Продукція > QORVO > Всі товари виробника QORVO (4910) > Сторінка 78 з 82

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 8 16 24 32 40 48 56 64 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
без ПДВ
UF4C120053B7S UF4C120053B7S Qorvo da009133 Description: 1200V/53MO,SICFET,G4,TO263-7
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 67mOhm @ 20A, 12V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: D2PAK-7L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.8 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1370 pF @ 800 V
товару немає в наявності
UF4C120053B7SSB Qorvo Description: 1200V/53MO,SICFET,G4,TO263-7
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 67mOhm @ 20A, 12V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: D2PAK-7L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.8 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1370 pF @ 800 V
товару немає в наявності
UF4C120053B7SSR UF4C120053B7SSR Qorvo UF4C120053B7S_Data_Sheet-3401207.pdf SiC MOSFETs UF4C120053B7S
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1039.14 грн
200+ 1023.48 грн
UF4C120053B7SSR Qorvo Description: 1200V/53MO,SICFET,G4,TO263-7
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 67mOhm @ 20A, 12V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: D2PAK-7L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.8 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1370 pF @ 800 V
товару немає в наявності
UF4C120053K3S UF4C120053K3S Qorvo da008655 Description: 1200V/53MOHM, SIC, FAST CASCODE,
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 67mOhm @ 20A, 12V
Power Dissipation (Max): 263W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.8 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1370 pF @ 800 V
на замовлення 542 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1080.95 грн
30+ 842.76 грн
120+ 793.18 грн
510+ 674.59 грн
UF4C120053K3S UF4C120053K3S Qorvo UF4C120053K3S_Data_Sheet-3177174.pdf MOSFET 1200V/53mOhms,SICFET,G4,TO247-3
на замовлення 988 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1311.55 грн
25+ 1141.01 грн
100+ 860.17 грн
250+ 727.46 грн
600+ 689.13 грн
3000+ 676.36 грн
5400+ 654.36 грн
UF4C120053K3S UF4C120053K3S QORVO da008655 Description: QORVO - UF4C120053K3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 34 A, 1.2 kV, 53 mohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 34A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 263W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 53mohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 441 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1089.93 грн
5+ 1026.24 грн
10+ 961.75 грн
50+ 833.91 грн
100+ 714.49 грн
250+ 666.72 грн
UF4C120053K4S UF4C120053K4S Qorvo da008656 Description: 1200V/53MOHM, SIC, FAST CASCODE,
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 67mOhm @ 20A, 12V
Power Dissipation (Max): 263W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.8 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1370 pF @ 800 V
на замовлення 520 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1121.64 грн
30+ 874.4 грн
120+ 822.97 грн
510+ 699.92 грн
UF4C120053K4S UF4C120053K4S QORVO da008656 Description: QORVO - UF4C120053K4S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 34 A, 1.2 kV, 53 mohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 34A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 263W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 53mohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1131.33 грн
5+ 1065.25 грн
10+ 998.38 грн
50+ 865.7 грн
100+ 741.79 грн
250+ 691.97 грн
UF4C120053K4S UF4C120053K4S Qorvo UF4C120053K4S_Data_Sheet-3177201.pdf MOSFET 1200V/53mOhms,SICFET,G4,TO247-4
на замовлення 770 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1361.23 грн
25+ 1183.45 грн
100+ 892.11 грн
250+ 755.14 грн
600+ 715.39 грн
3000+ 700.49 грн
5400+ 679.91 грн
UF4C120070B7S UF4C120070B7S Qorvo da009124 Description: 1200V/70MO,SICFET,G4,TO263-7
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25.7A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 91mOhm @ 20A, 12V
Power Dissipation (Max): 183W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: D2PAK-7L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.8 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1370 pF @ 800 V
товару немає в наявності
UF4C120070B7S UF4C120070B7S Qorvo UF4C120070B7S_Data_Sheet-3401229.pdf SiC MOSFETs UF4C120070B7S
на замовлення 592 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1041.62 грн
25+ 905.95 грн
100+ 682.75 грн
250+ 577.71 грн
500+ 525.19 грн
2400+ 496.8 грн
5600+ 496.09 грн
UF4C120070B7SSB Qorvo Description: 1200V/70MO,SICFET,G4,TO263-7
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25.7A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 91mOhm @ 20A, 12V
Power Dissipation (Max): 183W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.8 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1370 pF @ 800 V
товару немає в наявності
UF4C120070B7SSR Qorvo Description: 1200V/70MO,SICFET,G4,TO263-7
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25.7A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 91mOhm @ 20A, 12V
Power Dissipation (Max): 183W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.8 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1370 pF @ 800 V
товару немає в наявності
UF4C120070B7SSR UF4C120070B7SSR Qorvo UF4C120070B7S_Data_Sheet-3401229.pdf SiC MOSFETs UF4C120070B7S
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+795.71 грн
600+ 649.67 грн
1000+ 558.55 грн
2600+ 555 грн
UF4C120070K3S UF4C120070K3S QORVO da008657 Description: QORVO - UF4C120070K3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 27.5 A, 1.2 kV, 72 mohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 27.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 217W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 72mohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 427 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1239.61 грн
5+ 1085.16 грн
10+ 898.86 грн
50+ 748.16 грн
100+ 637.38 грн
250+ 595.07 грн
UF4C120070K3S UF4C120070K3S Qorvo da008657 Description: 1200V/70MOHM, SIC, FAST CASCODE,
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 91mOhm @ 20A, 12V
Power Dissipation (Max): 217W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.8 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1370 pF @ 800 V
на замовлення 575 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+917.43 грн
30+ 714.67 грн
120+ 672.64 грн
510+ 572.06 грн
UF4C120070K3S UF4C120070K3S Qorvo UF4C120070K3S_Data_Sheet-3177175.pdf MOSFET 1200V/70mO,SICFET,G4,TO247-3
на замовлення 545 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1124.42 грн
25+ 977.77 грн
100+ 736.68 грн
250+ 623.13 грн
600+ 590.48 грн
3000+ 578.42 грн
5400+ 561.38 грн
UF4C120070K4S UF4C120070K4S QORVO da008658 Description: QORVO - UF4C120070K4S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 27.5 A, 1.2 kV, 72 mohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 27.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 217W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 72mohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 455 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1250.76 грн
5+ 1094.71 грн
10+ 906.82 грн
50+ 754.81 грн
100+ 643.52 грн
250+ 600.53 грн
UF4C120070K4S UF4C120070K4S Qorvo da008658 Description: 1200V/70MOHM, SIC, FAST CASCODE,
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 91mOhm @ 20A, 12V
Power Dissipation (Max): 217W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.8 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1370 pF @ 800 V
на замовлення 485 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+955.81 грн
30+ 744.83 грн
120+ 701.03 грн
UF4C120070K4S UF4C120070K4S Qorvo UF4C120070K4S_Data_Sheet-3177183.pdf SiC MOSFETs 1200V/70mO,SICFET,G4,TO247-4
на замовлення 489 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+802.33 грн
25+ 707.62 грн
600+ 461.31 грн
1200+ 415.18 грн
3000+ 412.34 грн
UF4SC120023B7S UF4SC120023B7S Qorvo da009050 Description: 1200V/23MO,SICFET,G4,TO263-7
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 72A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 40A, 12V
FET Feature: Depletion Mode
Power Dissipation (Max): 385W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: D2PAK-7L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.8 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1430 pF @ 800 V
товару немає в наявності
UF4SC120023B7S UF4SC120023B7S Qorvo UF4SC120023B7S_Data_Sheet-3402376.pdf SiC MOSFETs UF4SC120023B7S
на замовлення 604 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2626.42 грн
25+ 2283.65 грн
100+ 1721.77 грн
250+ 1456.33 грн
500+ 1325.04 грн
800+ 1323.62 грн
2400+ 1251.23 грн
UF4SC120023B7SSB Qorvo Description: 1200V/23MO,SICFET,G4,TO263-7
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 72A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 40A, 12V
FET Feature: Depletion Mode
Power Dissipation (Max): 385W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: D2PAK-7L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.8 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1430 pF @ 800 V
товару немає в наявності
UF4SC120023K4S UF4SC120023K4S Qorvo UF4SC120023K4S_Data_Sheet-3177164.pdf MOSFET 1200V/23mOhms,SICFET,G4,TO247-4
на замовлення 918 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2778.77 грн
25+ 2415.87 грн
100+ 1821.13 грн
250+ 1540.79 грн
600+ 1459.17 грн
3000+ 1430.78 грн
5400+ 1386.78 грн
UF4SC120023K4S UF4SC120023K4S QORVO da008659 Description: QORVO - UF4SC120023K4S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 53 A, 1.2 kV, 23 mohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 53A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 385W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 23mohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 398 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2308.85 грн
5+ 2173.5 грн
10+ 2037.36 грн
50+ 1766.15 грн
100+ 1513.6 грн
UF4SC120023K4S UF4SC120023K4S Qorvo da008659 Description: 1200V/23MOHM SIC STACKED FAST CA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 53A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 40A, 12V
Power Dissipation (Max): 385W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.8 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1430 pF @ 800 V
на замовлення 1444 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1369.61 грн
25+ 1254.86 грн
UF4SC120030B7S UF4SC120030B7S Qorvo Description: 1200V/30MO,SICFET,G4,TO263-7
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 20A, 12V
Power Dissipation (Max): 341W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: D2PAK-7L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.8 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1450 pF @ 800 V
товару немає в наявності
UF4SC120030B7S UF4SC120030B7S Qorvo UF4SC120030B7S_Data_Sheet-3401221.pdf SiC MOSFETs UF4SC120030B7S
на замовлення 765 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1409.26 грн
25+ 1328.73 грн
100+ 1109.99 грн
250+ 1109.28 грн
800+ 797.01 грн
2400+ 758.68 грн
5600+ 724.62 грн
UF4SC120030B7SSB Qorvo Description: 1200V/30MO,SICFET,G4,TO263-7
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 20A, 12V
Power Dissipation (Max): 341W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.8 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1450 pF @ 800 V
товару немає в наявності
UF4SC120030B7SSR Qorvo Description: 1200V/30MO,SICFET,G4,TO263-7
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 20A, 12V
Power Dissipation (Max): 341W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.8 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1450 pF @ 800 V
товару немає в наявності
UF4SC120030K4S UF4SC120030K4S Qorvo da008660 Description: 1200V/30MOHM SIC STACKED FAST CA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 53A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 20A, 12V
Power Dissipation (Max): 341W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.8 nC @ 800 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1450 pF @ 15 V
на замовлення 1372 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1746.56 грн
30+ 1394.42 грн
120+ 1307.26 грн
510+ 1046.88 грн
UF4SC120030K4S UF4SC120030K4S QORVO da008660 Description: QORVO - UF4SC120030K4S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 53 A, 1.2 kV, 30 mohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 53A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 341W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 30mohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 520 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1916.34 грн
5+ 1804.08 грн
10+ 1691.03 грн
50+ 1466 грн
100+ 1256.33 грн
UF4SC120030K4S UF4SC120030K4S Qorvo UF4SC120030K4S_Data_Sheet-3177103.pdf MOSFET 1200V/30mO,SICFET,G4,TO247-4
на замовлення 413 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2305.98 грн
25+ 2005.33 грн
100+ 1511.69 грн
250+ 1278.2 грн
600+ 1210.77 грн
3000+ 1187.35 грн
5400+ 1151.16 грн
UFB15C12E1BC3N UFB15C12E1BC3N Qorvo UFB15C12E1BC3N_Data_Sheet-3394382.pdf Discrete Semiconductor Modules 1200V/15A,SIC,FULL-BRIDGE,G3,E1BN
на замовлення 24 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+9081.5 грн
25+ 8263.74 грн
100+ 6886.36 грн
250+ 6288.07 грн
500+ 6099.28 грн
UFB25SC12E1BC3N UFB25SC12E1BC3N Qorvo UFB25SC12E1BC3N_Data_Sheet-3394373.pdf Discrete Semiconductor Modules 1200V/25A,SIC,FULL-BRIDGE,G3,E1BN
на замовлення 48 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+10783.04 грн
24+ 9810.38 грн
120+ 8175.2 грн
264+ 7664.91 грн
504+ 7464.77 грн
1008+ 7241.92 грн
UG4SC075006K4S Qorvo 750V/6mOhms,SICFET,DG,G4,TO247-4
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+4828.9 грн
25+ 4440.79 грн
250+ 3366.88 грн
UHB100SC12E1BC3N UHB100SC12E1BC3N Qorvo UHB100SC12E1BC3N_Data_Sheet-3394366.pdf Discrete Semiconductor Modules UHB100SC12E1BC3N
на замовлення 38 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+18946.3 грн
120+ 16724.98 грн
UHB50SC12E1BC3N UHB50SC12E1BC3N Qorvo UHB50SC12E1BC3N_Data_Sheet-3394378.pdf Discrete Semiconductor Modules UHB50SC12E1BC3N
на замовлення 19 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+14079.31 грн
120+ 12427.84 грн
UJ3C065030B3 UJ3C065030B3 QORVO da008666 Description: QORVO - UJ3C065030B3 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 65 A, 650 V, 0.027 ohm, D2PAK
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 65A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 242W
Bauform - Transistor: D2PAK
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 508 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1268.27 грн
5+ 1185.47 грн
10+ 1101.88 грн
50+ 953.68 грн
100+ 815.49 грн
250+ 813.44 грн
UJ3C065030B3 UJ3C065030B3 Qorvo da008666 Description: MOSFET N-CH 650V 65A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 50A, 12V
Power Dissipation (Max): 242W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+772.28 грн
Мінімальне замовлення: 800
UJ3C065030B3 UJ3C065030B3 QORVO da008666 Description: QORVO - UJ3C065030B3 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 65 A, 650 V, 0.027 ohm, D2PAK
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 65A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 242W
Bauform - Transistor: D2PAK
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 508 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+1101.88 грн
50+ 953.68 грн
100+ 815.49 грн
250+ 813.44 грн
Мінімальне замовлення: 10
UJ3C065030B3 UJ3C065030B3 Qorvo da008666 Description: MOSFET N-CH 650V 65A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 50A, 12V
Power Dissipation (Max): 242W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V
на замовлення 4409 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1309.73 грн
10+ 1111.66 грн
100+ 961.42 грн
UJ3C065030B3 UJ3C065030B3 Qorvo UJ3C065030B3_Data_Sheet-3177165.pdf SiC MOSFETs 650V/30mO,SICFET,G3,TO263-3
на замовлення 1447 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1524.35 грн
25+ 1306.69 грн
100+ 980.12 грн
250+ 902.05 грн
500+ 875.08 грн
2400+ 811.2 грн
4800+ 783.52 грн
UJ3C065030K3S UJ3C065030K3S QORVO 3750905.pdf Description: QORVO - UJ3C065030K3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 85 A, 650 V, 0.027 ohm, TO-247
tariffCode: 85411000
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 85A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 441W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1343.11 грн
5+ 1256.33 грн
10+ 1169.55 грн
50+ 977.34 грн
100+ 792.29 грн
250+ 655.12 грн
500+ 654.44 грн
UJ3C065030K3S UJ3C065030K3S Qorvo da008667 Description: MOSFET N-CH 650V 85A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 50A, 12V
Power Dissipation (Max): 441W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V
на замовлення 4600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1246.01 грн
25+ 1059.13 грн
100+ 917.68 грн
250+ 730.66 грн
UJ3C065030K3S UJ3C065030K3S Qorvo UJ3C065030K3S_Data_Sheet-3177184.pdf SiC MOSFETs 650V/30mO,SICFET,G3,TO247-3
на замовлення 1510 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1588.1 грн
25+ 1369.54 грн
100+ 1030.51 грн
250+ 899.21 грн
600+ 898.5 грн
3000+ 860.88 грн
5400+ 836.04 грн
UJ3C065030T3S UJ3C065030T3S QORVO 3750906.pdf Description: QORVO - UJ3C065030T3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 85 A, 650 V, 0.027 ohm, TO-220
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 85A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 441W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 493 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1382.92 грн
5+ 1284.99 грн
10+ 1187.07 грн
50+ 1030.56 грн
100+ 884.41 грн
250+ 839.37 грн
UJ3C065030T3S UJ3C065030T3S Qorvo UJ3C065030T3S_Data_Sheet-3177210.pdf MOSFETs 650V/30mOhms,SICFET,G3,TO220-3
на замовлення 1120 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1636.13 грн
25+ 1306.69 грн
100+ 1069.54 грн
250+ 1031.92 грн
500+ 990.05 грн
1000+ 988.63 грн
3000+ 931.85 грн
UJ3C065030T3S UJ3C065030T3S Qorvo da008668 Description: MOSFET N-CH 650V 85A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 50A, 12V
Power Dissipation (Max): 441W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V
на замовлення 241 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1315.1 грн
50+ 1025.68 грн
100+ 965.34 грн
UJ3C065080B3 UJ3C065080B3 Qorvo da008669 Description: MOSFET N-CH 650V 25A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 111mOhm @ 20A, 12V
Power Dissipation (Max): 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V
на замовлення 5988 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+537.4 грн
10+ 443.57 грн
100+ 369.62 грн
UJ3C065080B3 UJ3C065080B3 QORVO da008669 Description: QORVO - UJ3C065080B3 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 25 A, 650 V, 0.08 ohm, D2PAK
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 115W
Bauform - Transistor: D2PAK
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 534 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+456.99 грн
5+ 427.53 грн
10+ 397.28 грн
50+ 343.77 грн
100+ 294.12 грн
250+ 272.28 грн
Мінімальне замовлення: 2
UJ3C065080B3 UJ3C065080B3 Qorvo da008669 Description: MOSFET N-CH 650V 25A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 111mOhm @ 20A, 12V
Power Dissipation (Max): 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V
на замовлення 5600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+279.44 грн
Мінімальне замовлення: 800
UJ3C065080B3 UJ3C065080B3 QORVO da008669 Description: QORVO - UJ3C065080B3 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 25 A, 650 V, 0.08 ohm, D2PAK
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 115W
Bauform - Transistor: D2PAK
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 534 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+397.28 грн
50+ 343.77 грн
100+ 294.12 грн
250+ 272.28 грн
Мінімальне замовлення: 10
UJ3C065080B3 UJ3C065080B3 Qorvo UJ3C065080B3_Data_Sheet-3177176.pdf SiC MOSFETs 650V/80mOhms,SICFET,G3,TO263-3
на замовлення 655 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+572.15 грн
25+ 551.73 грн
100+ 403.12 грн
250+ 386.08 грн
500+ 378.99 грн
800+ 297.37 грн
2400+ 296.66 грн
UJ3C065080K3S UJ3C065080K3S Qorvo da008670 Description: MOSFET N-CH 650V 31A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 111mOhm @ 20A, 12V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V
на замовлення 662 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+469.84 грн
25+ 399.07 грн
100+ 345.96 грн
250+ 275.75 грн
UJ3C065080K3S UJ3C065080K3S Qorvo UJ3C065080K3S_Data_Sheet-3177109.pdf SiC MOSFETs 650V/80mOhms,SICFET,G3,TO247-3
на замовлення 2198 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+608.58 грн
25+ 529.7 грн
100+ 399.57 грн
250+ 320.08 грн
600+ 319.37 грн
UJ3C065080K3S UJ3C065080K3S QORVO 3750908.pdf Description: QORVO - UJ3C065080K3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 31 A, 650 V, 0.08 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 31A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 190W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 472 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+490.43 грн
5+ 458.58 грн
10+ 426.74 грн
50+ 368.9 грн
100+ 315.28 грн
250+ 309.82 грн
Мінімальне замовлення: 2
UJ3C065080T3S UJ3C065080T3S Qorvo UJ3C065080T3S_Data_Sheet-3177115.pdf MOSFET 650V/80mOhms,SICFET,G3,TO220-3
на замовлення 1256 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+667.37 грн
25+ 559.08 грн
100+ 429.38 грн
250+ 371.89 грн
500+ 315.11 грн
1000+ 298.08 грн
5000+ 283.18 грн
UJ3C065080T3S UJ3C065080T3S Qorvo da008671 Description: MOSFET N-CH 650V 31A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 20A, 12V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V
на замовлення 6072 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+534.33 грн
25+ 437.07 грн
100+ 386.06 грн
250+ 313.78 грн
500+ 265.9 грн
1000+ 251.51 грн
UF4C120053B7S da009133
UF4C120053B7S
Виробник: Qorvo
Description: 1200V/53MO,SICFET,G4,TO263-7
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 67mOhm @ 20A, 12V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: D2PAK-7L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.8 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1370 pF @ 800 V
