CSD18510KTT Texas Instruments
Виробник: Texas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 40V 274A DDPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 274A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (DDPAK-3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 153 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11400 pF @ 20 V
на замовлення 267 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 163.46 грн |
| 10+ | 131.2 грн |
| 100+ | 104.4 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис CSD18510KTT Texas Instruments
Description: MOSFET N-CH 40V 274A DDPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 274A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 100A, 10V, Power Dissipation (Max): 250W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-263 (DDPAK-3), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 153 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11400 pF @ 20 V.
Інші пропозиції CSD18510KTT за ціною від 61.92 грн до 167.28 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
CSD18510KTT | Виробник : Texas Instruments |
MOSFET 40-V, N channel NexFET™ power MOSFET, single D2PAK, 1.7 mOhm 2-DDPAK/TO-263 -55 to 175 |
на замовлення 527 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
CSD18510KTT | Виробник : Texas Instruments |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 200A 4-Pin(3+Tab) DDPAK T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
 |
CSD18510KTT | Виробник : Texas Instruments |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 200A 3-Pin(2+Tab) DDPAK T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
CSD18510KTT | Виробник : Texas Instruments |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 200A 3-Pin(2+Tab) DDPAK T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
CSD18510KTT | Виробник : Texas Instruments |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 200A 3-Pin(2+Tab) DDPAK T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
| CSD18510KTT | Виробник : TEXAS INSTRUMENTS |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 200A; Idm: 400A; 250W; D2PAK Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Power dissipation: 250W Polarisation: unipolar Technology: NexFET™ Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 400A Case: D2PAK Drain-source voltage: 40V Drain current: 200A On-state resistance: 2.6mΩ Type of transistor: N-MOSFET кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
|
|
CSD18510KTT | Виробник : Texas Instruments |
Description: MOSFET N-CH 40V 274A DDPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 274A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 250W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (DDPAK-3) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 153 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11400 pF @ 20 V |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
| CSD18510KTT | Виробник : TEXAS INSTRUMENTS |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 200A; Idm: 400A; 250W; D2PAK Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Power dissipation: 250W Polarisation: unipolar Technology: NexFET™ Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 400A Case: D2PAK Drain-source voltage: 40V Drain current: 200A On-state resistance: 2.6mΩ Type of transistor: N-MOSFET |
товар відсутній |