CSD18509Q5BT Texas Instruments
на замовлення 750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 250+ | 88.22 грн |
| 500+ | 82.54 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис CSD18509Q5BT Texas Instruments
Description: TEXAS INSTRUMENTS - CSD18509Q5BT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 0.001 ohm, VSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85423190, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 195W, Bauform - Transistor: VSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.001ohm, SVHC: No SVHC (10-Jun-2022).
Інші пропозиції CSD18509Q5BT за ціною від 72.93 грн до 221.25 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
CSD18509Q5BT | Виробник : TEXAS INSTRUMENTS |
 Description: TEXAS INSTRUMENTS - CSD18509Q5BT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 0.001 ohm, VSON, OberflächenmontagetariffCode: 85423190 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 195W Bauform - Transistor: VSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.001ohm SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
на замовлення 170 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
CSD18509Q5BT | Виробник : Texas Instruments |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R |
на замовлення 750 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
CSD18509Q5BT | Виробник : Texas Instruments |
Description: MOSFET N-CH 40V 100A 8VSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 32A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 195W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 195 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13900 pF @ 20 V |
на замовлення 14750 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
CSD18509Q5BT | Виробник : Texas Instruments |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R |
на замовлення 250 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
CSD18509Q5BT | Виробник : Texas Instruments |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R |
на замовлення 225 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
CSD18509Q5BT | Виробник : Texas Instruments |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R |
на замовлення 225 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
CSD18509Q5BT | Виробник : Texas Instruments |
Description: MOSFET N-CH 40V 100A 8VSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 32A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 195W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 195 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13900 pF @ 20 V |
на замовлення 14903 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
CSD18509Q5BT | Виробник : Texas Instruments |
MOSFET 40V,NCh NexFET Pwr MOSFET |
на замовлення 1114 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
CSD18509Q5BT | Виробник : TEXAS INSTRUMENTS |
Description: TEXAS INSTRUMENTS - CSD18509Q5BT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 0.001 ohm, VSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85423190 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 195W Bauform - Transistor: VSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.001ohm |
на замовлення 135 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
CSD18509Q5BT | Виробник : Texas Instruments |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
CSD18509Q5BT | Виробник : Texas Instruments |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
CSD18509Q5BT | Виробник : Texas Instruments |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
| CSD18509Q5BT | Виробник : TEXAS INSTRUMENTS |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 195W; VSON-CLIP8; 5x6mm Type of transistor: N-MOSFET Technology: NexFET™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 100A Power dissipation: 195W Case: VSON-CLIP8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1mΩ Mounting: SMD Gate charge: 15nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Dimensions: 5x6mm кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
| CSD18509Q5BT | Виробник : TEXAS INSTRUMENTS |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 195W; VSON-CLIP8; 5x6mm Type of transistor: N-MOSFET Technology: NexFET™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 100A Power dissipation: 195W Case: VSON-CLIP8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1mΩ Mounting: SMD Gate charge: 15nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Dimensions: 5x6mm |
товар відсутній |