![CSD18532Q5BT CSD18532Q5BT](https://mm.digikey.com/Volume0/opasdata/d220001/medias/images/2453/8-Power%20TDFN.jpg)
CSD18532Q5BT Texas Instruments
![suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd18532q5b](/images/adobe-acrobat.png)
Description: MOSFET N-CH 60V 100A 8VSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5070 pF @ 30 V
на замовлення 2750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
250+ | 128.7 грн |
500+ | 107.62 грн |
1250+ | 91.32 грн |
2500+ | 81.41 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис CSD18532Q5BT Texas Instruments
Description: MOSFET N-CH 60V 100A 8VSON, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 25A, 10V, Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 156W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5070 pF @ 30 V.
Інші пропозиції CSD18532Q5BT за ціною від 81.68 грн до 214.65 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
CSD18532Q5BT | Виробник : Texas Instruments |
![]() |
на замовлення 250 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
CSD18532Q5BT | Виробник : Texas Instruments |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 156W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5070 pF @ 30 V |
на замовлення 2864 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
CSD18532Q5BT | Виробник : Texas Instruments |
![]() |
на замовлення 2746 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
CSD18532Q5BT | Виробник : Texas Instruments |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
![]() |
CSD18532Q5BT | Виробник : Texas Instruments |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
![]() |
CSD18532Q5BT | Виробник : Texas Instruments |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
CSD18532Q5BT | Виробник : TEXAS INSTRUMENTS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; 156W; VSON-CLIP8; 5x6mm Mounting: SMD Drain-source voltage: 60V Drain current: 100A On-state resistance: 2.5mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 156W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Dimensions: 5x6mm Gate charge: 44nC Technology: NexFET™ Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Case: VSON-CLIP8 кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
CSD18532Q5BT | Виробник : TEXAS INSTRUMENTS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; 156W; VSON-CLIP8; 5x6mm Mounting: SMD Drain-source voltage: 60V Drain current: 100A On-state resistance: 2.5mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 156W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Dimensions: 5x6mm Gate charge: 44nC Technology: NexFET™ Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Case: VSON-CLIP8 |
товар відсутній |