на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 208.97 грн |
| 10+ | 191.09 грн |
| 25+ | 145.31 грн |
| 100+ | 133.08 грн |
| 250+ | 128.76 грн |
| 500+ | 117.97 грн |
| 1000+ | 94.95 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SIHG15N80AEF-GE3 Vishay
Description: EF SERIES POWER MOSFET WITH FAST, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 6.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 156W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-247AC, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1128 pF @ 100 V.
Інші пропозиції SIHG15N80AEF-GE3 за ціною від 136.73 грн до 209.32 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SIHG15N80AEF-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
 Description: EF SERIES POWER MOSFET WITH FASTPackaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 6.5A, 10V Power Dissipation (Max): 156W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247AC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1128 pF @ 100 V |
на замовлення 448 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
 |
SIHG15N80AEF-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 800V 13A Tube |
товар відсутній |
|||||||||
| SIHG15N80AEF-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 8A; Idm: 28A; 156W; TO247AC Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 8A Pulsed drain current: 28A Power dissipation: 156W Case: TO247AC Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.35Ω Mounting: THT Gate charge: 54nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||
| SIHG15N80AEF-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 8A; Idm: 28A; 156W; TO247AC Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 8A Pulsed drain current: 28A Power dissipation: 156W Case: TO247AC Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.35Ω Mounting: THT Gate charge: 54nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |