Продукція > ONSEMI > Всі товари виробника ONSEMI (139490) > Сторінка 1802 з 2325

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 232 464 696 928 1160 1392 1624 1797 1798 1799 1800 1801 1802 1803 1804 1805 1806 1807 1856 2088 2320 2325  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
без ПДВ
NCP81071AZR2G NCP81071AZR2G ONSEMI NCP81071-D.PDF Description: ONSEMI - NCP81071AZR2G - Gate-Treiber, 2 Kanäle, Low-Side, MOSFET, 8 Pin(s), MSOP
Sinkstrom: 5
Treiberkonfiguration: Low-Side
Leistungsschalter: MOSFET
IC-Gehäuse / Bauform: MSOP
Eingang: Invertierend
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Anzahl der Kanäle: 2
Betriebstemperatur, min.: -40
Quellstrom: 5
Versorgungsspannung, min.: 4.5
Bauform - Treiber: MSOP
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Versorgungsspannung, max.: 20
Eingabeverzögerung: 20
Ausgabeverzögerung: 20
Betriebstemperatur, max.: 140
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товар відсутній
NCP81071CZR2G NCP81071CZR2G ONSEMI NCP81071-D.PDF Description: ONSEMI - NCP81071CZR2G - Gate-Treiber, 2 Kanäle, Low-Side, MOSFET, 8 Pin(s), MSOP
Sinkstrom: 5
Treiberkonfiguration: Low-Side
Leistungsschalter: MOSFET
IC-Gehäuse / Bauform: MSOP
Eingang: Invertierend, nicht invertierend
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Anzahl der Kanäle: 2
Betriebstemperatur, min.: -40
Quellstrom: 5
Versorgungsspannung, min.: 4.5
Bauform - Treiber: MSOP
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Versorgungsspannung, max.: 20
Eingabeverzögerung: 20
Ausgabeverzögerung: 20
Betriebstemperatur, max.: 140
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товар відсутній
SB07-03C-TB-E SB07-03C-TB-E ONSEMI ONSMS36749-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - SB07-03C-TB-E - Kleinsignal-Schottky-Diode, Einfach, 30 V, 700 mA, 550 mV, 5 A, 125 °C
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
Durchlassstoßstrom: 5A
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 550mV
Sperrverzögerungszeit: 10ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 700mA
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 30V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 955 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+12.98 грн
500+ 7.62 грн
Мінімальне замовлення: 100
SBE807-TL-W SBE807-TL-W ONSEMI ena1055-d.pdf Description: ONSEMI - SBE807-TL-W - Schottky-Gleichrichterdiode, 30 V, 1 A, Zweifach, isoliert, SOT-25, 5 Pin(s), 530 mV
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-25
Durchlassstoßstrom: 10A
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, isoliert
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 530mV
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 30V
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 638 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+41.83 грн
24+ 32.76 грн
100+ 21.42 грн
500+ 12.63 грн
Мінімальне замовлення: 19
SB01-05C-TB-E SB01-05C-TB-E ONSEMI ONSMS38557-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - SB01-05C-TB-E - Schottky-Gleichrichterdiode, 50 V, 100 mA, Einfach, SOT-23, 3 Pin(s), 550 mV
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
Durchlassstoßstrom: 2A
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 550mV
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 100mA
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 50V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 125°C
на замовлення 1831 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+7.26 грн
Мінімальне замовлення: 500
SBE807-TL-W SBE807-TL-W ONSEMI ena1055-d.pdf Description: ONSEMI - SBE807-TL-W - Schottky-Gleichrichterdiode, 30 V, 1 A, Zweifach, isoliert, SOT-25, 5 Pin(s), 530 mV
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-25
Durchlassstoßstrom: 10A
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, isoliert
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 530mV
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 30V
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 638 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+21.42 грн
500+ 12.63 грн
Мінімальне замовлення: 100
NCD57201DR2G NCD57201DR2G ONSEMI 3191473.pdf Description: ONSEMI - NCD57201DR2G - Gate-Treiber, 2 Kanäle, Halbbrücke, IGBT, 8 Pins, NSOIC, nicht invertierend
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 2.3A
Treiberkonfiguration: Halbbrücke
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: NSOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Channels
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 1.9A
Versorgungsspannung, min.: -
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 70ns
Ausgabeverzögerung: 70ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2330 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+126.65 грн
10+ 102.41 грн
100+ 68.72 грн
500+ 62.36 грн
Мінімальне замовлення: 7
NCP785AH33T1G NCP785AH33T1G ONSEMI ncp785a-d.pdf Description: ONSEMI - NCP785AH33T1G - Linearer Festspannungsregler, 25V bis 450Vin, 3.3V/10.5mAout, SOT-89-3
tariffCode: 85423990
Ausgang: Fest
rohsCompliant: YES
Ausgangsspannung, min.: -
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: 0
Nennausgangsspannung: 3.3V
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 450V
euEccn: NLR
Ausgangsstrom, max.: 0
Eingangsspannung, min.: 25V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: 3.3V 10.5mA Linear Voltage Regulators
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 146 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+84.43 грн
12+ 67.7 грн
100+ 42.45 грн
Мінімальне замовлення: 10
NCP785AH150T1G NCP785AH150T1G ONSEMI 1948370.pdf Description: ONSEMI - NCP785AH150T1G - Linearer Spannungsregler, feste Ausgangsspannung, 60V-450V Eingangsspannung, 15V/10mAout, SOT-89-3
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товар відсутній
2N4918G 2N4918G ONSEMI 2355583.pdf Description: ONSEMI - 2N4918G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 3 A, 30 W, TO-225, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10
DC-Stromverstärkung hFE: 10
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 3
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 30
Bauform - Transistor: TO-225
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 3
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 1145 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+57.85 грн
16+ 51.52 грн
100+ 38.93 грн
500+ 31.36 грн
1000+ 20.57 грн
Мінімальне замовлення: 14
2N4919G 2N4919G ONSEMI 2355583.pdf Description: ONSEMI - 2N4919G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 3 A, 30 W, TO-225, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10
DC-Stromverstärkung hFE: 10
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 3
Verlustleistung: 30
Bauform - Transistor: TO-225
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 3
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 111 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+62.62 грн
15+ 55.19 грн
100+ 42.3 грн
Мінімальне замовлення: 13
2N4921G 2N4921G ONSEMI 1911664.pdf Description: ONSEMI - 2N4921G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 1 A, 30 W, TO-225, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10
DC-Stromverstärkung hFE: 10
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 1
Verlustleistung: 30
Bauform - Transistor: TO-225
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 3
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
товар відсутній
NJD35N04G NJD35N04G ONSEMI njd35n04-d.pdf Description: ONSEMI - NJD35N04G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), AEC-Q100, NPN, 350 V, 4 A, 45 W, TO-252 (DPAK)
Transistormontage: Oberflächenmontage
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 300
DC-Stromverstärkung hFE: 300
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 4
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 45
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 350
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 90
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товар відсутній
NJV4031NT1G NJV4031NT1G ONSEMI njt4031n-d.pdf Description: ONSEMI - NJV4031NT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 3 A, 2 W, SOT-223, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100
DC-Stromverstärkung hFE: 100
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 3
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 2
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 215
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+50.82 грн
18+ 43.62 грн
100+ 32.6 грн
500+ 23.74 грн
1000+ 15.41 грн
Мінімальне замовлення: 16
NJV4030PT1G NJV4030PT1G ONSEMI ONSM-S-A0013302113-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - NJV4030PT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 3 A, 2 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 3A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 160MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 1755 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+32.68 грн
29+ 27.36 грн
100+ 18.68 грн
500+ 11.69 грн
Мінімальне замовлення: 24
NCV47711PDAJR2G NCV47711PDAJR2G ONSEMI NCV47711-D.PDF Description: ONSEMI - NCV47711PDAJR2G - LDO-Spannungsregler, AEC-Q100, einstellbar, max. 40Vin, 0.25V Dropout, 5V bis 20V/350mAout, SOIC-8
tariffCode: 85423990
Ausgang: Einstellbar
rohsCompliant: YES
Ausgangsspannung, min.: 5V
Ausgangsspannung, max.: 20V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Nennausgangsspannung: -
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 40V
euEccn: NLR
Eingangsspannung, min.: 5.5V
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Adj 350mA LDO Voltage Regulators
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Typische Dropout-Spannung bei Strom: 250mV
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 7470 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+161.83 грн
10+ 125.87 грн
100+ 84.43 грн
500+ 60.33 грн
2500+ 53.61 грн
5000+ 53.54 грн
Мінімальне замовлення: 5
NCV5703BDR2G NCV5703BDR2G ONSEMI Description: ONSEMI - NCV5703BDR2G - IGBT-Treiber, Halbbrücke, 4A, max. 20V Versorgungsspannung, 59ns/54ns Verzögerung, SOIC-8
Sinkstrom: 1
Treiberkonfiguration: Halbbrücke
Leistungsschalter: IGBT
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Anzahl der Kanäle: 1
Betriebstemperatur, min.: -40
Quellstrom: 1
Versorgungsspannung, min.: -
Bauform - Treiber: SOIC
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Versorgungsspannung, max.: 20
Eingabeverzögerung: 59
Ausgabeverzögerung: 54
Betriebstemperatur, max.: 125
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
NCP1012AP065G. NCP1012AP065G. ONSEMI NCP1010-D.PDF Description: ONSEMI - NCP1012AP065G. - AC / DC CONVERTERS
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
товар відсутній
FGD3040G2-F085 FGD3040G2-F085 ONSEMI FGI3040G2_F085-D.PDF Description: ONSEMI - FGD3040G2-F085 - IGBT, 41 A, 1.15 V, 150 W, 400 V, TO-252AA, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.15
Verlustleistung: 150
Bauform - Transistor: TO-252AA
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: EcoSPARK 2
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 400
Betriebstemperatur, max.: 175
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 41
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товар відсутній
FGD3040G2-F085 ONSEMI FGI3040G2_F085-D.PDF Description: ONSEMI - FGD3040G2-F085 - IGBT, 41 A, 1.15 V, 150 W, 400 V, TO-252AA, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.15
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.15
Verlustleistung Pd: 150
Verlustleistung: 150
Bauform - Transistor: TO-252AA
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 400
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: EcoSPARK 2
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 400
DC-Kollektorstrom: 41
Betriebstemperatur, max.: 175
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 41
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товар відсутній
FGD3040G2-F085V FGD3040G2-F085V ONSEMI FGD3040G2-F085V-D.PDF Description: ONSEMI - FGD3040G2-F085V - IGBT SINGLE TRANSISTOR
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товар відсутній
FGD3040G2-F085C FGD3040G2-F085C ONSEMI FGX3040G2-F085C-D.PDF Description: ONSEMI - FGD3040G2-F085C - IGBT SINGLE TRANSISTOR
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товар відсутній
FGD3325G2-F085 FGD3325G2-F085 ONSEMI FGD3325G2_F085-D.PDF Description: ONSEMI - FGD3325G2-F085 - IGBT SINGLE TRANSISTOR
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товар відсутній
FGD3325G2-F085V FGD3325G2-F085V ONSEMI FGD3325G2_F085-D.PDF Description: ONSEMI - FGD3325G2-F085V - IGBT SINGLE TRANSISTOR
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товар відсутній
NC7SZ10L6X NC7SZ10L6X ONSEMI NC7SZ10-D.PDF Description: ONSEMI - NC7SZ10L6X - Logik-IC, NAND-Gatter, Eins, 3 Inputs, 6 Pin(s), MicroPak, NC7SZ10
Logikfunktion: NAND-Gatter
Logik-IC-Familie: NC7SZ
Bauform - Logikbaustein: MicroPak
Ausgangsstrom: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Betriebstemperatur, min.: -40
Versorgungsspannung, min.: 1.65
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 6
Produktpalette: NC7SZ10
Versorgungsspannung, max.: 5.5
Anzahl der Eingänge: 3
Schmitt-Trigger-Eingang: Ohne Schmitt-Trigger-Eingang
Betriebstemperatur, max.: 85
Anzahl von Elementen: Eins
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товар відсутній
S2SC4617G S2SC4617G ONSEMI 1913553.pdf Description: ONSEMI - S2SC4617G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 100 mA, 125 mW, SC-75, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125mW
Bauform - Transistor: SC-75
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 180MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 8125 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+33.38 грн
35+ 22.91 грн
100+ 8.76 грн
500+ 6.24 грн
3000+ 4.49 грн
Мінімальне замовлення: 24
S2SC4617G S2SC4617G ONSEMI 1913553.pdf Description: ONSEMI - S2SC4617G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 100 mA, 125 mW, SC-75, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125mW
Bauform - Transistor: SC-75
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 180MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 8125 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+8.76 грн
500+ 6.24 грн
3000+ 4.49 грн
Мінімальне замовлення: 100
FGHL50T65SQDT FGHL50T65SQDT ONSEMI 3005710.pdf Description: ONSEMI - FGHL50T65SQDT - IGBT, 100 A, 1.47 V, 268 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650
Verlustleistung: 268
Anzahl der Pins: 3
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 100
Bauform - Transistor: TO-247
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.47
Betriebstemperatur, max.: 175
Produktpalette: -
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товар відсутній
NSVRB751V40T1G NSVRB751V40T1G ONSEMI 1911610.pdf Description: ONSEMI - NSVRB751V40T1G - Kleinsignal-Schottky-Diode, Einfach, 30 V, 30 mA, 370 mV, 500 mA, 150 °C
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-323
Durchlassstoßstrom: 500mA
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 370mV
Sperrverzögerungszeit: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 30mA
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 30V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 14271 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
32+24.7 грн
43+ 18.37 грн
100+ 16.57 грн
500+ 13.72 грн
3000+ 11.12 грн
9000+ 9.58 грн
Мінімальне замовлення: 32
NSVRB751V40T1G NSVRB751V40T1G ONSEMI 1911610.pdf Description: ONSEMI - NSVRB751V40T1G - Kleinsignal-Schottky-Diode, Einfach, 30 V, 30 mA, 370 mV, 500 mA, 150 °C
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-323
Durchlassstoßstrom: 500mA
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 370mV
Sperrverzögerungszeit: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 30mA
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 30V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 14271 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+16.57 грн
500+ 13.72 грн
3000+ 11.12 грн
9000+ 9.58 грн
Мінімальне замовлення: 100
SZESD8351HT1G SZESD8351HT1G ONSEMI esd8351-d.pdf Description: ONSEMI - SZESD8351HT1G - ESD-Schutzbaustein, 11.2 V, SOD-323, 2 Pin(s), 3.3 V, SZESD8351
Anzahl der Pins: 2
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Bauform - Diode: SOD-323
Begrenzungsspannung Vc, max.: 11.2
Betriebsspannung: 3.3
Verlustleistung Pd: -
Produktpalette: SZESD8351
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
на замовлення 2330 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
21+37.53 грн
26+ 31.04 грн
100+ 21.11 грн
500+ 11.03 грн
Мінімальне замовлення: 21
SZESD7272LT1G SZESD7272LT1G ONSEMI esd7272-d.pdf Description: ONSEMI - SZESD7272LT1G - ESD-Schutzbaustein, 34 V, SOT-23, 3 Pin(s)
tariffCode: 85411000
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Bauform - Diode: SOT-23
hazardous: false
