FGD3040G2-F085 ON Semiconductor
Виробник: ON Semiconductor
Trans IGBT Chip N-CH 390V 25.6A 150000mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans IGBT Chip N-CH 390V 25.6A 150000mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2500+ | 72.67 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FGD3040G2-F085 ON Semiconductor
Description: ONSEMI - FGD3040G2-F085 - IGBT, 41 A, 1.15 V, 150 W, 400 V, TO-252AA, 3 Pin(s), tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: Y-EX, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.15V, usEccn: EAR99, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.15V, Verlustleistung Pd: 150W, euEccn: NLR, Verlustleistung: 150W, Bauform - Transistor: TO-252AA, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 400V, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: EcoSPARK 2, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 400V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, DC-Kollektorstrom: 41A, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Kontinuierlicher Kollektorstrom: 41A, SVHC: Lead (14-Jun-2023).
Інші пропозиції FGD3040G2-F085 за ціною від 64.24 грн до 187.95 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
FGD3040G2-F085 | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FGD3040G2-F085 - IGBT, 41 A, 1.15 V, 150 W, 400 V, TO-252AA, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.15V usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.15V Verlustleistung Pd: 150W euEccn: NLR Verlustleistung: 150W Bauform - Transistor: TO-252AA Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 400V Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: EcoSPARK 2 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 400V productTraceability: Yes-Date/Lot Code DC-Kollektorstrom: 41A Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 41A SVHC: Lead (14-Jun-2023) |
на замовлення 4867 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
FGD3040G2-F085 | Виробник : onsemi |
Description: IGBT 400V 41A TO252AA Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Logic Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.25V @ 4V, 6A Supplier Device Package: TO-252AA Td (on/off) @ 25°C: -/4.8µs Test Condition: 300V, 6.5A, 1kOhm, 5V Gate Charge: 21 nC Grade: Automotive Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 41 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V Power - Max: 150 W Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 2243 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
FGD3040G2-F085 | Виробник : onsemi / Fairchild | IGBTs EcoSPARK2 300mJ 400V N-Chan Ignition IGB |
на замовлення 3242 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
FGD3040G2-F085 | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FGD3040G2-F085 - IGBT, 41 A, 1.15 V, 150 W, 400 V, TO-252AA, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.15V usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 150W Bauform - Transistor: TO-252AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: EcoSPARK 2 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 400V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 41A SVHC: Lead (14-Jun-2023) |
на замовлення 4867 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
FGD3040G2-F085 | Виробник : ON Semiconductor | Trans IGBT Chip N-CH 390V 41A 150W 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101 |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
FGD3040G2-F085 | Виробник : ON Semiconductor | Trans IGBT Chip N-CH 390V 41A 150W 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101 |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
FGD3040G2_F085 | Виробник : Fairchild Semiconductor |
Description: INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO Packaging: Bulk Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Logic Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.25V @ 4V, 6A Supplier Device Package: TO-252, (D-Pak) Td (on/off) @ 25°C: -/4.8µs Test Condition: 300V, 6.5A, 1kOhm, 5V Gate Charge: 21 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 41 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V Power - Max: 150 W |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
FGD3040G2-F085 | Виробник : onsemi |
Description: IGBT 400V 41A TO252AA Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Logic Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.25V @ 4V, 6A Supplier Device Package: TO-252AA Td (on/off) @ 25°C: -/4.8µs Test Condition: 300V, 6.5A, 1kOhm, 5V Gate Charge: 21 nC Grade: Automotive Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 41 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V Power - Max: 150 W Qualification: AEC-Q101 |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
FGD3040G2-F085 | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD IGBT transistors Description: Transistor: IGBT Type of transistor: IGBT |
товар відсутній |