![CSD18510KCS CSD18510KCS](https://mm.digikey.com/Volume0/opasdata/d220001/medias/images/1837/296;4212513;KCT;3.jpg)
CSD18510KCS Texas Instruments
![suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd18510kcs](/images/adobe-acrobat.png)
Description: MOSFET N-CH 40V 200A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11400 pF @ 20 V
на замовлення 1024 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 137.2 грн |
50+ | 106.13 грн |
100+ | 87.32 грн |
500+ | 69.35 грн |
1000+ | 58.84 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис CSD18510KCS Texas Instruments
Description: MOSFET N-CH 40V 200A TO220-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 100A, 10V, Power Dissipation (Max): 250W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11400 pF @ 20 V.
Інші пропозиції CSD18510KCS за ціною від 55.2 грн до 147.16 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
CSD18510KCS | Виробник : Texas Instruments |
![]() |
на замовлення 1095 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
CSD18510KCS | Виробник : Texas Instruments |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||
![]() |
CSD18510KCS | Виробник : Texas Instruments |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||
![]() |
CSD18510KCS | Виробник : Texas Instruments |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||
CSD18510KCS | Виробник : TEXAS INSTRUMENTS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 200A; Idm: 400A; 250W; TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: NexFET™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 200A Pulsed drain current: 400A Power dissipation: 250W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2.6mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Heatsink thickness: 1.14...1.4mm кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||
CSD18510KCS | Виробник : TEXAS INSTRUMENTS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 200A; Idm: 400A; 250W; TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: NexFET™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 200A Pulsed drain current: 400A Power dissipation: 250W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2.6mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Heatsink thickness: 1.14...1.4mm |
товар відсутній |