Begrenzungsspannung Vc, max.: 34V
Betriebsspannung: -
rohsPhthalatesCompliant: YES
Verlustleistung Pd: -
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 265 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
50+15.71 грн
73+ 10.79 грн
125+ 6.25 грн
Мінімальне замовлення: 50
SZESD8351XV2T1G SZESD8351XV2T1G ONSEMI esd8351-d.pdf Description: ONSEMI - SZESD8351XV2T1G - ESD-Schutzbaustein, 11.2 V, SOD-523, 2 Pin(s), 3.3 V, SZESD8351
tariffCode: 85411000
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Bauform - Diode: SOD-523
hazardous: false
Begrenzungsspannung Vc, max.: 11.2V
Betriebsspannung: 3.3V
rohsPhthalatesCompliant: YES
Verlustleistung Pd: -
usEccn: EAR99
Produktpalette: SZESD8351
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 931 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
29+27.83 грн
42+ 18.84 грн
100+ 12.27 грн
500+ 8.2 грн
Мінімальне замовлення: 29
CAT25080VI-GT3 CAT25080VI-GT3 ONSEMI cat25080-d.pdf Description: ONSEMI - CAT25080VI-GT3 - EEPROM, 8 Kbit, 1K x 8 Bit, Seriell SPI, 10 MHz, SOIC, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423261
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Speicherdichte: 8Kbit
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Taktfrequenz, max.: 10MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.8V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: 8Kbit SPI Serial EEPROM
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Schnittstellen: Seriell SPI
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 1K x 8 Bit
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 275 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
29+27.52 грн
32+ 24.7 грн
100+ 19.23 грн
Мінімальне замовлення: 29
CAT5113VI-10-GT3 CAT5113VI-10-GT3 ONSEMI 1750550.pdf Description: ONSEMI - CAT5113VI-10-GT3 - Digitalpotentiometer, nichtflüchtig, 10 kohm, Einfach, Seriell, Linear, ± 20%, 2.5 V
tariffCode: 85423990
Bauform - Potentiometer: SOIC
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Anzahl der Potentiometer: Einfach
Widerstandsverlauf: Linear
usEccn: EAR99
Anzahl Schritte: 100
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Widerstandstoleranz: ± 20%
Versorgungsspannung, min.: 2.5V
Temperaturkoeffizient: +300ppm/°C
euEccn: NLR
Steuer-/Bedienschnittstelle: Seriell
Gesamtwiderstand: 10kohm
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pins
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 6V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
на замовлення 7771 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+275.97 грн
10+ 207.18 грн
100+ 164.18 грн
500+ 121.96 грн
3000+ 109.9 грн
6000+ 107.89 грн
Мінімальне замовлення: 3
NVBLS0D7N06C NVBLS0D7N06C ONSEMI nvbls0d7n06c-d.pdf Description: ONSEMI - NVBLS0D7N06C - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 470 A, 560 µohm, H-PSOF
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 470
Qualifikation: AEC-Q101
Verlustleistung Pd: 314
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8
Verlustleistung: 314
Bauform - Transistor: H-PSOF
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 560
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 560
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товар відсутній
LC709204FXE-01TBG LC709204FXE-01TBG ONSEMI 2913002.pdf Description: ONSEMI - LC709204FXE-01TBG - LADEZUSTANDSMESSER, LI-ION/POL, WLCSP-12
tariffCode: 85423190
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: WLCSP
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Batteriemanagementfunktion: Ladezustandsmesser
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.5V
Batterie-/Akkutyp: Li-Ionen, Li-Polymer
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 12Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 5V
Schnittstellen: I2C
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 307 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+199.36 грн
10+ 152.45 грн
100+ 107.11 грн
Мінімальне замовлення: 4
LC709209FXE-01TBG LC709209FXE-01TBG ONSEMI 3791028.pdf Description: ONSEMI - LC709209FXE-01TBG - Ladezustandsmesser, Li-Ionen-/Li-Polymer-Akku, 2.5V-5V Versorgung, I2C-Schnittstelle, WLCSP-12
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: WLCSP
usEccn: EAR99
Batteriemanagementfunktion: Ladezustandsmesser
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.5V
Batterie-/Akkutyp: Li-Ionen, Li-Polymer
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 12Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5V
Schnittstellen: I2C
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 8989 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+214.99 грн
10+ 161.83 грн
100+ 113.36 грн
500+ 79.13 грн
5000+ 72.37 грн
Мінімальне замовлення: 4
NCP715SQ33T2G NCP715SQ33T2G ONSEMI 2236910.pdf Description: ONSEMI - NCP715SQ33T2G - LDO-Festspannungsregler, 2.5V bis 24Vin, 230mV Dropout, 3.3Vout und 50mAout, SC-70-5
tariffCode: 85423990
Ausgang: Fest
rohsCompliant: YES
Ausgangsspannung, min.: -V
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: -V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: SC-70
Nennausgangsspannung: 3.3V
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 24V
euEccn: NLR
Ausgangsstrom, max.: 50mA
Polarität: Positiver Ausgang
Eingangsspannung, min.: 2.5V
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: 3.3V 50mA LDO Voltage Regulators
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Typische Dropout-Spannung bei Strom: 230mV
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
на замовлення 4261 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+77.24 грн
13+ 61.45 грн
100+ 36.51 грн
500+ 24.54 грн
3000+ 22.11 грн
Мінімальне замовлення: 11
FQPF630 FQPF630 ONSEMI FQPF630-D.pdf Description: ONSEMI - FQPF630 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 6.3 A, 0.34 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200
Dauer-Drainstrom Id: 6.3
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 38
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
Verlustleistung: 38
Bauform - Transistor: TO-220F
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: QFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.34
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.34
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
товар відсутній
FDPF3860T FDPF3860T ONSEMI 2304643.pdf Description: ONSEMI - FDPF3860T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 20 A, 0.0291 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 33.8W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 33.8W
Bauform - Transistor: TO-220F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0291ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0291ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
на замовлення 341 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+118.83 грн
10+ 97.72 грн
100+ 72.47 грн
Мінімальне замовлення: 7
FDPF390N15A FDPF390N15A ONSEMI 2907397.pdf Description: ONSEMI - FDPF390N15A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 15 A, 0.031 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 22W
Bauform - Transistor: TO-220F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.031ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 452 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+84.43 грн
11+ 74.58 грн
100+ 64.65 грн
Мінімальне замовлення: 10
FDPF18N20FT FDPF18N20FT ONSEMI 2907322.pdf Description: ONSEMI - FDPF18N20FT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 18 A, 0.12 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 41W
Bauform - Transistor: TO-220F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: UniFET FRFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
товар відсутній
FDPF190N15A FDPF190N15A ONSEMI ONSM-S-A0003585533-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FDPF190N15A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 27.4 A, 0.0147 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 27.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 33W
Bauform - Transistor: TO-220F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0147ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
товар відсутній
FDPF045N10A FDPF045N10A ONSEMI 2859356.pdf Description: ONSEMI - FDPF045N10A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 67 A, 0.0037 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 67A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 43W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0037ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
