TSM680P06CP ROG Taiwan Semiconductor Corporation
Виробник: Taiwan Semiconductor CorporationDescription: MOSFET P-CHANNEL 60V 18A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 68mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 20W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 30 V
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 19.22 грн |
| 5000+ | 17.53 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис TSM680P06CP ROG Taiwan Semiconductor Corporation
Description: MOSFET P-CHANNEL 60V 18A TO252, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 68mOhm @ 6A, 10V, Power Dissipation (Max): 20W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-252 (DPAK), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.4 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 30 V.
Інші пропозиції TSM680P06CP ROG за ціною від 17.94 грн до 55.07 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
TSM680P06CP ROG | Виробник : Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: MOSFET P-CHANNEL 60V 18A TO252 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 68mOhm @ 6A, 10V Power Dissipation (Max): 20W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252 (DPAK) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.4 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 30 V |
на замовлення 9857 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
TSM680P06CP ROG | Виробник : Taiwan Semiconductor |
MOSFET -60V, -14.5A, Single P-Channel Power MOSFET |
на замовлення 2603 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
TSM680P06CP ROG | Виробник : Taiwan Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 60V 18A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
 |
TSM680P06CP ROG | Виробник : Taiwan Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 60V 18A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
TSM680P06CP ROG | Виробник : Taiwan Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 60V 18A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
| TSM680P06CP ROG | Виробник : TAIWAN SEMICONDUCTOR |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -11A; 20W; DPAK Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -60V Drain current: -11A Power dissipation: 20W Case: DPAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 68mΩ Mounting: SMD Gate charge: 16.4nC Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
| TSM680P06CP ROG | Виробник : TAIWAN SEMICONDUCTOR |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -11A; 20W; DPAK Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -60V Drain current: -11A Power dissipation: 20W Case: DPAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 68mΩ Mounting: SMD Gate charge: 16.4nC Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |