Продукція > TAIWAN SEMICONDUCTOR > Всі товари виробника TAIWAN SEMICONDUCTOR (63080) > Сторінка 599 з 1052

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 105 210 315 420 525 594 595 596 597 598 599 600 601 602 603 604 630 735 840 945 1050 1052  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
без ПДВ
TSM60NB600CF C0G TAIWAN SEMICONDUCTOR TSM60NB600CF_A1701.pdf TSM60NB600CF-C0G THT N channel transistors
товар відсутній
TSM60NB600CH C5G TAIWAN SEMICONDUCTOR TSM60NB600CH-C5G THT N channel transistors
товар відсутній
TSM60NB600CP ROG TAIWAN SEMICONDUCTOR TSM60NB600CP_A1608.pdf TSM60NB600CP-ROG SMD N channel transistors
товар відсутній
TSM60NB900CH C5G TAIWAN SEMICONDUCTOR TSM60NB900CH_A1608.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 2.4A; 36.8W; IPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 2.4A
Power dissipation: 36.8W
Case: IPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.9Ω
Mounting: THT
Gate charge: 9.6nC
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
TSM60NB900CP ROG TAIWAN SEMICONDUCTOR pdf.php?pn=TSM60NB900CP Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 2.4A; 36.8W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 2.4A
Power dissipation: 36.8W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.9Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 9.6nC
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
TSM650N15CR RLG TAIWAN SEMICONDUCTOR Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 4A; 19W; PDFN56
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 4A
On-state resistance: 65mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 19W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 36nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: PDFN56
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
TSM650N15CS RLG TSM650N15CS RLG TAIWAN SEMICONDUCTOR Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 4A; 2.5W; SOP8
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 4A
On-state resistance: 65mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 2.5W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 37nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: SOP8
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
TSM650P02CX RFG TSM650P02CX RFG TAIWAN SEMICONDUCTOR Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -2.6A; 1.56W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -2.6A
Power dissipation: 1.56W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 65mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 6.4nC
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
TSM650P03CX RFG TSM650P03CX RFG TAIWAN SEMICONDUCTOR TSM650P03CX_B1811.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -2.6A; 1.56W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -2.6A
Power dissipation: 1.56W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 65mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 8nC
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 130 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
5+62.86 грн
9+ 33.29 грн
25+ 22.48 грн
64+ 16.12 грн
175+ 15.16 грн
Мінімальне замовлення: 5
TSM680P06CP ROG TAIWAN SEMICONDUCTOR TSM680P06CP_A2204.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -11A; 20W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -11A
Power dissipation: 20W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 68mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 16.4nC
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
TSM70N1R4CH C5G TAIWAN SEMICONDUCTOR TSM70N1R4_D1706.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 2A; 38W; IPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 2A
Power dissipation: 38W
Case: IPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 7.7nC
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
TSM70N1R4CP ROG TAIWAN SEMICONDUCTOR TSM70N1R4_D1706.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 2A; 38W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 2A
Power dissipation: 38W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 7.7nC
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
TSM70N380CH C5G TAIWAN SEMICONDUCTOR Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 6.6A; 125W; IPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 6.6A
Power dissipation: 125W
Case: IPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: THT
Gate charge: 18.8nC
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
TSM70N380CI C0G TSM70N380CI C0G TAIWAN SEMICONDUCTOR TSM70N380_E1706.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 6.6A; 33W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 6.6A
Power dissipation: 33W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: THT
Gate charge: 18.8nC
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
TSM70N380CP ROG TAIWAN SEMICONDUCTOR Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 6.6A; 125W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 6.6A
Power dissipation: 125W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 18.8nC
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
TSM70N600CH C5G TAIWAN SEMICONDUCTOR Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 4.8A; 83W; IPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 4.8A
Power dissipation: 83W
Case: IPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: THT
Gate charge: 12.6nC
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
TSM70N600CI C0G TSM70N600CI C0G TAIWAN SEMICONDUCTOR Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 4.8A; 32W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 4.8A
Power dissipation: 32W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: THT
Gate charge: 12.6nC
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
TSM70N600CP ROG TAIWAN SEMICONDUCTOR Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 4.8A; 83W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 4.8A
Power dissipation: 83W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 12.6nC
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
TSM70N750CH C5G TAIWAN SEMICONDUCTOR TSM70N750_C1706.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 3.6A; 62.5W; IPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 3.6A
Power dissipation: 62.5W
Case: IPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.75Ω
Mounting: THT
Gate charge: 10.7nC
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
TSM70N750CP ROG TAIWAN SEMICONDUCTOR TSM70N750_C1706.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 3.6A; 62.5W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 3.6A
Power dissipation: 62.5W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.75Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 10.7nC
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
TSM70N900CH C5G TAIWAN SEMICONDUCTOR TSM70N900_F1901.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 2.7A; 50W; IPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 2.7A
Power dissipation: 50W
Case: IPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.9Ω
Mounting: THT
Gate charge: 9.7nC
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
TSM70N900CI C0G TSM70N900CI C0G TAIWAN SEMICONDUCTOR TSM70N900_F1901.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 2.7A; 20W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 2.7A
Power dissipation: 20W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.9Ω
Mounting: THT
Gate charge: 9.7nC
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
TSM70N900CP ROG TAIWAN SEMICONDUCTOR TSM70N900_F1901.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 2.7A; 50W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 2.7A
Power dissipation: 50W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.9Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 9.7nC
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
TSM70NB1R4CP ROG TAIWAN SEMICONDUCTOR TSM70NB1R4CP_C1612.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 1.8A; 28W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 1.8A
Power dissipation: 28W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 7.4nC
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
TSM7NC60CF C0G TSM7NC60CF C0G TAIWAN SEMICONDUCTOR pdf.php?pn=TSM7NC60CF Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 4.4A; 44.6W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 4.4A
Power dissipation: 44.6W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 24nC
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
TSM7NC65CF C0G TSM7NC65CF C0G TAIWAN SEMICONDUCTOR TSM7NC60CF_A1605.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 4.4A; 44.6W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 4.4A
Power dissipation: 44.6W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.35Ω
Mounting: THT
Gate charge: 24nC
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
TSM7P06CP ROG TAIWAN SEMICONDUCTOR TSM7P06_B1802.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -4.4A; 15.6W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -4.4A
Power dissipation: 15.6W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8.2nC
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
TSM80N1R2CH C5G TAIWAN SEMICONDUCTOR TSM80N1R2_B1706.pdf TSM80N1R2CH-C5G THT N channel transistors
товар відсутній
TSM80N1R2CI C0G TSM80N1R2CI C0G TAIWAN SEMICONDUCTOR TSM80N1R2CI_A1604.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 3.4A; 25W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 3.4A
Power dissipation: 25W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 19.4nC
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
TSM80N1R2CP ROG TAIWAN SEMICONDUCTOR TSM80N1R2_B1706.pdf TSM80N1R2CP-ROG SMD N channel transistors
товар відсутній
TSM80N400CF C0G TAIWAN SEMICONDUCTOR TSM80N400CF_B1704.pdf TSM80N400CF-C0G THT N channel transistors
товар відсутній
TSM80N950CH C5G TAIWAN SEMICONDUCTOR TSM80N950_B1706.pdf TSM80N950CH-C5G THT N channel transistors
товар відсутній
TSM80N950CI C0G TSM80N950CI C0G TAIWAN SEMICONDUCTOR TSM80N950_B1706.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 3.8A; 25W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 3.8A
Power dissipation: 25W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.95Ω
Mounting: THT
Gate charge: 19.6nC
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
TSM80N950CP ROG TAIWAN SEMICONDUCTOR TSM80N950_B1706.pdf TSM80N950CP-ROG SMD N channel transistors
товар відсутній
TSM850N06CX RFG TSM850N06CX RFG TAIWAN SEMICONDUCTOR TSM850N06CX_C1811.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 2.3A; 300mW; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 2.3A
Power dissipation: 0.3W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 85mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 9.5nC
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 187 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
5+61.92 грн
7+ 39.08 грн
25+ 26.31 грн
55+ 18.82 грн
150+ 17.77 грн
Мінімальне замовлення: 5
TSM8N80CZ C0G TAIWAN SEMICONDUCTOR Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 4.9A; 250W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 4.9A
Power dissipation: 250W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 41nC
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
TSM900N06CH X0G TAIWAN SEMICONDUCTOR TSM900N06CH_A2205.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 7A; 25W; IPAK SL
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 7A
Power dissipation: 25W
Case: IPAK SL
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 90mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 9.3nC
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
TSM900N06CW RPG TAIWAN SEMICONDUCTOR TSM900N06CW_A2205.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 7A; 4.17W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 7A
Power dissipation: 4.17W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 90mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 9.3nC
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
TSM900N10CH X0G TAIWAN SEMICONDUCTOR TSM900N10_A15.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 9.5A; 50W; IPAK SL
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 9.5A
Power dissipation: 50W
Case: IPAK SL
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 90mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 9.3nC
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
TSM9409CS RLG TSM9409CS RLG TAIWAN SEMICONDUCTOR TSM9409_C15.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -3.5A; 2.1W; SOP8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -3.5A
Power dissipation: 2.1W
Case: SOP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 155mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 6nC
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
TSM950N10CW RPG TAIWAN SEMICONDUCTOR TSM950N10_D1807.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 4.1A; 9W; SOT223
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 4.1A
On-state resistance: 95mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 9W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 9.3nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: SOT223
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
TSS0230LU RGG TAIWAN SEMICONDUCTOR TSS0230LU_C1601.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SMD; 35V; 0.2A; 0603B
Type of diode: Schottky rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 35V
Load current: 0.2A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 0.5V
Case: 0603B
Max. forward impulse current: 1A
кількість в упаковці: 5 шт
товар відсутній
TSS40U RGG TSS40U RGG TAIWAN SEMICONDUCTOR TSS40U-RGG.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SMD; 40V; 0.2A; 0603; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 40V
Load current: 0.2A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 1V
Case: 0603
Kind of package: reel; tape
Max. forward impulse current: 0.6A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 580 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
20+14.73 грн
52+ 5.25 грн
100+ 4.53 грн
264+ 3.92 грн
727+ 3.66 грн
Мінімальне замовлення: 20
TSS42U RG
+1
 		TSS42U RG TAIWAN SEMICONDUCTOR TSS42U-RG.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SMD; 30V; 0.2A; 0603; reel,tape; 150mW
Type of diode: Schottky rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 30V
Load current: 0.2A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 1V
Case: 0603
Kind of package: reel; tape
Max. forward impulse current: 4A
Power dissipation: 0.15W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
24+12.01 грн
50+ 7.33 грн
188+ 5.4 грн
516+ 5.14 грн
Мінімальне замовлення: 24
TSS42U RGG TSS42U RGG TAIWAN SEMICONDUCTOR TSS42U SERIES_D1601.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SMD; 30V; 0.2A; 0603
Type of diode: Schottky rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 30V
Load current: 0.2A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 1V
Case: 0603
Max. forward impulse current: 0.5A
кількість в упаковці: 5 шт
товар відсутній
TSS43U RGG TAIWAN SEMICONDUCTOR Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SMD; 30V; 0.2A; 0603
Type of diode: Schottky rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 30V
Load current: 0.2A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 1V
Case: 0603
Max. forward impulse current: 0.5A
кількість в упаковці: 5 шт
товар відсутній
TSS54U RGG TAIWAN SEMICONDUCTOR TSS54U_C1601.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SMD; 30V; 0.2A; 0603
Mounting: SMD
Case: 0603
Max. off-state voltage: 30V
Max. forward voltage: 1V
Load current: 0.2A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward impulse current: 0.3A
Type of diode: Schottky rectifying
кількість в упаковці: 5 шт
товар відсутній
TSS70U RGG TAIWAN SEMICONDUCTOR TSS70U_C1601.pdf TSS70U-RGG SMD Schottky diodes
товар відсутній
TSZU52C10 RGG TAIWAN SEMICONDUCTOR TSZU52C2V0 SERIES_G2009.pdf TSZU52C10-RGG SMD Zener diodes
на замовлення 590 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
22+13.32 грн
210+ 4.87 грн
575+ 4.6 грн
Мінімальне замовлення: 22
TSZU52C12 RGG TAIWAN SEMICONDUCTOR TSZU52C2V0 SERIES_G2009.pdf Category: SMD Zener diodes
Description: Diode: Zener; 0.15W; 12V; 5mA; SMD; reel,tape; 0603; single diode
Type of diode: Zener
Power dissipation: 0.15W
Zener voltage: 12V
Zener current: 5mA
Mounting: SMD
Tolerance: ±5%
Kind of package: reel; tape
Case: 0603
Semiconductor structure: single diode
Leakage current: 100nA
товар відсутній
TSZU52C13 RGG TAIWAN SEMICONDUCTOR Category: SMD Zener diodes
Description: Diode: Zener; 0.15W; 13V; 5mA; SMD; reel,tape; 0603; single diode
Type of diode: Zener
Power dissipation: 0.15W
Zener voltage: 13V
Zener current: 5mA
Mounting: SMD
Tolerance: ±5%
Kind of package: reel; tape
Case: 0603
Semiconductor structure: single diode
Leakage current: 0.1µA
кількість в упаковці: 5 шт
товар відсутній
TSZU52C15 RGG TAIWAN SEMICONDUCTOR TSZU52C15-RGG SMD Zener diodes
товар відсутній
TSZU52C18 RGG TAIWAN SEMICONDUCTOR TSZU52C2V0 SERIES_G2009.pdf TSZU52C18-RGG SMD Zener diodes
товар відсутній
TSZU52C2V2 RGG TAIWAN SEMICONDUCTOR TSZU52C2V0 SERIES_G2009.pdf Category: SMD Zener diodes
Description: Diode: Zener; 0.15W; 2.2V; 5mA; SMD; reel,tape; 0603; single diode
Case: 0603
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Tolerance: ±5%
Semiconductor structure: single diode
Zener voltage: 2.2V
Zener current: 5mA
Leakage current: 0.1mA
Power dissipation: 0.15W
Type of diode: Zener
кількість в упаковці: 5 шт
товар відсутній
TSZU52C2V7 RGG TAIWAN SEMICONDUCTOR TSZU52C2V7-RGG SMD Zener diodes
товар відсутній
TSZU52C3V3 RGG TAIWAN SEMICONDUCTOR TSZU52C2V0%20SERIES_G2009.pdf TSZU52C3V3-RGG SMD Zener diodes
товар відсутній
TSZU52C3V9 RGG TAIWAN SEMICONDUCTOR TSZU52C2V0%20SERIES_G2009.pdf TSZU52C3V9-RGG SMD Zener diodes
товар відсутній
TSZU52C4V3 RGG TAIWAN SEMICONDUCTOR TSZU52C2V0%20SERIES_F1601.pdf Category: SMD Zener diodes
Description: Diode: Zener; 0.15W; 4.3V; 5mA; SMD; reel,tape; 0603; single diode
Type of diode: Zener
Power dissipation: 0.15W
Zener voltage: 4.3V
Zener current: 5mA
Mounting: SMD
Tolerance: ±5%
Kind of package: reel; tape
Case: 0603
Semiconductor structure: single diode
Leakage current: 5µA
кількість в упаковці: 5 шт
товар відсутній
TSZU52C4V7 RGG TAIWAN SEMICONDUCTOR Category: SMD Zener diodes
Description: Diode: Zener; 0.15W; 4.7V; 5mA; SMD; reel,tape; 0603; single diode
Type of diode: Zener
Power dissipation: 0.15W
Zener voltage: 4.7V
Zener current: 5mA
Mounting: SMD
Tolerance: ±5%
Kind of package: reel; tape
Case: 0603
Semiconductor structure: single diode
Leakage current: 5µA
кількість в упаковці: 5 шт
товар відсутній
TSZU52C5V1 RGG TAIWAN SEMICONDUCTOR TSZU52C2V0%20SERIES_F1601.pdf TSZU52C5V1-RGG SMD Zener diodes
товар відсутній
TSM60NB600CF C0G TSM60NB600CF_A1701.pdf
Виробник: TAIWAN SEMICONDUCTOR
TSM60NB600CF-C0G THT N channel transistors
товар відсутній
TSM60NB600CH C5G
Виробник: TAIWAN SEMICONDUCTOR
TSM60NB600CH-C5G THT N channel transistors
товар відсутній
TSM60NB600CP ROG TSM60NB600CP_A1608.pdf
Виробник: TAIWAN SEMICONDUCTOR
TSM60NB600CP-ROG SMD N channel transistors
товар відсутній
TSM60NB900CH C5G TSM60NB900CH_A1608.pdf
Виробник: TAIWAN SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 2.4A; 36.8W; IPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 2.4A
Power dissipation: 36.8W
Case: IPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.9Ω
Mounting: THT
Gate charge: 9.6nC
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
TSM60NB900CP ROG pdf.php?pn=TSM60NB900CP
Виробник: TAIWAN SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 2.4A; 36.8W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 2.4A
Power dissipation: 36.8W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.9Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 9.6nC
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
TSM650N15CR RLG
Виробник: TAIWAN SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 4A; 19W; PDFN56
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 4A
On-state resistance: 65mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 19W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 36nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: PDFN56
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
TSM650N15CS RLG
TSM650N15CS RLG
Виробник: TAIWAN SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 4A; 2.5W; SOP8
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 4A
On-state resistance: 65mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 2.5W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 37nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: SOP8
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
TSM650P02CX RFG
TSM650P02CX RFG
Виробник: TAIWAN SEMICONDUCTOR
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -2.6A; 1.56W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -2.6A
Power dissipation: 1.56W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 65mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 6.4nC
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
TSM650P03CX RFG TSM650P03CX_B1811.pdf
TSM650P03CX RFG
Виробник: TAIWAN SEMICONDUCTOR
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -2.6A; 1.56W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -2.6A
Power dissipation: 1.56W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 65mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 8nC
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 130 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+62.86 грн
9+ 33.29 грн
25+ 22.48 грн
64+ 16.12 грн
175+ 15.16 грн
Мінімальне замовлення: 5
TSM680P06CP ROG TSM680P06CP_A2204.pdf
Виробник: TAIWAN SEMICONDUCTOR
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -11A; 20W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -11A
Power dissipation: 20W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 68mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 16.4nC
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
TSM70N1R4CH C5G TSM70N1R4_D1706.pdf
Виробник: TAIWAN SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 2A; 38W; IPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 2A
Power dissipation: 38W
Case: IPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 7.7nC
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
TSM70N1R4CP ROG TSM70N1R4_D1706.pdf
Виробник: TAIWAN SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 2A; 38W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 2A
Power dissipation: 38W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 7.7nC
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
TSM70N380CH C5G
Виробник: TAIWAN SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 6.6A; 125W; IPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 6.6A
Power dissipation: 125W
Case: IPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: THT
Gate charge: 18.8nC
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
TSM70N380CI C0G TSM70N380_E1706.pdf
TSM70N380CI C0G
Виробник: TAIWAN SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 6.6A; 33W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 6.6A
Power dissipation: 33W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: THT
Gate charge: 18.8nC
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
TSM70N380CP ROG
Виробник: TAIWAN SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 6.6A; 125W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 6.6A
Power dissipation: 125W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 18.8nC
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
TSM70N600CH C5G
Виробник: TAIWAN SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 4.8A; 83W; IPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 4.8A
Power dissipation: 83W
Case: IPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: THT
Gate charge: 12.6nC
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
TSM70N600CI C0G
TSM70N600CI C0G
Виробник: TAIWAN SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 4.8A; 32W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 4.8A
Power dissipation: 32W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: THT
Gate charge: 12.6nC
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
TSM70N600CP ROG
Виробник: TAIWAN SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 4.8A; 83W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 4.8A
Power dissipation: 83W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 12.6nC
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
TSM70N750CH C5G TSM70N750_C1706.pdf
Виробник: TAIWAN SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 3.6A; 62.5W; IPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 3.6A
Power dissipation: 62.5W
Case: IPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.75Ω
Mounting: THT
Gate charge: 10.7nC
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
TSM70N750CP ROG TSM70N750_C1706.pdf
Виробник: TAIWAN SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 3.6A; 62.5W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 3.6A
Power dissipation: 62.5W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.75Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 10.7nC
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
TSM70N900CH C5G TSM70N900_F1901.pdf
Виробник: TAIWAN SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 2.7A; 50W; IPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 2.7A
Power dissipation: 50W
Case: IPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.9Ω
Mounting: THT
Gate charge: 9.7nC
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
TSM70N900CI C0G TSM70N900_F1901.pdf
TSM70N900CI C0G
Виробник: TAIWAN SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 2.7A; 20W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 2.7A
Power dissipation: 20W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.9Ω
Mounting: THT
Gate charge: 9.7nC
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
TSM70N900CP ROG TSM70N900_F1901.pdf
Виробник: TAIWAN SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 2.7A; 50W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 2.7A
Power dissipation: 50W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.9Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 9.7nC
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
TSM70NB1R4CP ROG TSM70NB1R4CP_C1612.pdf
Виробник: TAIWAN SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 1.8A; 28W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 1.8A
Power dissipation: 28W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 7.4nC
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
TSM7NC60CF C0G pdf.php?pn=TSM7NC60CF
TSM7NC60CF C0G
Виробник: TAIWAN SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 4.4A; 44.6W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 4.4A
Power dissipation: 44.6W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 24nC
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
TSM7NC65CF C0G TSM7NC60CF_A1605.pdf
TSM7NC65CF C0G
Виробник: TAIWAN SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 4.4A; 44.6W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 4.4A
Power dissipation: 44.6W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.35Ω
Mounting: THT
Gate charge: 24nC
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
TSM7P06CP ROG TSM7P06_B1802.pdf
Виробник: TAIWAN SEMICONDUCTOR
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -4.4A; 15.6W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -4.4A
Power dissipation: 15.6W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8.2nC
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
TSM80N1R2CH C5G TSM80N1R2_B1706.pdf
Виробник: TAIWAN SEMICONDUCTOR
TSM80N1R2CH-C5G THT N channel transistors
товар відсутній
TSM80N1R2CI C0G TSM80N1R2CI_A1604.pdf
TSM80N1R2CI C0G
Виробник: TAIWAN SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 3.4A; 25W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 3.4A
Power dissipation: 25W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 19.4nC
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
TSM80N1R2CP ROG TSM80N1R2_B1706.pdf
Виробник: TAIWAN SEMICONDUCTOR
TSM80N1R2CP-ROG SMD N channel transistors
товар відсутній
TSM80N400CF C0G TSM80N400CF_B1704.pdf
