SIHG22N60E-GE3

SIHG22N60E-GE3 Vishay Siliconix


sihg22n60e.pdf Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 600V 21A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 227W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1920 pF @ 100 V
на замовлення 464 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+211.84 грн
25+ 161.48 грн
100+ 138.42 грн
Мінімальне замовлення: 2
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SIHG22N60E-GE3 Vishay Siliconix

Description: VISHAY - SIHG22N60E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 21 A, 0.15 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 21A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 227W, Bauform - Transistor: TO-247AC, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm, SVHC: Lead (19-Jan-2021).

Інші пропозиції SIHG22N60E-GE3 за ціною від 139.38 грн до 247.05 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
SIHG22N60E-GE3 SIHG22N60E-GE3 Виробник : Vishay Semiconductors sihg22n60e.pdf MOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-247AC
на замовлення 1247 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+227.66 грн
25+ 177.92 грн
100+ 139.38 грн
Мінімальне замовлення: 2
SIHG22N60E-GE3 SIHG22N60E-GE3 Виробник : VISHAY VISH-S-A0009381840-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SIHG22N60E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 21 A, 0.15 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 21A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 227W
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
на замовлення 444 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+247.05 грн
10+ 174.34 грн
100+ 171.21 грн
Мінімальне замовлення: 4
SIHG22N60E-GE3 SIHG22N60E-GE3 Виробник : Vishay sihg22n60e.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 21A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
товар відсутній
SIHG22N60E-GE3 SIHG22N60E-GE3 Виробник : Vishay sihg22n60e.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 21A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
товар відсутній
SIHG22N60E-GE3 SIHG22N60E-GE3 Виробник : Vishay sihg22n60e.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 21A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
товар відсутній
SIHG22N60E-GE3 Виробник : VISHAY sihg22n60e.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13A; Idm: 56A; 227W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13A
Pulsed drain current: 56A
Power dissipation: 227W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: THT
Gate charge: 86nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
SIHG22N60E-GE3 Виробник : VISHAY sihg22n60e.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13A; Idm: 56A; 227W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13A
Pulsed drain current: 56A
Power dissipation: 227W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: THT
Gate charge: 86nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
товар відсутній