2SB1202T-TL-E ONSEMI
Виробник: ONSEMIDescription: ONSEMI - 2SB1202T-TL-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50
Verlustleistung: 15
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 3
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
на замовлення 127 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 100+ | 33.15 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 2SB1202T-TL-E ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SB1202T-TL-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, Transistormontage: Oberflächenmontage, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200, DC-Stromverstärkung hFE: 200, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 3, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung: 15, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3, Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 150, Betriebstemperatur, max.: 150, SVHC: Lead (19-Jan-2021).
Інші пропозиції 2SB1202T-TL-E за ціною від 33.15 грн до 49.25 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
2SB1202T-TL-E | Виробник : onsemi |
Description: TRANS PNP 50V 3A TPFA Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 100mA, 2A Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V Frequency - Transition: 150MHz Supplier Device Package: TP-FA Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 1 W |
на замовлення 76 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
|
2SB1202T-TL-E | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - 2SB1202T-TL-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage Transistormontage: Oberflächenmontage DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200 DC-Stromverstärkung hFE: 200 Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 3 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 15 Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50 Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 150 Betriebstemperatur, max.: 150 SVHC: Lead (19-Jan-2021) |
на замовлення 127 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
| 2SB1202T-TL-E | Виробник : SANYO |
на замовлення 2800 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||
| 2SB1202T-TL-E | Виробник : SANYO | 2004 |
на замовлення 240 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||
| 2SB1202T-TL-E | Виробник : ON Semiconductor |
Bipolar Transistors - BJT LOW-SATURATION VOLTAGE |
на замовлення 2178 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
||||||||||
 |
2SB1202T-TL-E | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 50V 3A 1000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товар відсутній |
|||||||||
|
|
2SB1202T-TL-E | Виробник : onsemi |
Description: TRANS PNP 50V 3A TPFA Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 100mA, 2A Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V Frequency - Transition: 150MHz Supplier Device Package: TP-FA Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 1 W |
товар відсутній |