Виробник: TAIWAN SEMICONDUCTOR
TSM80N400CF-C0G THT N channel transistors
товар відсутній
TSM80N950CH C5G TSM80N950_B1706.pdf
Виробник: TAIWAN SEMICONDUCTOR
TSM80N950CH-C5G THT N channel transistors
товар відсутній
TSM80N950CI C0G TSM80N950_B1706.pdf
TSM80N950CI C0G
Виробник: TAIWAN SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 3.8A; 25W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 3.8A
Power dissipation: 25W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.95Ω
Mounting: THT
Gate charge: 19.6nC
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
TSM80N950CP ROG TSM80N950_B1706.pdf
Виробник: TAIWAN SEMICONDUCTOR
TSM80N950CP-ROG SMD N channel transistors
товар відсутній
TSM850N06CX RFG TSM850N06CX_C1811.pdf
TSM850N06CX RFG
Виробник: TAIWAN SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 2.3A; 300mW; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 2.3A
Power dissipation: 0.3W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 85mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 9.5nC
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 187 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+61.92 грн
7+ 39.08 грн
25+ 26.31 грн
55+ 18.82 грн
150+ 17.77 грн
Мінімальне замовлення: 5
TSM8N80CZ C0G
Виробник: TAIWAN SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 4.9A; 250W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 4.9A
Power dissipation: 250W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 41nC
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
TSM900N06CH X0G TSM900N06CH_A2205.pdf
Виробник: TAIWAN SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 7A; 25W; IPAK SL
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 7A
Power dissipation: 25W
Case: IPAK SL
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 90mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 9.3nC
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
TSM900N06CW RPG TSM900N06CW_A2205.pdf
Виробник: TAIWAN SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 7A; 4.17W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 7A
Power dissipation: 4.17W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 90mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 9.3nC
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
TSM900N10CH X0G TSM900N10_A15.pdf
Виробник: TAIWAN SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 9.5A; 50W; IPAK SL
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 9.5A
Power dissipation: 50W
Case: IPAK SL
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 90mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 9.3nC
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
TSM9409CS RLG TSM9409_C15.pdf
TSM9409CS RLG
Виробник: TAIWAN SEMICONDUCTOR
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -3.5A; 2.1W; SOP8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -3.5A
Power dissipation: 2.1W
Case: SOP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 155mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 6nC
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
TSM950N10CW RPG TSM950N10_D1807.pdf
Виробник: TAIWAN SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 4.1A; 9W; SOT223
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 4.1A
On-state resistance: 95mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 9W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 9.3nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: SOT223
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
TSS0230LU RGG TSS0230LU_C1601.pdf
Виробник: TAIWAN SEMICONDUCTOR
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SMD; 35V; 0.2A; 0603B
Type of diode: Schottky rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 35V
Load current: 0.2A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 0.5V
Case: 0603B
Max. forward impulse current: 1A
кількість в упаковці: 5 шт
товар відсутній
TSS40U RGG TSS40U-RGG.pdf
TSS40U RGG
Виробник: TAIWAN SEMICONDUCTOR
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SMD; 40V; 0.2A; 0603; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 40V
Load current: 0.2A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 1V
Case: 0603
Kind of package: reel; tape
Max. forward impulse current: 0.6A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 580 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
20+14.73 грн
52+ 5.25 грн
100+ 4.53 грн
264+ 3.92 грн
727+ 3.66 грн
Мінімальне замовлення: 20
TSS42U RG TSS42U-RG.pdf
TSS42U RG
+1
Виробник: TAIWAN SEMICONDUCTOR
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SMD; 30V; 0.2A; 0603; reel,tape; 150mW
Type of diode: Schottky rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 30V
