![CSD18511KTTT CSD18511KTTT](https://mm.digikey.com/Volume0/opasdata/d220001/medias/images/562/TO-263-3%2CDPak%282Leads%2BTab%29%2CTO-263AB.jpg)
CSD18511KTTT Texas Instruments
![suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd18511ktt](/images/adobe-acrobat.png)
Description: MOSFET N-CH 40V 110A/194A DDPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Ta), 194A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 188W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (DDPAK-3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5940 pF @ 20 V
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
50+ | 84.45 грн |
100+ | 66.91 грн |
250+ | 65.19 грн |
500+ | 56.69 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис CSD18511KTTT Texas Instruments
Description: MOSFET N-CH 40V 110A/194A DDPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Ta), 194A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 100A, 10V, Power Dissipation (Max): 188W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-263 (DDPAK-3), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5940 pF @ 20 V.
Інші пропозиції CSD18511KTTT за ціною від 84.05 грн до 105.68 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
CSD18511KTTT | Виробник : Texas Instruments |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Ta), 194A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 188W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (DDPAK-3) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5940 pF @ 20 V |
на замовлення 616 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
![]() |
CSD18511KTTT | Виробник : Texas Instruments |
![]() |
товар відсутній |
|||||||
![]() |
CSD18511KTTT | Виробник : Texas Instruments |
![]() |
товар відсутній |
|||||||
![]() |
CSD18511KTTT | Виробник : Texas Instruments |
![]() |
товар відсутній |
|||||||
![]() |
CSD18511KTTT | Виробник : Texas Instruments |
![]() |
товар відсутній |
|||||||
CSD18511KTTT | Виробник : TEXAS INSTRUMENTS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 110A; Idm: 400A; 188W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: NexFET™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 110A Pulsed drain current: 400A Power dissipation: 188W Case: D2PAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 4.2mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||
![]() |
CSD18511KTTT | Виробник : Texas Instruments |
![]() |
товар відсутній |
|||||||
CSD18511KTTT | Виробник : TEXAS INSTRUMENTS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 110A; Idm: 400A; 188W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: NexFET™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 110A Pulsed drain current: 400A Power dissipation: 188W Case: D2PAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 4.2mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |