на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 384.54 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис UF3C170400K3S United Silicon Carbide
Description: QORVO - UF3C170400K3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 7.6 A, 1.7 kV, 0.41 ohm, TO-247, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 1.7kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 7.6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.7V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 100W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 12V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.41ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції UF3C170400K3S за ціною від 310.05 грн до 804.03 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
UF3C170400K3S | Виробник : Qorvo |
 Description: SICFET N-CH 1700V 7.6A TO247-3Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 515mOhm @ 5A, 12V Power Dissipation (Max): 100W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA Supplier Device Package: TO-247-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27.5 nC @ 15 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 740 pF @ 100 V |
на замовлення 75991 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
UF3C170400K3S | Виробник : Qorvo |
MOSFET 1700V/400mO,SICFET,G3,TO247-3 |
на замовлення 4960 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
UF3C170400K3S | Виробник : QORVO |
Description: QORVO - UF3C170400K3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 7.6 A, 1.7 kV, 0.41 ohm, TO-247 tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.7kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 7.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.7V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 100W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 12V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.41ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 198 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
UF3C170400K3S | Виробник : Qorvo / UnitedSiC |
MOSFET 1700V/400mOhm, SiC, FAST CASCODE, G3, TO-247-3L, REDUCED Rth |
на замовлення 5182 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|