TSM7P06CP ROG

TSM7P06CP ROG Taiwan Semiconductor Corporation


TSM7P06_B1802.pdf Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: MOSFET P-CHANNEL 60V 7A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 15.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 425 pF @ 30 V
на замовлення 4003 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+40.71 грн
10+ 33.61 грн
100+ 23.27 грн
500+ 18.25 грн
1000+ 15.53 грн
Мінімальне замовлення: 8
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис TSM7P06CP ROG Taiwan Semiconductor Corporation

Description: MOSFET P-CHANNEL 60V 7A TO252, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 3A, 10V, Power Dissipation (Max): 15.6W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-252 (DPAK), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 425 pF @ 30 V.

Інші пропозиції TSM7P06CP ROG за ціною від 13.45 грн до 43.09 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
TSM7P06CP ROG TSM7P06CP ROG Виробник : Taiwan Semiconductor TSM7P06_B1802.pdf MOSFET -60V, -7A, Single P-Channel Power MOSFET
на замовлення 5804 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+43.09 грн
10+ 37.43 грн
100+ 22.58 грн
500+ 18.89 грн
1000+ 16.03 грн
2500+ 14.22 грн
5000+ 13.45 грн
Мінімальне замовлення: 8
TSM7P06CP ROG TSM7P06CP ROG Виробник : Taiwan Semiconductor tsm7p06_b1802.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
TSM7P06CP ROG TSM7P06CP ROG Виробник : Taiwan Semiconductor tsm7p06_b1802.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
TSM7P06CP ROG TSM7P06CP ROG Виробник : Taiwan Semiconductor tsm7p06_b1802.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
TSM7P06CP ROG Виробник : TAIWAN SEMICONDUCTOR TSM7P06_B1802.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -4.4A; 15.6W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -4.4A
Power dissipation: 15.6W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8.2nC
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
TSM7P06CP ROG TSM7P06CP ROG Виробник : Taiwan Semiconductor Corporation TSM7P06_B1802.pdf Description: MOSFET P-CHANNEL 60V 7A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 15.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 425 pF @ 30 V
товар відсутній
TSM7P06CP ROG Виробник : TAIWAN SEMICONDUCTOR TSM7P06_B1802.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -4.4A; 15.6W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -4.4A
Power dissipation: 15.6W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8.2nC
Kind of channel: enhanced
товар відсутній