CSD18511KCS Texas Instruments
Виробник: Texas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 40V 194A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 194A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 188W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5940 pF @ 20 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 114.59 грн |
| 50+ | 88.45 грн |
| 100+ | 70.1 грн |
| 500+ | 55.76 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис CSD18511KCS Texas Instruments
Description: MOSFET N-CH 40V 194A TO220-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 194A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 100A, 10V, Power Dissipation (Max): 188W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220-3, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5940 pF @ 20 V.
Інші пропозиції CSD18511KCS за ціною від 40.35 грн до 123.59 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
CSD18511KCS | Виробник : Texas Instruments |
MOSFETs 40-V, N channel NexFET™ power MOSFET, single TO-220, 2.6 mOhm 3-TO-220 -55 to 175 |
на замовлення 168 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| CSD18511KCS | Виробник : Texas Instruments |
Транзистор польовий TO-220 NexFET MOSFET, Vds=40V, Id=194A,(+25С) Rds=3,2 mOhm |
на замовлення 230 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
 |
CSD18511KCS | Виробник : Texas Instruments |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
CSD18511KCS | Виробник : Texas Instruments |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
CSD18511KCS | Виробник : Texas Instruments |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
 |
CSD18511KCS | Виробник : Texas Instruments |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
| CSD18511KCS | Виробник : TEXAS INSTRUMENTS |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 110A; Idm: 400A; 188W; TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: NexFET™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 110A Pulsed drain current: 400A Power dissipation: 188W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 4.2mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Heatsink thickness: 1.14...1.4mm кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
| CSD18511KCS | Виробник : TEXAS INSTRUMENTS |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 110A; Idm: 400A; 188W; TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: NexFET™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 110A Pulsed drain current: 400A Power dissipation: 188W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 4.2mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Heatsink thickness: 1.14...1.4mm |
товар відсутній |