![SIHG039N60E-GE3 SIHG039N60E-GE3](https://export.farnell.com/productimages/standard/en_GB/GE3TO24705-40.jpg)
SIHG039N60E-GE3 VISHAY
![2786152.pdf](/images/adobe-acrobat.png)
Description: VISHAY - SIHG039N60E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 63 A, 0.034 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 63A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 357W
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: E
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.034ohm
на замовлення 19 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 627 грн |
5+ | 556.64 грн |
10+ | 485.49 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SIHG039N60E-GE3 VISHAY
Description: VISHAY - SIHG039N60E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 63 A, 0.034 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 63A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 357W, Bauform - Transistor: TO-247AC, Anzahl der Pins: 3Pins, Produktpalette: E, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.034ohm.
Інші пропозиції SIHG039N60E-GE3 за ціною від 393.76 грн до 809 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
SIHG039N60E-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 63A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 32A, 10V Power Dissipation (Max): 357W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247AC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 126 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4369 pF @ 100 V |
на замовлення 280 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
SIHG039N60E-GE3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
![]() |
на замовлення 197 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
SIHG039N60E-GE3 | Виробник : Vishay |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
SIHG039N60E-GE3 | Виробник : VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 40A; Idm: 199A; 357W; TO247AC Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 40A Pulsed drain current: 199A Power dissipation: 357W Case: TO247AC Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 39mΩ Mounting: THT Gate charge: 126nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
SIHG039N60E-GE3 | Виробник : VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 40A; Idm: 199A; 357W; TO247AC Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 40A Pulsed drain current: 199A Power dissipation: 357W Case: TO247AC Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 39mΩ Mounting: THT Gate charge: 126nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |