Продукція > QORVO > Всі товари виробника QORVO (4934) > Сторінка 81 з 83

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 8 16 24 32 40 48 56 64 72 76 77 78 79 80 81 82 83  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
без ПДВ
UJ4C075018K4S UJ4C075018K4S Qorvo DS_UJ4C075018K4S.pdf Description: SICFET N-CH 750V 81A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 81A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 20A, 12V
Power Dissipation (Max): 385W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.8 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1422 pF @ 100 V
на замовлення 1158 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1325.92 грн
10+ 1124.41 грн
100+ 972.47 грн
500+ 827.07 грн
UJ4C075023B7S UJ4C075023B7S QORVO DS_UJ4C075023B7S.pdf Description: QORVO - UJ4C075023B7S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 64 A, 750 V, 23 mohm, D2PAK
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 64A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 278W
Bauform - Transistor: D2PAK
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 23mohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 574 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1015.14 грн
5+ 948.97 грн
10+ 882.8 грн
50+ 787.52 грн
100+ 697.2 грн
250+ 667.46 грн
UJ4C075023B7S UJ4C075023B7S Qorvo UJ4C075023B7S_Data_Sheet-3177178.pdf SiC MOSFETs 750V/23mO,SICFET,G4,TO263-7
на замовлення 206 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1221.07 грн
25+ 1046.45 грн
100+ 785.51 грн
250+ 722.21 грн
500+ 701.35 грн
2400+ 648.84 грн
4800+ 627.26 грн
UJ4C075023K3S UJ4C075023K3S QORVO da008705 Description: QORVO - UJ4C075023K3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 66 A, 750 V, 23 mohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 66A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 306W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 23mohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 374 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1031.28 грн
5+ 963.49 грн
10+ 895.71 грн
50+ 798.76 грн
100+ 707.58 грн
250+ 677.14 грн
UJ4C075023K3S UJ4C075023K3S Qorvo da008705 Description: 750V/23MOHM, SIC, CASCODE, G4, T
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 66A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 40A, 12V
Power Dissipation (Max): 306W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.8 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 400 V
на замовлення 885 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+986.66 грн
25+ 838.59 грн
100+ 726.87 грн
250+ 578.71 грн
UJ4C075023K3S UJ4C075023K3S Qorvo UJ4C075023K3S_Data_Sheet-3177134.pdf JFET 750V/23mO,SICFET,G4,TO247-3
на замовлення 293 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1279.81 грн
25+ 1113.46 грн
100+ 838.74 грн
250+ 709.26 грн
600+ 671.86 грн
3000+ 658.19 грн
5400+ 638.05 грн
UJ4C075023K4S UJ4C075023K4S Qorvo UJ4C075023K4S_Data_Sheet-3177159.pdf SiC MOSFETs 750V/23mO,SICFET,G4,TO247-4
на замовлення 1859 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1310.03 грн
25+ 1136.62 грн
100+ 856.01 грн
250+ 731.56 грн
600+ 730.84 грн
1200+ 730.12 грн
3000+ 720.77 грн
UJ4C075023K4S UJ4C075023K4S Qorvo da008706 Description: 750V/23MOHM, SIC, CASCODE, G4, T
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 66A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 40A, 12V
Power Dissipation (Max): 306W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.8 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 400 V
на замовлення 508 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1014.68 грн
25+ 862.81 грн
100+ 747.74 грн
250+ 594.5 грн
UJ4C075023K4S UJ4C075023K4S QORVO da008706 Description: QORVO - UJ4C075023K4S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 66 A, 750 V, 23 mohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 66A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 306W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 23mohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 405 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1059.52 грн
5+ 990.12 грн
10+ 920.72 грн
50+ 796.51 грн
100+ 681.29 грн
250+ 675.07 грн
UJ4C075023L8S UJ4C075023L8S Qorvo UJ4C075023L8S_Data_Sheet-3402384.pdf SiC MOSFETs UJ4C075023L8S
на замовлення 1674 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1211 грн
25+ 1037.35 грн
100+ 778.32 грн
250+ 716.46 грн
500+ 667.54 грн
1000+ 643.08 грн
6000+ 609.28 грн
UJ4C075023L8S Qorvo da009101 Description: 750V/23MO,SICFET,G4,TOLL
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 40A, 12V
Power Dissipation (Max): 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TOLL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.8 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 400 V
товар відсутній
UJ4C075023L8SSB Qorvo Description: 750V/23MO,SICFET,G4,TOLL
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 40A, 12V
Power Dissipation (Max): 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TOLL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.8 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 400 V
товар відсутній
UJ4C075023L8SSR Qorvo Description: 750V/23MO,SICFET,G4,TOLL
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 40A, 12V
Power Dissipation (Max): 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TOLL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.8 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 400 V
товар відсутній
UJ4C075033B7S UJ4C075033B7S Qorvo UJ4C075033B7S_Data_Sheet-3177170.pdf MOSFETs 750V/33mOhms,SICFET,G4,TO263-7
на замовлення 405 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+924.82 грн
25+ 804.07 грн
100+ 605.68 грн
250+ 512.88 грн
500+ 485.55 грн
2400+ 476.2 грн
4800+ 461.81 грн
UJ4C075033B7S UJ4C075033B7S Qorvo da008707 Description: 750V/33MOHM, N-OFF SIC CASCODE,
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 30A, 12V
Power Dissipation (Max): 197W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.8 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 400 V
товар відсутній
UJ4C075033B7S UJ4C075033B7S Qorvo da008707 Description: 750V/33MOHM, N-OFF SIC CASCODE,
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 30A, 12V
Power Dissipation (Max): 197W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.8 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 400 V
на замовлення 625 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+758.67 грн
10+ 644.03 грн
100+ 557 грн
UJ4C075033K3S UJ4C075033K3S Qorvo da008708 Description: 750V/33MOHM, SIC, CASCODE, G4, T
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 30A, 12V
Power Dissipation (Max): 242W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.8 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 400 V
на замовлення 849 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+722.88 грн
25+ 614.46 грн
100+ 532.37 грн
250+ 423.18 грн
UJ4C075033K3S UJ4C075033K3S QORVO da008708 Description: QORVO - UJ4C075033K3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 47 A, 750 V, 33 mohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 47A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 242W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 33mohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 395 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+754.49 грн
5+ 705.27 грн
10+ 656.05 грн
50+ 567.22 грн
100+ 484.86 грн
250+ 484.17 грн
Мінімальне замовлення: 2
UJ4C075033K3S UJ4C075033K3S Qorvo UJ4C075033K3S_Data_Sheet-3177216.pdf SiC MOSFETs 750V/33mO,SICFET,G4,TO247-3
на замовлення 2074 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+920.63 грн
25+ 794.97 грн
100+ 597.77 грн
250+ 520.8 грн
1200+ 520.08 грн
3000+ 499.22 грн
5400+ 484.83 грн
UJ4C075033K4S UJ4C075033K4S Qorvo UJ4C075033K4S_Data_Sheet-3177179.pdf JFET 750V/33mO,SICFET,G4,TO247-4
на замовлення 464 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+974.34 грн
25+ 847.91 грн
100+ 638.77 грн
250+ 540.94 грн
600+ 511.45 грн
3000+ 501.38 грн
5400+ 486.27 грн
UJ4C075033K4S UJ4C075033K4S Qorvo da008709 Description: 750V/33MOHM, SIC, CASCODE, G4, T
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 30A, 12V
Power Dissipation (Max): 242W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.8 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 400 V
на замовлення 1120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+751.67 грн
25+ 638.71 грн
100+ 553.23 грн
250+ 440.55 грн
UJ4C075033K4S UJ4C075033K4S QORVO da008709 Description: QORVO - UJ4C075033K4S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 47 A, 750 V, 33 mohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 47A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 242W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 33mohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 1193 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+785.16 грн
5+ 733.51 грн
10+ 681.87 грн
50+ 590.45 грн
100+ 504.92 грн
250+ 495.92 грн
Мінімальне замовлення: 2
UJ4C075033L8S UJ4C075033L8S Qorvo UJ4C075033L8S_Data_Sheet-3402368.pdf SiC MOSFETs UJ4C075033L8S
на замовлення 1635 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+938.25 грн
25+ 803.24 грн
100+ 602.8 грн
250+ 555.33 грн
500+ 516.48 грн
1000+ 498.5 грн
6000+ 472.6 грн
UJ4C075033L8S Qorvo Description: 750V/33MO,SICFET,G4,TOLL
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 230A, 12V
Power Dissipation (Max): 205W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TOLL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.8 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 400 V
товар відсутній
UJ4C075033L8SSB Qorvo Description: 750V/33MO,SICFET,G4,TOLL
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 230A, 12V
Power Dissipation (Max): 205W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TOLL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.8 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 400 V
товар відсутній
UJ4C075033L8SSR Qorvo Description: 750V/33MO,SICFET,G4,TOLL
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 230A, 12V
Power Dissipation (Max): 205W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TOLL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.8 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 400 V
товар відсутній
UJ4C075044B7S UJ4C075044B7S Qorvo UJ4C075044B7S_Data_Sheet-3177189.pdf MOSFET 750V/44mO,SICFET,G4,TO263-7
на замовлення 803 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+834.19 грн
25+ 725.48 грн
100+ 546.69 грн
250+ 462.53 грн
500+ 438.07 грн
2400+ 429.44 грн
4800+ 415.77 грн
UJ4C075044B7S UJ4C075044B7S Qorvo DS_UJ4C075044B7S.pdf Description: 750V/44MOHM, N-OFF SIC CASCODE,
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 25A, 12V
Power Dissipation (Max): 181W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.8 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 400 V
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+504.28 грн
1600+ 437.05 грн
Мінімальне замовлення: 800
UJ4C075044B7S UJ4C075044B7S Qorvo DS_UJ4C075044B7S.pdf Description: 750V/44MOHM, N-OFF SIC CASCODE,
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 25A, 12V
Power Dissipation (Max): 181W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.8 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 400 V
на замовлення 3155 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+799.91 грн
10+ 660.36 грн
100+ 550.36 грн
UJ4C075044K3S UJ4C075044K3S QORVO da008711 Description: QORVO - UJ4C075044K3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 37.4 A, 750 V, 44 mohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 37.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 203W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 44mohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+711.72 грн
5+ 665.73 грн
10+ 618.93 грн
50+ 552.24 грн
100+ 489.01 грн
250+ 468.26 грн
Мінімальне замовлення: 2
UJ4C075044K3S UJ4C075044K3S Qorvo UJ4C075044K3S_Data_Sheet-3177160.pdf SiC MOSFETs 750V/44mO,SICFET,G4,TO247-3
на замовлення 607 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+856.01 грн
25+ 733.76 грн
100+ 550.29 грн
250+ 506.41 грн
600+ 492.02 грн
3000+ 454.62 грн
5400+ 440.23 грн
UJ4C075044K3S UJ4C075044K3S Qorvo da008711 Description: 750V/44MOHM, SIC, CASCODE, G4, T
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 25A, 12V
Power Dissipation (Max): 203W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.8 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 400 V
на замовлення 664 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+681.64 грн
25+ 578.79 грн
100+ 502.08 грн
250+ 399.49 грн
UJ4C075044K4S Qorvo da008712 Description: 750V/44MOHM, SIC, CASCODE, G4, T
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 25A, 12V
Power Dissipation (Max): 203W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.8 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 400 V
на замовлення 443 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+711.21 грн
25+ 604.39 грн
100+ 523.61 грн
250+ 416.86 грн
UJ4C075044K4S UJ4C075044K4S QORVO da008712 Description: QORVO - UJ4C075044K4S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 37.4 A, 750 V, 44 mohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 37.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 203W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 44mohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 385 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+743.2 грн
5+ 694.78 грн
10+ 645.56 грн
50+ 576.22 грн
100+ 509.76 грн
250+ 488.32 грн
Мінімальне замовлення: 2
UJ4C075044K4S UJ4C075044K4S Qorvo UJ4C075044K4S_Data_Sheet-3177137.pdf SiC MOSFETs 750V/44mO,SICFET,G4,TO247-4
на замовлення 1868 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+893.77 грн
25+ 766.02 грн
100+ 574.75 грн
250+ 528.71 грн
600+ 512.88 грн
3000+ 475.48 грн
5400+ 458.93 грн
UJ4C075044L8S Qorvo Description: 750V/44MO,SICFET,G4,TOLL
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 25A, 12V
Power Dissipation (Max): 181W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TOLL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.8 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 400 V
товар відсутній
UJ4C075044L8S UJ4C075044L8S Qorvo UJ4C075044L8S_Data_Sheet-3402335.pdf SiC MOSFETs UJ4C075044L8S
на замовлення 1544 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+801.46 грн
25+ 685.78 грн
100+ 515.04 грн
250+ 474.04 грн
500+ 440.95 грн
1000+ 425.85 грн
6000+ 403.55 грн
UJ4C075044L8SSB Qorvo Description: 750V/44MO,SICFET,G4,TOLL
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35.6A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 25A, 12V
Power Dissipation (Max): 181W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TOLL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.8 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 400 V
товар відсутній
UJ4C075044L8SSR Qorvo Description: 750V/44MO,SICFET,G4,TOLL
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35.6A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 25A, 12V
Power Dissipation (Max): 181W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TOLL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.8 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 400 V
товар відсутній
UJ4C075060B7S UJ4C075060B7S QORVO da008713 Description: QORVO - UJ4C075060B7S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 25.8 A, 750 V, 58 mohm, D2PAK
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 128W
Bauform - Transistor: D2PAK
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 58mohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 415 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+498.69 грн
5+ 466.41 грн
10+ 433.33 грн
50+ 386.64 грн
100+ 342.38 грн
250+ 327.85 грн
Мінімальне замовлення: 2
UJ4C075060B7S UJ4C075060B7S Qorvo da008713 Description: 750V/60MOHM, N-OFF SIC CASCODE,
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 74mOhm @ 20A, 12V
Power Dissipation (Max): 128W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.8 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1420 pF @ 400 V
на замовлення 1297 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+584.37 грн
10+ 482.25 грн
100+ 401.91 грн
UJ4C075060B7S UJ4C075060B7S Qorvo UJ4C075060B7S_Data_Sheet-3177217.pdf SiC MOSFETs 750V/60mOhms,SICFET,G4,TO263-7
на замовлення 1185 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+619.35 грн
25+ 538.53 грн
100+ 406.42 грн
250+ 343.12 грн
500+ 325.86 грн
2400+ 318.66 грн
4800+ 309.31 грн
UJ4C075060B7S UJ4C075060B7S Qorvo da008713 Description: 750V/60MOHM, N-OFF SIC CASCODE,
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 74mOhm @ 20A, 12V
Power Dissipation (Max): 128W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.8 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1420 pF @ 400 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+303.85 грн
Мінімальне замовлення: 800
UJ4C075060K3S UJ4C075060K3S Qorvo da008714 Description: SICFET N-CH 750V 28A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 74mOhm @ 20A, 12V
Power Dissipation (Max): 155W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.8 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1422 pF @ 100 V
на замовлення 1573 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+560.25 грн
25+ 475.84 грн
100+ 412.57 грн
250+ 328.44 грн
UJ4C075060K3S UJ4C075060K3S Qorvo UJ4C075060K3S_Data_Sheet-3177218.pdf SiC MOSFETs 750V/60mOhms,SICFET,G4,TO247-3
на замовлення 2820 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+726.77 грн
25+ 632.01 грн
100+ 476.2 грн
250+ 403.55 грн
600+ 381.97 грн
3000+ 374.77 грн
5400+ 362.54 грн
UJ4C075060K3S UJ4C075060K3S QORVO da008714 Description: QORVO - UJ4C075060K3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 28 A, 750 V, 58 mohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 28A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 155W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 58mohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 388 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+585.03 грн
5+ 547.11 грн
10+ 508.38 грн
50+ 453.33 грн
100+ 401.86 грн
250+ 384.57 грн
Мінімальне замовлення: 2
UJ4C075060K4S UJ4C075060K4S QORVO da008715 Description: QORVO - UJ4C075060K4S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 28 A, 750 V, 58 mohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 28A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 155W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 58mohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 565 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+619.73 грн
5+ 579.39 грн
10+ 538.23 грн
50+ 476.56 грн
100+ 419.15 грн
250+ 397.71 грн
Мінімальне замовлення: 2
UJ4C075060K4S UJ4C075060K4S Qorvo da008715 Description: SICFET N-CH 750V 28A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 74mOhm @ 20A, 12V
Power Dissipation (Max): 155W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.8 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1422 pF @ 100 V
на замовлення 1183 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+593.71 грн
25+ 504.1 грн
100+ 436.79 грн
250+ 347.39 грн
UJ4C075060K4S UJ4C075060K4S Qorvo UJ4C075060K4S_Data_Sheet-3177139.pdf SiC MOSFETs 750V/60mO,SICFET,G4,TO247-4
на замовлення 579 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+792.23 грн
25+ 704.8 грн
100+ 507.85 грн
600+ 441.67 грн
1200+ 415.06 грн
UJ4C075060L8S Qorvo Description: 750V/60MO,SICFET,G4,TOLL
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 74mOhm @ 20A, 12V
Power Dissipation (Max): 155W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TOLL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.8 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1420 pF @ 400 V
товар відсутній
UJ4C075060L8S UJ4C075060L8S Qorvo UJ4C075060L8S_Data_Sheet-3402399.pdf SiC MOSFETs UJ4C075060L8S
на замовлення 1838 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+622.7 грн
25+ 533.57 грн
100+ 399.95 грн
250+ 368.3 грн
500+ 343.12 грн
1000+ 331.61 грн
6000+ 312.91 грн
UJ4C075060L8SSB Qorvo Description: 750V/60MO,SICFET,G4,TOLL
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27.8A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 74mOhm @ 20A, 12V
Power Dissipation (Max): 155W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TOLL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.8 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1420 pF @ 400 V
товар відсутній
UJ4C075060L8SSR Qorvo Description: 750V/60MO,SICFET,G4,TOLL
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27.8A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 74mOhm @ 20A, 12V
Power Dissipation (Max): 155W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TOLL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.8 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1420 pF @ 400 V
товар відсутній
UJ4SC075005L8S UJ4SC075005L8S Qorvo DS_UJ4SC075005L8S.pdf Description: SICFET N-CH 750V 120A TOLL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2mOhm @ 80A, 12V
Power Dissipation (Max): 1153W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TOLL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 164 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8374 pF @ 400 V
товар відсутній
UJ4SC075005L8S UJ4SC075005L8S Qorvo UJ4SC075005L8S_Data_Sheet-3177181.pdf SiC MOSFETs UJ4SC075005L8S
на замовлення 813 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+7840.85 грн
25+ 7442.62 грн
100+ 6178.35 грн
250+ 6036.65 грн
500+ 5869.76 грн
1000+ 5730.21 грн
2000+ 5154.74 грн
UJ4SC075005L8S UJ4SC075005L8S Qorvo DS_UJ4SC075005L8S.pdf Description: SICFET N-CH 750V 120A TOLL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2mOhm @ 80A, 12V
Power Dissipation (Max): 1153W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TOLL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 164 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8374 pF @ 400 V
на замовлення 1991 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+6046.03 грн
25+ 5606.99 грн
100+ 5352.59 грн
UJ4SC075006K4S UJ4SC075006K4S Qorvo DS_UJ4SC075006K4S.pdf Description: 750V/6MOHM, SIC, STACKED CASCODE
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.4mOhm @ 80A, 12V
Power Dissipation (Max): 714W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 164 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8374 pF @ 400 V
на замовлення 618 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+5523.13 грн
25+ 4693.02 грн
100+ 4067.1 грн
UJ4SC075006K4S UJ4SC075006K4S Qorvo UJ4SC075006K4S_Data_Sheet-3177190.pdf SiC MOSFETs 750V/6mO,SICFET,G4,TO247-4
на замовлення 403 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+7162.76 грн
25+ 6229.89 грн
100+ 4694.37 грн
250+ 4450.52 грн
600+ 4385.78 грн
1200+ 4383.62 грн
3000+ 4362.04 грн
UJ4SC075006K4S UJ4SC075006K4S QORVO DS_UJ4SC075006K4S.pdf Description: QORVO - UJ4SC075006K4S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 120 A, 750 V, 5.9 mohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 714W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5.9mohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 445 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+5952.83 грн
5+ 5602.62 грн
10+ 5252.4 грн
50+ 4226.83 грн
UJ4SC075008L8S Qorvo Description: SICFET N-CH 750V 106A TOLL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 106A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.4mOhm @ 70A, 12V
Power Dissipation (Max): 600W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 10mA
Supplier Device Package: TOLL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3340 pF @ 400 V
товар відсутній
UJ4C075018K4S DS_UJ4C075018K4S.pdf
UJ4C075018K4S
Виробник: Qorvo
Description: SICFET N-CH 750V 81A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 81A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 20A, 12V
Power Dissipation (Max): 385W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.8 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1422 pF @ 100 V
на замовлення 1158 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1325.92 грн
10+ 1124.41 грн
100+ 972.47 грн
500+ 827.07 грн
UJ4C075023B7S DS_UJ4C075023B7S.pdf
UJ4C075023B7S
Виробник: QORVO
Description: QORVO - UJ4C075023B7S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 64 A, 750 V, 23 mohm, D2PAK
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 64A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 278W
Bauform - Transistor: D2PAK
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 23mohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 574 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1015.14 грн
5+ 948.97 грн
10+ 882.8 грн
50+ 787.52 грн
100+ 697.2 грн
250+ 667.46 грн
UJ4C075023B7S UJ4C075023B7S_Data_Sheet-3177178.pdf
UJ4C075023B7S
Виробник: Qorvo
SiC MOSFETs 750V/23mO,SICFET,G4,TO263-7
на замовлення 206 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1221.07 грн
25+ 1046.45 грн
100+ 785.51 грн
250+ 722.21 грн
500+ 701.35 грн
2400+ 648.84 грн
4800+ 627.26 грн
UJ4C075023K3S da008705
UJ4C075023K3S
Виробник: QORVO
Description: QORVO - UJ4C075023K3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 66 A, 750 V, 23 mohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 66A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 306W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 23mohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 374 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1031.28 грн
5+ 963.49 грн
10+ 895.71 грн
50+ 798.76 грн
100+ 707.58 грн
250+ 677.14 грн
UJ4C075023K3S da008705
UJ4C075023K3S
Виробник: Qorvo
Description: 750V/23MOHM, SIC, CASCODE, G4, T
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 66A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 40A, 12V
Power Dissipation (Max): 306W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.8 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 400 V
на замовлення 885 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+986.66 грн
25+ 838.59 грн
100+ 726.87 грн
250+ 578.71 грн
UJ4C075023K3S UJ4C075023K3S_Data_Sheet-3177134.pdf
UJ4C075023K3S
Виробник: Qorvo
JFET 750V/23mO,SICFET,G4,TO247-3
на замовлення 293 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1279.81 грн
25+ 1113.46 грн
100+ 838.74 грн
250+ 709.26 грн
600+ 671.86 грн
3000+ 658.19 грн
5400+ 638.05 грн
UJ4C075023K4S UJ4C075023K4S_Data_Sheet-3177159.pdf
UJ4C075023K4S
Виробник: Qorvo
SiC MOSFETs 750V/23mO,SICFET,G4,TO247-4
на замовлення 1859 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1310.03 грн
25+ 1136.62 грн
100+ 856.01 грн
250+ 731.56 грн
600+ 730.84 грн
1200+ 730.12 грн
3000+ 720.77 грн
UJ4C075023K4S da008706
UJ4C075023K4S
Виробник: Qorvo
Description: 750V/23MOHM, SIC, CASCODE, G4, T
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 66A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 40A, 12V
Power Dissipation (Max): 306W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.8 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 400 V
на замовлення 508 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1014.68 грн
25+ 862.81 грн
100+ 747.74 грн
250+ 594.5 грн
UJ4C075023K4S da008706
UJ4C075023K4S
Виробник: QORVO
Description: QORVO - UJ4C075023K4S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 66 A, 750 V, 23 mohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 66A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 306W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 23mohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 405 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1059.52 грн
5+ 990.12 грн
10+ 920.72 грн
50+ 796.51 грн
100+ 681.29 грн
250+ 675.07 грн
UJ4C075023L8S UJ4C075023L8S_Data_Sheet-3402384.pdf
UJ4C075023L8S
Виробник: Qorvo
SiC MOSFETs UJ4C075023L8S
на замовлення 1674 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1211 грн
25+ 1037.35 грн
100+ 778.32 грн
250+ 716.46 грн
500+ 667.54 грн
1000+ 643.08 грн
6000+ 609.28 грн
UJ4C075023L8S da009101
Виробник: Qorvo
Description: 750V/23MO,SICFET,G4,TOLL
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 40A, 12V
Power Dissipation (Max): 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TOLL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.8 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 400 V
товар відсутній
UJ4C075023L8SSB
Виробник: Qorvo
Description: 750V/23MO,SICFET,G4,TOLL
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 40A, 12V
Power Dissipation (Max): 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TOLL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.8 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 400 V
товар відсутній
UJ4C075023L8SSR
Виробник: Qorvo
Description: 750V/23MO,SICFET,G4,TOLL
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 40A, 12V
Power Dissipation (Max): 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TOLL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.8 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 400 V
товар відсутній
UJ4C075033B7S UJ4C075033B7S_Data_Sheet-3177170.pdf
UJ4C075033B7S
Виробник: Qorvo
MOSFETs 750V/33mOhms,SICFET,G4,TO263-7
на замовлення 405 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+924.82 грн
25+ 804.07 грн
100+ 605.68 грн
250+ 512.88 грн
500+ 485.55 грн
2400+ 476.2 грн
4800+ 461.81 грн
UJ4C075033B7S da008707
UJ4C075033B7S
Виробник: Qorvo
Description: 750V/33MOHM, N-OFF SIC CASCODE,
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 30A, 12V
Power Dissipation (Max): 197W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.8 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 400 V
товар відсутній
UJ4C075033B7S da008707
UJ4C075033B7S
Виробник: Qorvo
Description: 750V/33MOHM, N-OFF SIC CASCODE,
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 30A, 12V
Power Dissipation (Max): 197W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.8 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 400 V
на замовлення 625 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+758.67 грн
10+ 644.03 грн
100+ 557 грн
UJ4C075033K3S da008708
UJ4C075033K3S
Виробник: Qorvo
Description: 750V/33MOHM, SIC, CASCODE, G4, T
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 30A, 12V
Power Dissipation (Max): 242W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.8 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 400 V
на замовлення 849 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+722.88 грн
25+ 614.46 грн
100+ 532.37 грн
250+ 423.18 грн
UJ4C075033K3S da008708
UJ4C075033K3S
Виробник: QORVO
Description: QORVO - UJ4C075033K3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 47 A, 750 V, 33 mohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 47A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 242W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 33mohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 395 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+754.49 грн
5+ 705.27 грн
10+ 656.05 грн
50+ 567.22 грн
100+ 484.86 грн
250+ 484.17 грн
Мінімальне замовлення: 2
UJ4C075033K3S UJ4C075033K3S_Data_Sheet-3177216.pdf
UJ4C075033K3S
Виробник: Qorvo
SiC MOSFETs 750V/33mO,SICFET,G4,TO247-3
на замовлення 2074 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+920.63 грн
25+ 794.97 грн
100+ 597.77 грн
250+ 520.8 грн
1200+ 520.08 грн
3000+ 499.22 грн
5400+ 484.83 грн
UJ4C075033K4S UJ4C075033K4S_Data_Sheet-3177179.pdf
UJ4C075033K4S
Виробник: Qorvo
JFET 750V/33mO,SICFET,G4,TO247-4
на замовлення 464 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+974.34 грн
25+ 847.91 грн
100+ 638.77 грн
250+ 540.94 грн
600+ 511.45 грн
3000+ 501.38 грн
5400+ 486.27 грн
UJ4C075033K4S da008709
UJ4C075033K4S
Виробник: Qorvo
Description: 750V/33MOHM, SIC, CASCODE, G4, T
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 30A, 12V
Power Dissipation (Max): 242W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.8 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 400 V
на замовлення 1120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+751.67 грн
25+ 638.71 грн
100+ 553.23 грн
250+ 440.55 грн
UJ4C075033K4S da008709
UJ4C075033K4S
Виробник: QORVO
Description: QORVO - UJ4C075033K4S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 47 A, 750 V, 33 mohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 47A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 242W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 33mohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 1193 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+785.16 грн
5+ 733.51 грн
10+ 681.87 грн
50+ 590.45 грн
100+ 504.92 грн
250+ 495.92 грн
Мінімальне замовлення: 2
UJ4C075033L8S UJ4C075033L8S_Data_Sheet-3402368.pdf
UJ4C075033L8S
Виробник: Qorvo
SiC MOSFETs UJ4C075033L8S
на замовлення 1635 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+938.25 грн
25+ 803.24 грн
100+ 602.8 грн
250+ 555.33 грн
500+ 516.48 грн
1000+ 498.5 грн
6000+ 472.6 грн
UJ4C075033L8S
Виробник: Qorvo
Description: 750V/33MO,SICFET,G4,TOLL
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 230A, 12V
Power Dissipation (Max): 205W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TOLL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.8 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 400 V
товар відсутній
UJ4C075033L8SSB
Виробник: Qorvo
Description: 750V/33MO,SICFET,G4,TOLL
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 230A, 12V
Power Dissipation (Max): 205W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TOLL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.8 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 400 V
товар відсутній
UJ4C075033L8SSR
Виробник: Qorvo
Description: 750V/33MO,SICFET,G4,TOLL
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 230A, 12V
Power Dissipation (Max): 205W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TOLL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.8 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 400 V
товар відсутній
UJ4C075044B7S UJ4C075044B7S_Data_Sheet-3177189.pdf
UJ4C075044B7S
Виробник: Qorvo
MOSFET 750V/44mO,SICFET,G4,TO263-7
на замовлення 803 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+834.19 грн
25+ 725.48 грн
100+ 546.69 грн
250+ 462.53 грн
500+ 438.07 грн
2400+ 429.44 грн
4800+ 415.77 грн
UJ4C075044B7S DS_UJ4C075044B7S.pdf
UJ4C075044B7S
Виробник: Qorvo
Description: 750V/44MOHM, N-OFF SIC CASCODE,
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 25A, 12V
Power Dissipation (Max): 181W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.8 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 400 V
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
800+504.28 грн
1600+ 437.05 грн
Мінімальне замовлення: 800
UJ4C075044B7S DS_UJ4C075044B7S.pdf
UJ4C075044B7S
Виробник: Qorvo
Description: 750V/44MOHM, N-OFF SIC CASCODE,
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 25A, 12V
Power Dissipation (Max): 181W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.8 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 400 V
на замовлення 3155 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+799.91 грн
10+ 660.36 грн
100+ 550.36 грн
UJ4C075044K3S da008711
UJ4C075044K3S
Виробник: QORVO
Description: QORVO - UJ4C075044K3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 37.4 A, 750 V, 44 mohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 37.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 203W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 44mohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+711.72 грн
5+ 665.73 грн
10+ 618.93 грн
50+ 552.24 грн
100+ 489.01 грн
250+ 468.26 грн
Мінімальне замовлення: 2
UJ4C075044K3S UJ4C075044K3S_Data_Sheet-3177160.pdf
UJ4C075044K3S
Виробник: Qorvo
SiC MOSFETs 750V/44mO,SICFET,G4,TO247-3
на замовлення 607 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+856.01 грн
25+ 733.76 грн
100+ 550.29 грн
250+ 506.41 грн
