CSD17579Q5AT

CSD17579Q5AT Texas Instruments


suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd17579q5a Виробник: Texas Instruments
Description: MOSFET N-CH 30V 25A 8VSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.7mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1030 pF @ 15 V
на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
250+41.53 грн
500+ 34.22 грн
1250+ 33.85 грн
Мінімальне замовлення: 250
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис CSD17579Q5AT Texas Instruments

Description: MOSFET N-CH 30V 25A 8VSON, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.7mOhm @ 8A, 10V, Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 36W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.1 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1030 pF @ 15 V.

Інші пропозиції CSD17579Q5AT за ціною від 33.73 грн до 115.39 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
CSD17579Q5AT CSD17579Q5AT Виробник : Texas Instruments suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd17579q5a Description: MOSFET N-CH 30V 25A 8VSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.7mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1030 pF @ 15 V
на замовлення 2314 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+66.34 грн
10+ 51.91 грн
100+ 40.37 грн
Мінімальне замовлення: 5
CSD17579Q5AT CSD17579Q5AT Виробник : Texas Instruments suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd17579q5a MOSFETs 30V N-Channel NexFET Power MOSFET
на замовлення 1144 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+71.06 грн
10+ 57.14 грн
100+ 38.33 грн
500+ 33.73 грн
Мінімальне замовлення: 5
CSD17579Q5AT CSD17579Q5AT Виробник : TEXAS INSTRUMENTS suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd17579q5a Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 25A; 36W; VSONP8; 5x6mm
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: NexFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 25A
Power dissipation: 36W
Case: VSONP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 5.4nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Dimensions: 5x6mm
на замовлення 239 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+75.5 грн
14+ 61.71 грн
39+ 58.08 грн
Мінімальне замовлення: 5
CSD17579Q5AT CSD17579Q5AT Виробник : TEXAS INSTRUMENTS suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd17579q5a Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 25A; 36W; VSONP8; 5x6mm
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: NexFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 25A
Power dissipation: 36W
Case: VSONP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 5.4nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Dimensions: 5x6mm
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 239 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+115.39 грн
5+ 94.08 грн
14+ 74.05 грн
39+ 69.69 грн
Мінімальне замовлення: 3
CSD17579Q5AT CSD17579Q5AT Виробник : Texas Instruments suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd17579q5a Trans MOSFET N-CH Si 30V 25A 8-Pin VSONP EP T/R
товар відсутній
CSD17579Q5AT CSD17579Q5AT Виробник : Texas Instruments suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fcsd17579q5a Trans MOSFET N-CH Si 30V 25A 8-Pin VSONP EP T/R
товар відсутній
CSD17579Q5AT CSD17579Q5AT Виробник : Texas Instruments getliterature.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 25A 8-Pin VSONP EP T/R
товар відсутній