
100+ 135.31 грн
500+ 116.1 грн
1000+ 99.03 грн
Мінімальне замовлення: 4
SIHG20N50C-E3 SIHG20N50C-E3 Виробник : VISHAY SIHG20N50C-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 11A; 250W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 11A
Power dissipation: 250W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.27Ω
Mounting: THT
Gate charge: 76nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 263 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+266.83 грн
3+ 231.66 грн
7+ 171.06 грн
17+ 161.36 грн
Мінімальне замовлення: 2
SIHG20N50C-E3 SIHG20N50C-E3 Виробник : Vishay sihg20n5.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
на замовлення 38 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
SIHG20N50C-E3 Виробник : Siliconix sihg20n5.pdf Tranzystor: N-MOSFET unipolarny 560V 11A 250W TO247AC VISHAY SIHG20N50C-E3 Tranzystory z kana?em N THT SIHG20N50C-E3 TSIHG20n50c
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 12 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+112.54 грн
Мінімальне замовлення: 5
SIHG20N50C-E3 SIHG20N50C-E3
Код товару: 51442 		sihg20n5.pdf Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
SIHG20N50C-E3 SIHG20N50C-E3 Виробник : Vishay sihg20n5.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
товар відсутній
SIHG20N50C-E3 SIHG20N50C-E3 Виробник : Vishay sihg20n5.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
товар відсутній
SIHG20N50C-E3 SIHG20N50C-E3 Виробник : Vishay sihg20n5.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
товар відсутній