на замовлення 364 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+330.7 грн
10+ 233.76 грн
100+ 189.98 грн
Мінімальне замовлення: 3
FDPF10N50UT FDPF10N50UT ONSEMI 2907393.pdf Description: ONSEMI - FDPF10N50UT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 8 A, 0.85 ohm, TO-220F
Drain-Source-Spannung Vds: 500
Dauer-Drainstrom Id: 8
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 42
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
Verlustleistung: 42
Bauform - Transistor: TO-220F
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: UniFET Ultra FRFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.85
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.85
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
на замовлення 862 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
21+37.68 грн
Мінімальне замовлення: 21
NV25080DWHFT3G NV25080DWHFT3G ONSEMI nv25080-d.pdf Description: ONSEMI - NV25080DWHFT3G - EEPROM, 8 Kbit, 1K x 8 Bit, Seriell SPI, 10 MHz, SOIC, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423275
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Speicherdichte: 8Kbit
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Taktfrequenz, max.: 10MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.5V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: 8Kbit SPI Serial EEPROM
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Schnittstellen: Seriell SPI
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Speicherkonfiguration: 1K x 8 Bit
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+43.31 грн
23+ 34.4 грн
100+ 28.22 грн
500+ 25.63 грн
3000+ 23.59 грн
Мінімальне замовлення: 19
NV25080DWHFT3G NV25080DWHFT3G ONSEMI nv25080-d.pdf Description: ONSEMI - NV25080DWHFT3G - EEPROM, 8 Kbit, 1K x 8 Bit, Seriell SPI, 10 MHz, SOIC, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423275
Bauform - Speicherbaustein: SOIC
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Speicherdichte: 8Kbit
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Taktfrequenz, max.: 10MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.5V
Taktfrequenz: 10MHz
euEccn: NLR
Speicherkonfiguration EEPROM: 1K x 8 bit
Speichergröße: 8Kbit
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: 8Kbit SPI Serial EEPROM
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Speicherschnittstelle: Seriell SPI
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Schnittstellen: Seriell SPI
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Speicherkonfiguration: 1K x 8 Bit
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+28.22 грн
500+ 25.63 грн
3000+ 23.59 грн
Мінімальне замовлення: 100
CAT25080YI-GT3 CAT25080YI-GT3 ONSEMI cat25080-d.pdf Description: ONSEMI - CAT25080YI-GT3 - EEPROM, 8 Kbit, 1K x 8 Bit, Seriell SPI, 10 MHz, TSSOP, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423261
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: TSSOP
Speicherdichte: 8Kbit
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Taktfrequenz, max.: 10MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.8V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: 8Kbit SPI Serial EEPROM
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Schnittstellen: Seriell SPI
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 1K x 8 Bit
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 3358 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+66.53 грн
14+ 58.01 грн
100+ 46.99 грн
500+ 41.16 грн
3000+ 34.58 грн
Мінімальне замовлення: 12
FQPF8N80CYDTU FQPF8N80CYDTU ONSEMI ONSM-S-A0003585407-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FQPF8N80CYDTU - MOSFET'S - SINGLE
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
товар відсутній
FDLL4150 FDLL4150 ONSEMI 2304298.pdf Description: ONSEMI - FDLL4150 - Kleinsignaldiode, Einfach, 50 V, 200 mA, 1 V, 6 ns, 4 A
tariffCode: 85411000
Durchlassstoßstrom: 4A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Durchlassspannung, max.: 1V
Sperrverzögerungszeit: 6ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 50V
Anzahl der Pins: 2Pins
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+31.66 грн
36+ 21.97 грн
100+ 8.52 грн
500+ 5.52 грн
2500+ 4.02 грн
Мінімальне замовлення: 25
BZX84C13LT1G BZX84C13LT1G ONSEMI 2236792.pdf description Description: ONSEMI - BZX84C13LT1G - Zener-Diode, 13 V, 225 mW, SOT-23, 3 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 13V
на замовлення 29261 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
63+12.59 грн
94+ 8.37 грн
215+ 3.65 грн
500+ 3.32 грн
Мінімальне замовлення: 63
SL15T1G SL15T1G ONSEMI 2578376.pdf Description: ONSEMI - SL15T1G - ESD-Schutzbaustein, 30 V, SOT-23, 3 Pin(s), 225 mW
tariffCode: 85411000
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Anzahl der Pins: 3Pins
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Bauform - Diode: SOT-23
hazardous: false
Begrenzungsspannung Vc, max.: 30V
Betriebsspannung: -
rohsPhthalatesCompliant: YES
Verlustleistung Pd: 225mW
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 6004 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+33.38 грн
29+ 27.36 грн
100+ 17.75 грн
500+ 10.53 грн
3000+ 8.44 грн
Мінімальне замовлення: 24
SL15T1G SL15T1G ONSEMI 2578376.pdf Description: ONSEMI - SL15T1G - ESD-Schutzbaustein, 30 V, SOT-23, 3 Pin(s), 225 mW
tariffCode: 85411000
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Anzahl der Pins: 3Pins
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Bauform - Diode: SOT-23
hazardous: false
Begrenzungsspannung Vc, max.: 30V
Betriebsspannung: -
rohsPhthalatesCompliant: YES
Verlustleistung Pd: 225mW
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 6004 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+17.75 грн
500+ 10.53 грн
3000+ 8.44 грн
Мінімальне замовлення: 100
KSA708YBU KSA708YBU ONSEMI KSA708-D.pdf Description: ONSEMI - KSA708YBU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 700 mA, 800 mW, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 700mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 800mW
Bauform - Transistor: TO-92
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 50MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 8694 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
29+27.52 грн
42+ 18.76 грн
100+ 8.29 грн
500+ 5.99 грн
1000+ 3.95 грн
5000+ 3.87 грн
Мінімальне замовлення: 29
KSA708YTA KSA708YTA ONSEMI KSA708-D.pdf Description: ONSEMI - KSA708YTA - PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товар відсутній
2SD1801S-E. 2SD1801S-E. ONSEMI EN2112-D.PDF Description: ONSEMI - 2SD1801S-E. - BIPOLAR TRANSISTOR
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
товар відсутній
2SD1802T-E. 2SD1802T-E. ONSEMI 2SB1202-D.PDF Description: ONSEMI - 2SD1802T-E. - BIPOLAR TRANSISTOR
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
товар відсутній
2SB1202S-TL-E 2SB1202S-TL-E ONSEMI 2255218.pdf Description: ONSEMI - 2SB1202S-TL-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 140
DC-Stromverstärkung hFE: 140
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 3
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 15
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 150
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
на замовлення 269 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+32.91 грн
25+ 32.29 грн
100+ 31.58 грн
Мінімальне замовлення: 24
2SB1202T-TL-E 2SB1202T-TL-E ONSEMI 2255218.pdf Description: ONSEMI - 2SB1202T-TL-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50
Verlustleistung: 15
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 3
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
на замовлення 127 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+33.15 грн
Мінімальне замовлення: 100
NCP81071AZR2G NCP81071-D.PDF
NCP81071AZR2G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP81071AZR2G - Gate-Treiber, 2 Kanäle, Low-Side, MOSFET, 8 Pin(s), MSOP
Sinkstrom: 5
Treiberkonfiguration: Low-Side
Leistungsschalter: MOSFET
IC-Gehäuse / Bauform: MSOP
Eingang: Invertierend
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Anzahl der Kanäle: 2
Betriebstemperatur, min.: -40
Quellstrom: 5
Versorgungsspannung, min.: 4.5
Bauform - Treiber: MSOP
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Versorgungsspannung, max.: 20
Eingabeverzögerung: 20
Ausgabeverzögerung: 20
Betriebstemperatur, max.: 140
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товар відсутній
NCP81071CZR2G NCP81071-D.PDF
NCP81071CZR2G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP81071CZR2G - Gate-Treiber, 2 Kanäle, Low-Side, MOSFET, 8 Pin(s), MSOP
Sinkstrom: 5
Treiberkonfiguration: Low-Side
Leistungsschalter: MOSFET
IC-Gehäuse / Bauform: MSOP
Eingang: Invertierend, nicht invertierend
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Anzahl der Kanäle: 2
Betriebstemperatur, min.: -40
Quellstrom: 5
Versorgungsspannung, min.: 4.5
Bauform - Treiber: MSOP
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Versorgungsspannung, max.: 20
Eingabeverzögerung: 20
Ausgabeverzögerung: 20
Betriebstemperatur, max.: 140
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товар відсутній
SB07-03C-TB-E ONSMS36749-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SB07-03C-TB-E
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - SB07-03C-TB-E - Kleinsignal-Schottky-Diode, Einfach, 30 V, 700 mA, 550 mV, 5 A, 125 °C
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
Durchlassstoßstrom: 5A
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 550mV
Sperrverzögerungszeit: 10ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 700mA
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 30V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 955 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+12.98 грн
500+ 7.62 грн
Мінімальне замовлення: 100
SBE807-TL-W ena1055-d.pdf
SBE807-TL-W
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - SBE807-TL-W - Schottky-Gleichrichterdiode, 30 V, 1 A, Zweifach, isoliert, SOT-25, 5 Pin(s), 530 mV
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-25
Durchlassstoßstrom: 10A
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, isoliert
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 530mV
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 30V
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 638 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
19+41.83 грн
24+ 32.76 грн
100+ 21.42 грн
500+ 12.63 грн
Мінімальне замовлення: 19
SB01-05C-TB-E ONSMS38557-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SB01-05C-TB-E
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - SB01-05C-TB-E - Schottky-Gleichrichterdiode, 50 V, 100 mA, Einfach, SOT-23, 3 Pin(s), 550 mV
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
Durchlassstoßstrom: 2A
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 550mV
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 100mA
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 50V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 125°C
на замовлення 1831 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
500+7.26 грн
Мінімальне замовлення: 500
SBE807-TL-W ena1055-d.pdf
SBE807-TL-W
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - SBE807-TL-W - Schottky-Gleichrichterdiode, 30 V, 1 A, Zweifach, isoliert, SOT-25, 5 Pin(s), 530 mV
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-25
Durchlassstoßstrom: 10A
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, isoliert
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 530mV
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 30V
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 638 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+21.42 грн
500+ 12.63 грн
Мінімальне замовлення: 100
NCD57201DR2G 3191473.pdf
NCD57201DR2G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCD57201DR2G - Gate-Treiber, 2 Kanäle, Halbbrücke, IGBT, 8 Pins, NSOIC, nicht invertierend
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 2.3A
Treiberkonfiguration: Halbbrücke
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: NSOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Channels
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 1.9A
Versorgungsspannung, min.: -
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 70ns
Ausgabeverzögerung: 70ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2330 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+126.65 грн
10+ 102.41 грн
100+ 68.72 грн
500+ 62.36 грн
Мінімальне замовлення: 7
NCP785AH33T1G ncp785a-d.pdf
NCP785AH33T1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP785AH33T1G - Linearer Festspannungsregler, 25V bis 450Vin, 3.3V/10.5mAout, SOT-89-3
tariffCode: 85423990
Ausgang: Fest
rohsCompliant: YES
Ausgangsspannung, min.: -
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: 0
Nennausgangsspannung: 3.3V
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 450V
euEccn: NLR
Ausgangsstrom, max.: 0
Eingangsspannung, min.: 25V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: 3.3V 10.5mA Linear Voltage Regulators
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 146 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+84.43 грн
12+ 67.7 грн
100+ 42.45 грн
Мінімальне замовлення: 10
NCP785AH150T1G 1948370.pdf
NCP785AH150T1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP785AH150T1G - Linearer Spannungsregler, feste Ausgangsspannung, 60V-450V Eingangsspannung, 15V/10mAout, SOT-89-3
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товар відсутній
2N4918G 2355583.pdf
2N4918G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2N4918G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 3 A, 30 W, TO-225, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10
DC-Stromverstärkung hFE: 10
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 3
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 30
Bauform - Transistor: TO-225
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 3
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 1145 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
14+57.85 грн
16+ 51.52 грн
100+ 38.93 грн
500+ 31.36 грн
1000+ 20.57 грн
Мінімальне замовлення: 14
2N4919G 2355583.pdf
2N4919G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2N4919G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 3 A, 30 W, TO-225, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10
DC-Stromverstärkung hFE: 10
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 3
Verlustleistung: 30
Bauform - Transistor: TO-225
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 3
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 111 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
13+62.62 грн
15+ 55.19 грн
100+ 42.3 грн
Мінімальне замовлення: 13
2N4921G 1911664.pdf
2N4921G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2N4921G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 1 A, 30 W, TO-225, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10
DC-Stromverstärkung hFE: 10
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 1
Verlustleistung: 30
Bauform - Transistor: TO-225
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 3
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
товар відсутній
NJD35N04G njd35n04-d.pdf
NJD35N04G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NJD35N04G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), AEC-Q100, NPN, 350 V, 4 A, 45 W, TO-252 (DPAK)
Transistormontage: Oberflächenmontage
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 300
DC-Stromverstärkung hFE: 300
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 4
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 45
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 350
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 90
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товар відсутній
NJV4031NT1G njt4031n-d.pdf
NJV4031NT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NJV4031NT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 3 A, 2 W, SOT-223, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100
DC-Stromverstärkung hFE: 100
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 3
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 2
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 215
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
16+50.82 грн
18+ 43.62 грн
100+ 32.6 грн
500+ 23.74 грн
1000+ 15.41 грн
Мінімальне замовлення: 16
NJV4030PT1G ONSM-S-A0013302113-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
NJV4030PT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NJV4030PT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 3 A, 2 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 3A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 160MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 1755 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
24+32.68 грн
29+ 27.36 грн
100+ 18.68 грн
500+ 11.69 грн
Мінімальне замовлення: 24
NCV47711PDAJR2G NCV47711-D.PDF
NCV47711PDAJR2G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCV47711PDAJR2G - LDO-Spannungsregler, AEC-Q100, einstellbar, max. 40Vin, 0.25V Dropout, 5V bis 20V/350mAout, SOIC-8
tariffCode: 85423990
Ausgang: Einstellbar
rohsCompliant: YES
Ausgangsspannung, min.: 5V
Ausgangsspannung, max.: 20V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Nennausgangsspannung: -
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 40V
euEccn: NLR
Eingangsspannung, min.: 5.5V
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Adj 350mA LDO Voltage Regulators
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Typische Dropout-Spannung bei Strom: 250mV
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 7470 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+161.83 грн
10+ 125.87 грн
100+ 84.43 грн
500+ 60.33 грн
2500+ 53.61 грн
5000+ 53.54 грн
Мінімальне замовлення: 5
NCV5703BDR2G
NCV5703BDR2G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCV5703BDR2G - IGBT-Treiber, Halbbrücke, 4A, max. 20V Versorgungsspannung, 59ns/54ns Verzögerung, SOIC-8
Sinkstrom: 1
Treiberkonfiguration: Halbbrücke
Leistungsschalter: IGBT
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Anzahl der Kanäle: 1
Betriebstemperatur, min.: -40
Quellstrom: 1
Versorgungsspannung, min.: -
Bauform - Treiber: SOIC
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Versorgungsspannung, max.: 20
Eingabeverzögerung: 59
Ausgabeverzögerung: 54
Betriebstemperatur, max.: 125
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
NCP1012AP065G. NCP1010-D.PDF
NCP1012AP065G.
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP1012AP065G. - AC / DC CONVERTERS
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
товар відсутній
FGD3040G2-F085 FGI3040G2_F085-D.PDF
FGD3040G2-F085
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FGD3040G2-F085 - IGBT, 41 A, 1.15 V, 150 W, 400 V, TO-252AA, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.15
Verlustleistung: 150
Bauform - Transistor: TO-252AA
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: EcoSPARK 2
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 400
Betriebstemperatur, max.: 175
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 41
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товар відсутній
FGD3040G2-F085 FGI3040G2_F085-D.PDF
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FGD3040G2-F085 - IGBT, 41 A, 1.15 V, 150 W, 400 V, TO-252AA, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.15
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.15
Verlustleistung Pd: 150
Verlustleistung: 150
Bauform - Transistor: TO-252AA
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 400
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: EcoSPARK 2
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 400
DC-Kollektorstrom: 41
Betriebstemperatur, max.: 175
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 41
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товар відсутній
FGD3040G2-F085V FGD3040G2-F085V-D.PDF
FGD3040G2-F085V
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FGD3040G2-F085V - IGBT SINGLE TRANSISTOR
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товар відсутній
FGD3040G2-F085C FGX3040G2-F085C-D.PDF
FGD3040G2-F085C
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FGD3040G2-F085C - IGBT SINGLE TRANSISTOR
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товар відсутній
FGD3325G2-F085 FGD3325G2_F085-D.PDF
FGD3325G2-F085
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FGD3325G2-F085 - IGBT SINGLE TRANSISTOR
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товар відсутній
FGD3325G2-F085V FGD3325G2_F085-D.PDF
FGD3325G2-F085V
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FGD3325G2-F085V - IGBT SINGLE TRANSISTOR
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товар відсутній
NC7SZ10L6X NC7SZ10-D.PDF
NC7SZ10L6X
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NC7SZ10L6X - Logik-IC, NAND-Gatter, Eins, 3 Inputs, 6 Pin(s), MicroPak, NC7SZ10
Logikfunktion: NAND-Gatter
Logik-IC-Familie: NC7SZ
Bauform - Logikbaustein: MicroPak
Ausgangsstrom: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Betriebstemperatur, min.: -40
Versorgungsspannung, min.: 1.65
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 6
Produktpalette: NC7SZ10
Versorgungsspannung, max.: 5.5
Anzahl der Eingänge: 3
Schmitt-Trigger-Eingang: Ohne Schmitt-Trigger-Eingang
Betriebstemperatur, max.: 85
Anzahl von Elementen: Eins
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товар відсутній
S2SC4617G 1913553.pdf
S2SC4617G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - S2SC4617G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 100 mA, 125 mW, SC-75, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125mW
Bauform - Transistor: SC-75
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 180MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 8125 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
24+33.38 грн
35+ 22.91 грн
100+ 8.76 грн
500+ 6.24 грн
3000+ 4.49 грн
Мінімальне замовлення: 24
S2SC4617G 1913553.pdf
S2SC4617G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - S2SC4617G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 100 mA, 125 mW, SC-75, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125mW
Bauform - Transistor: SC-75
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 180MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 8125 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+8.76 грн
500+ 6.24 грн
3000+ 4.49 грн
Мінімальне замовлення: 100
FGHL50T65SQDT 3005710.pdf
FGHL50T65SQDT
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FGHL50T65SQDT - IGBT, 100 A, 1.47 V, 268 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650
Verlustleistung: 268
Anzahl der Pins: 3
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 100
Bauform - Transistor: TO-247
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.47
Betriebstemperatur, max.: 175
Produktpalette: -
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товар відсутній
NSVRB751V40T1G 1911610.pdf
NSVRB751V40T1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NSVRB751V40T1G - Kleinsignal-Schottky-Diode, Einfach, 30 V, 30 mA, 370 mV, 500 mA, 150 °C
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-323
Durchlassstoßstrom: 500mA
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 370mV
Sperrverzögerungszeit: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 30mA
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 30V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 14271 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
32+24.7 грн
43+ 18.37 грн
100+ 16.57 грн
500+ 13.72 грн
3000+ 11.12 грн
9000+ 9.58 грн
Мінімальне замовлення: 32
NSVRB751V40T1G 1911610.pdf
NSVRB751V40T1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NSVRB751V40T1G - Kleinsignal-Schottky-Diode, Einfach, 30 V, 30 mA, 370 mV, 500 mA, 150 °C
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-323
Durchlassstoßstrom: 500mA
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 370mV
Sperrverzögerungszeit: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 30mA
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 30V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 14271 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+16.57 грн
500+ 13.72 грн
3000+ 11.12 грн
9000+ 9.58 грн
Мінімальне замовлення: 100
SZESD8351HT1G esd8351-d.pdf
SZESD8351HT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - SZESD8351HT1G - ESD-Schutzbaustein, 11.2 V, SOD-323, 2 Pin(s), 3.3 V, SZESD8351
Anzahl der Pins: 2
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Bauform - Diode: SOD-323
Begrenzungsspannung Vc, max.: 11.2
Betriebsspannung: 3.3
Verlustleistung Pd: -
Produktpalette: SZESD8351
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
на замовлення 2330 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
21+37.53 грн
26+ 31.04 грн
100+ 21.11 грн
500+ 11.03 грн
Мінімальне замовлення: 21
SZESD7272LT1G esd7272-d.pdf
SZESD7272LT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - SZESD7272LT1G - ESD-Schutzbaustein, 34 V, SOT-23, 3 Pin(s)
tariffCode: 85411000
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Bauform - Diode: SOT-23
hazardous: false
Begrenzungsspannung Vc, max.: 34V
Betriebsspannung: -
rohsPhthalatesCompliant: YES
Verlustleistung Pd: -
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 265 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
50+15.71 грн
73+ 10.79 грн
125+ 6.25 грн
Мінімальне замовлення: 50
SZESD8351XV2T1G esd8351-d.pdf
SZESD8351XV2T1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - SZESD8351XV2T1G - ESD-Schutzbaustein, 11.2 V, SOD-523, 2 Pin(s), 3.3 V, SZESD8351
tariffCode: 85411000
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Bauform - Diode: SOD-523
hazardous: false
Begrenzungsspannung Vc, max.: 11.2V
Betriebsspannung: 3.3V
rohsPhthalatesCompliant: YES
Verlustleistung Pd: -
usEccn: EAR99
Produktpalette: SZESD8351
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 931 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
29+27.83 грн
42+ 18.84 грн
100+ 12.27 грн
500+ 8.2 грн
Мінімальне замовлення: 29
CAT25080VI-GT3 cat25080-d.pdf
CAT25080VI-GT3
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - CAT25080VI-GT3 - EEPROM, 8 Kbit, 1K x 8 Bit, Seriell SPI, 10 MHz, SOIC, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423261
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Speicherdichte: 8Kbit
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Taktfrequenz, max.: 10MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.8V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: 8Kbit SPI Serial EEPROM
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Schnittstellen: Seriell SPI
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 1K x 8 Bit
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 275 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
29+27.52 грн
32+ 24.7 грн
100+ 19.23 грн
Мінімальне замовлення: 29
CAT5113VI-10-GT3 1750550.pdf
CAT5113VI-10-GT3
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - CAT5113VI-10-GT3 - Digitalpotentiometer, nichtflüchtig, 10 kohm, Einfach, Seriell, Linear, ± 20%, 2.5 V
tariffCode: 85423990
Bauform - Potentiometer: SOIC
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Anzahl der Potentiometer: Einfach
Widerstandsverlauf: Linear
usEccn: EAR99
Anzahl Schritte: 100
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Widerstandstoleranz: ± 20%
Versorgungsspannung, min.: 2.5V
Temperaturkoeffizient: +300ppm/°C
euEccn: NLR
Steuer-/Bedienschnittstelle: Seriell
Gesamtwiderstand: 10kohm
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pins
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 6V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
на замовлення 7771 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+275.97 грн
10+ 207.18 грн
100+ 164.18 грн
500+ 121.96 грн
3000+ 109.9 грн
6000+ 107.89 грн
Мінімальне замовлення: 3
NVBLS0D7N06C nvbls0d7n06c-d.pdf
NVBLS0D7N06C
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NVBLS0D7N06C - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 470 A, 560 µohm, H-PSOF
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 470
Qualifikation: AEC-Q101
Verlustleistung Pd: 314
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8
Verlustleistung: 314
Bauform - Transistor: H-PSOF
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 560
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 560
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товар відсутній
LC709204FXE-01TBG 2913002.pdf
LC709204FXE-01TBG
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - LC709204FXE-01TBG - LADEZUSTANDSMESSER, LI-ION/POL, WLCSP-12
tariffCode: 85423190
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: WLCSP
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Batteriemanagementfunktion: Ladezustandsmesser
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.5V
Batterie-/Akkutyp: Li-Ionen, Li-Polymer
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 12Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 5V
Schnittstellen: I2C
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 307 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+199.36 грн
10+ 152.45 грн
100+ 107.11 грн
Мінімальне замовлення: 4
LC709209FXE-01TBG 3791028.pdf
LC709209FXE-01TBG
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - LC709209FXE-01TBG - Ladezustandsmesser, Li-Ionen-/Li-Polymer-Akku, 2.5V-5V Versorgung, I2C-Schnittstelle, WLCSP-12
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: WLCSP
usEccn: EAR99
Batteriemanagementfunktion: Ladezustandsmesser
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.5V
Batterie-/Akkutyp: Li-Ionen, Li-Polymer
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 12Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5V
Schnittstellen: I2C
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 8989 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+214.99 грн
10+ 161.83 грн
100+ 113.36 грн
500+ 79.13 грн
5000+ 72.37 грн
Мінімальне замовлення: 4
NCP715SQ33T2G 2236910.pdf
NCP715SQ33T2G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP715SQ33T2G - LDO-Festspannungsregler, 2.5V bis 24Vin, 230mV Dropout, 3.3Vout und 50mAout, SC-70-5
tariffCode: 85423990
Ausgang: Fest
rohsCompliant: YES
Ausgangsspannung, min.: -V
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: -V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: SC-70
Nennausgangsspannung: 3.3V
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 24V
euEccn: NLR
Ausgangsstrom, max.: 50mA
Polarität: Positiver Ausgang
Eingangsspannung, min.: 2.5V
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: 3.3V 50mA LDO Voltage Regulators
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Typische Dropout-Spannung bei Strom: 230mV
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
на замовлення 4261 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
11+77.24 грн
13+ 61.45 грн
100+ 36.51 грн
500+ 24.54 грн
3000+ 22.11 грн
Мінімальне замовлення: 11
FQPF630 FQPF630-D.pdf
FQPF630
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FQPF630 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 6.3 A, 0.34 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200
Dauer-Drainstrom Id: 6.3
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 38
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
Verlustleistung: 38
Bauform - Transistor: TO-220F
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: QFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.34
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.34
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
товар відсутній
FDPF3860T 2304643.pdf
FDPF3860T
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDPF3860T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 20 A, 0.0291 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 33.8W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 33.8W
Bauform - Transistor: TO-220F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0291ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0291ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
на замовлення 341 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+118.83 грн
10+ 97.72 грн
100+ 72.47 грн
Мінімальне замовлення: 7
FDPF390N15A 2907397.pdf
FDPF390N15A
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDPF390N15A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 15 A, 0.031 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 22W
Bauform - Transistor: TO-220F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.031ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 452 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+84.43 грн
11+ 74.58 грн
100+ 64.65 грн
Мінімальне замовлення: 10
FDPF18N20FT 2907322.pdf
FDPF18N20FT
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDPF18N20FT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 18 A, 0.12 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 41W
Bauform - Transistor: TO-220F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: UniFET FRFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
товар відсутній
FDPF190N15A ONSM-S-A0003585533-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
FDPF190N15A
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDPF190N15A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 27.4 A, 0.0147 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 27.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 33W
Bauform - Transistor: TO-220F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0147ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
товар відсутній
FDPF045N10A 2859356.pdf
FDPF045N10A
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDPF045N10A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 67 A, 0.0037 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 67A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 43W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0037ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