600+ 492.02 грн
3000+ 454.62 грн
5400+ 440.23 грн
UJ4C075044K3S da008711
UJ4C075044K3S
Виробник: Qorvo
Description: 750V/44MOHM, SIC, CASCODE, G4, T
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 25A, 12V
Power Dissipation (Max): 203W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.8 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 400 V
на замовлення 664 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+681.64 грн
25+ 578.79 грн
100+ 502.08 грн
250+ 399.49 грн
UJ4C075044K4S da008712
Виробник: Qorvo
Description: 750V/44MOHM, SIC, CASCODE, G4, T
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 25A, 12V
Power Dissipation (Max): 203W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.8 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 400 V
на замовлення 443 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+711.21 грн
25+ 604.39 грн
100+ 523.61 грн
250+ 416.86 грн
UJ4C075044K4S da008712
UJ4C075044K4S
Виробник: QORVO
Description: QORVO - UJ4C075044K4S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 37.4 A, 750 V, 44 mohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 37.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 203W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 44mohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 385 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+743.2 грн
5+ 694.78 грн
10+ 645.56 грн
50+ 576.22 грн
100+ 509.76 грн
250+ 488.32 грн
Мінімальне замовлення: 2
UJ4C075044K4S UJ4C075044K4S_Data_Sheet-3177137.pdf
UJ4C075044K4S
Виробник: Qorvo
SiC MOSFETs 750V/44mO,SICFET,G4,TO247-4
на замовлення 1868 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+893.77 грн
25+ 766.02 грн
100+ 574.75 грн
250+ 528.71 грн
600+ 512.88 грн
3000+ 475.48 грн
5400+ 458.93 грн
UJ4C075044L8S
Виробник: Qorvo
Description: 750V/44MO,SICFET,G4,TOLL
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 25A, 12V
Power Dissipation (Max): 181W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TOLL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.8 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 400 V
товар відсутній
UJ4C075044L8S UJ4C075044L8S_Data_Sheet-3402335.pdf
UJ4C075044L8S
Виробник: Qorvo
SiC MOSFETs UJ4C075044L8S
на замовлення 1544 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+801.46 грн
25+ 685.78 грн
100+ 515.04 грн
250+ 474.04 грн
500+ 440.95 грн
1000+ 425.85 грн
6000+ 403.55 грн
UJ4C075044L8SSB
Виробник: Qorvo
Description: 750V/44MO,SICFET,G4,TOLL
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35.6A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 25A, 12V
Power Dissipation (Max): 181W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TOLL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.8 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 400 V
товар відсутній
UJ4C075044L8SSR
Виробник: Qorvo
Description: 750V/44MO,SICFET,G4,TOLL
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35.6A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 25A, 12V
Power Dissipation (Max): 181W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TOLL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.8 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 400 V
товар відсутній
UJ4C075060B7S da008713
UJ4C075060B7S
Виробник: QORVO
Description: QORVO - UJ4C075060B7S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 25.8 A, 750 V, 58 mohm, D2PAK
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 128W
Bauform - Transistor: D2PAK
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 58mohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 415 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+498.69 грн
5+ 466.41 грн
10+ 433.33 грн
50+ 386.64 грн
100+ 342.38 грн
250+ 327.85 грн
Мінімальне замовлення: 2
UJ4C075060B7S da008713
UJ4C075060B7S
Виробник: Qorvo
Description: 750V/60MOHM, N-OFF SIC CASCODE,
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 74mOhm @ 20A, 12V
Power Dissipation (Max): 128W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.8 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1420 pF @ 400 V
на замовлення 1297 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+584.37 грн
10+ 482.25 грн
100+ 401.91 грн
UJ4C075060B7S UJ4C075060B7S_Data_Sheet-3177217.pdf
UJ4C075060B7S
Виробник: Qorvo
SiC MOSFETs 750V/60mOhms,SICFET,G4,TO263-7
на замовлення 1185 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+619.35 грн
25+ 538.53 грн
100+ 406.42 грн
250+ 343.12 грн
500+ 325.86 грн
2400+ 318.66 грн
4800+ 309.31 грн
UJ4C075060B7S da008713
UJ4C075060B7S
Виробник: Qorvo
Description: 750V/60MOHM, N-OFF SIC CASCODE,
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 74mOhm @ 20A, 12V
Power Dissipation (Max): 128W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.8 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1420 pF @ 400 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
800+303.85 грн
Мінімальне замовлення: 800
UJ4C075060K3S da008714
UJ4C075060K3S
Виробник: Qorvo
Description: SICFET N-CH 750V 28A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 74mOhm @ 20A, 12V
Power Dissipation (Max): 155W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.8 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1422 pF @ 100 V
на замовлення 1573 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+560.25 грн
25+ 475.84 грн
100+ 412.57 грн
250+ 328.44 грн
UJ4C075060K3S UJ4C075060K3S_Data_Sheet-3177218.pdf
UJ4C075060K3S
Виробник: Qorvo
SiC MOSFETs 750V/60mOhms,SICFET,G4,TO247-3
на замовлення 2820 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+726.77 грн
25+ 632.01 грн
100+ 476.2 грн
250+ 403.55 грн
600+ 381.97 грн
3000+ 374.77 грн
5400+ 362.54 грн
UJ4C075060K3S da008714
UJ4C075060K3S
Виробник: QORVO
Description: QORVO - UJ4C075060K3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 28 A, 750 V, 58 mohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 28A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 155W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 58mohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 388 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+585.03 грн
5+ 547.11 грн
10+ 508.38 грн
50+ 453.33 грн
100+ 401.86 грн
250+ 384.57 грн
Мінімальне замовлення: 2
UJ4C075060K4S da008715
UJ4C075060K4S
Виробник: QORVO
Description: QORVO - UJ4C075060K4S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 28 A, 750 V, 58 mohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 28A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 155W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 58mohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 565 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+619.73 грн
5+ 579.39 грн
10+ 538.23 грн
50+ 476.56 грн
100+ 419.15 грн
250+ 397.71 грн
Мінімальне замовлення: 2
UJ4C075060K4S da008715
UJ4C075060K4S
Виробник: Qorvo
Description: SICFET N-CH 750V 28A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 74mOhm @ 20A, 12V
Power Dissipation (Max): 155W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.8 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1422 pF @ 100 V
на замовлення 1183 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+593.71 грн
25+ 504.1 грн
100+ 436.79 грн
250+ 347.39 грн
UJ4C075060K4S UJ4C075060K4S_Data_Sheet-3177139.pdf
UJ4C075060K4S
Виробник: Qorvo
SiC MOSFETs 750V/60mO,SICFET,G4,TO247-4
на замовлення 579 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+792.23 грн
25+ 704.8 грн
100+ 507.85 грн
600+ 441.67 грн
1200+ 415.06 грн
UJ4C075060L8S
Виробник: Qorvo
Description: 750V/60MO,SICFET,G4,TOLL
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 74mOhm @ 20A, 12V
Power Dissipation (Max): 155W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TOLL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.8 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1420 pF @ 400 V
товар відсутній
UJ4C075060L8S UJ4C075060L8S_Data_Sheet-3402399.pdf
UJ4C075060L8S
Виробник: Qorvo
SiC MOSFETs UJ4C075060L8S
на замовлення 1838 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+622.7 грн
25+ 533.57 грн
100+ 399.95 грн
250+ 368.3 грн
500+ 343.12 грн
1000+ 331.61 грн
6000+ 312.91 грн
UJ4C075060L8SSB
Виробник: Qorvo
Description: 750V/60MO,SICFET,G4,TOLL
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27.8A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 74mOhm @ 20A, 12V
Power Dissipation (Max): 155W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TOLL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.8 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1420 pF @ 400 V
товар відсутній
UJ4C075060L8SSR
Виробник: Qorvo
Description: 750V/60MO,SICFET,G4,TOLL
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27.8A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 74mOhm @ 20A, 12V
Power Dissipation (Max): 155W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TOLL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.8 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1420 pF @ 400 V
товар відсутній
UJ4SC075005L8S DS_UJ4SC075005L8S.pdf
UJ4SC075005L8S
Виробник: Qorvo
Description: SICFET N-CH 750V 120A TOLL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2mOhm @ 80A, 12V
Power Dissipation (Max): 1153W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TOLL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 164 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8374 pF @ 400 V
товар відсутній
UJ4SC075005L8S UJ4SC075005L8S_Data_Sheet-3177181.pdf
UJ4SC075005L8S
Виробник: Qorvo
SiC MOSFETs UJ4SC075005L8S
на замовлення 813 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+7840.85 грн
25+ 7442.62 грн
100+ 6178.35 грн
250+ 6036.65 грн
500+ 5869.76 грн
1000+ 5730.21 грн
2000+ 5154.74 грн
UJ4SC075005L8S DS_UJ4SC075005L8S.pdf
UJ4SC075005L8S
Виробник: Qorvo
Description: SICFET N-CH 750V 120A TOLL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2mOhm @ 80A, 12V
Power Dissipation (Max): 1153W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TOLL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 164 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8374 pF @ 400 V
на замовлення 1991 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+6046.03 грн
25+ 5606.99 грн
100+ 5352.59 грн
UJ4SC075006K4S DS_UJ4SC075006K4S.pdf
UJ4SC075006K4S
Виробник: Qorvo
Description: 750V/6MOHM, SIC, STACKED CASCODE
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.4mOhm @ 80A, 12V
Power Dissipation (Max): 714W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 164 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8374 pF @ 400 V
на замовлення 618 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+5523.13 грн
25+ 4693.02 грн
100+ 4067.1 грн
UJ4SC075006K4S UJ4SC075006K4S_Data_Sheet-3177190.pdf
UJ4SC075006K4S
Виробник: Qorvo
SiC MOSFETs 750V/6mO,SICFET,G4,TO247-4
на замовлення 403 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+7162.76 грн
25+ 6229.89 грн
100+ 4694.37 грн
250+ 4450.52 грн
600+ 4385.78 грн
1200+ 4383.62 грн
3000+ 4362.04 грн
UJ4SC075006K4S DS_UJ4SC075006K4S.pdf
UJ4SC075006K4S
Виробник: QORVO
Description: QORVO - UJ4SC075006K4S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 120 A, 750 V, 5.9 mohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 714W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5.9mohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 445 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+5952.83 грн
5+ 5602.62 грн
10+ 5252.4 грн
50+ 4226.83 грн
UJ4SC075008L8S
Виробник: Qorvo
Description: SICFET N-CH 750V 106A TOLL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 106A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.4mOhm @ 70A, 12V
Power Dissipation (Max): 600W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 10mA
Supplier Device Package: TOLL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3340 pF @ 400 V
товар відсутній
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 8 16 24 32 40 48 56 64 72 76 77 78 79 80 81 82 83  [ Наступна Сторінка >> ]