Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
TQP9326-PCB | Qorvo |
![]() |
на замовлення 10 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
||||||||||||||||
![]() |
TQP9418 | Qorvo |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||
TQP9418 EVAL BOARD | Qorvo |
![]() |
на замовлення 2 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
||||||||||||||||
|
TQP9421 | Qorvo |
![]() |
на замовлення 138 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|||||||||||||||
TQP9421-EVB | Qorvo |
![]() |
товар відсутній |
||||||||||||||||
TQP9424PCB401 | Qorvo |
![]() |
товар відсутній |
||||||||||||||||
|
TQP9424SR | Qorvo |
![]() |
на замовлення 42 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|||||||||||||||
|
TQP9424TR13 | Qorvo |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||
TQPQ1281PCB4B01 | Qorvo | RF Development Tools Evaluation Board - QPQ1281 |
товар відсутній |
||||||||||||||||
![]() |
TQPQ1282PCB4B01 | Qorvo |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||
![]() |
TQPQ1285PCB4B01 | Qorvo |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||
![]() |
TQQ0041 | Qorvo |
![]() |
на замовлення 953 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
TQQ0041E | Qorvo | Signal Conditioning 2.58GHz Band 41 Low Drift BAW |
на замовлення 1426 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|||||||||||||||
![]() |
TQQ0041T | Qorvo |
![]() |
на замовлення 19800 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|||||||||||||||
![]() |
TQQ0302 | Qorvo |
![]() |
на замовлення 1869 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|||||||||||||||
![]() |
TQQ0303 | Qorvo |
![]() |
на замовлення 893 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|||||||||||||||
TQQ0303-EVB | Qorvo |
![]() |
товар відсутній |
||||||||||||||||
![]() |
TQQ1030 | Qorvo |
![]() |
на замовлення 1368 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
TQQ1212 | Qorvo |
![]() |
на замовлення 2498 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|||||||||||||||
TQQ1212-EVB | Qorvo |
![]() |
товар відсутній |
||||||||||||||||
![]() |
TQQ1231 | Qorvo |
![]() |
на замовлення 1 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|||||||||||||||
TQQ1231-EVB | Qorvo |
![]() |
товар відсутній |
||||||||||||||||
TQQ2526 | Qorvo |
![]() |
товар відсутній |
||||||||||||||||
|
TQQ6103 | Qorvo | Signal Conditioning Band 3 BW 75MHz IL 2.9dB Typ. BAW |
товар відсутній |
|||||||||||||||
|
TQQ6107 | Qorvo |
![]() |
на замовлення 1563 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|||||||||||||||
![]() |
TQQ6107 EVB | Qorvo |
![]() |
на замовлення 1 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|||||||||||||||
|
TQQ7101 | Qorvo |
![]() |
на замовлення 176 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|||||||||||||||
![]() |
TQQ7301 | Qorvo |
![]() |
на замовлення 693 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|||||||||||||||
TQQ7301 EVAL BOARD | Qorvo |
![]() |
товар відсутній |
||||||||||||||||
![]() |
TQQ7303 | Qorvo |
![]() |
на замовлення 5708 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
TQQ7307 | Qorvo |
![]() |
на замовлення 918 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|||||||||||||||
![]() |
TQQ7307-EVB | Qorvo |
![]() |
на замовлення 1 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|||||||||||||||
![]() |
TQQ7399 | Qorvo |
![]() |
на замовлення 2226 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
TQQ7399-EVB | Qorvo |
![]() |
на замовлення 1 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|||||||||||||||
![]() |
TQS5202 | Qorvo |
![]() |
на замовлення 2473 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|||||||||||||||
TTK1000 | Qorvo | RF Development Tools DWM1000 TDoA kit |
товар відсутній |
||||||||||||||||
![]() |
UF3C065030B3 | Qorvo |
![]() |
на замовлення 643 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
UF3C065030B3 | Qorvo |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 40A, 12V Power Dissipation (Max): 242W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 15 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
UF3C065030B3 | QORVO |
![]() tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 65A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 242W Bauform - Transistor: D2PAK Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 12V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
на замовлення 902 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
UF3C065030B3 | Qorvo |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 40A, 12V Power Dissipation (Max): 242W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 15 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V |
на замовлення 4290 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
UF3C065030B3 | QORVO |
![]() tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 65A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 242W Bauform - Transistor: D2PAK Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 12V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
на замовлення 902 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
UF3C065030K3S | Qorvo |
Description: SICFET N-CH 650V 85A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 50A, 12V Power Dissipation (Max): 441W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA Supplier Device Package: TO-247-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 15 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V |
на замовлення 948 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
UF3C065030K3S | Qorvo |
![]() |
на замовлення 406 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
UF3C065030K3S | QORVO |
![]() tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 85A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 441W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 12V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 433 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
UF3C065030K4S | QORVO |
![]() tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 85A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 441W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 12V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 559 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
UF3C065030K4S | Qorvo |
![]() |
на замовлення 80 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
UF3C065030K4S | Qorvo |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-247-4 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 50A, 12V Power Dissipation (Max): 441W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA Supplier Device Package: TO-247-4 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 12 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V |
на замовлення 1955 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
UF3C065030T3S | Qorvo |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 50A, 12V Power Dissipation (Max): 441W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA Supplier Device Package: TO-220-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 15 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V |
на замовлення 2733 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
UF3C065030T3S | QORVO |
![]() tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 85A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 441W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 12V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 216 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
UF3C065030T3S | Qorvo |
![]() |
на замовлення 401 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
UF3C065040B3 | Qorvo |
Description: MOSFET N-CH 650V 41A TO263 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 30A, 12V Power Dissipation (Max): 176W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 15 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V |
на замовлення 593 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
UF3C065040B3 | QORVO |
![]() tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 41A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 176W Bauform - Transistor: D2PAK Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 12V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.042ohm SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
на замовлення 63 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
UF3C065040B3 | Qorvo |
Description: MOSFET N-CH 650V 41A TO263 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 30A, 12V Power Dissipation (Max): 176W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 15 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V |
товар відсутній |
|||||||||||||||
![]() |
UF3C065040B3 | QORVO |
![]() tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 41A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 176W Bauform - Transistor: D2PAK Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 12V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.042ohm SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
на замовлення 63 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
UF3C065040B3 | Qorvo |
![]() |
на замовлення 130 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
UF3C065040K3S | QORVO |
![]() tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 54A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 326W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 12V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.042ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 351 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
UF3C065040K3S | Qorvo |
![]() |
на замовлення 1620 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
UF3C065040K3S | Qorvo |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 54A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 40A, 12V Power Dissipation (Max): 326W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA Supplier Device Package: TO-247-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 15 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V |
на замовлення 2527 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
UF3C065040K4S | Qorvo |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-247-4 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 54A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 40A, 12V Power Dissipation (Max): 326W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA Supplier Device Package: TO-247-4 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 12 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V |
на замовлення 9525 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
UF3C065040K4S | Qorvo |
![]() |
на замовлення 3206 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
TQP9326-PCB |
![]() |
Виробник: Qorvo
Amplifier IC Development Tools 2.3-2.7GHz .5 Watt EVAL BOARD
Amplifier IC Development Tools 2.3-2.7GHz .5 Watt EVAL BOARD
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)TQP9418 EVAL BOARD |
![]() |
Виробник: Qorvo
RF Development Tools 1.805-1.88GHz .5W Eval Board
RF Development Tools 1.805-1.88GHz .5W Eval Board
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)TQP9421 |
![]() |
Виробник: Qorvo
RF Amplifier 2.11-2.17GHz Gn 30dB .5W 2 Stage
RF Amplifier 2.11-2.17GHz Gn 30dB .5W 2 Stage
на замовлення 138 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)TQP9424SR |
![]() |
Виробник: Qorvo
RF Amplifier 2-2.4GHz .5Watt Gain 36dB
RF Amplifier 2-2.4GHz .5Watt Gain 36dB
на замовлення 42 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)TQQ0041 |
![]() |
Виробник: Qorvo
Signal Conditioning Band 41 50 Ohm BAW -20C +85C
Signal Conditioning Band 41 50 Ohm BAW -20C +85C
на замовлення 953 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 259.12 грн |
25+ | 244.91 грн |
100+ | 207.34 грн |
250+ | 200.31 грн |
TQQ0041E |
Виробник: Qorvo
Signal Conditioning 2.58GHz Band 41 Low Drift BAW
Signal Conditioning 2.58GHz Band 41 Low Drift BAW
на замовлення 1426 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)TQQ0041T |
![]() |
Виробник: Qorvo
Signal Conditioning 2.58GHz Band 41 Low Drift BAW
Signal Conditioning 2.58GHz Band 41 Low Drift BAW
на замовлення 19800 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)TQQ0302 |
![]() |
Виробник: Qorvo
Signal Conditioning Band3 Uplnk BW 75MHz LowDrift BAW
Signal Conditioning Band3 Uplnk BW 75MHz LowDrift BAW
на замовлення 1869 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)TQQ0303 |
![]() |
Виробник: Qorvo
Signal Conditioning Band3 Dnlnk BW 75MHz LowDrift BAW
Signal Conditioning Band3 Dnlnk BW 75MHz LowDrift BAW
на замовлення 893 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)TQQ1030 |
![]() |
Виробник: Qorvo
Signal Conditioning
Signal Conditioning
на замовлення 1368 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 337.02 грн |
100+ | 193.99 грн |
1000+ | 139.87 грн |
5000+ | 130.73 грн |
TQQ1212 |
![]() |
Виробник: Qorvo
Signal Conditioning B34 / B39 Dual Band Single in/out SAW
Signal Conditioning B34 / B39 Dual Band Single in/out SAW
на замовлення 2498 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)TQQ1231 |
![]() |
Виробник: Qorvo
Signal Conditioning Bnd 1/3 LowDrift BAW Diplexer
Signal Conditioning Bnd 1/3 LowDrift BAW Diplexer
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)TQQ6107 |
![]() |
Виробник: Qorvo
Signal Conditioning Band 7 BW 70MHz IL 2.6dB Typ. BAW
Signal Conditioning Band 7 BW 70MHz IL 2.6dB Typ. BAW
на замовлення 1563 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)TQQ6107 EVB |
![]() |
Виробник: Qorvo
Other Development Tools Qorvo
Other Development Tools Qorvo
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)TQQ7101 |
![]() |
Виробник: Qorvo
Signal Conditioning Band 1 BW 60MHz IL 2.8dB Typ. BAW
Signal Conditioning Band 1 BW 60MHz IL 2.8dB Typ. BAW
на замовлення 176 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)TQQ7301 |
![]() |
Виробник: Qorvo
Signal Conditioning 1950MHz BW 60MHz BAW
Signal Conditioning 1950MHz BW 60MHz BAW
на замовлення 693 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)TQQ7303 |
![]() |
Виробник: Qorvo
Signal Conditioning 1747.5MHz BW 75MHz LowDrift BAW
Signal Conditioning 1747.5MHz BW 75MHz LowDrift BAW
на замовлення 5708 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 784.74 грн |
25+ | 558.53 грн |
100+ | 392.19 грн |
250+ | 316.99 грн |
TQQ7307 |
![]() |
Виробник: Qorvo
Signal Conditioning 2535MHz BW 70MHz LowDrift BAW
Signal Conditioning 2535MHz BW 70MHz LowDrift BAW
на замовлення 918 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)TQQ7307-EVB |
![]() |
Виробник: Qorvo
RF Development Tools
