Продукція > QORVO > Всі товари виробника QORVO (4729) > Сторінка 74 з 79

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 7 14 21 28 35 42 49 56 63 69 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
без ПДВ
UF3C065040K4S UF3C065040K4S Qorvo UF3C065040K4S_Data_Sheet-3177182.pdf MOSFET 650V/40mOhms,SICFET,G3,TO247-4
на замовлення 3206 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1143.08 грн
25+ 994.19 грн
100+ 749.25 грн
250+ 634.68 грн
600+ 600.94 грн
3000+ 588.29 грн
5400+ 570.72 грн
UF3C065040T3S UF3C065040T3S Qorvo UF3C065040T3S_Data_Sheet-3177146.pdf MOSFETs 650V/40mOhms,SICFET,G3,TO220-3
на замовлення 399 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1146.36 грн
25+ 914.98 грн
100+ 748.54 грн
250+ 744.33 грн
500+ 662.79 грн
1000+ 613.59 грн
5000+ 600.24 грн
UF3C065040T3S UF3C065040T3S QORVO 3750888.pdf Description: QORVO - UF3C065040T3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 54 A, 650 V, 0.042 ohm, TO-220
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 54A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 326W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.042ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 419 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+952.46 грн
5+ 861.79 грн
10+ 771.12 грн
50+ 694.8 грн
100+ 621.76 грн
250+ 621.08 грн
UF3C065040T3S UF3C065040T3S Qorvo Description: MOSFET N-CH 650V 54A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 54A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 40A, 12V
Power Dissipation (Max): 326W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V
на замовлення 1336 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+921.49 грн
50+ 717.97 грн
100+ 675.75 грн
500+ 574.71 грн
1000+ 527.14 грн
UF3C065080B3 UF3C065080B3 Qorvo UF3C065080B3_Data_Sheet-3177147.pdf SiC MOSFETs 650V/80mOhms,SICFET,G3,TO263-3
на замовлення 1410 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+399.34 грн
100+ 339.48 грн
800+ 294.5 грн
2400+ 293.79 грн
UF3C065080B3 UF3C065080B3 QORVO 3750889.pdf Description: QORVO - UF3C065080B3 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 25 A, 650 V, 0.08 ohm, D2PAK
tariffCode: 85411000
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 115W
Bauform - Transistor: D2PAK
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+615 грн
5+ 538.52 грн
10+ 446.27 грн
50+ 371.2 грн
100+ 316.29 грн
250+ 295.34 грн
Мінімальне замовлення: 2
UF3C065080B3 UF3C065080B3 QORVO 3750889.pdf Description: QORVO - UF3C065080B3 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 25 A, 650 V, 0.08 ohm, D2PAK
tariffCode: 85411000
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 115W
Bauform - Transistor: D2PAK
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+446.27 грн
50+ 371.2 грн
100+ 316.29 грн
250+ 295.34 грн
Мінімальне замовлення: 10
UF3C065080B3 UF3C065080B3 Qorvo Description: MOSFET N-CH 650V 25A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
на замовлення 11200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+271.92 грн
Мінімальне замовлення: 800
UF3C065080B3 UF3C065080B3 Qorvo Description: MOSFET N-CH 650V 25A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
на замовлення 12452 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+367.99 грн
10+ 303.47 грн
100+ 261.85 грн
UF3C065080B7S UF3C065080B7S Qorvo da008632 Description: SICFET N-CH 650V 27A D2PAK-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 20A, 12V
Power Dissipation (Max): 136.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Part Status: Active
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 12 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 100 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+321.76 грн
Мінімальне замовлення: 800
UF3C065080B7S UF3C065080B7S QORVO 3971370.pdf Description: QORVO - UF3C065080B7S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 27 A, 650 V, 85 mohm, D2PAK
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 27A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136.4W
Bauform - Transistor: D2PAK
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.085ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+555.87 грн
5+ 529.06 грн
10+ 502.25 грн
50+ 435.62 грн
100+ 373.73 грн
250+ 348.73 грн
Мінімальне замовлення: 2
UF3C065080B7S UF3C065080B7S Qorvo da008632 Description: SICFET N-CH 650V 27A D2PAK-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 20A, 12V
Power Dissipation (Max): 136.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Part Status: Active
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 12 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 100 V
на замовлення 2154 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+618.89 грн
10+ 510.67 грн
100+ 425.6 грн
UF3C065080B7S UF3C065080B7S Qorvo UF3C065080B7S_Data_Sheet-3177034.pdf SiC MOSFETs 650V/80mOhms,SICFET,G3,TO263-7
на замовлення 4261 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+670.76 грн
25+ 659.56 грн
100+ 478.65 грн
250+ 475.83 грн
800+ 349.32 грн
UF3C065080K3S UF3C065080K3S QORVO 3750890.pdf Description: QORVO - UF3C065080K3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 31 A, 650 V, 0.08 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 31A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 190W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 312 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+501.46 грн
5+ 472.29 грн
10+ 442.33 грн
50+ 383.64 грн
100+ 328.45 грн
250+ 314.26 грн
Мінімальне замовлення: 2
UF3C065080K3S UF3C065080K3S Qorvo UF3C065080K3S_Data_Sheet-3177161.pdf MOSFETs 650V/80mOhms,SICFET,G3,TO247-3
на замовлення 382 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+499.38 грн
25+ 393.64 грн
100+ 316.99 грн
600+ 316.29 грн
3000+ 312.77 грн
5400+ 307.85 грн
10200+ 304.34 грн
UF3C065080K3S UF3C065080K3S Qorvo da008633 Description: MOSFET N-CH 650V 31A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 20A, 12V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V
на замовлення 12121 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+401.44 грн
30+ 308.87 грн
120+ 286.2 грн
UF3C065080K4S UF3C065080K4S QORVO 3750891.pdf Description: QORVO - UF3C065080K4S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 31 A, 650 V, 0.08 ohm, TO-247
tariffCode: 85411000
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 31A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 190W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 97 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+428.92 грн
5+ 427.35 грн
10+ 424.98 грн
50+ 393.16 грн
Мінімальне замовлення: 2
UF3C065080K4S UF3C065080K4S Qorvo da008634 Description: MOSFET N-CH 650V 31A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 20A, 12V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 12 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V
на замовлення 13236 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+415.12 грн
30+ 319.04 грн
120+ 295.63 грн
UF3C065080K4S UF3C065080K4S Qorvo UF3C065080K4S_Data_Sheet-3177162.pdf MOSFETs 650V/80mOhms,SICFET,G3,TO247-4
на замовлення 729 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+516.6 грн
25+ 406.57 грн
100+ 328.23 грн
600+ 326.83 грн
3000+ 325.42 грн
5400+ 324.02 грн
10200+ 322.61 грн
UF3C065080T3S UF3C065080T3S Qorvo UF3C065080T3S_Data_Sheet-3177044.pdf MOSFET 650V/80mO,SICFET,G3,TO220-3
на замовлення 82 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+660.92 грн
25+ 553.68 грн
100+ 425.23 грн
250+ 368.3 грн
500+ 312.07 грн
1000+ 295.2 грн
5000+ 280.44 грн
UF3C065080T3S UF3C065080T3S Qorvo da008635 Description: MOSFET N-CH 650V 31A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 20A, 12V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V
на замовлення 7554 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+529.17 грн
25+ 432.84 грн
100+ 382.32 грн
250+ 310.75 грн
500+ 263.33 грн
1000+ 249.08 грн
UF3C065080T3S UF3C065080T3S QORVO 3750892.pdf Description: QORVO - UF3C065080T3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 31 A, 650 V, 0.08 ohm, TO-220
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 31A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 190W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 112 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+548.77 грн
5+ 507.77 грн
10+ 466.77 грн
50+ 408.54 грн
100+ 353.46 грн
Мінімальне замовлення: 2
UF3C120040K3S UF3C120040K3S Qorvo UF3C120040K3S_Data_Sheet-3177148.pdf SiC MOSFETs 1200V/40mOhms,SICFET,G3,TO247-3
на замовлення 193 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2492.8 грн
25+ 2168.63 грн
100+ 1634.14 грн
250+ 1383.22 грн
600+ 1309.42 грн
3000+ 1282.71 грн
5400+ 1244.06 грн
UF3C120040K3S UF3C120040K3S QORVO 3750893.pdf Description: QORVO - UF3C120040K3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 65 A, 1.2 kV, 0.035 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 65A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 429W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 617 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2396.92 грн
5+ 2256.58 грн
10+ 2115.44 грн
50+ 1833.29 грн
100+ 1571.29 грн
UF3C120040K3S UF3C120040K3S Qorvo da008636 Description: SICFET N-CH 1200V 65A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 40A, 12V
Power Dissipation (Max): 429W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V
на замовлення 36046 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1346.5 грн
30+ 1182.51 грн
UF3C120040K4S UF3C120040K4S Qorvo UF3C120040K4S_Data_Sheet-3177198.pdf SiC MOSFETs 1200V/40mOhms,SICFET,G3,TO247-4
на замовлення 824 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2432.12 грн
25+ 2046.58 грн
100+ 1608.84 грн
250+ 1309.42 грн
UF3C120040K4S UF3C120040K4S Qorvo da008637 Description: SICFET N-CH 1200V 65A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 40A, 12V
Power Dissipation (Max): 429W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 12 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V
на замовлення 806 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1995.79 грн
25+ 1695.88 грн
100+ 1469.91 грн
250+ 1167.37 грн
500+ 1105.22 грн
UF3C120040K4S UF3C120040K4S QORVO 3750894.pdf Description: QORVO - UF3C120040K4S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 65 A, 1.2 kV, 0.035 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 65A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 429W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 374 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1979.83 грн
5+ 1811.1 грн
10+ 1642.37 грн
50+ 1477.46 грн
100+ 1319.21 грн
UF3C120080B7S UF3C120080B7S Qorvo da008638 Description: SICFET N-CH 1200V 28.8A D2PAK-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 20A, 12V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Part Status: Active
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 12 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 754 pF @ 100 V
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+542.8 грн
Мінімальне замовлення: 800
UF3C120080B7S UF3C120080B7S QORVO 3971394.pdf Description: QORVO - UF3C120080B7S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 28.8 A, 1.2 kV, 85 mohm, D2PAK
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 28.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 190W
Bauform - Transistor: D2PAK
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.085ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 296 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1205.56 грн
5+ 1054.96 грн
10+ 873.62 грн
50+ 727.75 грн
100+ 619.73 грн
250+ 578.51 грн
UF3C120080B7S UF3C120080B7S Qorvo da008638 Description: SICFET N-CH 1200V 28.8A D2PAK-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 20A, 12V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Part Status: Active
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 12 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 754 pF @ 100 V
