![UF3SC065007K4S UF3SC065007K4S](https://mm.digikey.com/Volume0/opasdata/d220001/medias/images/4845/MFG_2312_TO-247-4L.jpg)
UF3SC065007K4S Qorvo
![da008646](/images/adobe-acrobat.png)
Description: MOSFET N-CH 650V 120A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 50A, 12V
Power Dissipation (Max): 789W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 214 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8360 pF @ 100 V
на замовлення 1580 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 5309.19 грн |
25+ | 4857.12 грн |
100+ | 4613.98 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис UF3SC065007K4S Qorvo
Description: QORVO - UF3SC065007K4S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 120 A, 650 V, 0.0067 ohm, TO-247, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 120A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.7V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 789W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 12V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0067ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції UF3SC065007K4S за ціною від 4150.37 грн до 6721.54 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
UF3SC065007K4S | Виробник : QORVO |
![]() tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 120A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.7V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 789W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 12V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0067ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 342 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
UF3SC065007K4S | Виробник : Qorvo / UnitedSiC |
![]() |
на замовлення 330 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
UF3SC065007K4S | Виробник : Qorvo |
![]() |
на замовлення 167 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
UF3SC065007K4S | Виробник : United Silicon Carbide |
![]() |
на замовлення 150 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |