UF3C120080B7S Qorvo
Виробник: QorvoDescription: SICFET N-CH 1200V 28.8A D2PAK-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 20A, 12V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Part Status: Active
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 12 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 754 pF @ 100 V
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 800+ | 555.53 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис UF3C120080B7S Qorvo
Description: SICFET N-CH 1200V 28.8A D2PAK-7, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28.8A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 20A, 12V, Power Dissipation (Max): 190W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA, Supplier Device Package: D2PAK-7, Part Status: Active, Vgs (Max): ±25V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 12 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 754 pF @ 100 V.
Інші пропозиції UF3C120080B7S за ціною від 534.95 грн до 1195.89 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
UF3C120080B7S | Виробник : Qorvo |
Description: SICFET N-CH 1200V 28.8A D2PAK-7 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28.8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 20A, 12V Power Dissipation (Max): 190W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA Supplier Device Package: D2PAK-7 Part Status: Active Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 12 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 754 pF @ 100 V |
на замовлення 4885 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
UF3C120080B7S | Виробник : QORVO |
Description: QORVO - UF3C120080B7S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 28.8 A, 1.2 kV, 85 mohm, D2PAK tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 28.8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 190W Bauform - Transistor: D2PAK Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 12V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 85mohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 296 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
UF3C120080B7S | Виробник : Qorvo |
SiC MOSFETs 1200V/80mO,SICFET,G3,TO263-7 |
на замовлення 840 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
UF3C120080B7S | Виробник : Qorvo / UnitedSiC |
MOSFET 1200V/80mOhm, SiC, FAST CASCODE, G3, TO-247-3L, REDUCED Rth |
на замовлення 1842 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|