Load current: 0.2A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 1V
Case: 0603
Kind of package: reel; tape
Max. forward impulse current: 4A
Power dissipation: 0.15W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
24+12.01 грн
50+ 7.33 грн
188+ 5.4 грн
516+ 5.14 грн
Мінімальне замовлення: 24
TSS42U RGG TSS42U SERIES_D1601.pdf
TSS42U RGG
Виробник: TAIWAN SEMICONDUCTOR
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SMD; 30V; 0.2A; 0603
Type of diode: Schottky rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 30V
Load current: 0.2A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 1V
Case: 0603
Max. forward impulse current: 0.5A
кількість в упаковці: 5 шт
товар відсутній
TSS43U RGG
Виробник: TAIWAN SEMICONDUCTOR
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SMD; 30V; 0.2A; 0603
Type of diode: Schottky rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 30V
Load current: 0.2A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 1V
Case: 0603
Max. forward impulse current: 0.5A
кількість в упаковці: 5 шт
товар відсутній
TSS54U RGG TSS54U_C1601.pdf
Виробник: TAIWAN SEMICONDUCTOR
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SMD; 30V; 0.2A; 0603
Mounting: SMD
Case: 0603
Max. off-state voltage: 30V
Max. forward voltage: 1V
Load current: 0.2A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward impulse current: 0.3A
Type of diode: Schottky rectifying
кількість в упаковці: 5 шт
товар відсутній
TSS70U RGG TSS70U_C1601.pdf
Виробник: TAIWAN SEMICONDUCTOR
TSS70U-RGG SMD Schottky diodes
товар відсутній
TSZU52C10 RGG TSZU52C2V0 SERIES_G2009.pdf
Виробник: TAIWAN SEMICONDUCTOR
TSZU52C10-RGG SMD Zener diodes
на замовлення 590 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
22+13.32 грн
210+ 4.87 грн
575+ 4.6 грн
Мінімальне замовлення: 22
TSZU52C12 RGG TSZU52C2V0 SERIES_G2009.pdf
Виробник: TAIWAN SEMICONDUCTOR
Category: SMD Zener diodes
Description: Diode: Zener; 0.15W; 12V; 5mA; SMD; reel,tape; 0603; single diode
Type of diode: Zener
Power dissipation: 0.15W
Zener voltage: 12V
Zener current: 5mA
Mounting: SMD
Tolerance: ±5%
Kind of package: reel; tape
Case: 0603
Semiconductor structure: single diode
Leakage current: 100nA
товар відсутній
TSZU52C13 RGG
Виробник: TAIWAN SEMICONDUCTOR
Category: SMD Zener diodes
Description: Diode: Zener; 0.15W; 13V; 5mA; SMD; reel,tape; 0603; single diode
Type of diode: Zener
Power dissipation: 0.15W
Zener voltage: 13V
Zener current: 5mA
Mounting: SMD
Tolerance: ±5%
Kind of package: reel; tape
Case: 0603
Semiconductor structure: single diode
Leakage current: 0.1µA
кількість в упаковці: 5 шт
товар відсутній
TSZU52C15 RGG
Виробник: TAIWAN SEMICONDUCTOR
TSZU52C15-RGG SMD Zener diodes
товар відсутній
TSZU52C18 RGG TSZU52C2V0 SERIES_G2009.pdf
Виробник: TAIWAN SEMICONDUCTOR
TSZU52C18-RGG SMD Zener diodes
товар відсутній
TSZU52C2V2 RGG TSZU52C2V0 SERIES_G2009.pdf
Виробник: TAIWAN SEMICONDUCTOR
Category: SMD Zener diodes
Description: Diode: Zener; 0.15W; 2.2V; 5mA; SMD; reel,tape; 0603; single diode
Case: 0603
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Tolerance: ±5%
Semiconductor structure: single diode
Zener voltage: 2.2V
Zener current: 5mA
Leakage current: 0.1mA
Power dissipation: 0.15W
Type of diode: Zener
кількість в упаковці: 5 шт
товар відсутній
TSZU52C2V7 RGG
Виробник: TAIWAN SEMICONDUCTOR
TSZU52C2V7-RGG SMD Zener diodes
товар відсутній
TSZU52C3V3 RGG TSZU52C2V0%20SERIES_G2009.pdf
Виробник: TAIWAN SEMICONDUCTOR
TSZU52C3V3-RGG SMD Zener diodes
товар відсутній
TSZU52C3V9 RGG TSZU52C2V0%20SERIES_G2009.pdf
Виробник: TAIWAN SEMICONDUCTOR
TSZU52C3V9-RGG SMD Zener diodes
товар відсутній
TSZU52C4V3 RGG TSZU52C2V0%20SERIES_F1601.pdf
Виробник: TAIWAN SEMICONDUCTOR
Category: SMD Zener diodes
Description: Diode: Zener; 0.15W; 4.3V; 5mA; SMD; reel,tape; 0603; single diode
Type of diode: Zener
Power dissipation: 0.15W
Zener voltage: 4.3V
Zener current: 5mA
Mounting: SMD
Tolerance: ±5%
Kind of package: reel; tape
Case: 0603
Semiconductor structure: single diode
Leakage current: 5µA
кількість в упаковці: 5 шт
товар відсутній
TSZU52C4V7 RGG
Виробник: TAIWAN SEMICONDUCTOR
Category: SMD Zener diodes
Description: Diode: Zener; 0.15W; 4.7V; 5mA; SMD; reel,tape; 0603; single diode
Type of diode: Zener
Power dissipation: 0.15W
Zener voltage: 4.7V
Zener current: 5mA
Mounting: SMD
Tolerance: ±5%
Kind of package: reel; tape
Case: 0603
Semiconductor structure: single diode
Leakage current: 5µA
кількість в упаковці: 5 шт
товар відсутній
TSZU52C5V1 RGG TSZU52C2V0%20SERIES_F1601.pdf
Виробник: TAIWAN SEMICONDUCTOR
TSZU52C5V1-RGG SMD Zener diodes
товар відсутній
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 105 210 315 420 525 594 595 596 597 598 599 600 601 602 603 604 630 735 840 945 1050 1052  [ Наступна Сторінка >> ]