Продукція > QORVO > Всі товари виробника QORVO (4918) > Сторінка 77 з 82

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 8 16 24 32 40 48 56 64 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
без ПДВ
UF3C065080T3S UF3C065080T3S Qorvo da008635 Description: MOSFET N-CH 650V 31A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 20A, 12V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V
на замовлення 7554 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+545.49 грн
25+ 446.19 грн
100+ 394.12 грн
250+ 320.33 грн
500+ 271.45 грн
1000+ 256.76 грн
UF3C065080T3S UF3C065080T3S Qorvo UF3C065080T3S_Data_Sheet-3177044.pdf MOSFET 650V/80mO,SICFET,G3,TO220-3
на замовлення 82 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+681.3 грн
25+ 570.75 грн
100+ 438.34 грн
250+ 379.66 грн
500+ 321.69 грн
1000+ 304.3 грн
5000+ 289.09 грн
UF3C065080T3S UF3C065080T3S QORVO da008635 Description: QORVO - UF3C065080T3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 31 A, 650 V, 0.08 ohm, TO-220
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 31A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 190W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 76 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+476.29 грн
5+ 445.4 грн
10+ 413.7 грн
50+ 357.74 грн
Мінімальне замовлення: 2
UF3C120040K3S UF3C120040K3S Qorvo da008636 Description: SICFET N-CH 1200V 65A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 40A, 12V
Power Dissipation (Max): 429W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1981.32 грн
25+ 1683.88 грн
100+ 1459.5 грн
250+ 1161.81 грн
UF3C120040K3S UF3C120040K3S QORVO da008636 Description: QORVO - UF3C120040K3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 65 A, 1.2 kV, 0.035 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 65A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 429W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 617 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2135.98 грн
5+ 1708.46 грн
10+ 1507.7 грн
50+ 1338.88 грн
100+ 1180.85 грн
200+ 1180.15 грн
500+ 1179.46 грн
UF3C120040K3S UF3C120040K3S Qorvo UF3C120040K3S_Data_Sheet-3177148.pdf SiC MOSFETs 1200V/40mOhms,SICFET,G3,TO247-3
на замовлення 193 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2569.68 грн
25+ 2235.51 грн
100+ 1684.54 грн
250+ 1425.88 грн
600+ 1349.81 грн
3000+ 1322.27 грн
5400+ 1282.42 грн
UF3C120040K4S UF3C120040K4S Qorvo da008637 Description: SICFET N-CH 1200V 65A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 40A, 12V
Power Dissipation (Max): 429W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 12 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V
на замовлення 553 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1981.32 грн
25+ 1683.88 грн
100+ 1459.5 грн
250+ 1161.81 грн
UF3C120040K4S UF3C120040K4S Qorvo UF3C120040K4S_Data_Sheet-3177198.pdf SiC MOSFETs 1200V/40mO,SICFET,G3,TO247-4
на замовлення 824 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2525.72 грн
25+ 2178.85 грн
100+ 1637.45 грн
250+ 1429.5 грн
600+ 1428.78 грн
3000+ 1369.37 грн
5400+ 1329.52 грн
UF3C120040K4S UF3C120040K4S QORVO da008637 Description: QORVO - UF3C120040K4S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 65 A, 1.2 kV, 0.035 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 65A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 429W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 374 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2070.14 грн
5+ 1935.22 грн
10+ 1799.49 грн
50+ 1556.24 грн
100+ 1330.63 грн
UF3C120080B7S UF3C120080B7S Qorvo da008638 Description: SICFET N-CH 1200V 28.8A D2PAK-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 20A, 12V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Part Status: Active
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 12 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 754 pF @ 100 V
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+559.54 грн
Мінімальне замовлення: 800
UF3C120080B7S UF3C120080B7S QORVO da008638 Description: QORVO - UF3C120080B7S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 28.8 A, 1.2 kV, 85 mohm, D2PAK
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 28.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 190W
Bauform - Transistor: D2PAK
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 85mohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 296 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+915.19 грн
5+ 855.04 грн
10+ 794.9 грн
50+ 709.44 грн
100+ 627.7 грн
250+ 601.22 грн
UF3C120080B7S UF3C120080B7S Qorvo UF3C120080B7S_Data_Sheet-3177207.pdf SiC MOSFETs 1200V/80mO,SICFET,G3,TO263-7
на замовлення 840 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1116.63 грн
25+ 963.19 грн
100+ 723.81 грн
250+ 631.79 грн
800+ 630.34 грн
2400+ 604.99 грн
4800+ 587.6 грн
UF3C120080B7S UF3C120080B7S Qorvo da008638 Description: SICFET N-CH 1200V 28.8A D2PAK-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 20A, 12V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Part Status: Active
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 12 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 754 pF @ 100 V
на замовлення 4885 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+667.76 грн
10+ 566.19 грн
100+ 538.82 грн
UF3C120080K3S UF3C120080K3S Qorvo da008639 Description: SICFET N-CH 1200V 33A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 20A, 12V
Power Dissipation (Max): 254.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V
на замовлення 17614 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1027.5 грн
25+ 872.7 грн
100+ 756.57 грн
250+ 600.37 грн
500+ 568.83 грн
UF3C120080K3S UF3C120080K3S Qorvo UF3C120080K3S_Data_Sheet-3177173.pdf SiC MOSFETs 1200V/80mO,SICFET,G3,TO247-3
на замовлення 1179 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1242.57 грн
25+ 1064.85 грн
100+ 799.16 грн
250+ 735.4 грн
600+ 713.67 грн
3000+ 660.77 грн
5400+ 638.31 грн
UF3C120080K3S UF3C120080K3S QORVO da008639 Description: QORVO - UF3C120080K3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 33 A, 1.2 kV, 0.08 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 33A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 254.2W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1033.04 грн
5+ 965.58 грн
10+ 898.12 грн
50+ 777.36 грн
100+ 664.62 грн
250+ 652.78 грн
UF3C120080K4S UF3C120080K4S QORVO da008640 Description: QORVO - UF3C120080K4S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 33 A, 1.2 kV, 0.08 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 33A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 254.2W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 551 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1033.85 грн
5+ 966.39 грн
10+ 898.93 грн
50+ 778.12 грн
100+ 665.32 грн
250+ 647.9 грн
UF3C120080K4S UF3C120080K4S Qorvo UF3C120080K4S_Data_Sheet-3177055.pdf SiC MOSFETs 1200V/80mO,SICFET,G3,TO247-4
на замовлення 436 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1262.86 грн
25+ 1089.01 грн
100+ 819.45 грн
250+ 714.39 грн
600+ 713.67 грн
3000+ 684.68 грн
5400+ 664.4 грн
UF3C120080K4S UF3C120080K4S Qorvo da008640 Description: SICFET N-CH 1200V 33A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 20A, 12V
Power Dissipation (Max): 254.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 12 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V
на замовлення 16475 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1047.87 грн
30+ 817.24 грн
120+ 769.18 грн
510+ 654.17 грн
1020+ 600.03 грн
UF3C120150B7S UF3C120150B7S Qorvo da008641 Description: 1200V/150MOHM, SIC, FAST CASCODE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 5A, 12V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 10mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25.7 nC @ 12 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 738 pF @ 100 V
на замовлення 2766 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+489.84 грн
25+ 416.21 грн
100+ 360.64 грн
250+ 287.07 грн
UF3C120150B7S UF3C120150B7S Qorvo UF3C120150B7S_Data_Sheet-3177065.pdf SiC MOSFETs 1200V/150mO,SICFET,G3,TO263-7
на замовлення 4071 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+629.74 грн
25+ 544.92 грн
100+ 410.09 грн
250+ 353.57 грн
800+ 352.85 грн
2400+ 344.15 грн
4800+ 338.36 грн
UF3C120150B7S UF3C120150B7S QORVO da008641 Description: QORVO - UF3C120150B7S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 17 A, 1.2 kV, 150 mohm, D2PAK
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: D2PAK
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 150mohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 362 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+512.05 грн
5+ 477.91 грн
10+ 443.78 грн
50+ 396.23 грн
100+ 351.12 грн
250+ 336.49 грн
Мінімальне замовлення: 2
UF3C120150B7S UF3C120150B7S Qorvo da008641 Description: 1200V/150MOHM, SIC, FAST CASCODE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 5A, 12V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 10mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25.7 nC @ 12 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 738 pF @ 100 V
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+317.66 грн
Мінімальне замовлення: 800
UF3C120150K4S UF3C120150K4S Qorvo UF3C120150K4S_Data_Sheet-3177199.pdf SiC MOSFETs 1200V/150mO,SICFET,G3,TO247-4
на замовлення 89 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+726.95 грн
25+ 622.41 грн
100+ 467.32 грн
250+ 430.37 грн
600+ 418.06 грн
3000+ 386.9 грн
5400+ 373.86 грн
UF3C120150K4S UF3C120150K4S Qorvo da008642 Description: SICFET N-CH 1200V 18.4A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 5A, 12V
Power Dissipation (Max): 166.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25.7 nC @ 12 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 738 pF @ 100 V
на замовлення 434 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+578.41 грн
25+ 491.48 грн
100+ 426.4 грн
250+ 339.56 грн
UF3C120150K4S UF3C120150K4S QORVO da008642 Description: QORVO - UF3C120150K4S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 18.4 A, 1.2 kV, 0.15 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.4V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 166.7W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 483 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+604.71 грн
5+ 564.88 грн
10+ 525.05 грн
50+ 454.34 грн
100+ 388.74 грн
250+ 384.56 грн
Мінімальне замовлення: 2
UF3C120400B7S UF3C120400B7S Qorvo da008946 Description: SICFET N-CH 1200V 7.6A D2PAK-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 515mOhm @ 5A, 12V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.5 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 739 pF @ 800 V
на замовлення 891 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+337.01 грн
25+ 286.73 грн
100+ 248.79 грн
250+ 197.22 грн
UF3C120400B7S UF3C120400B7S Qorvo UF3C120400B7S_Data_Sheet-3177191.pdf SiC MOSFETs UF3C120400B7S
на замовлення 2693 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+423.49 грн
25+ 362.45 грн
100+ 272.42 грн
250+ 250.69 грн
500+ 242.72 грн
2400+ 225.33 грн
4800+ 217.36 грн
UF3C120400B7S UF3C120400B7S Qorvo da008946 Description: SICFET N-CH 1200V 7.6A D2PAK-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 515mOhm @ 5A, 12V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.5 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 739 pF @ 800 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+218.23 грн
Мінімальне замовлення: 800
UF3C120400B7S UF3C120400B7S QORVO da008946 Description: QORVO - UF3C120400B7S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 7.6 A, 1.2 kV, 410 mohm, D2PAK
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 7.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: D2PAK
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 410mohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 280 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+363.31 грн
5+ 342.18 грн
10+ 321.05 грн
50+ 278.49 грн
100+ 238.96 грн
250+ 231.99 грн
Мінімальне замовлення: 3
UF3C120400K3S UF3C120400K3S Qorvo da008643 Description: SICFET N-CH 1200V 7.6A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 515mOhm @ 5A, 12V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 740 pF @ 100 V
на замовлення 581 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+524.33 грн
30+ 402.74 грн
120+ 360.35 грн
510+ 298.39 грн
UF3C120400K3S UF3C120400K3S Qorvo UF3C120400K3S_Data_Sheet-3177208.pdf SiC MOSFETs 1200V/400mO,SICFET,G3,TO247-3
на замовлення 1118 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+535.07 грн
25+ 459.1 грн
100+ 344.15 грн
250+ 316.62 грн
600+ 307.2 грн
3000+ 284.74 грн
5400+ 275.32 грн
UF3C120400K3S UF3C120400K3S QORVO da008643 Description: QORVO - UF3C120400K3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 7.6 A, 1.2 kV, 0.41 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.7V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.41ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 266 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+444.59 грн
5+ 416.14 грн
10+ 386.88 грн
50+ 335.1 грн
100+ 286.33 грн
250+ 283.54 грн
Мінімальне замовлення: 2
UF3C170400B7S UF3C170400B7S Qorvo da008948 Description: SICFET N-CH 1700V 7.6A D2PAK-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 515mOhm @ 5A, 12V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23.1 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 734 pF @ 1200 V
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+286.87 грн
Мінімальне замовлення: 800
UF3C170400B7S UF3C170400B7S Qorvo da008948 Description: SICFET N-CH 1700V 7.6A D2PAK-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 515mOhm @ 5A, 12V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23.1 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 734 pF @ 1200 V
на замовлення 4153 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+442.04 грн
25+ 375.55 грн
100+ 325.39 грн
250+ 259.24 грн
UF3C170400B7S UF3C170400B7S Qorvo UF3C170400B7S_Data_Sheet-3177196.pdf SiC MOSFETs UF3C170400B7S
на замовлення 1250 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+555.35 грн
25+ 475.76 грн
100+ 356.47 грн
250+ 328.94 грн
500+ 319.52 грн
2400+ 295.61 грн
4800+ 285.47 грн
UF3C170400B7S UF3C170400B7S QORVO da008948 Description: QORVO - UF3C170400B7S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 7.6 A, 1.7 kV, 410 mohm, D2PAK
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.7kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 7.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: D2PAK
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 410mohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 370 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+477.1 грн
5+ 448.65 грн
10+ 420.21 грн
50+ 364.53 грн
100+ 312.11 грн
250+ 293.99 грн
Мінімальне замовлення: 2
UF3C170400K3S UF3C170400K3S QORVO da008644 Description: QORVO - UF3C170400K3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 7.6 A, 1.7 kV, 0.41 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.7kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.7V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.41ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 178 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+543.75 грн
5+ 507.99 грн
10+ 472.22 грн
50+ 421.89 грн
100+ 374.81 грн
Мінімальне замовлення: 2
UF3C170400K3S UF3C170400K3S Qorvo da008644 Description: SICFET N-CH 1700V 7.6A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 515mOhm @ 5A, 12V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27.5 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 740 pF @ 100 V
на замовлення 75991 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+539.22 грн
25+ 458.87 грн
100+ 397.63 грн
250+ 315.71 грн
500+ 298.86 грн
UF3C170400K3S UF3C170400K3S Qorvo UF3C170400K3S_Data_Sheet-3177209.pdf MOSFET 1700V/400mO,SICFET,G3,TO247-3
на замовлення 4960 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+558.74 грн
25+ 439.94 грн
100+ 354.3 грн
600+ 353.57 грн
10200+ 352.85 грн
UF3N170400B7S UF3N170400B7S Qorvo da008645 Description: JFET N-CH 1.7KV 6.8A D2PAK-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 225pF @ 100V
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 1700 V
Current Drain (Id) - Max: 6.8 A
Supplier Device Package: D2PAK-7
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Power - Max: 68 W
Resistance - RDS(On): 500 mOhms
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 2.2 µA @ 1700 V
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+345.2 грн
Мінімальне замовлення: 800
UF3N170400B7S UF3N170400B7S Qorvo da008645 Description: JFET N-CH 1.7KV 6.8A D2PAK-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 225pF @ 100V
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 1700 V
Current Drain (Id) - Max: 6.8 A
Supplier Device Package: D2PAK-7
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Power - Max: 68 W
Resistance - RDS(On): 500 mOhms
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 2.2 µA @ 1700 V
на замовлення 12526 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+532.17 грн
25+ 452.71 грн
100+ 392.3 грн
250+ 311.96 грн
UF3N170400B7S UF3N170400B7S Qorvo UF3N170400B7S_Data_Sheet-3177149.pdf JFETs 1700V/400mO,SIC,JFET,G3,TO263-7
на замовлення 1148 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+653.41 грн
25+ 559.92 грн
100+ 420.23 грн
250+ 386.9 грн
500+ 374.58 грн
2400+ 347.78 грн
4800+ 335.46 грн
UF3SC065007K4S UF3SC065007K4S Qorvo UF3SC065007K4S_Data_Sheet-3177075.pdf MOSFET 650V/7mOhms,SiCFET,G3,TO247-4
на замовлення 167 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+6928.83 грн
25+ 6489.07 грн
100+ 5360.1 грн
250+ 4755.11 грн
600+ 4502.97 грн
3000+ 4413.13 грн
5400+ 4278.37 грн
UF3SC065007K4S UF3SC065007K4S Qorvo da008646 Description: MOSFET N-CH 650V 120A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 50A, 12V
Power Dissipation (Max): 789W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 214 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8360 pF @ 100 V
на замовлення 1580 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+5472.93 грн
25+ 5006.95 грн
100+ 4756.27 грн
UF3SC065007K4S UF3SC065007K4S QORVO da008646 Description: QORVO - UF3SC065007K4S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 120 A, 650 V, 0.0067 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.7V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 789W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0067ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 342 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+5760.16 грн
5+ 5616.29 грн
10+ 5472.43 грн
50+ 5041.54 грн
UF3SC065030B7S UF3SC065030B7S Qorvo UF3SC065030B7S_Data_Sheet-3177150.pdf SiC MOSFETs 650V/30mO,SICFET,G3,TO263-7
на замовлення 593 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1526.59 грн
25+ 1307.31 грн
100+ 981.02 грн
250+ 902.77 грн
500+ 875.96 грн
2400+ 811.48 грн
4800+ 783.95 грн
UF3SC065030B7S UF3SC065030B7S QORVO da008647 Description: QORVO - UF3SC065030B7S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 62 A, 650 V, 27 mohm, D2PAK
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 62A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 214W
Bauform - Transistor: D2PAK
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 27mohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1269.56 грн
5+ 1186.66 грн
10+ 1102.94 грн
50+ 953.97 грн
100+ 815.8 грн
250+ 807.44 грн
UF3SC065030B7S UF3SC065030B7S Qorvo da008647 Description: 650V/30MOHM, SIC, STACKED FAST C
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 62A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 40A, 12V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 12 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+787.56 грн
Мінімальне замовлення: 800
UF3SC065030B7S UF3SC065030B7S Qorvo da008647 Description: 650V/30MOHM, SIC, STACKED FAST C
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 62A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 40A, 12V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 12 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V
на замовлення 2625 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1214.81 грн
25+ 1032.43 грн
100+ 894.82 грн
250+ 711.72 грн
UF3SC065040B7S UF3SC065040B7S Qorvo UF3SC065040B7S_Data_Sheet-3177163.pdf SiC MOSFETs 650V/40mO,SICFET,G3,TO263-7
на замовлення 907 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1072.67 грн
25+ 924.87 грн
100+ 695.55 грн
250+ 606.43 грн
2400+ 581.08 грн
4800+ 564.41 грн
9600+ 553.54 грн
UF3SC065040B7S UF3SC065040B7S QORVO da008649 Description: QORVO - UF3SC065040B7S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 43 A, 650 V, 42 mohm, D2PAK
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 43A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 195W
Bauform - Transistor: D2PAK
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 42mohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 270 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+879.43 грн
5+ 821.72 грн
10+ 764.01 грн
50+ 681.51 грн
100+ 603.31 грн
250+ 577.54 грн
UF3SC065040B7S UF3SC065040B7S Qorvo da008649 Description: 650V/40MOHM, SIC, STACKED FAST C
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 30A, 12V
Power Dissipation (Max): 195W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 12 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+537.53 грн
Мінімальне замовлення: 800
UF3SC065040B7S UF3SC065040B7S Qorvo da008649 Description: 650V/40MOHM, SIC, STACKED FAST C
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 30A, 12V
Power Dissipation (Max): 195W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 12 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V
на замовлення 8464 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+641.11 грн
10+ 543.93 грн
100+ 517.62 грн
UF3SC065040D8S UF3SC065040D8S Qorvo da008650 Description: SICFET N-CH 650V 18A 4DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-PowerTSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 20A, 12V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: 4-DFN (8x8)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 12 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V
товар відсутній
UF3SC120009K4S UF3SC120009K4S Qorvo UF3SC120009K4S_Data_Sheet-3177200.pdf SiC MOSFETs 1200V/9mOhms,SICFET,G3,TO247-4
на замовлення 951 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+5625.4 грн
3000+ 5533.37 грн
5400+ 4802.21 грн
10200+ 4794.24 грн
UF3SC120009K4S UF3SC120009K4S QORVO da008651 Description: QORVO - UF3SC120009K4S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 120 A, 1.2 kV, 0.0086 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.7V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 789W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0086ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 514 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+5913.77 грн
5+ 5773.16 грн
10+ 5631.74 грн
50+ 5098.9 грн
UF3SC120009K4S UF3SC120009K4S Qorvo da008651 Description: SICFET N-CH 1200V 120A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 100A, 12V
Power Dissipation (Max): 789W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 234 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8512 pF @ 100 V
на замовлення 983 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+5610.87 грн
25+ 4894.4 грн
100+ 4388.01 грн
UF3SC120016K3S UF3SC120016K3S QORVO da008652 Description: QORVO - UF3SC120016K3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 107 A, 1.2 kV, 0.016 ohm, TO-247
tariffCode: 85411000
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 107A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.7V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 517W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 910 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+4037.88 грн
5+ 3773.73 грн
10+ 3508.76 грн
50+ 2812.1 грн
UF3SC120016K3S UF3SC120016K3S Qorvo da008652 Description: SICFET N-CH 1200V 107A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 107A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 50A, 12V
Power Dissipation (Max): 517W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 218 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7824 pF @ 800 V
на замовлення 1223 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3426.56 грн
25+ 2940.01 грн
100+ 2580.06 грн
250+ 2300.42 грн
UF3C065080T3S da008635
UF3C065080T3S
Виробник: Qorvo
Description: MOSFET N-CH 650V 31A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 20A, 12V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V
на замовлення 7554 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+545.49 грн
25+ 446.19 грн
100+ 394.12 грн
250+ 320.33 грн
500+ 271.45 грн
1000+ 256.76 грн
UF3C065080T3S UF3C065080T3S_Data_Sheet-3177044.pdf
UF3C065080T3S
Виробник: Qorvo
MOSFET 650V/80mO,SICFET,G3,TO220-3
на замовлення 82 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+681.3 грн
25+ 570.75 грн
100+ 438.34 грн
250+ 379.66 грн
500+ 321.69 грн
1000+ 304.3 грн
5000+ 289.09 грн
UF3C065080T3S da008635
UF3C065080T3S
Виробник: QORVO
Description: QORVO - UF3C065080T3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 31 A, 650 V, 0.08 ohm, TO-220
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 31A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 190W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 76 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+476.29 грн
5+ 445.4 грн
10+ 413.7 грн
50+ 357.74 грн
Мінімальне замовлення: 2
UF3C120040K3S da008636
UF3C120040K3S
Виробник: Qorvo
Description: SICFET N-CH 1200V 65A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 40A, 12V
Power Dissipation (Max): 429W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1981.32 грн
25+ 1683.88 грн
100+ 1459.5 грн
250+ 1161.81 грн
UF3C120040K3S da008636
UF3C120040K3S
Виробник: QORVO
Description: QORVO - UF3C120040K3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 65 A, 1.2 kV, 0.035 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 65A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 429W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 617 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+2135.98 грн
5+ 1708.46 грн
10+ 1507.7 грн
50+ 1338.88 грн
100+ 1180.85 грн
200+ 1180.15 грн
500+ 1179.46 грн
UF3C120040K3S UF3C120040K3S_Data_Sheet-3177148.pdf
UF3C120040K3S
Виробник: Qorvo
SiC MOSFETs 1200V/40mOhms,SICFET,G3,TO247-3
на замовлення 193 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+2569.68 грн
25+ 2235.51 грн
100+ 1684.54 грн
250+ 1425.88 грн
600+ 1349.81 грн
3000+ 1322.27 грн
5400+ 1282.42 грн
UF3C120040K4S da008637
UF3C120040K4S
Виробник: Qorvo
Description: SICFET N-CH 1200V 65A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 40A, 12V
Power Dissipation (Max): 429W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 12 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V
на замовлення 553 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1981.32 грн
25+ 1683.88 грн
100+ 1459.5 грн
250+ 1161.81 грн
UF3C120040K4S UF3C120040K4S_Data_Sheet-3177198.pdf
UF3C120040K4S
Виробник: Qorvo
SiC MOSFETs 1200V/40mO,SICFET,G3,TO247-4
на замовлення 824 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+2525.72 грн
25+ 2178.85 грн
100+ 1637.45 грн
250+ 1429.5 грн
600+ 1428.78 грн
3000+ 1369.37 грн
5400+ 1329.52 грн
UF3C120040K4S da008637
UF3C120040K4S
Виробник: QORVO
Description: QORVO - UF3C120040K4S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 65 A, 1.2 kV, 0.035 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 65A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 429W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 374 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+2070.14 грн
5+ 1935.22 грн
10+ 1799.49 грн
50+ 1556.24 грн
100+ 1330.63 грн
UF3C120080B7S da008638
UF3C120080B7S
Виробник: Qorvo
Description: SICFET N-CH 1200V 28.8A D2PAK-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 20A, 12V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Part Status: Active
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 12 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 754 pF @ 100 V
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
800+559.54 грн
Мінімальне замовлення: 800
UF3C120080B7S da008638
UF3C120080B7S
Виробник: QORVO
Description: QORVO - UF3C120080B7S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 28.8 A, 1.2 kV, 85 mohm, D2PAK
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 28.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 190W
Bauform - Transistor: D2PAK
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 85mohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 296 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+915.19 грн
5+ 855.04 грн
10+ 794.9 грн
50+ 709.44 грн
100+ 627.7 грн
250+ 601.22 грн
UF3C120080B7S UF3C120080B7S_Data_Sheet-3177207.pdf
UF3C120080B7S
Виробник: Qorvo
SiC MOSFETs 1200V/80mO,SICFET,G3,TO263-7
на замовлення 840 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1116.63 грн
25+ 963.19 грн
100+ 723.81 грн
250+ 631.79 грн
800+ 630.34 грн
2400+ 604.99 грн
4800+ 587.6 грн
UF3C120080B7S da008638
UF3C120080B7S
Виробник: Qorvo
Description: SICFET N-CH 1200V 28.8A D2PAK-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 20A, 12V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Part Status: Active
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 12 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 754 pF @ 100 V
на замовлення 4885 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+667.76 грн
10+ 566.19 грн
100+ 538.82 грн
UF3C120080K3S da008639
UF3C120080K3S
Виробник: Qorvo
Description: SICFET N-CH 1200V 33A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 20A, 12V
Power Dissipation (Max): 254.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V
на замовлення 17614 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1027.5 грн
25+ 872.7 грн
100+ 756.57 грн
250+ 600.37 грн
500+ 568.83 грн
UF3C120080K3S UF3C120080K3S_Data_Sheet-3177173.pdf
UF3C120080K3S
Виробник: Qorvo
SiC MOSFETs 1200V/80mO,SICFET,G3,TO247-3
на замовлення 1179 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1242.57 грн
25+ 1064.85 грн
100+ 799.16 грн
250+ 735.4 грн
600+ 713.67 грн
3000+ 660.77 грн
5400+ 638.31 грн
UF3C120080K3S da008639
UF3C120080K3S
Виробник: QORVO
Description: QORVO - UF3C120080K3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 33 A, 1.2 kV, 0.08 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 33A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 254.2W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1033.04 грн
5+ 965.58 грн
10+ 898.12 грн
50+ 777.36 грн
100+ 664.62 грн
250+ 652.78 грн
UF3C120080K4S da008640
UF3C120080K4S
Виробник: QORVO
Description: QORVO - UF3C120080K4S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 33 A, 1.2 kV, 0.08 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 33A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 254.2W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 551 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1033.85 грн
5+ 966.39 грн
10+ 898.93 грн
50+ 778.12 грн
100+ 665.32 грн
250+ 647.9 грн
UF3C120080K4S UF3C120080K4S_Data_Sheet-3177055.pdf
UF3C120080K4S
Виробник: Qorvo
SiC MOSFETs 1200V/80mO,SICFET,G3,TO247-4
на замовлення 436 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1262.86 грн
25+ 1089.01 грн
100+ 819.45 грн
250+ 714.39 грн
600+ 713.67 грн
3000+ 684.68 грн
5400+ 664.4 грн
UF3C120080K4S da008640
UF3C120080K4S
Виробник: Qorvo
Description: SICFET N-CH 1200V 33A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 20A, 12V
Power Dissipation (Max): 254.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 12 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V
на замовлення 16475 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1047.87 грн
30+ 817.24 грн
120+ 769.18 грн
510+ 654.17 грн
1020+ 600.03 грн
UF3C120150B7S da008641
UF3C120150B7S
Виробник: Qorvo
Description: 1200V/150MOHM, SIC, FAST CASCODE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 5A, 12V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 10mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25.7 nC @ 12 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 738 pF @ 100 V
на замовлення 2766 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+489.84 грн
25+ 416.21 грн
100+ 360.64 грн
250+ 287.07 грн
UF3C120150B7S UF3C120150B7S_Data_Sheet-3177065.pdf
UF3C120150B7S
Виробник: Qorvo
SiC MOSFETs 1200V/150mO,SICFET,G3,TO263-7
на замовлення 4071 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+629.74 грн
25+ 544.92 грн
100+ 410.09 грн
250+ 353.57 грн
800+ 352.85 грн
2400+ 344.15 грн
4800+ 338.36 грн
UF3C120150B7S da008641
UF3C120150B7S
Виробник: QORVO
Description: QORVO - UF3C120150B7S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 17 A, 1.2 kV, 150 mohm, D2PAK
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: D2PAK
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 150mohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 362 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+512.05 грн
5+ 477.91 грн
10+ 443.78 грн
50+ 396.23 грн
100+ 351.12 грн
250+ 336.49 грн
Мінімальне замовлення: 2
UF3C120150B7S da008641
UF3C120150B7S
Виробник: Qorvo
Description: 1200V/150MOHM, SIC, FAST CASCODE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 5A, 12V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 10mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25.7 nC @ 12 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 738 pF @ 100 V
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
800+317.66 грн
Мінімальне замовлення: 800
UF3C120150K4S UF3C120150K4S_Data_Sheet-3177199.pdf
UF3C120150K4S
Виробник: Qorvo
SiC MOSFETs 1200V/150mO,SICFET,G3,TO247-4
на замовлення 89 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+726.95 грн
25+ 622.41 грн
100+ 467.32 грн
250+ 430.37 грн
600+ 418.06 грн
3000+ 386.9 грн
5400+ 373.86 грн
UF3C120150K4S da008642
UF3C120150K4S
Виробник: Qorvo
Description: SICFET N-CH 1200V 18.4A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 5A, 12V
Power Dissipation (Max): 166.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25.7 nC @ 12 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 738 pF @ 100 V
на замовлення 434 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+578.41 грн
25+ 491.48 грн
100+ 426.4 грн
250+ 339.56 грн
UF3C120150K4S da008642
UF3C120150K4S
Виробник: QORVO
Description: QORVO - UF3C120150K4S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 18.4 A, 1.2 kV, 0.15 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.4V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 166.7W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 483 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+604.71 грн
5+ 564.88 грн
10+ 525.05 грн
50+ 454.34 грн
100+ 388.74 грн
250+ 384.56 грн
Мінімальне замовлення: 2
UF3C120400B7S da008946
UF3C120400B7S
Виробник: Qorvo
Description: SICFET N-CH 1200V 7.6A D2PAK-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 515mOhm @ 5A, 12V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.5 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 739 pF @ 800 V
на замовлення 891 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+337.01 грн
25+ 286.73 грн
100+ 248.79 грн
250+ 197.22 грн
UF3C120400B7S UF3C120400B7S_Data_Sheet-3177191.pdf
UF3C120400B7S
Виробник: Qorvo
SiC MOSFETs UF3C120400B7S
на замовлення 2693 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+423.49 грн
25+ 362.45 грн
100+ 272.42 грн
250+ 250.69 грн
500+ 242.72 грн
2400+ 225.33 грн
4800+ 217.36 грн
UF3C120400B7S da008946
UF3C120400B7S
Виробник: Qorvo
Description: SICFET N-CH 1200V 7.6A D2PAK-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 515mOhm @ 5A, 12V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.5 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 739 pF @ 800 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
800+218.23 грн
Мінімальне замовлення: 800
UF3C120400B7S da008946
UF3C120400B7S
Виробник: QORVO
Description: QORVO - UF3C120400B7S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 7.6 A, 1.2 kV, 410 mohm, D2PAK
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 7.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: D2PAK
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 410mohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 280 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+363.31 грн
5+ 342.18 грн
10+ 321.05 грн
50+ 278.49 грн
100+ 238.96 грн
250+ 231.99 грн
Мінімальне замовлення: 3
UF3C120400K3S da008643
UF3C120400K3S
Виробник: Qorvo
Description: SICFET N-CH 1200V 7.6A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 515mOhm @ 5A, 12V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 740 pF @ 100 V
на замовлення 581 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+524.33 грн
30+ 402.74 грн
120+ 360.35 грн
510+ 298.39 грн
UF3C120400K3S UF3C120400K3S_Data_Sheet-3177208.pdf
UF3C120400K3S
Виробник: Qorvo
SiC MOSFETs 1200V/400mO,SICFET,G3,TO247-3
на замовлення 1118 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+535.07 грн
25+ 459.1 грн
100+ 344.15 грн
250+ 316.62 грн
600+ 307.2 грн
3000+ 284.74 грн
5400+ 275.32 грн
UF3C120400K3S da008643
UF3C120400K3S
Виробник: QORVO
Description: QORVO - UF3C120400K3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 7.6 A, 1.2 kV, 0.41 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.7V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.41ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 266 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+444.59 грн
5+ 416.14 грн
10+ 386.88 грн
50+ 335.1 грн
100+ 286.33 грн
250+ 283.54 грн
Мінімальне замовлення: 2
UF3C170400B7S da008948
UF3C170400B7S
Виробник: Qorvo
Description: SICFET N-CH 1700V 7.6A D2PAK-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 515mOhm @ 5A, 12V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23.1 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 734 pF @ 1200 V
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
800+286.87 грн
Мінімальне замовлення: 800
UF3C170400B7S da008948
UF3C170400B7S
Виробник: Qorvo
Description: SICFET N-CH 1700V 7.6A D2PAK-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 515mOhm @ 5A, 12V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23.1 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 734 pF @ 1200 V
на замовлення 4153 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+442.04 грн
25+ 375.55 грн
100+ 325.39 грн
250+ 259.24 грн
UF3C170400B7S UF3C170400B7S_Data_Sheet-3177196.pdf
UF3C170400B7S
Виробник: Qorvo
SiC MOSFETs UF3C170400B7S
на замовлення 1250 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+555.35 грн
25+ 475.76 грн
100+ 356.47 грн
250+ 328.94 грн
500+ 319.52 грн
2400+ 295.61 грн
4800+ 285.47 грн
UF3C170400B7S da008948
UF3C170400B7S
Виробник: QORVO
Description: QORVO - UF3C170400B7S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 7.6 A, 1.7 kV, 410 mohm, D2PAK
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.7kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 7.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: D2PAK
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 410mohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 370 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+477.1 грн
5+ 448.65 грн
10+ 420.21 грн
50+ 364.53 грн
100+ 312.11 грн
250+ 293.99 грн
Мінімальне замовлення: 2
UF3C170400K3S da008644
UF3C170400K3S
Виробник: QORVO
Description: QORVO - UF3C170400K3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 7.6 A, 1.7 kV, 0.41 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.7kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.7V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.41ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 178 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+543.75 грн
5+ 507.99 грн
10+ 472.22 грн
50+ 421.89 грн
100+ 374.81 грн
Мінімальне замовлення: 2
UF3C170400K3S da008644
UF3C170400K3S
Виробник: Qorvo
Description: SICFET N-CH 1700V 7.6A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 515mOhm @ 5A, 12V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27.5 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 740 pF @ 100 V
на замовлення 75991 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+539.22 грн
25+ 458.87 грн
100+ 397.63 грн
250+ 315.71 грн
500+ 298.86 грн
UF3C170400K3S UF3C170400K3S_Data_Sheet-3177209.pdf
UF3C170400K3S
Виробник: Qorvo
MOSFET 1700V/400mO,SICFET,G3,TO247-3
на замовлення 4960 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+558.74 грн
25+ 439.94 грн
100+ 354.3 грн
600+ 353.57 грн
10200+ 352.85 грн
UF3N170400B7S da008645
UF3N170400B7S
Виробник: Qorvo
Description: JFET N-CH 1.7KV 6.8A D2PAK-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 225pF @ 100V
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 1700 V
Current Drain (Id) - Max: 6.8 A
Supplier Device Package: D2PAK-7
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Power - Max: 68 W
Resistance - RDS(On): 500 mOhms
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 2.2 µA @ 1700 V
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
800+345.2 грн
Мінімальне замовлення: 800
UF3N170400B7S da008645
UF3N170400B7S
Виробник: Qorvo
Description: JFET N-CH 1.7KV 6.8A D2PAK-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 225pF @ 100V
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 1700 V
Current Drain (Id) - Max: 6.8 A
Supplier Device Package: D2PAK-7
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Power - Max: 68 W
Resistance - RDS(On): 500 mOhms
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 2.2 µA @ 1700 V
на замовлення 12526 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+532.17 грн
25+ 452.71 грн
100+ 392.3 грн
250+ 311.96 грн
UF3N170400B7S UF3N170400B7S_Data_Sheet-3177149.pdf
UF3N170400B7S
Виробник: Qorvo
JFETs 1700V/400mO,SIC,JFET,G3,TO263-7
на замовлення 1148 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+653.41 грн
25+ 559.92 грн
100+ 420.23 грн
250+ 386.9 грн
500+ 374.58 грн
2400+ 347.78 грн
4800+ 335.46 грн
UF3SC065007K4S UF3SC065007K4S_Data_Sheet-3177075.pdf
UF3SC065007K4S
Виробник: Qorvo
MOSFET 650V/7mOhms,SiCFET,G3,TO247-4
на замовлення 167 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+6928.83 грн
25+ 6489.07 грн
100+ 5360.1 грн
250+ 4755.11 грн
600+ 4502.97 грн
3000+ 4413.13 грн
5400+ 4278.37 грн
UF3SC065007K4S da008646
UF3SC065007K4S
Виробник: Qorvo
Description: MOSFET N-CH 650V 120A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 50A, 12V
Power Dissipation (Max): 789W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 214 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8360 pF @ 100 V
на замовлення 1580 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+5472.93 грн
25+ 5006.95 грн
100+ 4756.27 грн
UF3SC065007K4S da008646
UF3SC065007K4S
Виробник: QORVO
Description: QORVO - UF3SC065007K4S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 120 A, 650 V, 0.0067 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.7V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 789W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0067ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 342 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+5760.16 грн
5+ 5616.29 грн
10+ 5472.43 грн
50+ 5041.54 грн
UF3SC065030B7S UF3SC065030B7S_Data_Sheet-3177150.pdf
UF3SC065030B7S
Виробник: Qorvo
SiC MOSFETs 650V/30mO,SICFET,G3,TO263-7
на замовлення 593 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1526.59 грн
25+ 1307.31 грн
100+ 981.02 грн
250+ 902.77 грн
500+ 875.96 грн
2400+ 811.48 грн
4800+ 783.95 грн
UF3SC065030B7S da008647
UF3SC065030B7S
Виробник: QORVO
Description: QORVO - UF3SC065030B7S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 62 A, 650 V, 27 mohm, D2PAK
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 62A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 214W
Bauform - Transistor: D2PAK
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 27mohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1269.56 грн
5+ 1186.66 грн
10+ 1102.94 грн
50+ 953.97 грн
100+ 815.8 грн
250+ 807.44 грн
UF3SC065030B7S da008647
UF3SC065030B7S
Виробник: Qorvo
Description: 650V/30MOHM, SIC, STACKED FAST C
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 62A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 40A, 12V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 12 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
800+787.56 грн
Мінімальне замовлення: 800
UF3SC065030B7S da008647
UF3SC065030B7S
Виробник: Qorvo
Description: 650V/30MOHM, SIC, STACKED FAST C
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 62A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 40A, 12V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 12 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V
на замовлення 2625 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1214.81 грн
25+ 1032.43 грн
100+ 894.82 грн
250+ 711.72 грн
UF3SC065040B7S UF3SC065040B7S_Data_Sheet-3177163.pdf
UF3SC065040B7S
Виробник: Qorvo
SiC MOSFETs 650V/40mO,SICFET,G3,TO263-7
на замовлення 907 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1072.67 грн
25+ 924.87 грн
100+ 695.55 грн
250+ 606.43 грн
2400+ 581.08 грн
4800+ 564.41 грн
9600+ 553.54 грн
UF3SC065040B7S da008649
UF3SC065040B7S
Виробник: QORVO
Description: QORVO - UF3SC065040B7S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 43 A, 650 V, 42 mohm, D2PAK
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 43A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 195W
Bauform - Transistor: D2PAK
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 42mohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 270 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+879.43 грн
5+ 821.72 грн
10+ 764.01 грн
50+ 681.51 грн
100+ 603.31 грн
250+ 577.54 грн
UF3SC065040B7S da008649
UF3SC065040B7S
Виробник: Qorvo
Description: 650V/40MOHM, SIC, STACKED FAST C
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 30A, 12V
Power Dissipation (Max): 195W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 12 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
800+537.53 грн
Мінімальне замовлення: 800
UF3SC065040B7S da008649
UF3SC065040B7S
Виробник: Qorvo
Description: 650V/40MOHM, SIC, STACKED FAST C
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 30A, 12V
Power Dissipation (Max): 195W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 12 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V
на замовлення 8464 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+641.11 грн
10+ 543.93 грн
100+ 517.62 грн
UF3SC065040D8S da008650
UF3SC065040D8S
Виробник: Qorvo
Description: SICFET N-CH 650V 18A 4DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-PowerTSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 20A, 12V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: 4-DFN (8x8)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 12 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V
товар відсутній
UF3SC120009K4S UF3SC120009K4S_Data_Sheet-3177200.pdf
UF3SC120009K4S
Виробник: Qorvo
SiC MOSFETs 1200V/9mOhms,SICFET,G3,TO247-4
на замовлення 951 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+5625.4 грн
3000+ 5533.37 грн
5400+ 4802.21 грн
10200+ 4794.24 грн
UF3SC120009K4S da008651
UF3SC120009K4S
Виробник: QORVO
Description: QORVO - UF3SC120009K4S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 120 A, 1.2 kV, 0.0086 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.7V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 789W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0086ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 514 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+5913.77 грн
5+ 5773.16 грн
10+ 5631.74 грн
50+ 5098.9 грн
UF3SC120009K4S da008651
UF3SC120009K4S
Виробник: Qorvo
Description: SICFET N-CH 1200V 120A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 100A, 12V
Power Dissipation (Max): 789W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 234 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8512 pF @ 100 V
на замовлення 983 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+5610.87 грн
25+ 4894.4 грн
100+ 4388.01 грн
UF3SC120016K3S da008652
UF3SC120016K3S
Виробник: QORVO
Description: QORVO - UF3SC120016K3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 107 A, 1.2 kV, 0.016 ohm, TO-247
tariffCode: 85411000
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 107A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.7V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 517W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 910 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+4037.88 грн
5+ 3773.73 грн
10+ 3508.76 грн
50+ 2812.1 грн
UF3SC120016K3S da008652
UF3SC120016K3S
Виробник: Qorvo
Description: SICFET N-CH 1200V 107A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 107A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 50A, 12V
Power Dissipation (Max): 517W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 218 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7824 pF @ 800 V
на замовлення 1223 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+3426.56 грн
25+ 2940.01 грн
100+ 2580.06 грн
250+ 2300.42 грн
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 8 16 24 32 40 48 56 64 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82  [ Наступна Сторінка >> ]