Продукція > QORVO > Всі товари виробника QORVO (4934) > Сторінка 82 з 83

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 8 16 24 32 40 48 56 64 72 77 78 79 80 81 82 83  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
без ПДВ
UJ4SC075008L8S UJ4SC075008L8S Qorvo UJ4SC075008L8S_Data_Sheet-3177171.pdf SiC MOSFETs 750V/8mOhms,SICFET,G4,TOLL
на замовлення 1879 шт:
термін постачання 329-338 дні (днів)
1+3806.71 грн
25+ 3520.71 грн
100+ 2671.6 грн
250+ 2448.61 грн
500+ 2370.92 грн
1000+ 2369.48 грн
2000+ 1853 грн
UJ4SC075008L8S Qorvo Description: SICFET N-CH 750V 106A TOLL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 106A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.4mOhm @ 70A, 12V
Power Dissipation (Max): 600W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 10mA
Supplier Device Package: TOLL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3340 pF @ 400 V
товар відсутній
UJ4SC075009B7S UJ4SC075009B7S Qorvo UJ4SC075009B7S_Data_Sheet-3177140.pdf SiC MOSFETs 750V/9mO,SICFET,G4,TO263-7
на замовлення 1039 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+3623.76 грн
25+ 3151.76 грн
100+ 2375.96 грн
250+ 2009.82 грн
500+ 1950.83 грн
800+ 1827.83 грн
2400+ 1827.11 грн
UJ4SC075009B7S UJ4SC075009B7S QORVO DS_UJ4SC075009B7S.pdf Description: QORVO - UJ4SC075009B7S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 106 A, 750 V, 9 mohm, D2PAK
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 106A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: D2PAK
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9mohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 74 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3011.52 грн
5+ 2834.8 грн
10+ 2657.27 грн
50+ 2303.37 грн
UJ4SC075009B7S UJ4SC075009B7S Qorvo DS_UJ4SC075009B7S.pdf Description: 750V/9MOHM, N-OFF SIC STACK CASC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 106A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 70A, 12V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 10mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3340 pF @ 400 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+1712.33 грн
Мінімальне замовлення: 800
UJ4SC075009B7S UJ4SC075009B7S Qorvo DS_UJ4SC075009B7S.pdf Description: 750V/9MOHM, N-OFF SIC STACK CASC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 106A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 70A, 12V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 10mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3340 pF @ 400 V
на замовлення 1010 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2794.25 грн
25+ 2374.43 грн
100+ 2058.12 грн
250+ 1633.98 грн
UJ4SC075009K4S UJ4SC075009K4S QORVO DS_UJ4SC075009K4S.pdf Description: QORVO - UJ4SC075009K4S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 106 A, 750 V, 9 mohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 106A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9mohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 479 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3154.35 грн
5+ 2968.75 грн
10+ 2783.15 грн
50+ 2412.76 грн
100+ 2068.08 грн
UJ4SC075009K4S UJ4SC075009K4S Qorvo UJ4SC075009K4S_Data_Sheet-3177180.pdf SiC MOSFETs 750V/9mO,SICFET,G4,TO247-4
на замовлення 208 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+3795.8 грн
25+ 3301.49 грн
100+ 2488.17 грн
250+ 2105.49 грн
600+ 2070.96 грн
1200+ 2070.24 грн
3000+ 2058.01 грн
UJ4SC075009K4S UJ4SC075009K4S Qorvo DS_UJ4SC075009K4S.pdf Description: 750V/9MOHM, SIC, STACKED CASCODE
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 106A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 70A, 12V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3340 pF @ 400 V
на замовлення 881 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2927.31 грн
25+ 2486.83 грн
100+ 2155.71 грн
250+ 1711.66 грн
UJ4SC075010L8S Qorvo Description: 750V/10MO,SICFET,G4,TOLL
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 106A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.2mOhm @ 60A, 12V
FET Feature: Depletion Mode
Power Dissipation (Max): 556W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 10mA
Supplier Device Package: TOLL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3245 pF @ 400 V
товар відсутній
UJ4SC075010L8SSB Qorvo Description: 750V/10MO,SICFET,G4,TOLL
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 106A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.2mOhm @ 60A, 12V
FET Feature: Depletion Mode
Power Dissipation (Max): 556W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 10mA
Supplier Device Package: TOLL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3245 pF @ 400 V
товар відсутній
UJ4SC075010L8SSR Qorvo Description: 750V/10MO,SICFET,G4,TOLL
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 106A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.2mOhm @ 60A, 12V
FET Feature: Depletion Mode
Power Dissipation (Max): 556W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 10mA
Supplier Device Package: TOLL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3245 pF @ 400 V
товар відсутній
UJ4SC075011B7S UJ4SC075011B7S Qorvo UJ4SC075011B7S_Data_Sheet-3177205.pdf SiC MOSFETs 750V/11mO,SICFET,G4,TO263-7
на замовлення 690 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2844.12 грн
25+ 2474.25 грн
100+ 1864.51 грн
250+ 1577.5 грн
500+ 1435.07 грн
800+ 1219.99 грн
2400+ 1156.69 грн
UJ4SC075011B7S UJ4SC075011B7S QORVO DS_UJ4SC075011B7S.pdf Description: QORVO - UJ4SC075011B7S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 104 A, 750 V, 11 mohm, D2PAK
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 104A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 357W
Bauform - Transistor: D2PAK
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 11mohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 489 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2316.74 грн
5+ 2180.36 грн
10+ 2043.99 грн
50+ 1772.11 грн
100+ 1518.9 грн
UJ4SC075011K4S UJ4SC075011K4S QORVO DS_UJ4SC075011K4S.pdf Description: QORVO - UJ4SC075011K4S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 104 A, 750 V, 11 mohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 104A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 357W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 11mohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 372 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2460.37 грн
5+ 2315.93 грн
10+ 2170.68 грн
50+ 1881.51 грн
100+ 1612.97 грн
UJ4SC075011K4S UJ4SC075011K4S Qorvo DS_UJ4SC075011K4S.pdf Description: 750V/11MOHM, SIC, STACKED CASCOD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 104A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.2mOhm @ 60A, 12V
Power Dissipation (Max): 357W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3245 pF @ 400 V
на замовлення 595 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2213.77 грн
10+ 1894.47 грн
100+ 1656.98 грн
UJ4SC075011K4S UJ4SC075011K4S Qorvo UJ4SC075011K4S_Data_Sheet-3177195.pdf JFET 750V/11mOhm, N-Off SiC STACK CASCODE, G4, TO-247-4L, REDUCED RTH
на замовлення 598 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2884.41 грн
30+ 2623.16 грн
120+ 2280.29 грн
270+ 1946.52 грн
1020+ 1865.23 грн
2520+ 1804.09 грн
UJ4SC075018B7S UJ4SC075018B7S Qorvo DS_UJ4SC075018B7S.pdf Description: 750V/18MOHM, N-OFF SIC STACK CAS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 72A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 50A, 12V
Power Dissipation (Max): 259W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.8 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1414 pF @ 400 V
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+776.67 грн
Мінімальне замовлення: 800
UJ4SC075018B7S UJ4SC075018B7S Qorvo DS_UJ4SC075018B7S.pdf Description: 750V/18MOHM, N-OFF SIC STACK CAS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 72A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 50A, 12V
Power Dissipation (Max): 259W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.8 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1414 pF @ 400 V
на замовлення 1840 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1198.31 грн
25+ 1017.62 грн
100+ 881.66 грн
250+ 701.88 грн
UJ4SC075018B7S UJ4SC075018B7S Qorvo UJ4SC075018B7S_Data_Sheet-3177142.pdf SiC MOSFETs 750V/18mO,SICFET,G4,TO263-7
на замовлення 1038 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1504.73 грн
25+ 1288 грн
100+ 967.5 грн
250+ 890.53 грн
500+ 863.92 грн
2400+ 799.18 грн
4800+ 773.28 грн
UJ4SC075018B7S UJ4SC075018B7S QORVO DS_UJ4SC075018B7S.pdf Description: QORVO - UJ4SC075018B7S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 72 A, 750 V, 18 mohm, D2PAK
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 72A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 259W
Bauform - Transistor: D2PAK
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 18mohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 515 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1251.57 грн
5+ 1169.26 грн
10+ 1086.95 грн
50+ 969.6 грн
100+ 859.05 грн
250+ 822.39 грн
UJ4SC075018L8S UJ4SC075018L8S Qorvo DS_UJ4SC075018L8S.pdf Description: SICFET N-CH 750V 53A TOLL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 53A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 50A, 12V
Power Dissipation (Max): 349W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TOLL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.8 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1414 pF @ 400 V
на замовлення 853 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1173.41 грн
25+ 997.42 грн
100+ 864.84 грн
250+ 769.78 грн
UJ4SC075018L8S UJ4SC075018L8S Qorvo UJ4SC075018L8S_Data_Sheet-3177219.pdf MOSFET 750V/18mO,SICFET,G4,TOLL
на замовлення 150 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1521.51 грн
25+ 1324.4 грн
100+ 998.43 грн
250+ 845.94 грн
500+ 787.67 грн
4000+ 763.21 грн
10000+ 708.54 грн
UJ4SC075018L8S UJ4SC075018L8S QORVO DS_UJ4SC075018L8S.pdf Description: QORVO - UJ4SC075018L8S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 53 A, 750 V, 18 mohm, MO-299
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 53A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 349W
Bauform - Transistor: MO-299
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 18mohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 555 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1265.29 грн
5+ 1191.05 грн
10+ 1116.81 грн
50+ 1036.29 грн
100+ 955.19 грн
250+ 954.5 грн
UJ4SC075018L8S UJ4SC075018L8S Qorvo DS_UJ4SC075018L8S.pdf Description: SICFET N-CH 750V 53A TOLL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 53A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 50A, 12V
Power Dissipation (Max): 349W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TOLL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.8 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1414 pF @ 400 V
товар відсутній
UMX-526-D16-G Qorvo Signal_Source_Selector_Guide_6-7-13.pdf Qorvo
товар відсутній
VCO-103SMT Qorvo VCO Oscillators Voltage Controlled Oscillator
товар відсутній
VCO190-1100TY VCO190-1100TY Qorvo VCO Oscillators 1085MHZ-1115MHZ 5V -35C +85C
товар відсутній
VCO190-1120TY VCO190-1120TY Qorvo qorvo_stfms01724-1-1743092.pdf VCO Oscillators 1107MHz-1132MHz 5V -35C +85C
товар відсутній
VCO190-112TY VCO190-112TY Qorvo atasheet-786396.pdf VCO Oscillators 75MHz-150MHz 5V -35C +85C
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
VCO190-1275TY VCO190-1275TY Qorvo co190_1275ty_data_sheet-780824.pdf VCO Oscillators 1200MHz-1350MHz 5V -35C +85C
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
