TSM900N06CW RPG Taiwan Semiconductor Corporation
Виробник: Taiwan Semiconductor CorporationDescription: MOSFET N-CHANNEL 60V 6A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 7.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 525 pF @ 30 V
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 9.94 грн |
| 5000+ | 9.08 грн |
| 12500+ | 8.43 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис TSM900N06CW RPG Taiwan Semiconductor Corporation
Description: MOSFET N-CHANNEL 60V 6A SOT223, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-261-4, TO-261AA, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 3A, 10V, Power Dissipation (Max): 7.8W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-223, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 525 pF @ 30 V.
Інші пропозиції TSM900N06CW RPG за ціною від 8.13 грн до 32.44 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
TSM900N06CW RPG | Виробник : Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: MOSFET N-CHANNEL 60V 6A SOT223 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 3A, 10V Power Dissipation (Max): 7.8W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-223 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 525 pF @ 30 V |
на замовлення 13420 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
TSM900N06CW RPG | Виробник : Taiwan Semiconductor |
MOSFETs 60V, 5A, Single N-Channel Power MOSFET |
на замовлення 6367 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| TSM900N06CW RPG | Виробник : Taiwan Semiconductor Co., Ltd. |
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 100mOhm; 11A; 4,17W; -55°C ~ 150°C; TSM900N06CW RPG TSM900N06CW TTSM900n06cw кількість в упаковці: 25 шт |
на замовлення 75 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
 |
TSM900N06CW RPG | Виробник : Taiwan Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 11A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
 |
TSM900N06CW RPG | Виробник : Taiwan Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 11A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
TSM900N06CW RPG | Виробник : Taiwan Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 11A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
| TSM900N06CW RPG | Виробник : TAIWAN SEMICONDUCTOR |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 7A; 4.17W; SOT223 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 7A Power dissipation: 4.17W Case: SOT223 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 90mΩ Mounting: SMD Gate charge: 9.3nC Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
| TSM900N06CW RPG | Виробник : TAIWAN SEMICONDUCTOR |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 7A; 4.17W; SOT223 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 7A Power dissipation: 4.17W Case: SOT223 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 90mΩ Mounting: SMD Gate charge: 9.3nC Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |