CSD18532KCS Texas Instruments
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 50+ | 73.26 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис CSD18532KCS Texas Instruments
Description: MOSFET N-CH 60V 100A TO220-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 100A, 10V, Power Dissipation (Max): 250W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4680 pF @ 30 V.
Інші пропозиції CSD18532KCS за ціною від 60.91 грн до 165.11 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
CSD18532KCS | Виробник : Texas Instruments |
 Trans MOSFET N-CH Si 60V 169A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
CSD18532KCS | Виробник : TEXAS INSTRUMENTS |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; 250W; TO220-3 Mounting: THT Drain-source voltage: 60V Drain current: 100A On-state resistance: 3.3mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 250W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Gate charge: 44nC Technology: NexFET™ Heatsink thickness: 1.14...1.4mm Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Case: TO220-3 |
на замовлення 231 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
CSD18532KCS | Виробник : Texas Instruments |
Description: MOSFET N-CH 60V 100A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 250W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4680 pF @ 30 V |
на замовлення 947 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
CSD18532KCS | Виробник : Texas Instruments |
MOSFET 60-V N-Chanel NxFT Pwr MOSFETs |
на замовлення 6233 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
CSD18532KCS | Виробник : Texas Instruments |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 169A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
CSD18532KCS | Виробник : TEXAS INSTRUMENTS |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; 250W; TO220-3 Mounting: THT Drain-source voltage: 60V Drain current: 100A On-state resistance: 3.3mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 250W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Gate charge: 44nC Technology: NexFET™ Heatsink thickness: 1.14...1.4mm Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Case: TO220-3 кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 231 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| CSD18532KCS | Виробник : Texas Instruments |
60-V N-Channel Nex-FET Power MOSFET -55+150C Zamiennik za STP16NB25 CSD18532KCS TCSD18532KCS кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 10 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
|
|
CSD18532KCS | Виробник : Texas Instruments |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 169A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
CSD18532KCS | Виробник : Texas Instruments |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 169A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
товар відсутній |