на замовлення 4885 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+647.78 грн
10+ 549.25 грн
100+ 522.7 грн
UF3C120080B7S UF3C120080B7S Qorvo UF3C120080B7S_Data_Sheet-3177207.pdf SiC MOSFETs 1200V/80mOhms,SICFET,G3,TO263-7
на замовлення 850 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+710.12 грн
100+ 666.03 грн
800+ 578.45 грн
2400+ 577.75 грн
9600+ 577.05 грн
UF3C120080K3S UF3C120080K3S QORVO 3750895.pdf Description: QORVO - UF3C120080K3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 33 A, 1.2 kV, 0.08 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 33A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 254.2W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1034.46 грн
5+ 973.75 грн
10+ 912.25 грн
50+ 790.71 грн
100+ 677.85 грн
250+ 627.84 грн
UF3C120080K3S UF3C120080K3S Qorvo UF3C120080K3S_Data_Sheet-3177173.pdf SiC MOSFETs 1200V/80mOhms,SICFET,G3,TO247-3
на замовлення 1184 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1244.76 грн
25+ 1082.29 грн
100+ 816.02 грн
250+ 690.21 грн
600+ 654.36 грн
3000+ 641.01 грн
5400+ 622.03 грн
UF3C120080K3S UF3C120080K3S Qorvo da008639 Description: SICFET N-CH 1200V 33A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 20A, 12V
Power Dissipation (Max): 254.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V
на замовлення 17614 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+996.76 грн
25+ 846.59 грн
100+ 733.94 грн
250+ 582.41 грн
500+ 551.81 грн
UF3C120080K4S UF3C120080K4S Qorvo UF3C120080K4S_Data_Sheet-3177055.pdf SiC MOSFETs 1200V/80mOhms,SICFET,G3,TO247-4
на замовлення 437 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1247.22 грн
25+ 1069.36 грн
100+ 817.42 грн
250+ 655.06 грн
600+ 654.36 грн
UF3C120080K4S UF3C120080K4S QORVO 3750896.pdf Description: QORVO - UF3C120080K4S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 33 A, 1.2 kV, 0.08 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 33A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 254.2W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 551 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1073.88 грн
5+ 972.96 грн
10+ 872.04 грн
50+ 784.86 грн
100+ 701.51 грн
250+ 631.9 грн
UF3C120080K4S UF3C120080K4S Qorvo da008640 Description: SICFET N-CH 1200V 33A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 20A, 12V
Power Dissipation (Max): 254.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 12 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V
на замовлення 16475 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1016.52 грн
30+ 792.79 грн
120+ 746.16 грн
510+ 634.6 грн
1020+ 582.08 грн
UF3C120150B7S UF3C120150B7S Qorvo da008641 Description: 1200V/150MOHM, SIC, FAST CASCODE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 5A, 12V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 10mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25.7 nC @ 12 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 738 pF @ 100 V
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+302.2 грн
Мінімальне замовлення: 800
UF3C120150B7S UF3C120150B7S QORVO 3971395.pdf Description: QORVO - UF3C120150B7S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 17 A, 1.2 kV, 150 mohm, D2PAK
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: D2PAK
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 362 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+512.5 грн
5+ 482.54 грн
10+ 451.79 грн
50+ 391.7 грн
100+ 335.88 грн
250+ 323.72 грн
Мінімальне замовлення: 2
UF3C120150B7S UF3C120150B7S Qorvo UF3C120150B7S_Data_Sheet-3177065.pdf SiC MOSFETs 1200V/150mOhms,SICFET,G3,TO263-7
на замовлення 4071 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+621.56 грн
25+ 609.45 грн
100+ 442.8 грн
250+ 437.18 грн
500+ 435.07 грн
800+ 323.31 грн
UF3C120150B7S UF3C120150B7S Qorvo da008641 Description: 1200V/150MOHM, SIC, FAST CASCODE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 5A, 12V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 10mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25.7 nC @ 12 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 738 pF @ 100 V
на замовлення 2766 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+581.63 грн
10+ 479.7 грн
100+ 399.74 грн
UF3C120150K4S UF3C120150K4S QORVO 3750897.pdf Description: QORVO - UF3C120150K4S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 18.4 A, 1.2 kV, 0.15 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.4V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 166.7W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 504 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+604.75 грн
5+ 569.27 грн
10+ 533.79 грн
50+ 462.71 грн
100+ 396.71 грн
250+ 370.35 грн
Мінімальне замовлення: 2
UF3C120150K4S UF3C120150K4S Qorvo da008642 Description: SICFET N-CH 1200V 18.4A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 5A, 12V
Power Dissipation (Max): 166.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25.7 nC @ 12 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 738 pF @ 100 V
на замовлення 438 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+583.15 грн
25+ 494.99 грн
100+ 429.43 грн
250+ 340.86 грн
UF3C120150K4S UF3C120150K4S Qorvo UF3C120150K4S_Data_Sheet-3177199.pdf SiC MOSFETs 1200V/150mOhms,SICFET,G3,TO247-4
на замовлення 89 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+728.16 грн
25+ 632.89 грн
100+ 477.24 грн
250+ 404.14 грн
600+ 382.35 грн
3000+ 375.33 грн
5400+ 363.38 грн
UF3C120400B7S UF3C120400B7S Qorvo da008946 Description: SICFET N-CH 1200V 7.6A D2PAK-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 515mOhm @ 5A, 12V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.5 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 739 pF @ 800 V
на замовлення 896 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+440.21 грн
10+ 355.75 грн
100+ 287.77 грн
UF3C120400B7S UF3C120400B7S Qorvo UF3C120400B7S_Data_Sheet-3177191.pdf SiC MOSFETs 1200V/400mOhms,SICFET,G3,TO263-7
