TSM80N1R2CI C0G Taiwan Semiconductor
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис TSM80N1R2CI C0G Taiwan Semiconductor
Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 3.4A; 25W; TO220FP, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 800V, Drain current: 3.4A, Power dissipation: 25W, Case: TO220FP, Gate-source voltage: ±30V, On-state resistance: 1.2Ω, Mounting: THT, Gate charge: 19.4nC, Kind of channel: enhanced, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції TSM80N1R2CI C0G
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
TSM80N1R2CI C0G | Виробник : Taiwan Semiconductor Corporation |
 Description: MOSFET N-CH 800V 5.5A ITO220 |
на замовлення 975 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
 |
TSM80N1R2CI C0G | Виробник : TAIWAN SEMICONDUCTOR |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 3.4A; 25W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 3.4A Power dissipation: 25W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 1.2Ω Mounting: THT Gate charge: 19.4nC Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|
|
|
TSM80N1R2CI C0G | Виробник : TAIWAN SEMICONDUCTOR |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 3.4A; 25W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 3.4A Power dissipation: 25W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 1.2Ω Mounting: THT Gate charge: 19.4nC Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |