UF3C120400K3S QORVO
Виробник: QORVODescription: QORVO - UF3C120400K3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 7.6 A, 1.2 kV, 0.41 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.7V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.41ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 266 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 441.4 грн |
| 5+ | 413.16 грн |
| 10+ | 384.11 грн |
| 50+ | 332.69 грн |
| 100+ | 284.28 грн |
| 250+ | 281.51 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис UF3C120400K3S QORVO
Description: QORVO - UF3C120400K3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 7.6 A, 1.2 kV, 0.41 ohm, TO-247, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 7.6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.7V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 100W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 12V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.41ohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Інші пропозиції UF3C120400K3S за ціною від 273.35 грн до 751.94 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
UF3C120400K3S | Виробник : Qorvo |
Description: SICFET N-CH 1200V 7.6A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 515mOhm @ 5A, 12V Power Dissipation (Max): 100W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA Supplier Device Package: TO-247-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 15 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 740 pF @ 100 V |
на замовлення 581 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
UF3C120400K3S | Виробник : Qorvo |
SiC MOSFETs 1200V/400mO,SICFET,G3,TO247-3 |
на замовлення 1118 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
UF3C120400K3S | Виробник : Qorvo / UnitedSiC |
MOSFET 1200V/400mOhm, SiC, FAST CASCODE, G3, TO-247-3L, REDUCED Rth |
на замовлення 1196 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| UF3C120400K3S | Виробник : United Silicon Carbide |
Switching Fast SiC FETs |
товар відсутній |