RF Development Tools
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)TQQ7399 |
![]() |
Виробник: Qorvo
Signal Conditioning DC-2700MHz IL .15dB RF Crossover
Signal Conditioning DC-2700MHz IL .15dB RF Crossover
на замовлення 2226 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 656.82 грн |
25+ | 498.71 грн |
100+ | 333.15 грн |
250+ | 256.54 грн |
TQQ7399-EVB |
![]() |
Виробник: Qorvo
RF Development Tools DC-2700MHz IL .15dB Eval Board
RF Development Tools DC-2700MHz IL .15dB Eval Board
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)TQS5202 |
![]() |
Виробник: Qorvo
RF Switch ICs Dualband WLAN Transfer Switch
RF Switch ICs Dualband WLAN Transfer Switch
на замовлення 2473 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)UF3C065030B3 |
![]() |
Виробник: Qorvo
SiC MOSFETs 650V/30mOhms,SICFET,G3,TO263-3
SiC MOSFETs 650V/30mOhms,SICFET,G3,TO263-3
на замовлення 643 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 1428.44 грн |
25+ | 1399.14 грн |
100+ | 1052.88 грн |
250+ | 1016.33 грн |
500+ | 1008.6 грн |
800+ | 922.85 грн |
2400+ | 919.34 грн |
UF3C065030B3 |
![]() |
Виробник: Qorvo
Description: MOSFET N-CH 650V 65A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 40A, 12V
Power Dissipation (Max): 242W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V
Description: MOSFET N-CH 650V 65A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 40A, 12V
Power Dissipation (Max): 242W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
800+ | 754.56 грн |
UF3C065030B3 |
![]() |
Виробник: QORVO
Description: QORVO - UF3C065030B3 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 65 A, 650 V, 0.027 ohm, D2PAK
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 65A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 242W
Bauform - Transistor: D2PAK
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Description: QORVO - UF3C065030B3 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 65 A, 650 V, 0.027 ohm, D2PAK
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 65A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 242W
Bauform - Transistor: D2PAK
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 902 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 1296.23 грн |
5+ | 1219.75 грн |
10+ | 1143.27 грн |
50+ | 990.59 грн |
100+ | 848.84 грн |
250+ | 753.54 грн |
UF3C065030B3 |
![]() |
Виробник: Qorvo
Description: MOSFET N-CH 650V 65A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 40A, 12V
Power Dissipation (Max): 242W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V
Description: MOSFET N-CH 650V 65A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 40A, 12V
Power Dissipation (Max): 242W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V
на замовлення 4290 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 1231.69 грн |
25+ | 1046.06 грн |
100+ | 906.63 грн |
250+ | 719.99 грн |
UF3C065030B3 |
![]() |
Виробник: QORVO
Description: QORVO - UF3C065030B3 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 65 A, 650 V, 0.027 ohm, D2PAK
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 65A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 242W
Bauform - Transistor: D2PAK
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Description: QORVO - UF3C065030B3 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 65 A, 650 V, 0.027 ohm, D2PAK
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 65A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 242W
Bauform - Transistor: D2PAK
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 902 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
10+ | 1143.27 грн |
50+ | 990.59 грн |
100+ | 848.84 грн |
250+ | 753.54 грн |
UF3C065030K3S |
Виробник: Qorvo
Description: SICFET N-CH 650V 85A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 50A, 12V
Power Dissipation (Max): 441W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V
Description: SICFET N-CH 650V 85A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 50A, 12V
Power Dissipation (Max): 441W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V
на замовлення 948 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 940.49 грн |
30+ | 759.21 грн |
UF3C065030K3S |
![]() |
Виробник: Qorvo
MOSFET 650V/30mO,SICFET,G3,TO247-3
MOSFET 650V/30mO,SICFET,G3,TO247-3
на замовлення 406 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 1466.16 грн |
25+ | 1437.13 грн |
100+ | 1080.99 грн |
250+ | 970.65 грн |
600+ | 957.29 грн |
3000+ | 953.07 грн |
5400+ | 948.15 грн |
UF3C065030K3S |
![]() |
Виробник: QORVO
Description: QORVO - UF3C065030K3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 85 A, 650 V, 0.027 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 85A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 441W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: QORVO - UF3C065030K3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 85 A, 650 V, 0.027 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 85A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 441W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 433 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 1330.13 грн |
5+ | 1252.08 грн |
10+ | 1174.02 грн |
50+ | 1017.68 грн |
100+ | 871.81 грн |
250+ | 813.69 грн |
UF3C065030K4S |
![]() |
Виробник: QORVO
Description: QORVO - UF3C065030K4S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 85 A, 650 V, 0.027 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 85A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 441W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: QORVO - UF3C065030K4S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 85 A, 650 V, 0.027 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 85A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 441W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 559 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 1347.48 грн |
5+ | 1268.63 грн |
10+ | 1189 грн |
50+ | 1055.75 грн |
100+ | 930.61 грн |
250+ | 886.01 грн |
UF3C065030K4S |
![]() |
Виробник: Qorvo
MOSFET 650V/30mO,SICFET,G3,TO247-4
MOSFET 650V/30mO,SICFET,G3,TO247-4
на замовлення 80 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 1621.14 грн |
25+ | 1410.46 грн |
100+ | 1062.72 грн |
250+ | 1002.27 грн |
600+ | 851.86 грн |
3000+ | 834.29 грн |
5400+ | 808.29 грн |
UF3C065030K4S |
![]() |
Виробник: Qorvo
Description: MOSFET N-CH 650V 85A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 50A, 12V
Power Dissipation (Max): 441W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 12 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V
Description: MOSFET N-CH 650V 85A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 50A, 12V
Power Dissipation (Max): 441W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 12 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V
на замовлення 1955 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 1280.35 грн |
25+ | 1087.82 грн |
100+ | 942.33 грн |
250+ | 748.43 грн |
500+ | 708.77 грн |
UF3C065030T3S |
![]() |
Виробник: Qorvo
Description: MOSFET N-CH 650V 85A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 50A, 12V
Power Dissipation (Max): 441W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V
Description: MOSFET N-CH 650V 85A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 50A, 12V
Power Dissipation (Max): 441W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V
на замовлення 2733 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 1448.38 грн |
25+ | 1186.16 грн |
100+ | 1046.06 грн |
250+ | 850.84 грн |
500+ | 719.99 грн |
UF3C065030T3S |
![]() |
Виробник: QORVO
Description: QORVO - UF3C065030T3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 85 A, 650 V, 0.027 ohm, TO-220
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 85A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 441W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: QORVO - UF3C065030T3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 85 A, 650 V, 0.027 ohm, TO-220
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 85A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 441W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 216 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 1524.1 грн |
5+ | 1410.56 грн |
10+ | 1296.23 грн |
50+ | 1132.62 грн |
100+ | 979.95 грн |
UF3C065030T3S |
![]() |
Виробник: Qorvo
MOSFET 650V/30mO,SICFET,G3,TO220-3
MOSFET 650V/30mO,SICFET,G3,TO220-3
на замовлення 401 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 1834.34 грн |
25+ | 1537.36 грн |
100+ | 1178.69 грн |
250+ | 1021.95 грн |
500+ | 864.51 грн |
1000+ | 818.83 грн |
5000+ | 778.06 грн |
UF3C065040B3 |
Виробник: Qorvo
Description: MOSFET N-CH 650V 41A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 30A, 12V
Power Dissipation (Max): 176W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V
Description: MOSFET N-CH 650V 41A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 30A, 12V
Power Dissipation (Max): 176W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V
на замовлення 593 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 921.49 грн |
10+ | 781.34 грн |
100+ | 675.75 грн |
UF3C065040B3 |
![]() |
Виробник: QORVO
Description: QORVO - UF3C065040B3 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 41 A, 650 V, 0.042 ohm, D2PAK
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 41A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 176W
Bauform - Transistor: D2PAK
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.042ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Description: QORVO - UF3C065040B3 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 41 A, 650 V, 0.042 ohm, D2PAK
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 41A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 176W
Bauform - Transistor: D2PAK
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.042ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 63 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 838.92 грн |
5+ | 834.98 грн |
10+ | 830.25 грн |
50+ | 741.66 грн |
UF3C065040B3 |
Виробник: Qorvo
Description: MOSFET N-CH 650V 41A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 30A, 12V
Power Dissipation (Max): 176W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V
Description: MOSFET N-CH 650V 41A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 30A, 12V
Power Dissipation (Max): 176W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V
товар відсутній
UF3C065040B3 |
![]() |
Виробник: QORVO
Description: QORVO - UF3C065040B3 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 41 A, 650 V, 0.042 ohm, D2PAK
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 41A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 176W
Bauform - Transistor: D2PAK
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.042ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Description: QORVO - UF3C065040B3 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 41 A, 650 V, 0.042 ohm, D2PAK
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 41A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 176W
Bauform - Transistor: D2PAK
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.042ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 63 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
10+ | 830.25 грн |
50+ | 741.66 грн |
UF3C065040B3 |
![]() |
Виробник: Qorvo
SiC MOSFETs 650V/40mOhms,SICFET,G3,TO263-3
SiC MOSFETs 650V/40mOhms,SICFET,G3,TO263-3
на замовлення 130 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 1102.08 грн |
25+ | 958.63 грн |
100+ | 722.54 грн |
250+ | 610.78 грн |
500+ | 579.15 грн |
2400+ | 567.91 грн |
4800+ | 550.34 грн |
UF3C065040K3S |
![]() |
Виробник: QORVO
Description: QORVO - UF3C065040K3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 54 A, 650 V, 0.042 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 54A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 326W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.042ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: QORVO - UF3C065040K3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 54 A, 650 V, 0.042 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 54A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 326W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.042ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 351 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 932.75 грн |
5+ | 878.35 грн |
10+ | 823.15 грн |
50+ | 713.84 грн |
100+ | 611.62 грн |
250+ | 593.37 грн |
UF3C065040K3S |
![]() |
Виробник: Qorvo
MOSFET 650V/40mOhms,SICFET,G3,TO247-3
MOSFET 650V/40mOhms,SICFET,G3,TO247-3
на замовлення 1620 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 1005.32 грн |
25+ | 910.94 грн |
100+ | 669.12 грн |
600+ | 597.43 грн |
UF3C065040K3S |
![]() |
Виробник: Qorvo
Description: MOSFET N-CH 650V 54A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 54A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 40A, 12V
Power Dissipation (Max): 326W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V
Description: MOSFET N-CH 650V 54A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 54A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 40A, 12V
Power Dissipation (Max): 326W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V
на замовлення 2527 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 886.51 грн |
25+ | 753.05 грн |
100+ | 652.69 грн |
250+ | 518.34 грн |
500+ | 490.68 грн |
UF3C065040K4S |
![]() |
Виробник: Qorvo
Description: MOSFET N-CH 650V 54A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 54A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 40A, 12V
Power Dissipation (Max): 326W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 12 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V
Description: MOSFET N-CH 650V 54A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 54A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 40A, 12V
Power Dissipation (Max): 326W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 12 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V
на замовлення 9525 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 903.24 грн |
25+ | 767.2 грн |
100+ | 664.82 грн |
250+ | 528.46 грн |
500+ | 500.17 грн |
UF3C065040K4S |
![]() |
Виробник: Qorvo
MOSFET 650V/40mOhms,SICFET,G3,TO247-4
MOSFET 650V/40mOhms,SICFET,G3,TO247-4
на замовлення 3206 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 1143.08 грн |
25+ | 994.19 грн |
100+ | 749.25 грн |
250+ | 634.68 грн |
600+ | 600.94 грн |
3000+ | 588.29 грн |
5400+ | 570.72 грн |