TSM70N1R4CP ROG TAIWAN SEMICONDUCTOR
Виробник: TAIWAN SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 2A; 38W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 2A
Power dissipation: 38W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 7.7nC
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 2A; 38W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 2A
Power dissipation: 38W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 7.7nC
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис TSM70N1R4CP ROG TAIWAN SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 2A; 38W; DPAK, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 700V, Drain current: 2A, Power dissipation: 38W, Case: DPAK, Gate-source voltage: ±30V, On-state resistance: 1.4Ω, Mounting: SMD, Gate charge: 7.7nC, Kind of channel: enhanced, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції TSM70N1R4CP ROG
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
---|---|---|---|---|---|
TSM70N1R4CP ROG | Виробник : Taiwan Semiconductor Corporation | Description: MOSFET N-CH 700V 3.3A TO252 |
товар відсутній |
||
TSM70N1R4CP ROG | Виробник : Taiwan Semiconductor Corporation | Description: MOSFET N-CH 700V 3.3A TO252 |
товар відсутній |
||
TSM70N1R4CP ROG | Виробник : Taiwan Semiconductor Corporation | Description: MOSFET N-CH 700V 3.3A TO252 |
товар відсутній |
||
TSM70N1R4CP ROG | Виробник : TAIWAN SEMICONDUCTOR |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 2A; 38W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 700V Drain current: 2A Power dissipation: 38W Case: DPAK Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 1.4Ω Mounting: SMD Gate charge: 7.7nC Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |