Технічний опис CSD18512Q5BT Texas Instruments
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; Idm: 400A; 139W, Type of transistor: N-MOSFET, Technology: NexFET™, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 40V, Drain current: 100A, Pulsed drain current: 400A, Power dissipation: 139W, Case: VSON-CLIP8, Gate-source voltage: ±20V, On-state resistance: 2.3mΩ, Mounting: SMD, Kind of package: reel; tape, Kind of channel: enhanced, Application: automotive industry, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції CSD18512Q5BT
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
---|---|---|---|---|---|
![]() |
CSD18512Q5BT | Виробник : Texas Instruments |
![]() |
товар відсутній |
|
CSD18512Q5BT | Виробник : TEXAS INSTRUMENTS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; Idm: 400A; 139W Type of transistor: N-MOSFET Technology: NexFET™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 100A Pulsed drain current: 400A Power dissipation: 139W Case: VSON-CLIP8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2.3mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Application: automotive industry кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||
![]() |
CSD18512Q5BT | Виробник : Texas Instruments |
![]() |
товар відсутній |
|
![]() |
CSD18512Q5BT | Виробник : Texas Instruments |
![]() |
товар відсутній |
|
![]() |
CSD18512Q5BT | Виробник : Texas Instruments |
![]() |
товар відсутній |
|
CSD18512Q5BT | Виробник : TEXAS INSTRUMENTS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; Idm: 400A; 139W Type of transistor: N-MOSFET Technology: NexFET™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 100A Pulsed drain current: 400A Power dissipation: 139W Case: VSON-CLIP8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2.3mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Application: automotive industry |
товар відсутній |