товару немає в наявності
UF4C120053B7SSB
Виробник: Qorvo
Description: 1200V/53MO,SICFET,G4,TO263-7
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 67mOhm @ 20A, 12V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: D2PAK-7L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.8 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1370 pF @ 800 V
товару немає в наявності
UF4C120053B7SSR UF4C120053B7S_Data_Sheet-3401207.pdf
UF4C120053B7SSR
Виробник: Qorvo
SiC MOSFETs UF4C120053B7S
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1039.14 грн
200+ 1023.48 грн
UF4C120053B7SSR
Виробник: Qorvo
Description: 1200V/53MO,SICFET,G4,TO263-7
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 67mOhm @ 20A, 12V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: D2PAK-7L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.8 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1370 pF @ 800 V
товару немає в наявності
UF4C120053K3S da008655
UF4C120053K3S
Виробник: Qorvo
Description: 1200V/53MOHM, SIC, FAST CASCODE,
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 67mOhm @ 20A, 12V
Power Dissipation (Max): 263W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.8 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1370 pF @ 800 V
на замовлення 542 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1080.95 грн
30+ 842.76 грн
120+ 793.18 грн
510+ 674.59 грн
UF4C120053K3S UF4C120053K3S_Data_Sheet-3177174.pdf
UF4C120053K3S
Виробник: Qorvo
MOSFET 1200V/53mOhms,SICFET,G4,TO247-3
на замовлення 988 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1311.55 грн
25+ 1141.01 грн
100+ 860.17 грн
250+ 727.46 грн
600+ 689.13 грн
3000+ 676.36 грн
5400+ 654.36 грн
UF4C120053K3S da008655
UF4C120053K3S
Виробник: QORVO
Description: QORVO - UF4C120053K3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 34 A, 1.2 kV, 53 mohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 34A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 263W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 53mohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 441 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1089.93 грн
5+ 1026.24 грн
10+ 961.75 грн
50+ 833.91 грн
100+ 714.49 грн
250+ 666.72 грн
UF4C120053K4S da008656
UF4C120053K4S
Виробник: Qorvo
Description: 1200V/53MOHM, SIC, FAST CASCODE,
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 67mOhm @ 20A, 12V
Power Dissipation (Max): 263W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.8 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1370 pF @ 800 V
на замовлення 520 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1121.64 грн
30+ 874.4 грн
120+ 822.97 грн
510+ 699.92 грн
UF4C120053K4S da008656
UF4C120053K4S
Виробник: QORVO
Description: QORVO - UF4C120053K4S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 34 A, 1.2 kV, 53 mohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 34A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 263W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 53mohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1131.33 грн
5+ 1065.25 грн
10+ 998.38 грн
50+ 865.7 грн
100+ 741.79 грн
250+ 691.97 грн
UF4C120053K4S UF4C120053K4S_Data_Sheet-3177201.pdf
UF4C120053K4S
Виробник: Qorvo
MOSFET 1200V/53mOhms,SICFET,G4,TO247-4
на замовлення 770 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1361.23 грн
25+ 1183.45 грн
100+ 892.11 грн
250+ 755.14 грн
600+ 715.39 грн
3000+ 700.49 грн
5400+ 679.91 грн
UF4C120070B7S da009124
UF4C120070B7S
Виробник: Qorvo
Description: 1200V/70MO,SICFET,G4,TO263-7
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25.7A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 91mOhm @ 20A, 12V
Power Dissipation (Max): 183W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: D2PAK-7L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.8 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1370 pF @ 800 V
товару немає в наявності
UF4C120070B7S UF4C120070B7S_Data_Sheet-3401229.pdf
UF4C120070B7S
Виробник: Qorvo
SiC MOSFETs UF4C120070B7S
на замовлення 592 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1041.62 грн
25+ 905.95 грн
100+ 682.75 грн
250+ 577.71 грн
500+ 525.19 грн
2400+ 496.8 грн
5600+ 496.09 грн
UF4C120070B7SSB
Виробник: Qorvo
Description: 1200V/70MO,SICFET,G4,TO263-7
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25.7A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 91mOhm @ 20A, 12V
Power Dissipation (Max): 183W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.8 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1370 pF @ 800 V
товару немає в наявності
UF4C120070B7SSR
Виробник: Qorvo
Description: 1200V/70MO,SICFET,G4,TO263-7
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25.7A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 91mOhm @ 20A, 12V
Power Dissipation (Max): 183W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.8 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1370 pF @ 800 V
товару немає в наявності
UF4C120070B7SSR UF4C120070B7S_Data_Sheet-3401229.pdf
UF4C120070B7SSR
Виробник: Qorvo
SiC MOSFETs UF4C120070B7S
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+795.71 грн
600+ 649.67 грн
1000+ 558.55 грн
2600+ 555 грн
UF4C120070K3S da008657
UF4C120070K3S
Виробник: QORVO
Description: QORVO - UF4C120070K3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 27.5 A, 1.2 kV, 72 mohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 27.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 217W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 72mohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 427 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1239.61 грн
5+ 1085.16 грн
10+ 898.86 грн
50+ 748.16 грн
100+ 637.38 грн
250+ 595.07 грн
UF4C120070K3S da008657
UF4C120070K3S
Виробник: Qorvo
Description: 1200V/70MOHM, SIC, FAST CASCODE,
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 91mOhm @ 20A, 12V
Power Dissipation (Max): 217W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.8 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1370 pF @ 800 V
на замовлення 575 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+917.43 грн
30+ 714.67 грн
120+ 672.64 грн
510+ 572.06 грн
UF4C120070K3S UF4C120070K3S_Data_Sheet-3177175.pdf
UF4C120070K3S
Виробник: Qorvo
MOSFET 1200V/70mO,SICFET,G4,TO247-3
на замовлення 545 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1124.42 грн
25+ 977.77 грн
100+ 736.68 грн
250+ 623.13 грн
600+ 590.48 грн
3000+ 578.42 грн
5400+ 561.38 грн
UF4C120070K4S da008658
UF4C120070K4S
Виробник: QORVO
Description: QORVO - UF4C120070K4S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 27.5 A, 1.2 kV, 72 mohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 27.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 217W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 72mohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 455 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1250.76 грн
5+ 1094.71 грн
10+ 906.82 грн
50+ 754.81 грн
100+ 643.52 грн
250+ 600.53 грн
UF4C120070K4S da008658
UF4C120070K4S
Виробник: Qorvo
Description: 1200V/70MOHM, SIC, FAST CASCODE,
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 91mOhm @ 20A, 12V
Power Dissipation (Max): 217W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.8 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1370 pF @ 800 V
на замовлення 485 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+955.81 грн
30+ 744.83 грн
120+ 701.03 грн
UF4C120070K4S UF4C120070K4S_Data_Sheet-3177183.pdf
UF4C120070K4S
Виробник: Qorvo
SiC MOSFETs 1200V/70mO,SICFET,G4,TO247-4
на замовлення 489 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+802.33 грн
25+ 707.62 грн
600+ 461.31 грн
1200+ 415.18 грн
3000+ 412.34 грн
UF4SC120023B7S da009050
UF4SC120023B7S
Виробник: Qorvo
Description: 1200V/23MO,SICFET,G4,TO263-7
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 72A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 40A, 12V
FET Feature: Depletion Mode
Power Dissipation (Max): 385W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: D2PAK-7L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.8 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1430 pF @ 800 V
товару немає в наявності
UF4SC120023B7S UF4SC120023B7S_Data_Sheet-3402376.pdf
UF4SC120023B7S
Виробник: Qorvo
SiC MOSFETs UF4SC120023B7S
на замовлення 604 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+2626.42 грн
25+ 2283.65 грн
100+ 1721.77 грн
250+ 1456.33 грн
500+ 1325.04 грн
800+ 1323.62 грн
2400+ 1251.23 грн
UF4SC120023B7SSB
Виробник: Qorvo
Description: 1200V/23MO,SICFET,G4,TO263-7
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 72A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 40A, 12V
FET Feature: Depletion Mode
Power Dissipation (Max): 385W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: D2PAK-7L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.8 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1430 pF @ 800 V
товару немає в наявності
UF4SC120023K4S UF4SC120023K4S_Data_Sheet-3177164.pdf
UF4SC120023K4S
Виробник: Qorvo
MOSFET 1200V/23mOhms,SICFET,G4,TO247-4
на замовлення 918 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+2778.77 грн
25+ 2415.87 грн
100+ 1821.13 грн
250+ 1540.79 грн
600+ 1459.17 грн
3000+ 1430.78 грн
5400+ 1386.78 грн
UF4SC120023K4S da008659
UF4SC120023K4S
Виробник: QORVO
Description: QORVO - UF4SC120023K4S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 53 A, 1.2 kV, 23 mohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 53A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 385W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 23mohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 398 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+2308.85 грн
5+ 2173.5 грн
10+ 2037.36 грн
50+ 1766.15 грн
100+ 1513.6 грн
UF4SC120023K4S da008659
UF4SC120023K4S
Виробник: Qorvo
Description: 1200V/23MOHM SIC STACKED FAST CA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 53A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 40A, 12V
Power Dissipation (Max): 385W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.8 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1430 pF @ 800 V
на замовлення 1444 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1369.61 грн
25+ 1254.86 грн
UF4SC120030B7S
UF4SC120030B7S
Виробник: Qorvo
Description: 1200V/30MO,SICFET,G4,TO263-7
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 20A, 12V
Power Dissipation (Max): 341W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: D2PAK-7L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.8 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1450 pF @ 800 V
товару немає в наявності
UF4SC120030B7S UF4SC120030B7S_Data_Sheet-3401221.pdf
UF4SC120030B7S
Виробник: Qorvo
SiC MOSFETs UF4SC120030B7S
на замовлення 765 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1409.26 грн
25+ 1328.73 грн
100+ 1109.99 грн
250+ 1109.28 грн
800+ 797.01 грн
2400+ 758.68 грн
5600+ 724.62 грн
UF4SC120030B7SSB
Виробник: Qorvo
Description: 1200V/30MO,SICFET,G4,TO263-7
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 20A, 12V
Power Dissipation (Max): 341W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.8 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1450 pF @ 800 V
товару немає в наявності
UF4SC120030B7SSR
Виробник: Qorvo
Description: 1200V/30MO,SICFET,G4,TO263-7
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 20A, 12V
Power Dissipation (Max): 341W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.8 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1450 pF @ 800 V
товару немає в наявності
UF4SC120030K4S da008660
UF4SC120030K4S
Виробник: Qorvo
Description: 1200V/30MOHM SIC STACKED FAST CA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 53A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 20A, 12V
Power Dissipation (Max): 341W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.8 nC @ 800 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1450 pF @ 15 V
на замовлення 1372 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1746.56 грн
30+ 1394.42 грн
120+ 1307.26 грн
510+ 1046.88 грн
UF4SC120030K4S da008660
UF4SC120030K4S
Виробник: QORVO
Description: QORVO - UF4SC120030K4S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 53 A, 1.2 kV, 30 mohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 53A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 341W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 30mohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 520 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1916.34 грн
5+ 1804.08 грн
10+ 1691.03 грн
50+ 1466 грн
100+ 1256.33 грн
UF4SC120030K4S UF4SC120030K4S_Data_Sheet-3177103.pdf
UF4SC120030K4S
Виробник: Qorvo
MOSFET 1200V/30mO,SICFET,G4,TO247-4
на замовлення 413 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+2305.98 грн
25+ 2005.33 грн
100+ 1511.69 грн
250+ 1278.2 грн
600+ 1210.77 грн
3000+ 1187.35 грн
5400+ 1151.16 грн
UFB15C12E1BC3N UFB15C12E1BC3N_Data_Sheet-3394382.pdf
UFB15C12E1BC3N
Виробник: Qorvo
Discrete Semiconductor Modules 1200V/15A,SIC,FULL-BRIDGE,G3,E1BN
на замовлення 24 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+9081.5 грн
25+ 8263.74 грн
100+ 6886.36 грн
250+ 6288.07 грн
500+ 6099.28 грн
UFB25SC12E1BC3N UFB25SC12E1BC3N_Data_Sheet-3394373.pdf
UFB25SC12E1BC3N
Виробник: Qorvo
Discrete Semiconductor Modules 1200V/25A,SIC,FULL-BRIDGE,G3,E1BN
на замовлення 48 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+10783.04 грн
24+ 9810.38 грн
120+ 8175.2 грн
264+ 7664.91 грн
504+ 7464.77 грн
1008+ 7241.92 грн
UG4SC075006K4S
Виробник: Qorvo
750V/6mOhms,SICFET,DG,G4,TO247-4
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+4828.9 грн
25+ 4440.79 грн
250+ 3366.88 грн
UHB100SC12E1BC3N UHB100SC12E1BC3N_Data_Sheet-3394366.pdf
UHB100SC12E1BC3N
Виробник: Qorvo
Discrete Semiconductor Modules UHB100SC12E1BC3N
на замовлення 38 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+18946.3 грн
120+ 16724.98 грн
UHB50SC12E1BC3N UHB50SC12E1BC3N_Data_Sheet-3394378.pdf
UHB50SC12E1BC3N
Виробник: Qorvo
Discrete Semiconductor Modules UHB50SC12E1BC3N
на замовлення 19 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+14079.31 грн
120+ 12427.84 грн
UJ3C065030B3 da008666
UJ3C065030B3
Виробник: QORVO
Description: QORVO - UJ3C065030B3 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 65 A, 650 V, 0.027 ohm, D2PAK
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 65A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 242W
Bauform - Transistor: D2PAK
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 508 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1268.27 грн
5+ 1185.47 грн
10+ 1101.88 грн
50+ 953.68 грн
100+ 815.49 грн
250+ 813.44 грн
UJ3C065030B3 da008666
UJ3C065030B3
Виробник: Qorvo
Description: MOSFET N-CH 650V 65A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 50A, 12V
Power Dissipation (Max): 242W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
800+772.28 грн
Мінімальне замовлення: 800
UJ3C065030B3 da008666
UJ3C065030B3
Виробник: QORVO
Description: QORVO - UJ3C065030B3 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 65 A, 650 V, 0.027 ohm, D2PAK
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 65A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 242W
Bauform - Transistor: D2PAK
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 508 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+1101.88 грн
50+ 953.68 грн
100+ 815.49 грн
250+ 813.44 грн
Мінімальне замовлення: 10
UJ3C065030B3 da008666
UJ3C065030B3
Виробник: Qorvo
Description: MOSFET N-CH 650V 65A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 50A, 12V
Power Dissipation (Max): 242W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V
на замовлення 4409 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1309.73 грн
10+ 1111.66 грн
100+ 961.42 грн
UJ3C065030B3 UJ3C065030B3_Data_Sheet-3177165.pdf
UJ3C065030B3
Виробник: Qorvo
SiC MOSFETs 650V/30mO,SICFET,G3,TO263-3
на замовлення 1447 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1524.35 грн
25+ 1306.69 грн
100+ 980.12 грн
250+ 902.05 грн
500+ 875.08 грн
2400+ 811.2 грн
4800+ 783.52 грн
UJ3C065030K3S 3750905.pdf
UJ3C065030K3S
Виробник: QORVO
Description: QORVO - UJ3C065030K3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 85 A, 650 V, 0.027 ohm, TO-247
tariffCode: 85411000
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 85A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 441W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1343.11 грн
5+ 1256.33 грн
10+ 1169.55 грн
50+ 977.34 грн
100+ 792.29 грн
250+ 655.12 грн
500+ 654.44 грн
UJ3C065030K3S da008667
UJ3C065030K3S
Виробник: Qorvo
Description: MOSFET N-CH 650V 85A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 50A, 12V
Power Dissipation (Max): 441W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V
на замовлення 4600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1246.01 грн
25+ 1059.13 грн
100+ 917.68 грн
250+ 730.66 грн
UJ3C065030K3S UJ3C065030K3S_Data_Sheet-3177184.pdf
UJ3C065030K3S
Виробник: Qorvo
SiC MOSFETs 650V/30mO,SICFET,G3,TO247-3
на замовлення 1510 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1588.1 грн
25+ 1369.54 грн
100+ 1030.51 грн
250+ 899.21 грн
600+ 898.5 грн
3000+ 860.88 грн
5400+ 836.04 грн
UJ3C065030T3S 3750906.pdf
UJ3C065030T3S
Виробник: QORVO
Description: QORVO - UJ3C065030T3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 85 A, 650 V, 0.027 ohm, TO-220
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 85A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 441W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 493 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1382.92 грн
5+ 1284.99 грн
10+ 1187.07 грн
50+ 1030.56 грн
100+ 884.41 грн
250+ 839.37 грн
UJ3C065030T3S UJ3C065030T3S_Data_Sheet-3177210.pdf
UJ3C065030T3S
Виробник: Qorvo
MOSFETs 650V/30mOhms,SICFET,G3,TO220-3
на замовлення 1120 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1636.13 грн
25+ 1306.69 грн
100+ 1069.54 грн
250+ 1031.92 грн
500+ 990.05 грн
1000+ 988.63 грн
3000+ 931.85 грн
UJ3C065030T3S da008668
UJ3C065030T3S
Виробник: Qorvo
Description: MOSFET N-CH 650V 85A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 50A, 12V
Power Dissipation (Max): 441W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V
на замовлення 241 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1315.1 грн
50+ 1025.68 грн
100+ 965.34 грн
UJ3C065080B3 da008669
UJ3C065080B3
Виробник: Qorvo
Description: MOSFET N-CH 650V 25A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 111mOhm @ 20A, 12V
Power Dissipation (Max): 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V
на замовлення 5988 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+537.4 грн
10+ 443.57 грн
100+ 369.62 грн
UJ3C065080B3 da008669
UJ3C065080B3
Виробник: QORVO
Description: QORVO - UJ3C065080B3 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 25 A, 650 V, 0.08 ohm, D2PAK
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 115W
Bauform - Transistor: D2PAK
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 534 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+456.99 грн
5+ 427.53 грн
10+ 397.28 грн
50+ 343.77 грн
100+ 294.12 грн
250+ 272.28 грн
Мінімальне замовлення: 2
UJ3C065080B3 da008669
UJ3C065080B3
Виробник: Qorvo
Description: MOSFET N-CH 650V 25A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 111mOhm @ 20A, 12V
Power Dissipation (Max): 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V
на замовлення 5600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
800+279.44 грн
Мінімальне замовлення: 800
UJ3C065080B3 da008669
UJ3C065080B3
Виробник: QORVO
Description: QORVO - UJ3C065080B3 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 25 A, 650 V, 0.08 ohm, D2PAK
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 115W
Bauform - Transistor: D2PAK
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 534 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+397.28 грн
50+ 343.77 грн
100+ 294.12 грн
250+ 272.28 грн
Мінімальне замовлення: 10
UJ3C065080B3 UJ3C065080B3_Data_Sheet-3177176.pdf
UJ3C065080B3
Виробник: Qorvo
SiC MOSFETs 650V/80mOhms,SICFET,G3,TO263-3
на замовлення 655 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+572.15 грн
25+ 551.73 грн
100+ 403.12 грн
250+ 386.08 грн
500+ 378.99 грн
800+ 297.37 грн
2400+ 296.66 грн
UJ3C065080K3S da008670
UJ3C065080K3S
Виробник: Qorvo
Description: MOSFET N-CH 650V 31A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 111mOhm @ 20A, 12V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V
на замовлення 662 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+469.84 грн
25+ 399.07 грн
100+ 345.96 грн
250+ 275.75 грн
UJ3C065080K3S UJ3C065080K3S_Data_Sheet-3177109.pdf
UJ3C065080K3S
Виробник: Qorvo
SiC MOSFETs 650V/80mOhms,SICFET,G3,TO247-3
на замовлення 2198 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+608.58 грн
25+ 529.7 грн
100+ 399.57 грн
250+ 320.08 грн
600+ 319.37 грн
UJ3C065080K3S 3750908.pdf
UJ3C065080K3S
Виробник: QORVO
Description: QORVO - UJ3C065080K3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 31 A, 650 V, 0.08 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 31A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 190W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 472 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+490.43 грн
5+ 458.58 грн
10+ 426.74 грн
50+ 368.9 грн
100+ 315.28 грн
250+ 309.82 грн
Мінімальне замовлення: 2
UJ3C065080T3S UJ3C065080T3S_Data_Sheet-3177115.pdf
UJ3C065080T3S
Виробник: Qorvo
MOSFET 650V/80mOhms,SICFET,G3,TO220-3
на замовлення 1256 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+667.37 грн
25+ 559.08 грн
100+ 429.38 грн
250+ 371.89 грн
500+ 315.11 грн
1000+ 298.08 грн
5000+ 283.18 грн
UJ3C065080T3S da008671
UJ3C065080T3S
Виробник: Qorvo
Description: MOSFET N-CH 650V 31A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 20A, 12V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V
на замовлення 6072 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+534.33 грн
25+ 437.07 грн
100+ 386.06 грн
250+ 313.78 грн
500+ 265.9 грн
1000+ 251.51 грн
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 8 16 24 32 40 48 56 64 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82  [ Наступна Сторінка >> ]