на замовлення 4308 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+423.94 грн
25+ 369.39 грн
100+ 278.33 грн
250+ 235.46 грн
500+ 223.51 грн
2400+ 218.59 грн
4800+ 211.56 грн
UF3C120400B7S UF3C120400B7S Qorvo da008946 Description: SICFET N-CH 1200V 7.6A D2PAK-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 515mOhm @ 5A, 12V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.5 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 739 pF @ 800 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+205.47 грн
Мінімальне замовлення: 800
UF3C120400B7S UF3C120400B7S QORVO 3971396.pdf Description: QORVO - UF3C120400B7S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 7.6 A, 1.2 kV, 410 mohm, D2PAK
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 7.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: D2PAK
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.41ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 289 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+458.1 грн
5+ 421.83 грн
10+ 384.77 грн
50+ 323.61 грн
100+ 266.95 грн
250+ 261.54 грн
Мінімальне замовлення: 2
UF3C120400K3S UF3C120400K3S Qorvo UF3C120400K3S_Data_Sheet-3177208.pdf MOSFETs 1200V/400mOhms,SICFET,G3,TO247-3
на замовлення 1138 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+444.44 грн
25+ 349.99 грн
100+ 282.55 грн
600+ 281.85 грн
3000+ 278.33 грн
5400+ 274.11 грн
10200+ 271.3 грн
UF3C120400K3S UF3C120400K3S Qorvo da008643 Description: SICFET N-CH 1200V 7.6A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 515mOhm @ 5A, 12V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 740 pF @ 100 V
на замовлення 581 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+508.64 грн
30+ 390.7 грн
120+ 349.57 грн
510+ 289.46 грн
UF3C120400K3S UF3C120400K3S QORVO 3750898.pdf Description: QORVO - UF3C120400K3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 7.6 A, 1.2 kV, 0.41 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.7V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.41ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 372 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+446.27 грн
5+ 420.25 грн
10+ 393.44 грн
50+ 341.18 грн
100+ 291.96 грн
250+ 273.03 грн
Мінімальне замовлення: 2
UF3C170400B7S UF3C170400B7S Qorvo da008948 Description: SICFET N-CH 1700V 7.6A D2PAK-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 515mOhm @ 5A, 12V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23.1 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 734 pF @ 1200 V
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+269.3 грн
Мінімальне замовлення: 800
UF3C170400B7S UF3C170400B7S Qorvo UF3C170400B7S_Data_Sheet-3177196.pdf SiC MOSFETs 1700V/400mOhms,SICFET,G3,TO263-7
на замовлення 1250 шт:
термін постачання 287-296 дні (днів)
1+555.96 грн
25+ 483.35 грн
100+ 364.08 грн
250+ 309.26 грн
500+ 292.39 грн
2400+ 286.77 грн
4800+ 281.14 грн
UF3C170400B7S UF3C170400B7S Qorvo da008948 Description: SICFET N-CH 1700V 7.6A D2PAK-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 515mOhm @ 5A, 12V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23.1 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 734 pF @ 1200 V
на замовлення 4163 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+517.77 грн
10+ 427.42 грн
100+ 356.21 грн
UF3C170400B7S UF3C170400B7S QORVO 3971403.pdf Description: QORVO - UF3C170400B7S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 7.6 A, 1.7 kV, 410 mohm, D2PAK
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.7kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 7.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: D2PAK
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.41ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 370 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+510.92 грн
5+ 479.38 грн
10+ 447.06 грн
50+ 393.89 грн
100+ 343.32 грн
250+ 312.23 грн
Мінімальне замовлення: 2
UF3C170400K3S UF3C170400K3S Qorvo UF3C170400K3S_Data_Sheet-3177209.pdf MOSFET 1700V/400mO,SICFET,G3,TO247-3
на замовлення 4960 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+542.02 грн
25+ 426.77 грн
100+ 343.7 грн
600+ 342.99 грн
10200+ 342.29 грн
UF3C170400K3S UF3C170400K3S QORVO 3750899.pdf Description: QORVO - UF3C170400K3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 7.6 A, 1.7 kV, 0.41 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.7kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.7V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.41ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 197 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+543.25 грн
5+ 511.71 грн
10+ 480.17 грн
50+ 415.86 грн
100+ 356.16 грн
Мінімальне замовлення: 2
UF3C170400K3S UF3C170400K3S Qorvo da008644 Description: SICFET N-CH 1700V 7.6A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 515mOhm @ 5A, 12V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27.5 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 740 pF @ 100 V
на замовлення 75991 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+523.09 грн
25+ 445.14 грн
100+ 385.74 грн
250+ 306.26 грн
500+ 289.92 грн
UF3N170400B7S UF3N170400B7S Qorvo da008645 Description: JFET N-CH 1.7KV 6.8A D2PAK-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 225pF @ 100V
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 1700 V
Current Drain (Id) - Max: 6.8 A
Supplier Device Package: D2PAK-7
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Power - Max: 68 W
Resistance - RDS(On): 500 mOhms
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 2.2 µA @ 1700 V
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+316.51 грн
Мінімальне замовлення: 800
UF3C065040K4S UF3C065040K4S_Data_Sheet-3177182.pdf
UF3C065040K4S
Виробник: Qorvo
MOSFET 650V/40mOhms,SICFET,G3,TO247-4
на замовлення 3206 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1143.08 грн
25+ 994.19 грн
100+ 749.25 грн
250+ 634.68 грн
600+ 600.94 грн
3000+ 588.29 грн
5400+ 570.72 грн
UF3C065040T3S UF3C065040T3S_Data_Sheet-3177146.pdf
UF3C065040T3S
Виробник: Qorvo
MOSFETs 650V/40mOhms,SICFET,G3,TO220-3
на замовлення 399 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1146.36 грн
25+ 914.98 грн
100+ 748.54 грн
250+ 744.33 грн
500+ 662.79 грн
1000+ 613.59 грн
5000+ 600.24 грн
UF3C065040T3S 3750888.pdf
UF3C065040T3S
Виробник: QORVO
Description: QORVO - UF3C065040T3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 54 A, 650 V, 0.042 ohm, TO-220
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 54A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 326W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.042ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 419 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+952.46 грн
5+ 861.79 грн
10+ 771.12 грн
50+ 694.8 грн
100+ 621.76 грн
250+ 621.08 грн
UF3C065040T3S
UF3C065040T3S
Виробник: Qorvo
Description: MOSFET N-CH 650V 54A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 54A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 40A, 12V
Power Dissipation (Max): 326W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V
на замовлення 1336 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+921.49 грн
50+ 717.97 грн
100+ 675.75 грн
500+ 574.71 грн
1000+ 527.14 грн
UF3C065080B3 UF3C065080B3_Data_Sheet-3177147.pdf
UF3C065080B3
Виробник: Qorvo
SiC MOSFETs 650V/80mOhms,SICFET,G3,TO263-3
на замовлення 1410 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+399.34 грн
100+ 339.48 грн
800+ 294.5 грн
2400+ 293.79 грн
UF3C065080B3 3750889.pdf
UF3C065080B3
Виробник: QORVO
Description: QORVO - UF3C065080B3 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 25 A, 650 V, 0.08 ohm, D2PAK
tariffCode: 85411000
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 115W
Bauform - Transistor: D2PAK
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+615 грн
5+ 538.52 грн
10+ 446.27 грн
50+ 371.2 грн
100+ 316.29 грн
250+ 295.34 грн
Мінімальне замовлення: 2
UF3C065080B3 3750889.pdf
UF3C065080B3
Виробник: QORVO
Description: QORVO - UF3C065080B3 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 25 A, 650 V, 0.08 ohm, D2PAK
tariffCode: 85411000
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 115W
Bauform - Transistor: D2PAK
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+446.27 грн
50+ 371.2 грн
100+ 316.29 грн
250+ 295.34 грн
Мінімальне замовлення: 10
UF3C065080B3
UF3C065080B3
Виробник: Qorvo
Description: MOSFET N-CH 650V 25A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
на замовлення 11200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
800+271.92 грн
Мінімальне замовлення: 800
UF3C065080B3
UF3C065080B3
Виробник: Qorvo
Description: MOSFET N-CH 650V 25A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
на замовлення 12452 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+367.99 грн
10+ 303.47 грн
100+ 261.85 грн
UF3C065080B7S da008632
UF3C065080B7S
Виробник: Qorvo
Description: SICFET N-CH 650V 27A D2PAK-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 20A, 12V
Power Dissipation (Max): 136.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Part Status: Active
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 12 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 100 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
800+321.76 грн
Мінімальне замовлення: 800
UF3C065080B7S 3971370.pdf
UF3C065080B7S
Виробник: QORVO
Description: QORVO - UF3C065080B7S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 27 A, 650 V, 85 mohm, D2PAK
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 27A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136.4W
Bauform - Transistor: D2PAK
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.085ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+555.87 грн
5+ 529.06 грн
10+ 502.25 грн
50+ 435.62 грн
100+ 373.73 грн
250+ 348.73 грн
Мінімальне замовлення: 2
UF3C065080B7S da008632
UF3C065080B7S
Виробник: Qorvo
Description: SICFET N-CH 650V 27A D2PAK-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 20A, 12V
Power Dissipation (Max): 136.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Part Status: Active
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 12 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 100 V
на замовлення 2154 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+618.89 грн
10+ 510.67 грн
100+ 425.6 грн
UF3C065080B7S UF3C065080B7S_Data_Sheet-3177034.pdf
UF3C065080B7S
Виробник: Qorvo
SiC MOSFETs 650V/80mOhms,SICFET,G3,TO263-7
на замовлення 4261 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+670.76 грн
25+ 659.56 грн
100+ 478.65 грн
250+ 475.83 грн
800+ 349.32 грн
UF3C065080K3S 3750890.pdf
UF3C065080K3S
Виробник: QORVO
Description: QORVO - UF3C065080K3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 31 A, 650 V, 0.08 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 31A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 190W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 312 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+501.46 грн
5+ 472.29 грн
10+ 442.33 грн
50+ 383.64 грн
100+ 328.45 грн
250+ 314.26 грн
Мінімальне замовлення: 2
UF3C065080K3S UF3C065080K3S_Data_Sheet-3177161.pdf
UF3C065080K3S
Виробник: Qorvo
MOSFETs 650V/80mOhms,SICFET,G3,TO247-3
на замовлення 382 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+499.38 грн
25+ 393.64 грн
100+ 316.99 грн
600+ 316.29 грн
3000+ 312.77 грн
5400+ 307.85 грн
10200+ 304.34 грн
UF3C065080K3S da008633
UF3C065080K3S
Виробник: Qorvo
Description: MOSFET N-CH 650V 31A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 20A, 12V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V
на замовлення 12121 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+401.44 грн
30+ 308.87 грн
120+ 286.2 грн
UF3C065080K4S 3750891.pdf
UF3C065080K4S
Виробник: QORVO
Description: QORVO - UF3C065080K4S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 31 A, 650 V, 0.08 ohm, TO-247
tariffCode: 85411000
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 31A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 190W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 97 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+428.92 грн
5+ 427.35 грн
10+ 424.98 грн
50+ 393.16 грн
Мінімальне замовлення: 2
UF3C065080K4S da008634
UF3C065080K4S
Виробник: Qorvo
Description: MOSFET N-CH 650V 31A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 20A, 12V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 12 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V
на замовлення 13236 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+415.12 грн
30+ 319.04 грн
120+ 295.63 грн
UF3C065080K4S UF3C065080K4S_Data_Sheet-3177162.pdf
UF3C065080K4S
Виробник: Qorvo
MOSFETs 650V/80mOhms,SICFET,G3,TO247-4
на замовлення 729 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+516.6 грн
25+ 406.57 грн
100+ 328.23 грн
600+ 326.83 грн
3000+ 325.42 грн
5400+ 324.02 грн
10200+ 322.61 грн
UF3C065080T3S UF3C065080T3S_Data_Sheet-3177044.pdf
UF3C065080T3S
Виробник: Qorvo
MOSFET 650V/80mO,SICFET,G3,TO220-3
на замовлення 82 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+660.92 грн
25+ 553.68 грн
100+ 425.23 грн
250+ 368.3 грн
500+ 312.07 грн
1000+ 295.2 грн
5000+ 280.44 грн
UF3C065080T3S da008635
UF3C065080T3S
Виробник: Qorvo
Description: MOSFET N-CH 650V 31A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 20A, 12V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V
на замовлення 7554 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+529.17 грн
25+ 432.84 грн
100+ 382.32 грн
250+ 310.75 грн
500+ 263.33 грн
1000+ 249.08 грн
UF3C065080T3S 3750892.pdf
UF3C065080T3S
Виробник: QORVO
Description: QORVO - UF3C065080T3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 31 A, 650 V, 0.08 ohm, TO-220
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 31A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 190W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 112 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+548.77 грн
5+ 507.77 грн
10+ 466.77 грн
50+ 408.54 грн
100+ 353.46 грн
Мінімальне замовлення: 2
UF3C120040K3S UF3C120040K3S_Data_Sheet-3177148.pdf
UF3C120040K3S
Виробник: Qorvo
SiC MOSFETs 1200V/40mOhms,SICFET,G3,TO247-3
на замовлення 193 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+2492.8 грн
25+ 2168.63 грн
100+ 1634.14 грн
250+ 1383.22 грн
600+ 1309.42 грн
3000+ 1282.71 грн
5400+ 1244.06 грн
UF3C120040K3S 3750893.pdf
UF3C120040K3S
Виробник: QORVO
Description: QORVO - UF3C120040K3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 65 A, 1.2 kV, 0.035 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 65A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 429W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 617 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+2396.92 грн
5+ 2256.58 грн
10+ 2115.44 грн
50+ 1833.29 грн
100+ 1571.29 грн
UF3C120040K3S da008636
UF3C120040K3S
Виробник: Qorvo
Description: SICFET N-CH 1200V 65A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 40A, 12V
Power Dissipation (Max): 429W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V
на замовлення 36046 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1346.5 грн
30+ 1182.51 грн
UF3C120040K4S UF3C120040K4S_Data_Sheet-3177198.pdf
UF3C120040K4S
Виробник: Qorvo
SiC MOSFETs 1200V/40mOhms,SICFET,G3,TO247-4
на замовлення 824 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+2432.12 грн
25+ 2046.58 грн
100+ 1608.84 грн
250+ 1309.42 грн
UF3C120040K4S da008637
UF3C120040K4S
Виробник: Qorvo
Description: SICFET N-CH 1200V 65A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 40A, 12V
Power Dissipation (Max): 429W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 12 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V
на замовлення 806 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1995.79 грн
25+ 1695.88 грн
100+ 1469.91 грн
250+ 1167.37 грн
500+ 1105.22 грн
UF3C120040K4S 3750894.pdf
UF3C120040K4S
Виробник: QORVO
Description: QORVO - UF3C120040K4S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 65 A, 1.2 kV, 0.035 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 65A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 429W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 374 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1979.83 грн
5+ 1811.1 грн
10+ 1642.37 грн
50+ 1477.46 грн
100+ 1319.21 грн
UF3C120080B7S da008638
UF3C120080B7S
Виробник: Qorvo
Description: SICFET N-CH 1200V 28.8A D2PAK-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 20A, 12V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Part Status: Active
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 12 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 754 pF @ 100 V
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
800+542.8 грн
Мінімальне замовлення: 800
UF3C120080B7S 3971394.pdf
UF3C120080B7S
Виробник: QORVO
Description: QORVO - UF3C120080B7S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 28.8 A, 1.2 kV, 85 mohm, D2PAK
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 28.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 190W
Bauform - Transistor: D2PAK
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.085ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 296 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1205.56 грн
5+ 1054.96 грн
10+ 873.62 грн
50+ 727.75 грн
100+ 619.73 грн
250+ 578.51 грн
UF3C120080B7S da008638
UF3C120080B7S
Виробник: Qorvo
Description: SICFET N-CH 1200V 28.8A D2PAK-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 20A, 12V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Part Status: Active
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 12 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 754 pF @ 100 V
на замовлення 4885 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+647.78 грн
10+ 549.25 грн
100+ 522.7 грн
UF3C120080B7S UF3C120080B7S_Data_Sheet-3177207.pdf
UF3C120080B7S
Виробник: Qorvo
SiC MOSFETs 1200V/80mOhms,SICFET,G3,TO263-7
на замовлення 850 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+710.12 грн
100+ 666.03 грн
800+ 578.45 грн
2400+ 577.75 грн
9600+ 577.05 грн
UF3C120080K3S 3750895.pdf
UF3C120080K3S
Виробник: QORVO
Description: QORVO - UF3C120080K3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 33 A, 1.2 kV, 0.08 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 33A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 254.2W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1034.46 грн
5+ 973.75 грн
10+ 912.25 грн
50+ 790.71 грн
100+ 677.85 грн
250+ 627.84 грн
UF3C120080K3S UF3C120080K3S_Data_Sheet-3177173.pdf
UF3C120080K3S
Виробник: Qorvo
SiC MOSFETs 1200V/80mOhms,SICFET,G3,TO247-3
на замовлення 1184 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1244.76 грн
25+ 1082.29 грн
100+ 816.02 грн
250+ 690.21 грн
600+ 654.36 грн
3000+ 641.01 грн
5400+ 622.03 грн
UF3C120080K3S da008639
UF3C120080K3S
Виробник: Qorvo
Description: SICFET N-CH 1200V 33A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 20A, 12V
Power Dissipation (Max): 254.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V
на замовлення 17614 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+996.76 грн
25+ 846.59 грн
100+ 733.94 грн
250+ 582.41 грн
500+ 551.81 грн
UF3C120080K4S UF3C120080K4S_Data_Sheet-3177055.pdf
UF3C120080K4S
Виробник: Qorvo
SiC MOSFETs 1200V/80mOhms,SICFET,G3,TO247-4
на замовлення 437 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1247.22 грн
25+ 1069.36 грн
100+ 817.42 грн
250+ 655.06 грн
600+ 654.36 грн
UF3C120080K4S 3750896.pdf
UF3C120080K4S
Виробник: QORVO
Description: QORVO - UF3C120080K4S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 33 A, 1.2 kV, 0.08 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 33A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 254.2W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 551 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1073.88 грн
5+ 972.96 грн
10+ 872.04 грн
50+ 784.86 грн
100+ 701.51 грн
250+ 631.9 грн
UF3C120080K4S da008640
UF3C120080K4S
Виробник: Qorvo
Description: SICFET N-CH 1200V 33A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 20A, 12V
Power Dissipation (Max): 254.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 12 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V
на замовлення 16475 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1016.52 грн
30+ 792.79 грн
120+ 746.16 грн
510+ 634.6 грн
1020+ 582.08 грн
UF3C120150B7S da008641
UF3C120150B7S
Виробник: Qorvo
Description: 1200V/150MOHM, SIC, FAST CASCODE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 5A, 12V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 10mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25.7 nC @ 12 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 738 pF @ 100 V
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
800+302.2 грн
Мінімальне замовлення: 800
UF3C120150B7S 3971395.pdf
UF3C120150B7S
Виробник: QORVO
Description: QORVO - UF3C120150B7S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 17 A, 1.2 kV, 150 mohm, D2PAK
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: D2PAK
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 362 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+512.5 грн
5+ 482.54 грн
10+ 451.79 грн
50+ 391.7 грн
100+ 335.88 грн
250+ 323.72 грн
Мінімальне замовлення: 2
UF3C120150B7S UF3C120150B7S_Data_Sheet-3177065.pdf
UF3C120150B7S
Виробник: Qorvo
SiC MOSFETs 1200V/150mOhms,SICFET,G3,TO263-7
на замовлення 4071 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+621.56 грн
25+ 609.45 грн
100+ 442.8 грн
250+ 437.18 грн
500+ 435.07 грн
800+ 323.31 грн
UF3C120150B7S da008641
UF3C120150B7S
Виробник: Qorvo
Description: 1200V/150MOHM, SIC, FAST CASCODE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 5A, 12V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 10mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25.7 nC @ 12 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 738 pF @ 100 V
на замовлення 2766 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+581.63 грн
10+ 479.7 грн
100+ 399.74 грн
UF3C120150K4S 3750897.pdf
UF3C120150K4S
Виробник: QORVO
Description: QORVO - UF3C120150K4S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 18.4 A, 1.2 kV, 0.15 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.4V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 166.7W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 504 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+604.75 грн
5+ 569.27 грн
10+ 533.79 грн
50+ 462.71 грн
100+ 396.71 грн
250+ 370.35 грн
Мінімальне замовлення: 2
UF3C120150K4S da008642
UF3C120150K4S
Виробник: Qorvo
Description: SICFET N-CH 1200V 18.4A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 5A, 12V
Power Dissipation (Max): 166.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25.7 nC @ 12 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 738 pF @ 100 V
на замовлення 438 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+583.15 грн
25+ 494.99 грн
100+ 429.43 грн
250+ 340.86 грн
UF3C120150K4S UF3C120150K4S_Data_Sheet-3177199.pdf
UF3C120150K4S
Виробник: Qorvo
SiC MOSFETs 1200V/150mOhms,SICFET,G3,TO247-4
на замовлення 89 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+728.16 грн
25+ 632.89 грн
100+ 477.24 грн
250+ 404.14 грн
600+ 382.35 грн
3000+ 375.33 грн
5400+ 363.38 грн
UF3C120400B7S da008946
UF3C120400B7S
Виробник: Qorvo
Description: SICFET N-CH 1200V 7.6A D2PAK-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 515mOhm @ 5A, 12V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.5 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 739 pF @ 800 V
на замовлення 896 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+440.21 грн
10+ 355.75 грн
100+ 287.77 грн
UF3C120400B7S UF3C120400B7S_Data_Sheet-3177191.pdf
UF3C120400B7S
Виробник: Qorvo
SiC MOSFETs 1200V/400mOhms,SICFET,G3,TO263-7
на замовлення 4308 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+423.94 грн
25+ 369.39 грн
100+ 278.33 грн
250+ 235.46 грн
500+ 223.51 грн
2400+ 218.59 грн
4800+ 211.56 грн
UF3C120400B7S da008946
UF3C120400B7S
Виробник: Qorvo
Description: SICFET N-CH 1200V 7.6A D2PAK-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 515mOhm @ 5A, 12V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.5 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 739 pF @ 800 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
800+205.47 грн
Мінімальне замовлення: 800
UF3C120400B7S 3971396.pdf
UF3C120400B7S
Виробник: QORVO
Description: QORVO - UF3C120400B7S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 7.6 A, 1.2 kV, 410 mohm, D2PAK
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 7.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: D2PAK
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.41ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 289 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+458.1 грн
5+ 421.83 грн
10+ 384.77 грн
50+ 323.61 грн
100+ 266.95 грн
250+ 261.54 грн
Мінімальне замовлення: 2
UF3C120400K3S UF3C120400K3S_Data_Sheet-3177208.pdf
UF3C120400K3S
Виробник: Qorvo
MOSFETs 1200V/400mOhms,SICFET,G3,TO247-3
на замовлення 1138 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+444.44 грн
25+ 349.99 грн
100+ 282.55 грн
600+ 281.85 грн
3000+ 278.33 грн
5400+ 274.11 грн
10200+ 271.3 грн
UF3C120400K3S da008643
UF3C120400K3S
Виробник: Qorvo
Description: SICFET N-CH 1200V 7.6A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 515mOhm @ 5A, 12V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 740 pF @ 100 V
на замовлення 581 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+508.64 грн
30+ 390.7 грн
120+ 349.57 грн
510+ 289.46 грн
UF3C120400K3S 3750898.pdf
UF3C120400K3S
Виробник: QORVO
Description: QORVO - UF3C120400K3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 7.6 A, 1.2 kV, 0.41 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.7V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.41ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 372 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+446.27 грн
5+ 420.25 грн
10+ 393.44 грн
50+ 341.18 грн
100+ 291.96 грн
250+ 273.03 грн
Мінімальне замовлення: 2
UF3C170400B7S da008948
UF3C170400B7S
Виробник: Qorvo
Description: SICFET N-CH 1700V 7.6A D2PAK-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 515mOhm @ 5A, 12V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23.1 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 734 pF @ 1200 V
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
800+269.3 грн
Мінімальне замовлення: 800
UF3C170400B7S UF3C170400B7S_Data_Sheet-3177196.pdf
UF3C170400B7S
Виробник: Qorvo
SiC MOSFETs 1700V/400mOhms,SICFET,G3,TO263-7
на замовлення 1250 шт:
термін постачання 287-296 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+555.96 грн
25+ 483.35 грн
100+ 364.08 грн
250+ 309.26 грн
500+ 292.39 грн
2400+ 286.77 грн
4800+ 281.14 грн
UF3C170400B7S da008948
UF3C170400B7S
Виробник: Qorvo
Description: SICFET N-CH 1700V 7.6A D2PAK-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 515mOhm @ 5A, 12V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23.1 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 734 pF @ 1200 V
на замовлення 4163 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+517.77 грн
10+ 427.42 грн
100+ 356.21 грн
UF3C170400B7S 3971403.pdf
UF3C170400B7S
Виробник: QORVO
Description: QORVO - UF3C170400B7S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 7.6 A, 1.7 kV, 410 mohm, D2PAK
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.7kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 7.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: D2PAK
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.41ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 370 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+510.92 грн
5+ 479.38 грн
10+ 447.06 грн
50+ 393.89 грн
100+ 343.32 грн
250+ 312.23 грн
Мінімальне замовлення: 2
UF3C170400K3S UF3C170400K3S_Data_Sheet-3177209.pdf
UF3C170400K3S
Виробник: Qorvo
MOSFET 1700V/400mO,SICFET,G3,TO247-3
на замовлення 4960 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+542.02 грн
25+ 426.77 грн
100+ 343.7 грн
600+ 342.99 грн
10200+ 342.29 грн
UF3C170400K3S 3750899.pdf
UF3C170400K3S
Виробник: QORVO
Description: QORVO - UF3C170400K3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 7.6 A, 1.7 kV, 0.41 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.7kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.7V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.41ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 197 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+543.25 грн
5+ 511.71 грн
10+ 480.17 грн
50+ 415.86 грн
100+ 356.16 грн
Мінімальне замовлення: 2
UF3C170400K3S da008644
UF3C170400K3S
Виробник: Qorvo
Description: SICFET N-CH 1700V 7.6A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 515mOhm @ 5A, 12V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27.5 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 740 pF @ 100 V
на замовлення 75991 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+523.09 грн
25+ 445.14 грн
100+ 385.74 грн
250+ 306.26 грн
500+ 289.92 грн
UF3N170400B7S da008645
UF3N170400B7S
Виробник: Qorvo
Description: JFET N-CH 1.7KV 6.8A D2PAK-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 225pF @ 100V
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 1700 V
Current Drain (Id) - Max: 6.8 A
Supplier Device Package: D2PAK-7
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Power - Max: 68 W
Resistance - RDS(On): 500 mOhms
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 2.2 µA @ 1700 V
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
800+316.51 грн
Мінімальне замовлення: 800
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 7 14 21 28 35 42 49 56 63 69 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79  [ Наступна Сторінка >> ]