на замовлення 364 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+330.7 грн
10+ 233.76 грн
100+ 189.98 грн
Мінімальне замовлення: 3
FDPF10N50UT 2907393.pdf
FDPF10N50UT
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDPF10N50UT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 8 A, 0.85 ohm, TO-220F
Drain-Source-Spannung Vds: 500
Dauer-Drainstrom Id: 8
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 42
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
Verlustleistung: 42
Bauform - Transistor: TO-220F
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: UniFET Ultra FRFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.85
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.85
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
на замовлення 862 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
21+37.68 грн
Мінімальне замовлення: 21
NV25080DWHFT3G nv25080-d.pdf
NV25080DWHFT3G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NV25080DWHFT3G - EEPROM, 8 Kbit, 1K x 8 Bit, Seriell SPI, 10 MHz, SOIC, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423275
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Speicherdichte: 8Kbit
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Taktfrequenz, max.: 10MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.5V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: 8Kbit SPI Serial EEPROM
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Schnittstellen: Seriell SPI
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Speicherkonfiguration: 1K x 8 Bit
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
19+43.31 грн
23+ 34.4 грн
100+ 28.22 грн
500+ 25.63 грн
3000+ 23.59 грн
Мінімальне замовлення: 19
NV25080DWHFT3G nv25080-d.pdf
NV25080DWHFT3G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NV25080DWHFT3G - EEPROM, 8 Kbit, 1K x 8 Bit, Seriell SPI, 10 MHz, SOIC, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423275
Bauform - Speicherbaustein: SOIC
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Speicherdichte: 8Kbit
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Taktfrequenz, max.: 10MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.5V
Taktfrequenz: 10MHz
euEccn: NLR
Speicherkonfiguration EEPROM: 1K x 8 bit
Speichergröße: 8Kbit
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: 8Kbit SPI Serial EEPROM
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Speicherschnittstelle: Seriell SPI
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Schnittstellen: Seriell SPI
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Speicherkonfiguration: 1K x 8 Bit
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+28.22 грн
500+ 25.63 грн
3000+ 23.59 грн
Мінімальне замовлення: 100
CAT25080YI-GT3 cat25080-d.pdf
CAT25080YI-GT3
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - CAT25080YI-GT3 - EEPROM, 8 Kbit, 1K x 8 Bit, Seriell SPI, 10 MHz, TSSOP, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423261
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: TSSOP
Speicherdichte: 8Kbit
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Taktfrequenz, max.: 10MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.8V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: 8Kbit SPI Serial EEPROM
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Schnittstellen: Seriell SPI
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 1K x 8 Bit
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 3358 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
12+66.53 грн
14+ 58.01 грн
100+ 46.99 грн
500+ 41.16 грн
3000+ 34.58 грн
Мінімальне замовлення: 12
FQPF8N80CYDTU ONSM-S-A0003585407-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
FQPF8N80CYDTU
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FQPF8N80CYDTU - MOSFET'S - SINGLE
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
товар відсутній
FDLL4150 2304298.pdf
FDLL4150
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDLL4150 - Kleinsignaldiode, Einfach, 50 V, 200 mA, 1 V, 6 ns, 4 A
tariffCode: 85411000
Durchlassstoßstrom: 4A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Durchlassspannung, max.: 1V
Sperrverzögerungszeit: 6ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 50V
Anzahl der Pins: 2Pins
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
25+31.66 грн
36+ 21.97 грн
100+ 8.52 грн
500+ 5.52 грн
2500+ 4.02 грн
Мінімальне замовлення: 25
BZX84C13LT1G description 2236792.pdf
BZX84C13LT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BZX84C13LT1G - Zener-Diode, 13 V, 225 mW, SOT-23, 3 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 13V
на замовлення 29261 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
63+12.59 грн
94+ 8.37 грн
215+ 3.65 грн
500+ 3.32 грн
Мінімальне замовлення: 63
SL15T1G 2578376.pdf
SL15T1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - SL15T1G - ESD-Schutzbaustein, 30 V, SOT-23, 3 Pin(s), 225 mW
tariffCode: 85411000
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Anzahl der Pins: 3Pins
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Bauform - Diode: SOT-23
hazardous: false
Begrenzungsspannung Vc, max.: 30V
Betriebsspannung: -
rohsPhthalatesCompliant: YES
Verlustleistung Pd: 225mW
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 6004 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
24+33.38 грн
29+ 27.36 грн
100+ 17.75 грн
500+ 10.53 грн
3000+ 8.44 грн
Мінімальне замовлення: 24
SL15T1G 2578376.pdf
SL15T1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - SL15T1G - ESD-Schutzbaustein, 30 V, SOT-23, 3 Pin(s), 225 mW
tariffCode: 85411000
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Anzahl der Pins: 3Pins
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Bauform - Diode: SOT-23
hazardous: false
Begrenzungsspannung Vc, max.: 30V
Betriebsspannung: -
rohsPhthalatesCompliant: YES
Verlustleistung Pd: 225mW
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 6004 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+17.75 грн
500+ 10.53 грн
3000+ 8.44 грн
Мінімальне замовлення: 100
KSA708YBU KSA708-D.pdf
KSA708YBU
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - KSA708YBU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 700 mA, 800 mW, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 700mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 800mW
Bauform - Transistor: TO-92
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 50MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 8694 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
29+27.52 грн
42+ 18.76 грн
100+ 8.29 грн
500+ 5.99 грн
1000+ 3.95 грн
5000+ 3.87 грн
Мінімальне замовлення: 29
KSA708YTA KSA708-D.pdf
KSA708YTA
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - KSA708YTA - PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товар відсутній
2SD1801S-E. EN2112-D.PDF
2SD1801S-E.
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SD1801S-E. - BIPOLAR TRANSISTOR
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
товар відсутній
2SD1802T-E. 2SB1202-D.PDF
2SD1802T-E.
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SD1802T-E. - BIPOLAR TRANSISTOR
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
товар відсутній
2SB1202S-TL-E 2255218.pdf
2SB1202S-TL-E
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SB1202S-TL-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 140
DC-Stromverstärkung hFE: 140
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 3
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 15
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 150
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
на замовлення 269 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
24+32.91 грн
25+ 32.29 грн
100+ 31.58 грн
Мінімальне замовлення: 24
2SB1202T-TL-E 2255218.pdf
2SB1202T-TL-E
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SB1202T-TL-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50
Verlustleistung: 15
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 3
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
на замовлення 127 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+33.15 грн
Мінімальне замовлення: 100
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 232 464 696 928 1160 1392 1624 1797 1798 1799 1800 1801 1802 1803 1804 1805 1806 1807 1856 2088 2320 2325  [ Наступна Сторінка >> ]