VCO190-150TY VCO190-150TY Qorvo co190_150ty_data_sheet-781897.pdf VCO Oscillators 100MHz-200MHz 5V -35C +85C
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
VCO190-1525TY VCO190-1525TY Qorvo atasheet-786384.pdf VCO Oscillators 1250MHz-1525MHz -35C +85C
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
VCO190-157TY VCO190-157TY Qorvo atasheet-786436.pdf VCO Oscillators 148MHz-167MHz 5V -35C +85C
товар відсутній
VCO190-1600TY VCO190-1600TY Qorvo atasheet-786457.pdf VCO Oscillators 1550MHz-1650MHz 5V -35C +85C
товар відсутній
VCO190-1605TY VCO190-1605TY Qorvo atasheet-786378.pdf VCO Oscillators 1567MHz-1642MHz 5V -35C +85C
на замовлення 23 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
VCO190-1843TY VCO190-1843TY Qorvo atasheet-786423.pdf VCO Oscillators 1805MHz-1880MHz -35C +85C
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
VCO190-1850TY VCO190-1850TY Qorvo VCO Oscillators 1800MHz-1900MHz -35C +85C
товар відсутній
VCO190-1950TY VCO190-1950TY Qorvo co190_1950ty_data_sheet-780926.pdf VCO Oscillators 1900MHz-2000MHz 5V -35C +85C
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
VCO190-1960TY VCO190-1960TY Qorvo atasheet-786452.pdf VCO Oscillators 1930MHz-1990MHz 5V -35C +85C
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
VCO190-200TY VCO190-200TY Qorvo atasheet-786450.pdf VCO Oscillators 150MHz to 250MHz 5V -35C +85C
товар відсутній
VCO190-2100TY VCO190-2100TY Qorvo VCO Oscillators 2000MHZ-2200MHz 5V -35C +85C
на замовлення 23 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
VCO190-2350TY VCO190-2350TY Qorvo atasheet-786414.pdf VCO Oscillators 2300MHz-2400MHz 5V -35C +85C
товар відсутній
VCO190-2453TY VCO190-2453TY Qorvo atasheet-786374.pdf VCO Oscillators 2400MHz-2506MHz 5V -35C +85C
товар відсутній
VCO190-2600ATY VCO190-2600ATY Qorvo VCO Oscillators 2500MHz-2700MHz 5V -35C +85C
товар відсутній
VCO190-2800TY VCO190-2800TY Qorvo qorvo_rfmds03021-1-1743112.pdf VCO Oscillators 2750MHz-2850MHz 5V -35C +85C
товар відсутній
VCO190-2925TY VCO190-2925TY Qorvo co190_2925ty_data_sheet-780876.pdf VCO Oscillators 2850MHz-3000MHz 5V -35C +85C
товар відсутній
VCO190-2950TY Qorvo VCO Oscillators 2900MHz-3000MHz 5V -35C +85C
товар відсутній
VCO190-360TY VCO190-360TY Qorvo co190_360ty_data_sheet-781862.pdf VCO Oscillators 335MHz-385MHz 5V -35C +85C
товар відсутній
VCO190-419TY VCO190-419TY Qorvo atasheet-786445.pdf VCO Oscillators 405MHz-433MHz 5V -35C +85C
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
VCO190-492TY VCO190-492TY Qorvo atasheet-786458.pdf VCO Oscillators 466MHz-517MHz 5V -35C +85C
товар відсутній
VCO190-768UY VCO190-768UY Qorvo VCO Oscillators 751MHz-786MHz -35C +85C
товар відсутній
VCO190-836TY VCO190-836TY Qorvo atasheet-786453.pdf VCO Oscillators 823Mhz-849MHz 5V -35C +85C
товар відсутній
VCO190-900TY VCO190-900TY Qorvo co190_900ty_data_sheet-780854.pdf VCO Oscillators 800MHz-1000MHz 5V -35C +85C
товар відсутній
VCO190-915TY VCO190-915TY Qorvo co190_915ty_data_sheet-780884.pdf VCO Oscillators 902MHz-928MHz 5V -35C +85C
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
VCO190-940TY Qorvo atasheet-786400.pdf VCO Oscillators 800MHz-1080MHz 5V -35C +85C
товар відсутній
VCO190-950TY VCO190-950TY Qorvo VCO Oscillators 840MHz-1060MHz -35C +85C
товар відсутній
VCO191-2450UY VCO191-2450UY Qorvo co191_2450uy_data_sheet-781204.pdf VCO Oscillators 2400MHz-2500MHz 3V -35C +85C
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
VCO191-773UY VCO191-773UY Qorvo co191_773uy_data_sheet-780772.pdf VCO Oscillators 760MHz-786MHz 3V -35C +85C
товар відсутній
VCO191-890UY VCO191-890UY Qorvo co191_890uy_data_sheet-781963.pdf VCO Oscillators 860MHz-920MHz 3V -35C +85C
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
UJ4SC075008L8S UJ4SC075008L8S_Data_Sheet-3177171.pdf
UJ4SC075008L8S
Виробник: Qorvo
SiC MOSFETs 750V/8mOhms,SICFET,G4,TOLL
на замовлення 1879 шт:
термін постачання 329-338 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+3806.71 грн
25+ 3520.71 грн
100+ 2671.6 грн
250+ 2448.61 грн
500+ 2370.92 грн
1000+ 2369.48 грн
2000+ 1853 грн
UJ4SC075008L8S
Виробник: Qorvo
Description: SICFET N-CH 750V 106A TOLL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 106A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.4mOhm @ 70A, 12V
Power Dissipation (Max): 600W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 10mA
Supplier Device Package: TOLL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3340 pF @ 400 V
товар відсутній
UJ4SC075009B7S UJ4SC075009B7S_Data_Sheet-3177140.pdf
UJ4SC075009B7S
Виробник: Qorvo
SiC MOSFETs 750V/9mO,SICFET,G4,TO263-7
на замовлення 1039 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+3623.76 грн
25+ 3151.76 грн
100+ 2375.96 грн
250+ 2009.82 грн
500+ 1950.83 грн
800+ 1827.83 грн
2400+ 1827.11 грн
UJ4SC075009B7S DS_UJ4SC075009B7S.pdf
UJ4SC075009B7S
Виробник: QORVO
Description: QORVO - UJ4SC075009B7S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 106 A, 750 V, 9 mohm, D2PAK
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 106A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: D2PAK
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9mohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 74 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+3011.52 грн
5+ 2834.8 грн
10+ 2657.27 грн
50+ 2303.37 грн
UJ4SC075009B7S DS_UJ4SC075009B7S.pdf
UJ4SC075009B7S
Виробник: Qorvo
Description: 750V/9MOHM, N-OFF SIC STACK CASC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 106A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 70A, 12V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 10mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3340 pF @ 400 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
800+1712.33 грн
Мінімальне замовлення: 800
UJ4SC075009B7S DS_UJ4SC075009B7S.pdf
UJ4SC075009B7S
Виробник: Qorvo
Description: 750V/9MOHM, N-OFF SIC STACK CASC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 106A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 70A, 12V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 10mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3340 pF @ 400 V
на замовлення 1010 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+2794.25 грн
25+ 2374.43 грн
100+ 2058.12 грн
250+ 1633.98 грн
UJ4SC075009K4S DS_UJ4SC075009K4S.pdf
UJ4SC075009K4S
Виробник: QORVO
Description: QORVO - UJ4SC075009K4S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 106 A, 750 V, 9 mohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 106A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9mohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 479 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+3154.35 грн
5+ 2968.75 грн
10+ 2783.15 грн
50+ 2412.76 грн
100+ 2068.08 грн
UJ4SC075009K4S UJ4SC075009K4S_Data_Sheet-3177180.pdf
UJ4SC075009K4S
Виробник: Qorvo
SiC MOSFETs 750V/9mO,SICFET,G4,TO247-4
на замовлення 208 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+3795.8 грн
25+ 3301.49 грн
100+ 2488.17 грн
250+ 2105.49 грн
600+ 2070.96 грн
1200+ 2070.24 грн
3000+ 2058.01 грн
UJ4SC075009K4S DS_UJ4SC075009K4S.pdf
UJ4SC075009K4S
Виробник: Qorvo
Description: 750V/9MOHM, SIC, STACKED CASCODE
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 106A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 70A, 12V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3340 pF @ 400 V
на замовлення 881 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+2927.31 грн
25+ 2486.83 грн
100+ 2155.71 грн
250+ 1711.66 грн
UJ4SC075010L8S
Виробник: Qorvo
Description: 750V/10MO,SICFET,G4,TOLL
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 106A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.2mOhm @ 60A, 12V
FET Feature: Depletion Mode
Power Dissipation (Max): 556W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 10mA
Supplier Device Package: TOLL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3245 pF @ 400 V
товар відсутній
UJ4SC075010L8SSB
Виробник: Qorvo
Description: 750V/10MO,SICFET,G4,TOLL
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 106A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.2mOhm @ 60A, 12V
FET Feature: Depletion Mode
Power Dissipation (Max): 556W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 10mA
Supplier Device Package: TOLL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3245 pF @ 400 V
товар відсутній
UJ4SC075010L8SSR
Виробник: Qorvo
Description: 750V/10MO,SICFET,G4,TOLL
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 106A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.2mOhm @ 60A, 12V
FET Feature: Depletion Mode
Power Dissipation (Max): 556W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 10mA
Supplier Device Package: TOLL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3245 pF @ 400 V
товар відсутній
UJ4SC075011B7S UJ4SC075011B7S_Data_Sheet-3177205.pdf
UJ4SC075011B7S
Виробник: Qorvo
SiC MOSFETs 750V/11mO,SICFET,G4,TO263-7
на замовлення 690 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+2844.12 грн
25+ 2474.25 грн
100+ 1864.51 грн
250+ 1577.5 грн
500+ 1435.07 грн
800+ 1219.99 грн
2400+ 1156.69 грн
UJ4SC075011B7S DS_UJ4SC075011B7S.pdf
UJ4SC075011B7S
Виробник: QORVO
Description: QORVO - UJ4SC075011B7S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 104 A, 750 V, 11 mohm, D2PAK
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 104A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 357W
Bauform - Transistor: D2PAK
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 11mohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 489 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+2316.74 грн
5+ 2180.36 грн
10+ 2043.99 грн
50+ 1772.11 грн
100+ 1518.9 грн
UJ4SC075011K4S DS_UJ4SC075011K4S.pdf
UJ4SC075011K4S
Виробник: QORVO
Description: QORVO - UJ4SC075011K4S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 104 A, 750 V, 11 mohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 104A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 357W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 11mohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 372 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+2460.37 грн
5+ 2315.93 грн
10+ 2170.68 грн
50+ 1881.51 грн
100+ 1612.97 грн
UJ4SC075011K4S DS_UJ4SC075011K4S.pdf
UJ4SC075011K4S
Виробник: Qorvo
Description: 750V/11MOHM, SIC, STACKED CASCOD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 104A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.2mOhm @ 60A, 12V
Power Dissipation (Max): 357W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3245 pF @ 400 V
на замовлення 595 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+2213.77 грн
10+ 1894.47 грн
100+ 1656.98 грн
UJ4SC075011K4S UJ4SC075011K4S_Data_Sheet-3177195.pdf
UJ4SC075011K4S
Виробник: Qorvo
JFET 750V/11mOhm, N-Off SiC STACK CASCODE, G4, TO-247-4L, REDUCED RTH
на замовлення 598 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+2884.41 грн
30+ 2623.16 грн
120+ 2280.29 грн
270+ 1946.52 грн
1020+ 1865.23 грн
2520+ 1804.09 грн
UJ4SC075018B7S DS_UJ4SC075018B7S.pdf
UJ4SC075018B7S
Виробник: Qorvo
Description: 750V/18MOHM, N-OFF SIC STACK CAS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 72A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 50A, 12V
Power Dissipation (Max): 259W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.8 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1414 pF @ 400 V
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
800+776.67 грн
Мінімальне замовлення: 800
UJ4SC075018B7S DS_UJ4SC075018B7S.pdf
UJ4SC075018B7S
Виробник: Qorvo
Description: 750V/18MOHM, N-OFF SIC STACK CAS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 72A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 50A, 12V
Power Dissipation (Max): 259W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.8 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1414 pF @ 400 V
на замовлення 1840 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1198.31 грн
25+ 1017.62 грн
100+ 881.66 грн
250+ 701.88 грн
UJ4SC075018B7S UJ4SC075018B7S_Data_Sheet-3177142.pdf
UJ4SC075018B7S
Виробник: Qorvo
SiC MOSFETs 750V/18mO,SICFET,G4,TO263-7
на замовлення 1038 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1504.73 грн
25+ 1288 грн
100+ 967.5 грн
250+ 890.53 грн
500+ 863.92 грн
2400+ 799.18 грн
4800+ 773.28 грн
UJ4SC075018B7S DS_UJ4SC075018B7S.pdf
UJ4SC075018B7S
Виробник: QORVO
Description: QORVO - UJ4SC075018B7S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 72 A, 750 V, 18 mohm, D2PAK
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 72A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 259W
Bauform - Transistor: D2PAK
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 18mohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 515 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1251.57 грн
5+ 1169.26 грн
10+ 1086.95 грн
50+ 969.6 грн
100+ 859.05 грн
250+ 822.39 грн
UJ4SC075018L8S DS_UJ4SC075018L8S.pdf
UJ4SC075018L8S
Виробник: Qorvo
Description: SICFET N-CH 750V 53A TOLL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 53A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 50A, 12V
Power Dissipation (Max): 349W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TOLL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.8 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1414 pF @ 400 V
на замовлення 853 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1173.41 грн
25+ 997.42 грн
100+ 864.84 грн
250+ 769.78 грн
UJ4SC075018L8S UJ4SC075018L8S_Data_Sheet-3177219.pdf
UJ4SC075018L8S
Виробник: Qorvo
MOSFET 750V/18mO,SICFET,G4,TOLL
на замовлення 150 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1521.51 грн
25+ 1324.4 грн
100+ 998.43 грн
250+ 845.94 грн
500+ 787.67 грн
4000+ 763.21 грн
10000+ 708.54 грн
UJ4SC075018L8S DS_UJ4SC075018L8S.pdf
UJ4SC075018L8S
Виробник: QORVO
Description: QORVO - UJ4SC075018L8S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 53 A, 750 V, 18 mohm, MO-299
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 53A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 349W
Bauform - Transistor: MO-299
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 18mohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 555 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1265.29 грн
5+ 1191.05 грн
10+ 1116.81 грн
50+ 1036.29 грн
100+ 955.19 грн
250+ 954.5 грн
UJ4SC075018L8S DS_UJ4SC075018L8S.pdf
UJ4SC075018L8S
Виробник: Qorvo
Description: SICFET N-CH 750V 53A TOLL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 53A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 50A, 12V
Power Dissipation (Max): 349W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TOLL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.8 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1414 pF @ 400 V
товар відсутній
UMX-526-D16-G Signal_Source_Selector_Guide_6-7-13.pdf
Виробник: Qorvo
Qorvo
товар відсутній
VCO-103SMT
Виробник: Qorvo
VCO Oscillators Voltage Controlled Oscillator
товар відсутній
VCO190-1100TY
VCO190-1100TY
Виробник: Qorvo
VCO Oscillators 1085MHZ-1115MHZ 5V -35C +85C
товар відсутній
VCO190-1120TY qorvo_stfms01724-1-1743092.pdf
VCO190-1120TY
Виробник: Qorvo
VCO Oscillators 1107MHz-1132MHz 5V -35C +85C
товар відсутній
VCO190-112TY atasheet-786396.pdf
VCO190-112TY
Виробник: Qorvo
VCO Oscillators 75MHz-150MHz 5V -35C +85C
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
VCO190-1275TY co190_1275ty_data_sheet-780824.pdf
VCO190-1275TY
Виробник: Qorvo
VCO Oscillators 1200MHz-1350MHz 5V -35C +85C
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
VCO190-150TY co190_150ty_data_sheet-781897.pdf
VCO190-150TY
Виробник: Qorvo
VCO Oscillators 100MHz-200MHz 5V -35C +85C
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
VCO190-1525TY atasheet-786384.pdf
VCO190-1525TY
Виробник: Qorvo
VCO Oscillators 1250MHz-1525MHz -35C +85C
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
VCO190-157TY atasheet-786436.pdf
VCO190-157TY
Виробник: Qorvo
VCO Oscillators 148MHz-167MHz 5V -35C +85C
товар відсутній
VCO190-1600TY atasheet-786457.pdf
VCO190-1600TY
Виробник: Qorvo
VCO Oscillators 1550MHz-1650MHz 5V -35C +85C
товар відсутній
VCO190-1605TY atasheet-786378.pdf
VCO190-1605TY
Виробник: Qorvo
VCO Oscillators 1567MHz-1642MHz 5V -35C +85C
на замовлення 23 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
VCO190-1843TY atasheet-786423.pdf
VCO190-1843TY
Виробник: Qorvo
VCO Oscillators 1805MHz-1880MHz -35C +85C
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
VCO190-1850TY
VCO190-1850TY
Виробник: Qorvo
VCO Oscillators 1800MHz-1900MHz -35C +85C
товар відсутній
VCO190-1950TY co190_1950ty_data_sheet-780926.pdf
VCO190-1950TY
Виробник: Qorvo
VCO Oscillators 1900MHz-2000MHz 5V -35C +85C
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
VCO190-1960TY atasheet-786452.pdf
VCO190-1960TY
Виробник: Qorvo
VCO Oscillators 1930MHz-1990MHz 5V -35C +85C
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
VCO190-200TY atasheet-786450.pdf
VCO190-200TY
Виробник: Qorvo
VCO Oscillators 150MHz to 250MHz 5V -35C +85C
товар відсутній
VCO190-2100TY
VCO190-2100TY
Виробник: Qorvo
VCO Oscillators 2000MHZ-2200MHz 5V -35C +85C
на замовлення 23 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
VCO190-2350TY atasheet-786414.pdf
VCO190-2350TY
Виробник: Qorvo
VCO Oscillators 2300MHz-2400MHz 5V -35C +85C
товар відсутній
VCO190-2453TY atasheet-786374.pdf
VCO190-2453TY
Виробник: Qorvo
VCO Oscillators 2400MHz-2506MHz 5V -35C +85C
товар відсутній
VCO190-2600ATY
VCO190-2600ATY
Виробник: Qorvo
VCO Oscillators 2500MHz-2700MHz 5V -35C +85C
товар відсутній
VCO190-2800TY qorvo_rfmds03021-1-1743112.pdf
VCO190-2800TY
Виробник: Qorvo
VCO Oscillators 2750MHz-2850MHz 5V -35C +85C
товар відсутній
VCO190-2925TY co190_2925ty_data_sheet-780876.pdf
VCO190-2925TY
Виробник: Qorvo
VCO Oscillators 2850MHz-3000MHz 5V -35C +85C
товар відсутній
VCO190-2950TY
Виробник: Qorvo
VCO Oscillators 2900MHz-3000MHz 5V -35C +85C
товар відсутній
VCO190-360TY co190_360ty_data_sheet-781862.pdf
VCO190-360TY
Виробник: Qorvo
VCO Oscillators 335MHz-385MHz 5V -35C +85C
товар відсутній
VCO190-419TY atasheet-786445.pdf
VCO190-419TY
Виробник: Qorvo
VCO Oscillators 405MHz-433MHz 5V -35C +85C
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
VCO190-492TY atasheet-786458.pdf
VCO190-492TY
Виробник: Qorvo
VCO Oscillators 466MHz-517MHz 5V -35C +85C
товар відсутній
VCO190-768UY
VCO190-768UY
Виробник: Qorvo
VCO Oscillators 751MHz-786MHz -35C +85C
товар відсутній
VCO190-836TY atasheet-786453.pdf
VCO190-836TY
Виробник: Qorvo
VCO Oscillators 823Mhz-849MHz 5V -35C +85C
товар відсутній
VCO190-900TY co190_900ty_data_sheet-780854.pdf
VCO190-900TY
Виробник: Qorvo
VCO Oscillators 800MHz-1000MHz 5V -35C +85C
товар відсутній
VCO190-915TY co190_915ty_data_sheet-780884.pdf
VCO190-915TY
Виробник: Qorvo
VCO Oscillators 902MHz-928MHz 5V -35C +85C
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
VCO190-940TY atasheet-786400.pdf
Виробник: Qorvo
VCO Oscillators 800MHz-1080MHz 5V -35C +85C
товар відсутній
VCO190-950TY
VCO190-950TY
Виробник: Qorvo
VCO Oscillators 840MHz-1060MHz -35C +85C
товар відсутній
VCO191-2450UY co191_2450uy_data_sheet-781204.pdf
VCO191-2450UY
Виробник: Qorvo
VCO Oscillators 2400MHz-2500MHz 3V -35C +85C
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
VCO191-773UY co191_773uy_data_sheet-780772.pdf
VCO191-773UY
Виробник: Qorvo
VCO Oscillators 760MHz-786MHz 3V -35C +85C
товар відсутній
VCO191-890UY co191_890uy_data_sheet-781963.pdf
VCO191-890UY
Виробник: Qorvo
VCO Oscillators 860MHz-920MHz 3V -35C +85C
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 8 16 24 32 40 48 56 64 72 77 78 79 80 81 82 83  [ Наступна Сторінка >> ]