Продукція > QORVO > Всі товари виробника QORVO (4729) > Сторінка 73 з 79

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 7 14 21 28 35 42 49 56 63 68 69 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
без ПДВ
TQP9326-PCB Qorvo TQP9326%20Data%20Sheet-881546.pdf Amplifier IC Development Tools 2.3-2.7GHz .5 Watt EVAL BOARD
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
TQP9418 TQP9418 Qorvo TQP9418%20Data%20Sheet-1108732.pdf RF Amplifier 1.805-1.88GHz .5W Gain 31dB
товар відсутній
TQP9418 EVAL BOARD Qorvo TQP9418%20Data%20Sheet-1108732.pdf RF Development Tools 1.805-1.88GHz .5W Eval Board
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
TQP9421 TQP9421 Qorvo TQP9421%20Data%20Sheet-881724.pdf RF Amplifier 2.11-2.17GHz Gn 30dB .5W 2 Stage
на замовлення 138 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
TQP9421-EVB Qorvo TQP9421_Data_Sheet-1505679.pdf RF Development Tools
товар відсутній
TQP9424PCB401 Qorvo TQP9424__Data_Sheet-1518363.pdf RF Development Tools 2.-2.4GHz .5Watt Eval Board
товар відсутній
TQP9424SR TQP9424SR Qorvo TQP9424__Data_Sheet-1518363.pdf RF Amplifier 2-2.4GHz .5Watt Gain 36dB
на замовлення 42 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
TQP9424TR13 TQP9424TR13 Qorvo TQP9424__Data_Sheet-1518363.pdf RF Amplifier 2.-2.4GHz .5Watt Gain 36dB
товар відсутній
TQPQ1281PCB4B01 Qorvo RF Development Tools Evaluation Board - QPQ1281
товар відсутній
TQPQ1282PCB4B01 TQPQ1282PCB4B01 Qorvo QPQ1282_Data_Sheet-1483498.pdf RF Development Tools Evaluation Board - QPQ1282
товар відсутній
TQPQ1285PCB4B01 TQPQ1285PCB4B01 Qorvo QPQ1285_Data_Sheet-1483515.pdf RF Development Tools Evaluation Board - QPQ1285
товар відсутній
TQQ0041 TQQ0041 Qorvo QRVO_S_A0011087235_1-2564482.pdf Signal Conditioning Band 41 50 Ohm BAW -20C +85C
на замовлення 953 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+259.12 грн
25+ 244.91 грн
100+ 207.34 грн
250+ 200.31 грн
Мінімальне замовлення: 2
TQQ0041E TQQ0041E Qorvo Signal Conditioning 2.58GHz Band 41 Low Drift BAW
на замовлення 1426 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
TQQ0041T TQQ0041T Qorvo QRVO_S_A0003297062_1-2564349.pdf Signal Conditioning 2.58GHz Band 41 Low Drift BAW
на замовлення 19800 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
TQQ0302 TQQ0302 Qorvo QQ0302-1504725.pdf Signal Conditioning Band3 Uplnk BW 75MHz LowDrift BAW
на замовлення 1869 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
TQQ0303 TQQ0303 Qorvo QQ0303-1504681.pdf Signal Conditioning Band3 Dnlnk BW 75MHz LowDrift BAW
на замовлення 893 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
TQQ0303-EVB Qorvo QQ0303-1504681.pdf RF Development Tools
товар відсутній
TQQ1030 TQQ1030 Qorvo TQQ1030_Data_Sheet-1509824.pdf Signal Conditioning
на замовлення 1368 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+337.02 грн
100+ 193.99 грн
1000+ 139.87 грн
5000+ 130.73 грн
TQQ1212 TQQ1212 Qorvo TQQ1212%20Data%20Sheet-1222397.pdf Signal Conditioning B34 / B39 Dual Band Single in/out SAW
на замовлення 2498 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
TQQ1212-EVB Qorvo TQQ1212_Data_Sheet-1505724.pdf RF Development Tools
товар відсутній
TQQ1231 TQQ1231 Qorvo QQ1231-1505610.pdf Signal Conditioning Bnd 1/3 LowDrift BAW Diplexer
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
TQQ1231-EVB Qorvo QQ1231-1505610.pdf RF Development Tools
товар відсутній
TQQ2526 Qorvo TQQ2526 Signal Conditioning Band 25 and Band 26 Duplexer Module
товар відсутній
TQQ6103 TQQ6103 Qorvo Signal Conditioning Band 3 BW 75MHz IL 2.9dB Typ. BAW
товар відсутній
TQQ6107 TQQ6107 Qorvo TQQ6107_Data_Sheet-1517955.pdf Signal Conditioning Band 7 BW 70MHz IL 2.6dB Typ. BAW
на замовлення 1563 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
TQQ6107 EVB TQQ6107 EVB Qorvo TQQ6107%20Data%20Sheet-1286915.pdf Other Development Tools Qorvo
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
TQQ7101 TQQ7101 Qorvo QQ7101-881785.pdf Signal Conditioning Band 1 BW 60MHz IL 2.8dB Typ. BAW
на замовлення 176 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
TQQ7301 TQQ7301 Qorvo QQ7301-1108748.pdf Signal Conditioning 1950MHz BW 60MHz BAW
на замовлення 693 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
TQQ7301 EVAL BOARD Qorvo QQ7301-1108748.pdf RF Development Tools 1950MHz BW 60MHz Eval Board
товар відсутній
TQQ7303 TQQ7303 Qorvo TQQ7303_Data_Sheet-1634292.pdf Signal Conditioning 1747.5MHz BW 75MHz LowDrift BAW
на замовлення 5708 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+784.74 грн
25+ 558.53 грн
100+ 392.19 грн
250+ 316.99 грн
TQQ7307 TQQ7307 Qorvo QQ7307-1500595.pdf Signal Conditioning 2535MHz BW 70MHz LowDrift BAW
на замовлення 918 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
TQQ7307-EVB TQQ7307-EVB Qorvo QQ7307-1500595.pdf RF Development Tools
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
TQQ7399 TQQ7399 Qorvo TQQ7399_Data_Sheet-1518405.pdf Signal Conditioning DC-2700MHz IL .15dB RF Crossover
на замовлення 2226 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+656.82 грн
25+ 498.71 грн
100+ 333.15 грн
250+ 256.54 грн
TQQ7399-EVB TQQ7399-EVB Qorvo TQQ7399%20Data%20Sheet-1286943.pdf RF Development Tools DC-2700MHz IL .15dB Eval Board
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
TQS5202 TQS5202 Qorvo QS5202-1518378.pdf RF Switch ICs Dualband WLAN Transfer Switch
на замовлення 2473 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
TTK1000 Qorvo RF Development Tools DWM1000 TDoA kit
товар відсутній
UF3C065030B3 UF3C065030B3 Qorvo UF3C065030B3_Data_Sheet-3177144.pdf SiC MOSFETs 650V/30mOhms,SICFET,G3,TO263-3
на замовлення 643 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1428.44 грн
25+ 1399.14 грн
100+ 1052.88 грн
250+ 1016.33 грн
500+ 1008.6 грн
800+ 922.85 грн
2400+ 919.34 грн
UF3C065030B3 UF3C065030B3 Qorvo DS_UF3C065030B3.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 65A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 40A, 12V
Power Dissipation (Max): 242W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+754.56 грн
Мінімальне замовлення: 800
UF3C065030B3 UF3C065030B3 QORVO 3750881.pdf Description: QORVO - UF3C065030B3 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 65 A, 650 V, 0.027 ohm, D2PAK
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 65A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 242W
Bauform - Transistor: D2PAK
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 902 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1296.23 грн
5+ 1219.75 грн
10+ 1143.27 грн
50+ 990.59 грн
100+ 848.84 грн
250+ 753.54 грн
UF3C065030B3 UF3C065030B3 Qorvo DS_UF3C065030B3.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 65A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 40A, 12V
Power Dissipation (Max): 242W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V
на замовлення 4290 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1231.69 грн
25+ 1046.06 грн
100+ 906.63 грн
250+ 719.99 грн
UF3C065030B3 UF3C065030B3 QORVO 3750881.pdf Description: QORVO - UF3C065030B3 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 65 A, 650 V, 0.027 ohm, D2PAK
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 65A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 242W
Bauform - Transistor: D2PAK
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 902 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+1143.27 грн
50+ 990.59 грн
100+ 848.84 грн
250+ 753.54 грн
Мінімальне замовлення: 10
UF3C065030K3S UF3C065030K3S Qorvo Description: SICFET N-CH 650V 85A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 50A, 12V
Power Dissipation (Max): 441W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V
на замовлення 948 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+940.49 грн
30+ 759.21 грн
UF3C065030K3S UF3C065030K3S Qorvo UF3C065030K3S_Data_Sheet-3177197.pdf MOSFET 650V/30mO,SICFET,G3,TO247-3
на замовлення 406 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1466.16 грн
25+ 1437.13 грн
100+ 1080.99 грн
250+ 970.65 грн
600+ 957.29 грн
3000+ 953.07 грн
5400+ 948.15 грн
UF3C065030K3S UF3C065030K3S QORVO 3750882.pdf Description: QORVO - UF3C065030K3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 85 A, 650 V, 0.027 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 85A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 441W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 433 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1330.13 грн
5+ 1252.08 грн
10+ 1174.02 грн
50+ 1017.68 грн
100+ 871.81 грн
250+ 813.69 грн
UF3C065030K4S UF3C065030K4S QORVO 3750883.pdf Description: QORVO - UF3C065030K4S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 85 A, 650 V, 0.027 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 85A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 441W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 559 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1347.48 грн
5+ 1268.63 грн
10+ 1189 грн
50+ 1055.75 грн
100+ 930.61 грн
250+ 886.01 грн
UF3C065030K4S UF3C065030K4S Qorvo UF3C065030K4S_Data_Sheet-3177006.pdf MOSFET 650V/30mO,SICFET,G3,TO247-4
на замовлення 80 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1621.14 грн
25+ 1410.46 грн
100+ 1062.72 грн
250+ 1002.27 грн
600+ 851.86 грн
3000+ 834.29 грн
5400+ 808.29 грн
UF3C065030K4S UF3C065030K4S Qorvo DS_UF3C065030K4S.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 85A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 50A, 12V
Power Dissipation (Max): 441W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 12 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V
на замовлення 1955 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1280.35 грн
25+ 1087.82 грн
100+ 942.33 грн
250+ 748.43 грн
500+ 708.77 грн
UF3C065030T3S UF3C065030T3S Qorvo DS_UF3C065030T3S.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 85A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 50A, 12V
Power Dissipation (Max): 441W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V
на замовлення 2733 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1448.38 грн
25+ 1186.16 грн
100+ 1046.06 грн
250+ 850.84 грн
500+ 719.99 грн
UF3C065030T3S UF3C065030T3S QORVO 3750884.pdf Description: QORVO - UF3C065030T3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 85 A, 650 V, 0.027 ohm, TO-220
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 85A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 441W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 216 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1524.1 грн
5+ 1410.56 грн
10+ 1296.23 грн
50+ 1132.62 грн
100+ 979.95 грн
UF3C065030T3S UF3C065030T3S Qorvo UF3C065030T3S_Data_Sheet-3177172.pdf MOSFET 650V/30mO,SICFET,G3,TO220-3
на замовлення 401 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1834.34 грн
25+ 1537.36 грн
100+ 1178.69 грн
250+ 1021.95 грн
500+ 864.51 грн
1000+ 818.83 грн
5000+ 778.06 грн
UF3C065040B3 UF3C065040B3 Qorvo Description: MOSFET N-CH 650V 41A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 30A, 12V
Power Dissipation (Max): 176W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V
на замовлення 593 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+921.49 грн
10+ 781.34 грн
100+ 675.75 грн
UF3C065040B3 UF3C065040B3 QORVO 3750885.pdf Description: QORVO - UF3C065040B3 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 41 A, 650 V, 0.042 ohm, D2PAK
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 41A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 176W
Bauform - Transistor: D2PAK
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.042ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 63 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+838.92 грн
5+ 834.98 грн
10+ 830.25 грн
50+ 741.66 грн
UF3C065040B3 UF3C065040B3 Qorvo Description: MOSFET N-CH 650V 41A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 30A, 12V
Power Dissipation (Max): 176W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V
товар відсутній
UF3C065040B3 UF3C065040B3 QORVO 3750885.pdf Description: QORVO - UF3C065040B3 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 41 A, 650 V, 0.042 ohm, D2PAK
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 41A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 176W
Bauform - Transistor: D2PAK
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.042ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 63 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+830.25 грн
50+ 741.66 грн
Мінімальне замовлення: 10
UF3C065040B3 UF3C065040B3 Qorvo UF3C065040B3_Data_Sheet-3177206.pdf SiC MOSFETs 650V/40mOhms,SICFET,G3,TO263-3
на замовлення 130 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1102.08 грн
25+ 958.63 грн
100+ 722.54 грн
250+ 610.78 грн
500+ 579.15 грн
2400+ 567.91 грн
4800+ 550.34 грн
UF3C065040K3S UF3C065040K3S QORVO 3750886.pdf Description: QORVO - UF3C065040K3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 54 A, 650 V, 0.042 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 54A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 326W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.042ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 351 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+932.75 грн
5+ 878.35 грн
10+ 823.15 грн
50+ 713.84 грн
100+ 611.62 грн
250+ 593.37 грн
UF3C065040K3S UF3C065040K3S Qorvo UF3C065040K3S_Data_Sheet-3177024.pdf MOSFET 650V/40mOhms,SICFET,G3,TO247-3
на замовлення 1620 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1005.32 грн
25+ 910.94 грн
100+ 669.12 грн
600+ 597.43 грн
UF3C065040K3S UF3C065040K3S Qorvo DS_UF3C065040K3S.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 54A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 54A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 40A, 12V
Power Dissipation (Max): 326W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V
на замовлення 2527 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+886.51 грн
25+ 753.05 грн
100+ 652.69 грн
250+ 518.34 грн
500+ 490.68 грн
UF3C065040K4S UF3C065040K4S Qorvo DS_UF3C065040K4S.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 54A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 54A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 40A, 12V
Power Dissipation (Max): 326W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 12 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V
на замовлення 9525 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+903.24 грн
25+ 767.2 грн
100+ 664.82 грн
250+ 528.46 грн
500+ 500.17 грн
UF3C065040K4S UF3C065040K4S Qorvo UF3C065040K4S_Data_Sheet-3177182.pdf MOSFET 650V/40mOhms,SICFET,G3,TO247-4
на замовлення 3206 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1143.08 грн
25+ 994.19 грн
100+ 749.25 грн
250+ 634.68 грн
600+ 600.94 грн
3000+ 588.29 грн
5400+ 570.72 грн
TQP9326-PCB TQP9326%20Data%20Sheet-881546.pdf
Виробник: Qorvo
Amplifier IC Development Tools 2.3-2.7GHz .5 Watt EVAL BOARD
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
TQP9418 TQP9418%20Data%20Sheet-1108732.pdf
TQP9418
Виробник: Qorvo
RF Amplifier 1.805-1.88GHz .5W Gain 31dB
товар відсутній
TQP9418 EVAL BOARD TQP9418%20Data%20Sheet-1108732.pdf
Виробник: Qorvo
RF Development Tools 1.805-1.88GHz .5W Eval Board
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
TQP9421 TQP9421%20Data%20Sheet-881724.pdf
TQP9421
Виробник: Qorvo
RF Amplifier 2.11-2.17GHz Gn 30dB .5W 2 Stage
на замовлення 138 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
TQP9421-EVB TQP9421_Data_Sheet-1505679.pdf
Виробник: Qorvo
RF Development Tools
товар відсутній
TQP9424PCB401 TQP9424__Data_Sheet-1518363.pdf
Виробник: Qorvo
RF Development Tools 2.-2.4GHz .5Watt Eval Board
товар відсутній
TQP9424SR TQP9424__Data_Sheet-1518363.pdf
TQP9424SR
Виробник: Qorvo
RF Amplifier 2-2.4GHz .5Watt Gain 36dB
на замовлення 42 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
TQP9424TR13 TQP9424__Data_Sheet-1518363.pdf
TQP9424TR13
Виробник: Qorvo
RF Amplifier 2.-2.4GHz .5Watt Gain 36dB
товар відсутній
TQPQ1281PCB4B01
Виробник: Qorvo
RF Development Tools Evaluation Board - QPQ1281
товар відсутній
TQPQ1282PCB4B01 QPQ1282_Data_Sheet-1483498.pdf
TQPQ1282PCB4B01
Виробник: Qorvo
RF Development Tools Evaluation Board - QPQ1282
товар відсутній
TQPQ1285PCB4B01 QPQ1285_Data_Sheet-1483515.pdf
TQPQ1285PCB4B01
Виробник: Qorvo
RF Development Tools Evaluation Board - QPQ1285
товар відсутній
TQQ0041 QRVO_S_A0011087235_1-2564482.pdf
TQQ0041
Виробник: Qorvo
Signal Conditioning Band 41 50 Ohm BAW -20C +85C
на замовлення 953 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+259.12 грн
25+ 244.91 грн
100+ 207.34 грн
250+ 200.31 грн
Мінімальне замовлення: 2
TQQ0041E
TQQ0041E
Виробник: Qorvo
Signal Conditioning 2.58GHz Band 41 Low Drift BAW
на замовлення 1426 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
TQQ0041T QRVO_S_A0003297062_1-2564349.pdf
TQQ0041T
Виробник: Qorvo
Signal Conditioning 2.58GHz Band 41 Low Drift BAW
на замовлення 19800 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
TQQ0302 QQ0302-1504725.pdf
TQQ0302
Виробник: Qorvo
Signal Conditioning Band3 Uplnk BW 75MHz LowDrift BAW
на замовлення 1869 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
TQQ0303 QQ0303-1504681.pdf
TQQ0303
Виробник: Qorvo
Signal Conditioning Band3 Dnlnk BW 75MHz LowDrift BAW
на замовлення 893 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
TQQ0303-EVB QQ0303-1504681.pdf
Виробник: Qorvo
RF Development Tools
товар відсутній
TQQ1030 TQQ1030_Data_Sheet-1509824.pdf
TQQ1030
Виробник: Qorvo
Signal Conditioning
на замовлення 1368 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+337.02 грн
100+ 193.99 грн
1000+ 139.87 грн
5000+ 130.73 грн
TQQ1212 TQQ1212%20Data%20Sheet-1222397.pdf
TQQ1212
Виробник: Qorvo
Signal Conditioning B34 / B39 Dual Band Single in/out SAW
на замовлення 2498 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
TQQ1212-EVB TQQ1212_Data_Sheet-1505724.pdf
Виробник: Qorvo
RF Development Tools
товар відсутній
TQQ1231 QQ1231-1505610.pdf
TQQ1231
Виробник: Qorvo
Signal Conditioning Bnd 1/3 LowDrift BAW Diplexer
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
TQQ1231-EVB QQ1231-1505610.pdf
Виробник: Qorvo
RF Development Tools
товар відсутній
TQQ2526 TQQ2526
Виробник: Qorvo
Signal Conditioning Band 25 and Band 26 Duplexer Module
товар відсутній
TQQ6103
TQQ6103
Виробник: Qorvo
Signal Conditioning Band 3 BW 75MHz IL 2.9dB Typ. BAW
товар відсутній
TQQ6107 TQQ6107_Data_Sheet-1517955.pdf
TQQ6107
Виробник: Qorvo
Signal Conditioning Band 7 BW 70MHz IL 2.6dB Typ. BAW
на замовлення 1563 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
TQQ6107 EVB TQQ6107%20Data%20Sheet-1286915.pdf
TQQ6107 EVB
Виробник: Qorvo
Other Development Tools Qorvo
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
TQQ7101 QQ7101-881785.pdf
TQQ7101
Виробник: Qorvo
