TSM70N1R4CH C5G TAIWAN SEMICONDUCTOR
![TSM70N1R4_D1706.pdf](/images/adobe-acrobat.png)
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 2A; 38W; IPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 2A
Power dissipation: 38W
Case: IPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 7.7nC
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис TSM70N1R4CH C5G TAIWAN SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 2A; 38W; IPAK, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 700V, Drain current: 2A, Power dissipation: 38W, Case: IPAK, Gate-source voltage: ±30V, On-state resistance: 1.4Ω, Mounting: THT, Gate charge: 7.7nC, Kind of channel: enhanced, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції TSM70N1R4CH C5G
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
---|---|---|---|---|---|
![]() |
TSM70N1R4CH C5G | Виробник : Taiwan Semiconductor Corporation |
![]() |
товар відсутній |
|
TSM70N1R4CH C5G | Виробник : TAIWAN SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 2A; 38W; IPAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 700V Drain current: 2A Power dissipation: 38W Case: IPAK Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 1.4Ω Mounting: THT Gate charge: 7.7nC Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |