Продукція > QORVO > Всі товари виробника QORVO (4918) > Сторінка 79 з 82

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 8 16 24 32 40 48 56 64 72 74 75 76 77 78 79 80 81 82  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
без ПДВ
UJ3C065080B3 UJ3C065080B3 Qorvo UJ3C065080B3_Data_Sheet-3177176.pdf SiC MOSFETs 650V/80mOhms,SICFET,G3,TO263-3
на замовлення 655 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+584.09 грн
25+ 563.25 грн
100+ 411.53 грн
250+ 394.15 грн
500+ 386.9 грн
800+ 303.58 грн
2400+ 302.85 грн
UJ3C065080B3 UJ3C065080B3 Qorvo da008669 Description: MOSFET N-CH 650V 25A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 111mOhm @ 20A, 12V
Power Dissipation (Max): 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V
на замовлення 5600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+285.27 грн
Мінімальне замовлення: 800
UJ3C065080B3 UJ3C065080B3 QORVO da008669 Description: QORVO - UJ3C065080B3 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 25 A, 650 V, 0.08 ohm, D2PAK
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 115W
Bauform - Transistor: D2PAK
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 534 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+405.58 грн
50+ 350.95 грн
100+ 300.26 грн
250+ 277.97 грн
Мінімальне замовлення: 10
UJ3C065080K3S UJ3C065080K3S Qorvo UJ3C065080K3S_Data_Sheet-3177109.pdf SiC MOSFETs 650V/80mOhms,SICFET,G3,TO247-3
на замовлення 2198 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+621.29 грн
25+ 540.76 грн
100+ 407.91 грн
250+ 326.76 грн
600+ 326.04 грн
UJ3C065080K3S UJ3C065080K3S QORVO da008670 Description: QORVO - UJ3C065080K3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 31 A, 650 V, 0.08 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 31A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 190W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 472 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+500.67 грн
5+ 468.16 грн
10+ 435.65 грн
50+ 376.61 грн
100+ 321.86 грн
250+ 316.29 грн
Мінімальне замовлення: 2
UJ3C065080K3S UJ3C065080K3S Qorvo da008670 Description: MOSFET N-CH 650V 31A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 111mOhm @ 20A, 12V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V
на замовлення 662 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+479.66 грн
25+ 407.4 грн
100+ 353.18 грн
250+ 281.51 грн
UJ3C065080T3S UJ3C065080T3S QORVO da008671 Description: QORVO - UJ3C065080T3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 31 A, 650 V, 0.08 ohm, TO-220
tariffCode: 85411000
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 31A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 190W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 931 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+707.12 грн
5+ 632.34 грн
10+ 556.75 грн
50+ 486.8 грн
100+ 421.48 грн
250+ 365.05 грн
Мінімальне замовлення: 2
UJ3C065080T3S UJ3C065080T3S Qorvo da008671 Description: MOSFET N-CH 650V 31A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 20A, 12V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V
на замовлення 6072 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+545.49 грн
25+ 446.19 грн
100+ 394.12 грн
250+ 320.33 грн
500+ 271.45 грн
1000+ 256.76 грн
UJ3C065080T3S UJ3C065080T3S Qorvo UJ3C065080T3S_Data_Sheet-3177115.pdf MOSFET 650V/80mOhms,SICFET,G3,TO220-3
на замовлення 1256 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+681.3 грн
25+ 570.75 грн
100+ 438.34 грн
250+ 379.66 грн
500+ 321.69 грн
1000+ 304.3 грн
5000+ 289.09 грн
UJ3C120040K3S UJ3C120040K3S Qorvo UJ3C120040K3S_Data_Sheet-3177202.pdf SiC MOSFETs 1200V/40mO,SICFET,G3,TO247-3
на замовлення 96 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2489.38 грн
25+ 2133.03 грн
100+ 1600.49 грн
250+ 1473.7 грн
600+ 1429.5 грн
3000+ 1322.27 грн
5400+ 1280.25 грн
UJ3C120040K3S UJ3C120040K3S Qorvo da008672 Description: SICFET N-CH 1200V 65A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 40A, 12V
Power Dissipation (Max): 429W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V
на замовлення 944 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1981.32 грн
25+ 1683.88 грн
100+ 1459.5 грн
250+ 1161.81 грн
UJ3C120040K3S UJ3C120040K3S QORVO da008672 Description: QORVO - UJ3C120040K3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 65 A, 1.2 kV, 0.035 ohm, TO-247
tariffCode: 85411000
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 65A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 429W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 639 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2070.14 грн
5+ 1935.22 грн
10+ 1799.49 грн
50+ 1556.24 грн
100+ 1330.63 грн
UJ3C120070K3S UJ3C120070K3S QORVO da008673 Description: QORVO - UJ3C120070K3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 34.5 A, 1.2 kV, 0.07 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 34.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 254.2W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 572 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1025.73 грн
5+ 959.08 грн
10+ 891.62 грн
50+ 771.33 грн
100+ 659.05 грн
250+ 652.78 грн
UJ3C120070K3S UJ3C120070K3S Qorvo UJ3C120070K3S_Data_Sheet-3177211.pdf SiC MOSFETs 1200V/70mO,SICFET,G3,TO247-3
на замовлення 141 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1233.28 грн
25+ 1056.51 грн
100+ 792.64 грн
250+ 730.33 грн
600+ 707.87 грн
3000+ 655.7 грн
5400+ 633.97 грн
UJ3C120070K3S UJ3C120070K3S Qorvo da008673 Description: SICFET N-CH 1200V 34.5A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 20A, 12V
Power Dissipation (Max): 254.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V
на замовлення 635 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1005.55 грн
25+ 854.74 грн
100+ 740.87 грн
250+ 589.71 грн
UJ3C120070K4S UJ3C120070K4S QORVO Description: QORVO - UJ3C120070K4S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 34.5 A, 1.2 kV, 70 mohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 34.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 254.2W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 70mohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 432 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1053.36 грн
5+ 984.27 грн
10+ 915.19 грн
50+ 791.7 грн
100+ 677.16 грн
250+ 670.19 грн
UJ3C120080K3S UJ3C120080K3S QORVO 3750912.pdf Description: QORVO - UJ3C120080K3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 33 A, 1.2 kV, 0.08 ohm, TO-247
tariffCode: 85411000
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 33A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 254.2W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 939 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1068.8 грн
5+ 1006.22 грн
10+ 942.82 грн
50+ 809.82 грн
100+ 647.9 грн
250+ 548.28 грн
500+ 537.13 грн
UJ3C120080K3S UJ3C120080K3S Qorvo da008674 Description: SICFET N-CH 1200V 33A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 20A, 12V
Power Dissipation (Max): 254.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+991.44 грн
25+ 841.94 грн
100+ 729.42 грн
250+ 580.51 грн
UJ3C120080K3S UJ3C120080K3S Qorvo UJ3C120080K3S_Data_Sheet-3314831.pdf SiC MOSFETs 1200V/80mO,SICFET,G3,TO247-3
на замовлення 1834 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1243.42 грн
25+ 1065.68 грн
100+ 799.88 грн
250+ 736.13 грн
600+ 714.39 грн
3000+ 661.5 грн
5400+ 639.76 грн
UJ3C120150K3S UJ3C120150K3S Qorvo da008675 Description: SICFET N-CH 1200V 18.4A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 5A, 12V
Power Dissipation (Max): 166.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 738 pF @ 100 V
на замовлення 376 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+578.41 грн
25+ 491.48 грн
100+ 426.4 грн
250+ 339.56 грн
UJ3C120150K3S UJ3C120150K3S QORVO da008675 Description: QORVO - UJ3C120150K3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 18.4 A, 1.2 kV, 0.15 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.4V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 166.7W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 476 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+604.71 грн
5+ 564.88 грн
10+ 525.05 грн
50+ 454.34 грн
100+ 388.74 грн
250+ 384.56 грн
Мінімальне замовлення: 2
UJ3C120150K3S UJ3C120150K3S Qorvo UJ3C120150K3S_Data_Sheet-3177151.pdf SiC MOSFETs 1200V/150mO,SICFET,G3,TO247-3
на замовлення 395 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+726.95 грн
25+ 622.41 грн
100+ 467.32 грн
250+ 430.37 грн
600+ 418.06 грн
3000+ 386.9 грн
5400+ 373.86 грн
UJ3D06504TS UJ3D06504TS QORVO 3750921.pdf Description: QORVO - UJ3D06504TS - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 4 A, 9.3 nC, TO-220
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 9.3nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 4A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1196 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+166.62 грн
10+ 125.17 грн
100+ 95.91 грн
500+ 85.28 грн
1000+ 74.54 грн
Мінімальне замовлення: 5
UJ3D06504TS UJ3D06504TS Qorvo UJ3D06504TS_Data_Sheet-3177120.pdf SiC Schottky Diodes 650V/4A,SIC,DIODE,G3,TO220-2
на замовлення 1689 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+128.48 грн
25+ 110.82 грн
100+ 82.6 грн
250+ 76.08 грн
500+ 71.22 грн
1000+ 68.47 грн
5000+ 62.6 грн
Мінімальне замовлення: 3
UJ3D06504TS UJ3D06504TS Qorvo Description: DIODE SIL CARB 650V 4A TO220-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 118pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 4A
Supplier Device Package: TO-220-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 650 V
на замовлення 22775 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+108.16 грн
50+ 83.23 грн
100+ 68.49 грн
500+ 58.03 грн
Мінімальне замовлення: 3
UJ3D06506TS UJ3D06506TS Qorvo UJ3D06506TS_Data_Sheet-3177152.pdf SiC Schottky Diodes 650V/6A,SIC,DIODE,G3,TO220-2
товар відсутній
UJ3D06506TS UJ3D06506TS QORVO DS_UJ3D06506TS.pdf Description: QORVO - UJ3D06506TS - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 6 A, 14.5 nC, TO-220
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 14.5nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 6A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 131 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+164.18 грн
10+ 139.8 грн
100+ 106.47 грн
Мінімальне замовлення: 5
UJ3D06506TS UJ3D06506TS Qorvo DS_UJ3D06506TS.pdf Description: DIODE SIL CARB 650V 6A TO220-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 196pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 6A
Supplier Device Package: TO-220-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V
на замовлення 58496 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+210.04 грн
10+ 168.08 грн
100+ 133.78 грн
500+ 106.23 грн
1000+ 90.14 грн
2000+ 85.63 грн
5000+ 81.06 грн
Мінімальне замовлення: 2
UJ3D06508TS UJ3D06508TS QORVO 3750923.pdf Description: QORVO - UJ3D06508TS - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 8 A, 19 nC, TO-220
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 19nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 8A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+251.15 грн
10+ 189.38 грн
100+ 144.67 грн
Мінімальне замовлення: 4
UJ3D06508TS UJ3D06508TS Qorvo UJ3D06508TS_Data_Sheet-3177177.pdf Schottky Diodes & Rectifiers 650V/8A,SIC,DIODE,G3,TO220-2
на замовлення 1751 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+181.74 грн
25+ 143.31 грн
100+ 106.51 грн
500+ 104.33 грн
1000+ 103.61 грн
5000+ 102.16 грн
10000+ 101.43 грн
Мінімальне замовлення: 2
UJ3D06508TS UJ3D06508TS Qorvo DS_UJ3D06508TS.pdf Description: DIODE SIL CARB 650V 8A TO220-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 250pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-220-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V
на замовлення 28214 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+222.58 грн
10+ 179.77 грн
100+ 145.44 грн
500+ 121.33 грн
1000+ 103.88 грн
2000+ 97.82 грн
5000+ 92.31 грн
Мінімальне замовлення: 2
UJ3D06510TS UJ3D06510TS QORVO 3750924.pdf Description: QORVO - UJ3D06510TS - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 10 A, 23 nC, TO-220
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 23nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 194 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+283.66 грн
10+ 215.39 грн
100+ 164.18 грн
Мінімальне замовлення: 3
UJ3D06510TS UJ3D06510TS Qorvo UJ3D06510TS_Data_Sheet-3177166.pdf SiC Schottky Diodes 650V/10A,SIC,DIODE,G3,TO220-2
на замовлення 711 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+240.06 грн
25+ 203.3 грн
100+ 154.33 грн
250+ 137.66 грн
500+ 123.17 грн
1000+ 117.37 грн
5000+ 110.85 грн
Мінімальне замовлення: 2
UJ3D06510TS UJ3D06510TS Qorvo DS_UJ3D06510TS.pdf Description: DIODE SIL CARB 650V 10A TO220-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 327pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-220-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 60 µA @ 650 V
на замовлення 11389 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+251.58 грн
10+ 203.55 грн
100+ 164.65 грн
500+ 137.35 грн
1000+ 117.61 грн
2000+ 110.74 грн
5000+ 104.5 грн
Мінімальне замовлення: 2
UJ3D06512TS UJ3D06512TS QORVO 3750925.pdf Description: QORVO - UJ3D06512TS - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 12 A, 29 nC, TO-220
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 29nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 12A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 95 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+347.06 грн
10+ 261.71 грн
Мінімальне замовлення: 3
UJ3D06512TS UJ3D06512TS Qorvo DS_UJ3D06512TS.pdf Description: DIODE SIL CARB 650V 12A TO220-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 392pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 12A
Supplier Device Package: TO-220-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 12 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 80 µA @ 650 V
на замовлення 4601 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+331.53 грн
10+ 268.15 грн
100+ 216.91 грн
500+ 180.95 грн
1000+ 154.94 грн
2000+ 145.89 грн
UJ3D06512TS UJ3D06512TS Qorvo UJ3D06512TS_Data_Sheet-3177185.pdf SiC Schottky Diodes 650V/12A,SIC,DIODE,G3,TO220-2
на замовлення 1655 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+276.41 грн
25+ 237.47 грн
100+ 178.24 грн
250+ 164.47 грн
500+ 149.25 грн
1000+ 142.73 грн
5000+ 132.59 грн
Мінімальне замовлення: 2
UJ3D06516TS UJ3D06516TS QORVO 3750926.pdf Description: QORVO - UJ3D06516TS - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 16 A, 38 nC, TO-220
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 38nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 16A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 199 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+418.58 грн
10+ 320.23 грн
100+ 244.65 грн
Мінімальне замовлення: 2
UJ3D06516TS UJ3D06516TS Qorvo UJ3D06516TS_Data_Sheet-3177186.pdf Schottky Diodes & Rectifiers 650V/16A,SIC,DIODE,G3,TO220-2
на замовлення 1033 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+426.03 грн
25+ 339.95 грн
100+ 254.31 грн
250+ 239.1 грн
500+ 203.59 грн
1000+ 186.21 грн
3000+ 180.41 грн
UJ3D06520KSD UJ3D06520KSD Qorvo DS_UJ3D06520KSD.pdf Description: DIODE SIL CARB 650V 10A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 654pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-247-3
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 120 µA @ 650 V
на замовлення 12837 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+438.9 грн
10+ 362.42 грн
100+ 302.03 грн
500+ 250.09 грн
1000+ 225.08 грн
2000+ 210.91 грн
UJ3D06520KSD UJ3D06520KSD QORVO 3750927.pdf Description: QORVO - UJ3D06520KSD - SiC-Schottky-Diode, Zweifach, gemeinsame Kathode, 650 V, 20 A, 46 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 46nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 108 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+394.2 грн
5+ 371.44 грн
10+ 347.87 грн
50+ 301.89 грн
100+ 259.16 грн
Мінімальне замовлення: 3
UJ3D06520KSD UJ3D06520KSD Qorvo UJ3D06520KSD_Data_Sheet-3177212.pdf Schottky Diodes & Rectifiers 650V/20A,SIC,DIODE,DUAL,G3,TO247-3
на замовлення 307 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+475.05 грн
25+ 413.27 грн
100+ 311.55 грн
250+ 263.73 грн
600+ 249.96 грн
3000+ 244.89 грн
5400+ 236.92 грн
UJ3D06520TS UJ3D06520TS QORVO 3750928.pdf Description: QORVO - UJ3D06520TS - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 20 A, 46 nC, TO-220
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 46nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 197 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+478.73 грн
5+ 424.27 грн
10+ 369 грн
50+ 323.02 грн
100+ 279.36 грн
Мінімальне замовлення: 2
UJ3D06520TS UJ3D06520TS Qorvo DS_UJ3D06520TS.pdf Description: DIODE SIL CARB 650V 20A TO220-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 654pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 20A
Supplier Device Package: TO-220-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 120 µA @ 650 V
на замовлення 6111 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+395.01 грн
50+ 301.39 грн
100+ 258.34 грн
500+ 215.5 грн
1000+ 184.53 грн
2000+ 173.75 грн
UJ3D06520TS UJ3D06520TS Qorvo UJ3D06520TS_Data_Sheet-3177203.pdf Schottky Diodes & Rectifiers 650V/20A,SIC,DIODE,G3,TO220-2
на замовлення 1184 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+451.38 грн
25+ 378.28 грн
100+ 290.54 грн
250+ 251.41 грн
500+ 213.01 грн
1000+ 202.14 грн
UJ3D06530TS UJ3D06530TS Qorvo UJ3D06530TS_Data_Sheet-3177213.pdf SiC Schottky Diodes 650V/30A,SIC,DIODE,G3,TO220-2
на замовлення 646 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+612.83 грн
25+ 514.93 грн
100+ 391.25 грн
250+ 345.6 грн
500+ 308.65 грн
1000+ 294.16 грн
5000+ 279.67 грн
UJ3D06530TS UJ3D06530TS QORVO 3750929.pdf Description: QORVO - UJ3D06530TS - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 30 A, 72 nC, TO-220
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 72nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 30A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1056 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+685.98 грн
5+ 612.83 грн
10+ 538.87 грн
50+ 470.95 грн
100+ 407.55 грн
250+ 353.91 грн
Мінімальне замовлення: 2
UJ3D06530TS UJ3D06530TS Qorvo DS_UJ3D06530TS.pdf Description: DIODE SIL CARB 650V 30A TO220-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 990pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 30A
Supplier Device Package: TO-220-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 370 µA @ 650 V
на замовлення 7896 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+578.41 грн
10+ 503.1 грн
100+ 416.49 грн
500+ 340.36 грн
1000+ 319.79 грн
UJ3D06560KSD UJ3D06560KSD Qorvo UJ3D06560KSD_Data_Sheet-3177167.pdf SiC Schottky Diodes 650V/60A,SIC,DIODE,DUAL,G3,TO247-3
на замовлення 494 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1211.3 грн
25+ 1037.35 грн
100+ 778.87 грн
250+ 716.56 грн
600+ 695.55 грн
3000+ 644.11 грн
5400+ 622.37 грн
UJ3D06560KSD UJ3D06560KSD QORVO 3750930.pdf Description: QORVO - UJ3D06560KSD - SiC-Schottky-Diode, Zweifach, gemeinsame Kathode, 650 V, 60 A, 144 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 144nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 60A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1040.36 грн
5+ 979.4 грн
UJ3D06560KSD UJ3D06560KSD Qorvo Description: DIODE SIL CARB 650V 30A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1980pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 30A
Supplier Device Package: TO-247-3
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 740 µA @ 650 V
на замовлення 6469 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+735.16 грн
30+ 593.59 грн
UJ3D1202TS UJ3D1202TS Qorvo da008686 Description: DIODE SIL CARB 1.2KV 2A TO220-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 109pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: TO-220-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 22 µA @ 1200 V
на замовлення 16033 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+141.86 грн
25+ 116.14 грн
100+ 102.76 грн
250+ 83.22 грн
500+ 70.67 грн
1000+ 66.87 грн
Мінімальне замовлення: 3
UJ3D1202TS UJ3D1202TS QORVO 3750914.pdf Description: QORVO - UJ3D1202TS - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 1.2 kV, 2 A, 12 nC, TO-220
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 12nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 2A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 35 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+129.23 грн
10+ 104.04 грн
Мінімальне замовлення: 7
UJ3D1202TS UJ3D1202TS Qorvo UJ3D1202TS_Data_Sheet-3177187.pdf Schottky Diodes & Rectifiers 1200V/2A,SIC,DIODE,G3,TO220-2
на замовлення 1456 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+155.53 грн
25+ 123.32 грн
100+ 88.39 грн
500+ 79.7 грн
1000+ 78.97 грн
5000+ 77.53 грн
Мінімальне замовлення: 3
UJ3D1205TS UJ3D1205TS QORVO 3750915.pdf Description: QORVO - UJ3D1205TS - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 1.2 kV, 5 A, 27 nC, TO-220
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 27nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 5A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 132 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+251.15 грн
10+ 213.76 грн
100+ 163.37 грн
Мінімальне замовлення: 4
UJ3D1205TS UJ3D1205TS Qorvo UJ3D1205TS_Data_Sheet-3177168.pdf SiC Schottky Diodes 1200V/5A,SIC,DIODE,G3,TO220-2
на замовлення 1302 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+254.43 грн
25+ 217.47 грн
100+ 163.74 грн
250+ 150.7 грн
500+ 139.83 грн
1000+ 135.49 грн
5000+ 123.9 грн
Мінімальне замовлення: 2
UJ3D1205TS UJ3D1205TS Qorvo da008687 Description: DIODE SIL CARB 1.2KV 5A TO220-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 250pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 5A
Supplier Device Package: TO-220-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 55 µA @ 1200 V
на замовлення 36075 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+242.18 грн
25+ 198.46 грн
100+ 174.54 грн
250+ 142 грн
500+ 120.21 грн
1000+ 113.93 грн
Мінімальне замовлення: 2
UJ3D1210K2 UJ3D1210K2 Qorvo da008688 Description: DIODE SIL CARB 1.2KV 10A TO247-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 510pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 110 µA @ 1200 V
на замовлення 7251 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+338.58 грн
25+ 288.09 грн
100+ 249.47 грн
250+ 201.19 грн
UJ3D1210K2 UJ3D1210K2 Qorvo UJ3D1210K2_Data_Sheet-3177193.pdf SiC Schottky Diodes 1200V/10A,SIC,DIODE,G3,TO247-2
на замовлення 178 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+438.7 грн
25+ 382.44 грн
100+ 287.64 грн
250+ 247.79 грн
UJ3D1210K2 UJ3D1210K2 QORVO 3971406.pdf Description: QORVO - UJ3D1210K2 - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 1.2 kV, 10 A, 51 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 51nC
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 594 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+349.49 грн
5+ 313.73 грн
10+ 277.97 грн
50+ 255.1 грн
100+ 233.38 грн
250+ 230.6 грн
Мінімальне замовлення: 3
UJ3C065080B3 UJ3C065080B3_Data_Sheet-3177176.pdf
UJ3C065080B3
Виробник: Qorvo
SiC MOSFETs 650V/80mOhms,SICFET,G3,TO263-3
на замовлення 655 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+584.09 грн
25+ 563.25 грн
100+ 411.53 грн
250+ 394.15 грн
500+ 386.9 грн
800+ 303.58 грн
2400+ 302.85 грн
UJ3C065080B3 da008669
UJ3C065080B3
Виробник: Qorvo
Description: MOSFET N-CH 650V 25A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 111mOhm @ 20A, 12V
Power Dissipation (Max): 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V
на замовлення 5600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
800+285.27 грн
Мінімальне замовлення: 800
UJ3C065080B3 da008669
UJ3C065080B3
Виробник: QORVO
Description: QORVO - UJ3C065080B3 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 25 A, 650 V, 0.08 ohm, D2PAK
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 115W
Bauform - Transistor: D2PAK
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 534 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+405.58 грн
50+ 350.95 грн
100+ 300.26 грн
250+ 277.97 грн
Мінімальне замовлення: 10
UJ3C065080K3S UJ3C065080K3S_Data_Sheet-3177109.pdf
UJ3C065080K3S
Виробник: Qorvo
SiC MOSFETs 650V/80mOhms,SICFET,G3,TO247-3
на замовлення 2198 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+621.29 грн
25+ 540.76 грн
100+ 407.91 грн
250+ 326.76 грн
600+ 326.04 грн
UJ3C065080K3S da008670
UJ3C065080K3S
Виробник: QORVO
Description: QORVO - UJ3C065080K3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 31 A, 650 V, 0.08 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 31A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 190W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 472 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+500.67 грн
5+ 468.16 грн
10+ 435.65 грн
50+ 376.61 грн
100+ 321.86 грн
250+ 316.29 грн
Мінімальне замовлення: 2
UJ3C065080K3S da008670
UJ3C065080K3S
Виробник: Qorvo
Description: MOSFET N-CH 650V 31A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 111mOhm @ 20A, 12V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V
на замовлення 662 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+479.66 грн
25+ 407.4 грн
100+ 353.18 грн
250+ 281.51 грн
UJ3C065080T3S da008671
UJ3C065080T3S
Виробник: QORVO
Description: QORVO - UJ3C065080T3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 31 A, 650 V, 0.08 ohm, TO-220
tariffCode: 85411000
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 31A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 190W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 931 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+707.12 грн
5+ 632.34 грн
10+ 556.75 грн
50+ 486.8 грн
100+ 421.48 грн
250+ 365.05 грн
Мінімальне замовлення: 2
UJ3C065080T3S da008671
UJ3C065080T3S
Виробник: Qorvo
Description: MOSFET N-CH 650V 31A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 20A, 12V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V
на замовлення 6072 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+545.49 грн
25+ 446.19 грн
100+ 394.12 грн
250+ 320.33 грн
500+ 271.45 грн
1000+ 256.76 грн
UJ3C065080T3S UJ3C065080T3S_Data_Sheet-3177115.pdf
UJ3C065080T3S
Виробник: Qorvo
MOSFET 650V/80mOhms,SICFET,G3,TO220-3
на замовлення 1256 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+681.3 грн
25+ 570.75 грн
100+ 438.34 грн
250+ 379.66 грн
500+ 321.69 грн
1000+ 304.3 грн
5000+ 289.09 грн
UJ3C120040K3S UJ3C120040K3S_Data_Sheet-3177202.pdf
UJ3C120040K3S
Виробник: Qorvo
SiC MOSFETs 1200V/40mO,SICFET,G3,TO247-3
на замовлення 96 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+2489.38 грн
25+ 2133.03 грн
100+ 1600.49 грн
250+ 1473.7 грн
600+ 1429.5 грн
3000+ 1322.27 грн
5400+ 1280.25 грн
UJ3C120040K3S da008672
UJ3C120040K3S
Виробник: Qorvo
Description: SICFET N-CH 1200V 65A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 40A, 12V
Power Dissipation (Max): 429W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V
на замовлення 944 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1981.32 грн
25+ 1683.88 грн
100+ 1459.5 грн
250+ 1161.81 грн
UJ3C120040K3S da008672
UJ3C120040K3S
Виробник: QORVO
Description: QORVO - UJ3C120040K3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 65 A, 1.2 kV, 0.035 ohm, TO-247
tariffCode: 85411000
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 65A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 429W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 639 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+2070.14 грн
5+ 1935.22 грн
10+ 1799.49 грн
50+ 1556.24 грн
100+ 1330.63 грн
UJ3C120070K3S da008673
UJ3C120070K3S
Виробник: QORVO
Description: QORVO - UJ3C120070K3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 34.5 A, 1.2 kV, 0.07 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 34.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 254.2W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 572 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1025.73 грн
5+ 959.08 грн
10+ 891.62 грн
50+ 771.33 грн
100+ 659.05 грн
250+ 652.78 грн
UJ3C120070K3S UJ3C120070K3S_Data_Sheet-3177211.pdf
UJ3C120070K3S
Виробник: Qorvo
SiC MOSFETs 1200V/70mO,SICFET,G3,TO247-3
на замовлення 141 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1233.28 грн
25+ 1056.51 грн
100+ 792.64 грн
250+ 730.33 грн
600+ 707.87 грн
3000+ 655.7 грн
5400+ 633.97 грн
UJ3C120070K3S da008673
UJ3C120070K3S
Виробник: Qorvo
Description: SICFET N-CH 1200V 34.5A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 20A, 12V
Power Dissipation (Max): 254.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V
на замовлення 635 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1005.55 грн
25+ 854.74 грн
100+ 740.87 грн
250+ 589.71 грн
UJ3C120070K4S
UJ3C120070K4S
Виробник: QORVO
Description: QORVO - UJ3C120070K4S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 34.5 A, 1.2 kV, 70 mohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 34.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 254.2W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 70mohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 432 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1053.36 грн
5+ 984.27 грн
10+ 915.19 грн
50+ 791.7 грн
100+ 677.16 грн
250+ 670.19 грн
UJ3C120080K3S 3750912.pdf
UJ3C120080K3S
Виробник: QORVO
Description: QORVO - UJ3C120080K3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 33 A, 1.2 kV, 0.08 ohm, TO-247
tariffCode: 85411000
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 33A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 254.2W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 939 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1068.8 грн
5+ 1006.22 грн
10+ 942.82 грн
50+ 809.82 грн
100+ 647.9 грн
250+ 548.28 грн
500+ 537.13 грн
UJ3C120080K3S da008674
UJ3C120080K3S
Виробник: Qorvo
Description: SICFET N-CH 1200V 33A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 20A, 12V
Power Dissipation (Max): 254.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+991.44 грн
25+ 841.94 грн
100+ 729.42 грн
250+ 580.51 грн
UJ3C120080K3S UJ3C120080K3S_Data_Sheet-3314831.pdf
UJ3C120080K3S
Виробник: Qorvo
SiC MOSFETs 1200V/80mO,SICFET,G3,TO247-3
на замовлення 1834 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1243.42 грн
25+ 1065.68 грн
100+ 799.88 грн
250+ 736.13 грн
600+ 714.39 грн
3000+ 661.5 грн
5400+ 639.76 грн
UJ3C120150K3S da008675
UJ3C120150K3S
Виробник: Qorvo
Description: SICFET N-CH 1200V 18.4A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 5A, 12V
Power Dissipation (Max): 166.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 738 pF @ 100 V
на замовлення 376 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+578.41 грн
25+ 491.48 грн
100+ 426.4 грн
250+ 339.56 грн
UJ3C120150K3S da008675
UJ3C120150K3S
Виробник: QORVO
Description: QORVO - UJ3C120150K3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 18.4 A, 1.2 kV, 0.15 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.4V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 166.7W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 476 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+604.71 грн
5+ 564.88 грн
10+ 525.05 грн
50+ 454.34 грн
100+ 388.74 грн
250+ 384.56 грн
Мінімальне замовлення: 2
UJ3C120150K3S UJ3C120150K3S_Data_Sheet-3177151.pdf
UJ3C120150K3S
Виробник: Qorvo
SiC MOSFETs 1200V/150mO,SICFET,G3,TO247-3
на замовлення 395 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+726.95 грн
25+ 622.41 грн
100+ 467.32 грн
250+ 430.37 грн
600+ 418.06 грн
3000+ 386.9 грн
5400+ 373.86 грн
UJ3D06504TS 3750921.pdf
UJ3D06504TS
Виробник: QORVO
Description: QORVO - UJ3D06504TS - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 4 A, 9.3 nC, TO-220
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 9.3nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 4A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1196 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+166.62 грн
10+ 125.17 грн
100+ 95.91 грн
500+ 85.28 грн
1000+ 74.54 грн
Мінімальне замовлення: 5
UJ3D06504TS UJ3D06504TS_Data_Sheet-3177120.pdf
UJ3D06504TS
Виробник: Qorvo
SiC Schottky Diodes 650V/4A,SIC,DIODE,G3,TO220-2
на замовлення 1689 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+128.48 грн
25+ 110.82 грн
100+ 82.6 грн
250+ 76.08 грн
500+ 71.22 грн
1000+ 68.47 грн
5000+ 62.6 грн
Мінімальне замовлення: 3
UJ3D06504TS
UJ3D06504TS
Виробник: Qorvo
Description: DIODE SIL CARB 650V 4A TO220-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 118pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 4A
Supplier Device Package: TO-220-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 650 V
на замовлення 22775 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+108.16 грн
50+ 83.23 грн
100+ 68.49 грн
500+ 58.03 грн
Мінімальне замовлення: 3
UJ3D06506TS UJ3D06506TS_Data_Sheet-3177152.pdf
UJ3D06506TS
Виробник: Qorvo
SiC Schottky Diodes 650V/6A,SIC,DIODE,G3,TO220-2
товар відсутній
UJ3D06506TS DS_UJ3D06506TS.pdf
UJ3D06506TS
Виробник: QORVO
Description: QORVO - UJ3D06506TS - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 6 A, 14.5 nC, TO-220
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 14.5nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 6A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 131 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+164.18 грн
10+ 139.8 грн
100+ 106.47 грн
Мінімальне замовлення: 5
UJ3D06506TS DS_UJ3D06506TS.pdf
UJ3D06506TS
Виробник: Qorvo
Description: DIODE SIL CARB 650V 6A TO220-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 196pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 6A
Supplier Device Package: TO-220-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V
на замовлення 58496 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+210.04 грн
10+ 168.08 грн
100+ 133.78 грн
500+ 106.23 грн
1000+ 90.14 грн
2000+ 85.63 грн
5000+ 81.06 грн
Мінімальне замовлення: 2
UJ3D06508TS 3750923.pdf
UJ3D06508TS
Виробник: QORVO
Description: QORVO - UJ3D06508TS - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 8 A, 19 nC, TO-220
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 19nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 8A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+251.15 грн
10+ 189.38 грн
100+ 144.67 грн
Мінімальне замовлення: 4
UJ3D06508TS UJ3D06508TS_Data_Sheet-3177177.pdf
UJ3D06508TS
Виробник: Qorvo
Schottky Diodes & Rectifiers 650V/8A,SIC,DIODE,G3,TO220-2
на замовлення 1751 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+181.74 грн
25+ 143.31 грн
100+ 106.51 грн
500+ 104.33 грн
1000+ 103.61 грн
5000+ 102.16 грн
10000+ 101.43 грн
Мінімальне замовлення: 2
UJ3D06508TS DS_UJ3D06508TS.pdf
UJ3D06508TS
Виробник: Qorvo
Description: DIODE SIL CARB 650V 8A TO220-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 250pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-220-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V
на замовлення 28214 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+222.58 грн
10+ 179.77 грн
100+ 145.44 грн
500+ 121.33 грн
1000+ 103.88 грн
2000+ 97.82 грн
5000+ 92.31 грн
Мінімальне замовлення: 2
UJ3D06510TS 3750924.pdf
UJ3D06510TS
Виробник: QORVO
Description: QORVO - UJ3D06510TS - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 10 A, 23 nC, TO-220
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 23nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 194 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+283.66 грн
10+ 215.39 грн
100+ 164.18 грн
Мінімальне замовлення: 3
UJ3D06510TS UJ3D06510TS_Data_Sheet-3177166.pdf
UJ3D06510TS
Виробник: Qorvo
SiC Schottky Diodes 650V/10A,SIC,DIODE,G3,TO220-2
на замовлення 711 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+240.06 грн
25+ 203.3 грн
100+ 154.33 грн
250+ 137.66 грн
500+ 123.17 грн
1000+ 117.37 грн
5000+ 110.85 грн
Мінімальне замовлення: 2
UJ3D06510TS DS_UJ3D06510TS.pdf
UJ3D06510TS
Виробник: Qorvo
Description: DIODE SIL CARB 650V 10A TO220-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 327pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-220-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 60 µA @ 650 V
на замовлення 11389 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+251.58 грн
10+ 203.55 грн
100+ 164.65 грн
500+ 137.35 грн
1000+ 117.61 грн
2000+ 110.74 грн
5000+ 104.5 грн
Мінімальне замовлення: 2
UJ3D06512TS 3750925.pdf
UJ3D06512TS
Виробник: QORVO
Description: QORVO - UJ3D06512TS - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 12 A, 29 nC, TO-220
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 29nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 12A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 95 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+347.06 грн
10+ 261.71 грн
Мінімальне замовлення: 3
UJ3D06512TS DS_UJ3D06512TS.pdf
UJ3D06512TS
Виробник: Qorvo
Description: DIODE SIL CARB 650V 12A TO220-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 392pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 12A
Supplier Device Package: TO-220-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 12 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 80 µA @ 650 V
на замовлення 4601 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+331.53 грн
10+ 268.15 грн
100+ 216.91 грн
500+ 180.95 грн
1000+ 154.94 грн
2000+ 145.89 грн
UJ3D06512TS UJ3D06512TS_Data_Sheet-3177185.pdf
UJ3D06512TS
Виробник: Qorvo
SiC Schottky Diodes 650V/12A,SIC,DIODE,G3,TO220-2
на замовлення 1655 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+276.41 грн
25+ 237.47 грн
100+ 178.24 грн
250+ 164.47 грн
500+ 149.25 грн
1000+ 142.73 грн
5000+ 132.59 грн
Мінімальне замовлення: 2
UJ3D06516TS 3750926.pdf
UJ3D06516TS
Виробник: QORVO
Description: QORVO - UJ3D06516TS - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 16 A, 38 nC, TO-220
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 38nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 16A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 199 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+418.58 грн
10+ 320.23 грн
100+ 244.65 грн
Мінімальне замовлення: 2
UJ3D06516TS UJ3D06516TS_Data_Sheet-3177186.pdf
UJ3D06516TS
Виробник: Qorvo
Schottky Diodes & Rectifiers 650V/16A,SIC,DIODE,G3,TO220-2
на замовлення 1033 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+426.03 грн
25+ 339.95 грн
100+ 254.31 грн
250+ 239.1 грн
500+ 203.59 грн
1000+ 186.21 грн
3000+ 180.41 грн
UJ3D06520KSD DS_UJ3D06520KSD.pdf
UJ3D06520KSD
Виробник: Qorvo
Description: DIODE SIL CARB 650V 10A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 654pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-247-3
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 120 µA @ 650 V
на замовлення 12837 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+438.9 грн
10+ 362.42 грн
100+ 302.03 грн
500+ 250.09 грн
1000+ 225.08 грн
2000+ 210.91 грн
UJ3D06520KSD 3750927.pdf
UJ3D06520KSD
Виробник: QORVO
Description: QORVO - UJ3D06520KSD - SiC-Schottky-Diode, Zweifach, gemeinsame Kathode, 650 V, 20 A, 46 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 46nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 108 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+394.2 грн
5+ 371.44 грн
10+ 347.87 грн
50+ 301.89 грн
100+ 259.16 грн
Мінімальне замовлення: 3
UJ3D06520KSD UJ3D06520KSD_Data_Sheet-3177212.pdf
UJ3D06520KSD
Виробник: Qorvo
Schottky Diodes & Rectifiers 650V/20A,SIC,DIODE,DUAL,G3,TO247-3
на замовлення 307 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+475.05 грн
25+ 413.27 грн
100+ 311.55 грн
250+ 263.73 грн
600+ 249.96 грн
3000+ 244.89 грн
5400+ 236.92 грн
UJ3D06520TS 3750928.pdf
UJ3D06520TS
Виробник: QORVO
Description: QORVO - UJ3D06520TS - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 20 A, 46 nC, TO-220
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 46nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 197 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+478.73 грн
5+ 424.27 грн
10+ 369 грн
50+ 323.02 грн
100+ 279.36 грн
Мінімальне замовлення: 2
UJ3D06520TS DS_UJ3D06520TS.pdf
UJ3D06520TS
Виробник: Qorvo
Description: DIODE SIL CARB 650V 20A TO220-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 654pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 20A
Supplier Device Package: TO-220-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 120 µA @ 650 V
на замовлення 6111 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+395.01 грн
50+ 301.39 грн
100+ 258.34 грн
500+ 215.5 грн
1000+ 184.53 грн
2000+ 173.75 грн
UJ3D06520TS UJ3D06520TS_Data_Sheet-3177203.pdf
UJ3D06520TS
Виробник: Qorvo
Schottky Diodes & Rectifiers 650V/20A,SIC,DIODE,G3,TO220-2
на замовлення 1184 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+451.38 грн
25+ 378.28 грн
100+ 290.54 грн
250+ 251.41 грн
500+ 213.01 грн
1000+ 202.14 грн
UJ3D06530TS UJ3D06530TS_Data_Sheet-3177213.pdf
UJ3D06530TS
Виробник: Qorvo
SiC Schottky Diodes 650V/30A,SIC,DIODE,G3,TO220-2
на замовлення 646 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+612.83 грн
25+ 514.93 грн
100+ 391.25 грн
250+ 345.6 грн
500+ 308.65 грн
1000+ 294.16 грн
5000+ 279.67 грн
UJ3D06530TS 3750929.pdf
UJ3D06530TS
Виробник: QORVO
Description: QORVO - UJ3D06530TS - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 30 A, 72 nC, TO-220
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 72nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 30A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1056 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+685.98 грн
5+ 612.83 грн
10+ 538.87 грн
50+ 470.95 грн
100+ 407.55 грн
250+ 353.91 грн
Мінімальне замовлення: 2
UJ3D06530TS DS_UJ3D06530TS.pdf
UJ3D06530TS
Виробник: Qorvo
Description: DIODE SIL CARB 650V 30A TO220-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 990pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 30A
Supplier Device Package: TO-220-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 370 µA @ 650 V
на замовлення 7896 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+578.41 грн
10+ 503.1 грн
100+ 416.49 грн
500+ 340.36 грн
1000+ 319.79 грн
UJ3D06560KSD UJ3D06560KSD_Data_Sheet-3177167.pdf
UJ3D06560KSD
Виробник: Qorvo
SiC Schottky Diodes 650V/60A,SIC,DIODE,DUAL,G3,TO247-3
на замовлення 494 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1211.3 грн
25+ 1037.35 грн
100+ 778.87 грн
250+ 716.56 грн
600+ 695.55 грн
3000+ 644.11 грн
5400+ 622.37 грн
UJ3D06560KSD 3750930.pdf
UJ3D06560KSD
Виробник: QORVO
Description: QORVO - UJ3D06560KSD - SiC-Schottky-Diode, Zweifach, gemeinsame Kathode, 650 V, 60 A, 144 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 144nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 60A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1040.36 грн
5+ 979.4 грн
UJ3D06560KSD
UJ3D06560KSD
Виробник: Qorvo
Description: DIODE SIL CARB 650V 30A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1980pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 30A
Supplier Device Package: TO-247-3
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 740 µA @ 650 V
на замовлення 6469 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+735.16 грн
30+ 593.59 грн
UJ3D1202TS da008686
UJ3D1202TS
Виробник: Qorvo
Description: DIODE SIL CARB 1.2KV 2A TO220-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 109pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: TO-220-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 22 µA @ 1200 V
на замовлення 16033 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+141.86 грн
25+ 116.14 грн
100+ 102.76 грн
250+ 83.22 грн
500+ 70.67 грн
1000+ 66.87 грн
Мінімальне замовлення: 3
UJ3D1202TS 3750914.pdf
UJ3D1202TS
Виробник: QORVO
Description: QORVO - UJ3D1202TS - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 1.2 kV, 2 A, 12 nC, TO-220
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 12nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 2A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 35 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+129.23 грн
10+ 104.04 грн
Мінімальне замовлення: 7
UJ3D1202TS UJ3D1202TS_Data_Sheet-3177187.pdf
UJ3D1202TS
Виробник: Qorvo
Schottky Diodes & Rectifiers 1200V/2A,SIC,DIODE,G3,TO220-2
на замовлення 1456 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+155.53 грн
25+ 123.32 грн
100+ 88.39 грн
500+ 79.7 грн
1000+ 78.97 грн
5000+ 77.53 грн
Мінімальне замовлення: 3
UJ3D1205TS 3750915.pdf
UJ3D1205TS
Виробник: QORVO
Description: QORVO - UJ3D1205TS - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 1.2 kV, 5 A, 27 nC, TO-220
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 27nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 5A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 132 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+251.15 грн
10+ 213.76 грн
100+ 163.37 грн
Мінімальне замовлення: 4
UJ3D1205TS UJ3D1205TS_Data_Sheet-3177168.pdf
UJ3D1205TS
Виробник: Qorvo
SiC Schottky Diodes 1200V/5A,SIC,DIODE,G3,TO220-2
на замовлення 1302 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+254.43 грн
25+ 217.47 грн
100+ 163.74 грн
250+ 150.7 грн
500+ 139.83 грн
1000+ 135.49 грн
5000+ 123.9 грн
Мінімальне замовлення: 2
UJ3D1205TS da008687
UJ3D1205TS
Виробник: Qorvo
Description: DIODE SIL CARB 1.2KV 5A TO220-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 250pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 5A
Supplier Device Package: TO-220-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 55 µA @ 1200 V
на замовлення 36075 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+242.18 грн
25+ 198.46 грн
100+ 174.54 грн
250+ 142 грн
500+ 120.21 грн
1000+ 113.93 грн
Мінімальне замовлення: 2
UJ3D1210K2 da008688
UJ3D1210K2
Виробник: Qorvo
Description: DIODE SIL CARB 1.2KV 10A TO247-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 510pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 110 µA @ 1200 V
на замовлення 7251 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+338.58 грн
25+ 288.09 грн
100+ 249.47 грн
250+ 201.19 грн
UJ3D1210K2 UJ3D1210K2_Data_Sheet-3177193.pdf
UJ3D1210K2
Виробник: Qorvo
SiC Schottky Diodes 1200V/10A,SIC,DIODE,G3,TO247-2
на замовлення 178 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+438.7 грн
25+ 382.44 грн
100+ 287.64 грн
250+ 247.79 грн
UJ3D1210K2 3971406.pdf
UJ3D1210K2
Виробник: QORVO
Description: QORVO - UJ3D1210K2 - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 1.2 kV, 10 A, 51 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 51nC
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 594 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+349.49 грн
5+ 313.73 грн
10+ 277.97 грн
50+ 255.1 грн
100+ 233.38 грн
250+ 230.6 грн
Мінімальне замовлення: 3
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 8 16 24 32 40 48 56 64 72 74 75 76 77 78 79 80 81 82  [ Наступна Сторінка >> ]