Signal Conditioning Band 1 BW 60MHz IL 2.8dB Typ. BAW
на замовлення 176 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
TQQ7301 QQ7301-1108748.pdf
TQQ7301
Виробник: Qorvo
Signal Conditioning 1950MHz BW 60MHz BAW
на замовлення 693 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
TQQ7301 EVAL BOARD QQ7301-1108748.pdf
Виробник: Qorvo
RF Development Tools 1950MHz BW 60MHz Eval Board
товар відсутній
TQQ7303 TQQ7303_Data_Sheet-1634292.pdf
TQQ7303
Виробник: Qorvo
Signal Conditioning 1747.5MHz BW 75MHz LowDrift BAW
на замовлення 5708 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+784.74 грн
25+ 558.53 грн
100+ 392.19 грн
250+ 316.99 грн
TQQ7307 QQ7307-1500595.pdf
TQQ7307
Виробник: Qorvo
Signal Conditioning 2535MHz BW 70MHz LowDrift BAW
на замовлення 918 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
TQQ7307-EVB QQ7307-1500595.pdf
TQQ7307-EVB
Виробник: Qorvo
RF Development Tools
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
TQQ7399 TQQ7399_Data_Sheet-1518405.pdf
TQQ7399
Виробник: Qorvo
Signal Conditioning DC-2700MHz IL .15dB RF Crossover
на замовлення 2226 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+656.82 грн
25+ 498.71 грн
100+ 333.15 грн
250+ 256.54 грн
TQQ7399-EVB TQQ7399%20Data%20Sheet-1286943.pdf
TQQ7399-EVB
Виробник: Qorvo
RF Development Tools DC-2700MHz IL .15dB Eval Board
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
TQS5202 QS5202-1518378.pdf
TQS5202
Виробник: Qorvo
RF Switch ICs Dualband WLAN Transfer Switch
на замовлення 2473 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
TTK1000
Виробник: Qorvo
RF Development Tools DWM1000 TDoA kit
товар відсутній
UF3C065030B3 UF3C065030B3_Data_Sheet-3177144.pdf
UF3C065030B3
Виробник: Qorvo
SiC MOSFETs 650V/30mOhms,SICFET,G3,TO263-3
на замовлення 643 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1428.44 грн
25+ 1399.14 грн
100+ 1052.88 грн
250+ 1016.33 грн
500+ 1008.6 грн
800+ 922.85 грн
2400+ 919.34 грн
UF3C065030B3 DS_UF3C065030B3.pdf
UF3C065030B3
Виробник: Qorvo
Description: MOSFET N-CH 650V 65A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 40A, 12V
Power Dissipation (Max): 242W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
800+754.56 грн
Мінімальне замовлення: 800
UF3C065030B3 3750881.pdf
UF3C065030B3
Виробник: QORVO
Description: QORVO - UF3C065030B3 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 65 A, 650 V, 0.027 ohm, D2PAK
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 65A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 242W
Bauform - Transistor: D2PAK
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 902 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1296.23 грн
5+ 1219.75 грн
10+ 1143.27 грн
50+ 990.59 грн
100+ 848.84 грн
250+ 753.54 грн
UF3C065030B3 DS_UF3C065030B3.pdf
UF3C065030B3
Виробник: Qorvo
Description: MOSFET N-CH 650V 65A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 40A, 12V
Power Dissipation (Max): 242W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V
на замовлення 4290 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1231.69 грн
25+ 1046.06 грн
100+ 906.63 грн
250+ 719.99 грн
UF3C065030B3 3750881.pdf
UF3C065030B3
Виробник: QORVO
Description: QORVO - UF3C065030B3 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 65 A, 650 V, 0.027 ohm, D2PAK
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 65A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 242W
Bauform - Transistor: D2PAK
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 902 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+1143.27 грн
50+ 990.59 грн
100+ 848.84 грн
250+ 753.54 грн
Мінімальне замовлення: 10
UF3C065030K3S
UF3C065030K3S
Виробник: Qorvo
Description: SICFET N-CH 650V 85A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 50A, 12V
Power Dissipation (Max): 441W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V
на замовлення 948 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+940.49 грн
30+ 759.21 грн
UF3C065030K3S UF3C065030K3S_Data_Sheet-3177197.pdf
UF3C065030K3S
Виробник: Qorvo
MOSFET 650V/30mO,SICFET,G3,TO247-3
на замовлення 406 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1466.16 грн
25+ 1437.13 грн
100+ 1080.99 грн
250+ 970.65 грн
600+ 957.29 грн
3000+ 953.07 грн
5400+ 948.15 грн
UF3C065030K3S 3750882.pdf
UF3C065030K3S
Виробник: QORVO
Description: QORVO - UF3C065030K3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 85 A, 650 V, 0.027 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 85A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 441W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 433 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1330.13 грн
5+ 1252.08 грн
10+ 1174.02 грн
50+ 1017.68 грн
100+ 871.81 грн
250+ 813.69 грн
UF3C065030K4S 3750883.pdf
UF3C065030K4S
Виробник: QORVO
Description: QORVO - UF3C065030K4S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 85 A, 650 V, 0.027 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 85A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 441W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 559 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1347.48 грн
5+ 1268.63 грн
10+ 1189 грн
50+ 1055.75 грн
100+ 930.61 грн
250+ 886.01 грн
UF3C065030K4S UF3C065030K4S_Data_Sheet-3177006.pdf
UF3C065030K4S
Виробник: Qorvo
MOSFET 650V/30mO,SICFET,G3,TO247-4
на замовлення 80 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1621.14 грн
25+ 1410.46 грн
100+ 1062.72 грн
250+ 1002.27 грн
600+ 851.86 грн
3000+ 834.29 грн
5400+ 808.29 грн
UF3C065030K4S DS_UF3C065030K4S.pdf
UF3C065030K4S
Виробник: Qorvo
Description: MOSFET N-CH 650V 85A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 50A, 12V
Power Dissipation (Max): 441W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 12 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V
на замовлення 1955 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1280.35 грн
25+ 1087.82 грн
100+ 942.33 грн
250+ 748.43 грн
500+ 708.77 грн
UF3C065030T3S DS_UF3C065030T3S.pdf
UF3C065030T3S
Виробник: Qorvo
Description: MOSFET N-CH 650V 85A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 50A, 12V
Power Dissipation (Max): 441W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V
на замовлення 2733 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1448.38 грн
25+ 1186.16 грн
100+ 1046.06 грн
250+ 850.84 грн
500+ 719.99 грн
UF3C065030T3S 3750884.pdf
UF3C065030T3S
Виробник: QORVO
Description: QORVO - UF3C065030T3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 85 A, 650 V, 0.027 ohm, TO-220
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 85A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 441W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 216 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1524.1 грн
5+ 1410.56 грн
10+ 1296.23 грн
50+ 1132.62 грн
100+ 979.95 грн
UF3C065030T3S UF3C065030T3S_Data_Sheet-3177172.pdf
UF3C065030T3S
Виробник: Qorvo
MOSFET 650V/30mO,SICFET,G3,TO220-3
на замовлення 401 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1834.34 грн
25+ 1537.36 грн
100+ 1178.69 грн
250+ 1021.95 грн
500+ 864.51 грн
1000+ 818.83 грн
5000+ 778.06 грн
UF3C065040B3
UF3C065040B3
Виробник: Qorvo
Description: MOSFET N-CH 650V 41A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 30A, 12V
Power Dissipation (Max): 176W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V
на замовлення 593 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+921.49 грн
10+ 781.34 грн
100+ 675.75 грн
UF3C065040B3 3750885.pdf
UF3C065040B3
Виробник: QORVO
Description: QORVO - UF3C065040B3 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 41 A, 650 V, 0.042 ohm, D2PAK
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 41A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 176W
Bauform - Transistor: D2PAK
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.042ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 63 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+838.92 грн
5+ 834.98 грн
10+ 830.25 грн
50+ 741.66 грн
UF3C065040B3
UF3C065040B3
Виробник: Qorvo
Description: MOSFET N-CH 650V 41A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 30A, 12V
Power Dissipation (Max): 176W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V
товар відсутній
UF3C065040B3 3750885.pdf
UF3C065040B3
Виробник: QORVO
Description: QORVO - UF3C065040B3 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 41 A, 650 V, 0.042 ohm, D2PAK
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 41A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 176W
Bauform - Transistor: D2PAK
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.042ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 63 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+830.25 грн
50+ 741.66 грн
Мінімальне замовлення: 10
UF3C065040B3 UF3C065040B3_Data_Sheet-3177206.pdf
UF3C065040B3
Виробник: Qorvo
SiC MOSFETs 650V/40mOhms,SICFET,G3,TO263-3
на замовлення 130 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1102.08 грн
25+ 958.63 грн
100+ 722.54 грн
250+ 610.78 грн
500+ 579.15 грн
2400+ 567.91 грн
4800+ 550.34 грн
UF3C065040K3S 3750886.pdf
UF3C065040K3S
Виробник: QORVO
Description: QORVO - UF3C065040K3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 54 A, 650 V, 0.042 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 54A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 326W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.042ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 351 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+932.75 грн
5+ 878.35 грн
10+ 823.15 грн
50+ 713.84 грн
100+ 611.62 грн
250+ 593.37 грн
UF3C065040K3S UF3C065040K3S_Data_Sheet-3177024.pdf
UF3C065040K3S
Виробник: Qorvo
MOSFET 650V/40mOhms,SICFET,G3,TO247-3
на замовлення 1620 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1005.32 грн
25+ 910.94 грн
100+ 669.12 грн
600+ 597.43 грн
UF3C065040K3S DS_UF3C065040K3S.pdf
UF3C065040K3S
Виробник: Qorvo
Description: MOSFET N-CH 650V 54A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 54A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 40A, 12V
Power Dissipation (Max): 326W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V
на замовлення 2527 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+886.51 грн
25+ 753.05 грн
100+ 652.69 грн
250+ 518.34 грн
500+ 490.68 грн
UF3C065040K4S DS_UF3C065040K4S.pdf
UF3C065040K4S
Виробник: Qorvo
Description: MOSFET N-CH 650V 54A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 54A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 40A, 12V
Power Dissipation (Max): 326W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 12 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V
на замовлення 9525 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+903.24 грн
25+ 767.2 грн
100+ 664.82 грн
250+ 528.46 грн
500+ 500.17 грн
UF3C065040K4S UF3C065040K4S_Data_Sheet-3177182.pdf
UF3C065040K4S
Виробник: Qorvo
MOSFET 650V/40mOhms,SICFET,G3,TO247-4
на замовлення 3206 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1143.08 грн
25+ 994.19 грн
100+ 749.25 грн
250+ 634.68 грн
600+ 600.94 грн
3000+ 588.29 грн
5400+ 570.72 грн
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 7 14 21 28 35 42 49 56 63 68 69 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79  [ Наступна Сторінка >> ]